JPH06349779A - 基板の表面にパターンを形成する方法 - Google Patents
基板の表面にパターンを形成する方法Info
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- JPH06349779A JPH06349779A JP6085828A JP8582894A JPH06349779A JP H06349779 A JPH06349779 A JP H06349779A JP 6085828 A JP6085828 A JP 6085828A JP 8582894 A JP8582894 A JP 8582894A JP H06349779 A JPH06349779 A JP H06349779A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
- H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多様に使用することのできる表面パターンを
基板の表面に極めて容易にしかも極めて高い精度で再現
可能に形成することのできる方法を提供する。 【構成】 一定の間隔ｄをおいて表面１０上に縁端２０
を有するマスク２を配置し、表面１０をエッチングイオ
ンビーム３で照射し、この表面１０を照射中にイオンビ
ーム３の方向に対して角度αで斜めに配設された表面１
０に対して垂直である回転軸４を中心に回転させる。そ
の際光線３は回転中にマスク縁端２０に当たる。角度α
を変えることによって任意に表面パターンが形成され
る。
基板の表面に極めて容易にしかも極めて高い精度で再現
可能に形成することのできる方法を提供する。 【構成】 一定の間隔ｄをおいて表面１０上に縁端２０
を有するマスク２を配置し、表面１０をエッチングイオ
ンビーム３で照射し、この表面１０を照射中にイオンビ
ーム３の方向に対して角度αで斜めに配設された表面１
０に対して垂直である回転軸４を中心に回転させる。そ
の際光線３は回転中にマスク縁端２０に当たる。角度α
を変えることによって任意に表面パターンが形成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の表面にパターンを
形成する方法に関する。
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面にパターンを形成するのに、
表面上に次の乾式エッチング処理時にエッチングマスク
となる材料を部位により層厚を変化させながら施すこと
が提案されている。エッチングマスクの材料としてはフ
ォトレジスト及び例えば酸化アルミニウム又は酸化ケイ
素のような種々の酸化物が提案されている。表面に生じ
るパターンは基板の材料とエッチングマスクの材料との
エッチング率の割合によって左右される。この提案され
ている方法は例えば半導体層構造物の構造化に使用され
ている。
表面上に次の乾式エッチング処理時にエッチングマスク
となる材料を部位により層厚を変化させながら施すこと
が提案されている。エッチングマスクの材料としてはフ
ォトレジスト及び例えば酸化アルミニウム又は酸化ケイ
素のような種々の酸化物が提案されている。表面に生じ
るパターンは基板の材料とエッチングマスクの材料との
エッチング率の割合によって左右される。この提案され
ている方法は例えば半導体層構造物の構造化に使用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上述
の方法とは異なり極めて簡単な方法で多様に使用するこ
とのできる表面パターンを形成する方法を提供すること
にある。
の方法とは異なり極めて簡単な方法で多様に使用するこ
とのできる表面パターンを形成する方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明の請
求項１の特徴部分に基づき解決される。多様に使用する
ことのできる本発明の方法によれば、表面パターンを簡
単にしかも極めて高い精度で再現可能に作ることができ
る。本発明の方法は一定の表面パターン、例えば層テー
パを形成するのに特に適している。
求項１の特徴部分に基づき解決される。多様に使用する
ことのできる本発明の方法によれば、表面パターンを簡
単にしかも極めて高い精度で再現可能に作ることができ
る。本発明の方法は一定の表面パターン、例えば層テー
パを形成するのに特に適している。
【０００５】本発明方法では、任意の表面パターンを有
利には光線の方向及び／又は基板の表面に対する回転軸
の角度を時間的に変更させることによって形成すること
ができる。
利には光線の方向及び／又は基板の表面に対する回転軸
の角度を時間的に変更させることによって形成すること
ができる。
【０００６】回転軸を斜めにではなく基板の表面に対し
て垂直に配置すると有利である。また本発明方法の場合
基板表面の照射中及び回転中にこの表面と無接触で作動
する測定装置、特に干渉光学測定装置を使用して所望の
表面パターンをその形成時に精度及び形状について監視
することができ、その上オンラインコントロールに対す
る完全な適合性を得ることができる。
て垂直に配置すると有利である。また本発明方法の場合
基板表面の照射中及び回転中にこの表面と無接触で作動
する測定装置、特に干渉光学測定装置を使用して所望の
表面パターンをその形成時に精度及び形状について監視
することができ、その上オンラインコントロールに対す
る完全な適合性を得ることができる。
【０００７】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述
する。
する。
【０００８】基板１を図１に基づき回転軸４を中心に回
転する回転皿６上に配置する。
転する回転皿６上に配置する。
【０００９】基板１の皿６に面していない表面１０の上
方にこの表面１０から一定の間隔ｄをおいて画成された
縁端２０を有するマスク２を配設する。マスク２及びそ
の縁端２０と基板表面１０との間隔ｄは表面１０とマス
ク２との間に配設されたスペーサ７により決定されてい
る。
方にこの表面１０から一定の間隔ｄをおいて画成された
縁端２０を有するマスク２を配設する。マスク２及びそ
の縁端２０と基板表面１０との間隔ｄは表面１０とマス
ク２との間に配設されたスペーサ７により決定されてい
る。
【００１０】縁端２０を有するマスク２、スペーサ７及
び基板１は回転軸４に対して固定されている皿６と共に
ここには示されていないが例えばイオンビームエッチン
グ室内に配置されており、その中で一定の方向３０から
基板表面１０上に向けられた材料を削除する光線がエッ
チングイオンビームとして発生する。
び基板１は回転軸４に対して固定されている皿６と共に
ここには示されていないが例えばイオンビームエッチン
グ室内に配置されており、その中で一定の方向３０から
基板表面１０上に向けられた材料を削除する光線がエッ
チングイオンビームとして発生する。
【００１１】エッチング工程中に回転皿６は基板１及び
マスク２と共に光線３の方向３０に対して角度αをもっ
て斜めに配置された回転軸４を中心に回転するが、その
際光線３は基板１が回転している間にマスク縁端２０に
当たる。そのためマスク２の下にある基板１の表面１０
の種々の範囲が光線３に異なる時間曝されることにな
る。このことは部位によって材料の削減が決定されるこ
とをもたらす。角度αを時間的に変えることによって予
定の表面パターンを任意に形成することができ、その際
角度αを０にすることも有り得る。
マスク２と共に光線３の方向３０に対して角度αをもっ
て斜めに配置された回転軸４を中心に回転するが、その
際光線３は基板１が回転している間にマスク縁端２０に
当たる。そのためマスク２の下にある基板１の表面１０
の種々の範囲が光線３に異なる時間曝されることにな
る。このことは部位によって材料の削減が決定されるこ
とをもたらす。角度αを時間的に変えることによって予
定の表面パターンを任意に形成することができ、その際
角度αを０にすることも有り得る。
【００１２】図１に基づく実施例には、必ずしも必要で
はないがしかし有利な一例として基板１の表面１０に対
して回転軸４が垂直である場合が示されている。そうで
ない場合には表面１０を回転斜板と同様に回転軸４を中
心に旋回させることもできる。その場合光線３の方向３
０も回転軸４に対して平行にすることができる。
はないがしかし有利な一例として基板１の表面１０に対
して回転軸４が垂直である場合が示されている。そうで
ない場合には表面１０を回転斜板と同様に回転軸４を中
心に旋回させることもできる。その場合光線３の方向３
０も回転軸４に対して平行にすることができる。
【００１３】光線３は図１に基づく実施例では平行光線
である。しかしこのことは必ずしも必要ではなく、むし
ろ実際には光線３は分散性の、どちらかといえば非収束
性の光線を用いることもでき、その場合方向はこの光線
の軸線又は主方向によって決定される。
である。しかしこのことは必ずしも必要ではなく、むし
ろ実際には光線３は分散性の、どちらかといえば非収束
性の光線を用いることもでき、その場合方向はこの光線
の軸線又は主方向によって決定される。
【００１４】本発明方法の完了後図２によれば表面１０
は何れの場合にも２つの異なるレベル上に形成された表
面領域１１及び１２を有しており、この表面は形成され
たパターンを有する移行領域１３によってマスク縁端２
０の下方で互いに接続されている。高い方のレベルにあ
る表面領域１１はエッチングされていない領域であり、
低いところにある表面領域１２は最も深くエッチングさ
れた領域である。
は何れの場合にも２つの異なるレベル上に形成された表
面領域１１及び１２を有しており、この表面は形成され
たパターンを有する移行領域１３によってマスク縁端２
０の下方で互いに接続されている。高い方のレベルにあ
る表面領域１１はエッチングされていない領域であり、
低いところにある表面領域１２は最も深くエッチングさ
れた領域である。
【００１５】表面パターンはとりわけマスク縁端２０の
断面形状により決定される。マスク縁端２０が図１に見
られるように鋭い切口を有している場合、表面パターン
はマスク縁端２０が鋭くない場合に比べて急峻となる。
断面形状により決定される。マスク縁端２０が図１に見
られるように鋭い切口を有している場合、表面パターン
はマスク縁端２０が鋭くない場合に比べて急峻となる。
【００１６】図２に実際の表面パターンをレベルの異な
る表面領域１１と１２との間の移行領域１３でスケール
により示した実施例は、表面パターンが例えばＮ2イオ
ンビームで形成されたものである。このイオンビーム源
は基板１から約０．５ｍ離れたところに配置したもので
ある。図２には角度αがπ／４であり、基板１の表面１
０とマスク２との間隔ｄが１０００μｍである場合の表
面パターンが示されており、その際水平な横座標軸上の
０値がマスク縁端２０の位置を示すものである。縦座標
軸はエッチング深さを示す。
る表面領域１１と１２との間の移行領域１３でスケール
により示した実施例は、表面パターンが例えばＮ2イオ
ンビームで形成されたものである。このイオンビーム源
は基板１から約０．５ｍ離れたところに配置したもので
ある。図２には角度αがπ／４であり、基板１の表面１
０とマスク２との間隔ｄが１０００μｍである場合の表
面パターンが示されており、その際水平な横座標軸上の
０値がマスク縁端２０の位置を示すものである。縦座標
軸はエッチング深さを示す。
【図１】本発明方法を実施するための装置の概略断面
図。
図。
【図２】図１に基づく装置で形成された実際の表面パタ
ーンを示す図。
ーンを示す図。
１ 基板 ２ マスク ２０ マスク縁端 ３ 光線 ４ 回転軸 ６ 回転皿 ７ スペーサ １０ 基板表面 １１ 高いレベルにあるエッチングされていない表面領
域 １２ 低いレベルにある最も深くエッチングされた表面
領域 １３ 移行領域
域 １２ 低いレベルにある最も深くエッチングされた表面
領域 １３ 移行領域
Claims (5)
- 【請求項１】 基板（１）の表面（１０）を覆いこの表
面に一定の間隔をおいて一定の縁端（２０）を有するマ
スク（２）を配設し、基板表面（１０）を一定の方向
（３０）からこの表面（１０）上に向けられた材料を削
除する光線（３）で照射し、基板（１）をマスク（２）
と共に光線（３）の方向及び／又は表面（１０）に対し
て角度（α）に傾斜して配設された回転軸（４）を中心
に回転させながら照射し、その際光線（３）が基板
（１）の回転中にマスク縁端（２０）に当たるようにし
たことを特徴とする基板の表面にパターンを形成する方
法。 - 【請求項２】 回転軸（４）の角度（α）を光線（３）
の方向（３０）に対して時間的に変化させることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 回転軸（４）に対して基板表面（１０）
が垂直であることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 照射及び回転中の基板表面（１０）を無
接触で作動する測定装置（５）で測定することを特徴と
する請求項１ないし３の１つに記載の方法。 - 【請求項５】 基板表面（１０）を干渉光学測定装置
（５）で測定することを特徴とする請求項４記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4311289.7 | 1993-04-06 | ||
| DE4311289 | 1993-04-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349779A true JPH06349779A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=6484877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6085828A Withdrawn JPH06349779A (ja) | 1993-04-06 | 1994-03-31 | 基板の表面にパターンを形成する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0626721A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06349779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4767859B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2011-09-07 | ウォステック・インコーポレイテッド | コヒーレントな波形ナノ構造の形成方法 |
| JP5619002B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4037809B2 (ja) | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
| GB201002645D0 (en) * | 2010-02-17 | 2010-03-31 | Univ Lancaster | Method and apparatus for ion beam polishing |
| CN103495907B (zh) * | 2013-09-24 | 2015-12-02 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4535531A (en) * | 1982-03-22 | 1985-08-20 | International Business Machines Corporation | Method and resulting structure for selective multiple base width transistor structures |
| JPH02299231A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体のエッチング方法 |
| JPH03267366A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-28 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜形成装置ならびにその運転方法 |
| JPH04309279A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-10-30 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
-
1994
- 1994-03-14 EP EP94103914A patent/EP0626721A1/de not_active Withdrawn
- 1994-03-31 JP JP6085828A patent/JPH06349779A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4767859B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2011-09-07 | ウォステック・インコーポレイテッド | コヒーレントな波形ナノ構造の形成方法 |
| JP5619002B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0626721A1 (de) | 1994-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |