JPH06349913A - バーンインの非接触モニター方法 - Google Patents
バーンインの非接触モニター方法Info
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- JPH06349913A JPH06349913A JP5142095A JP14209593A JPH06349913A JP H06349913 A JPH06349913 A JP H06349913A JP 5142095 A JP5142095 A JP 5142095A JP 14209593 A JP14209593 A JP 14209593A JP H06349913 A JPH06349913 A JP H06349913A
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- JP
- Japan
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- burn
- semiconductor device
- electromagnetic wave
- monitoring method
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイスの初期不良を排除するために
実施するバーンイン試験において、半導体デバイスの動
作が正常であるか否かを確認するモニター方法に関し、
バーンインボードに専用のモニター端子を設けることな
く半導体デバイスの動作状態をモニターできるバーンイ
ンのモニター方法を提供することを目的とする。 【構成】 電磁波検出用微小アンテナ８を半導体デバイ
ス２に近接または密着させて、半導体デバイス２がバー
ンイン試験中に発生する電磁波を検出し、この電磁波の
周波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応する振幅を
正常な半導体デバイスの発生するそれらと比較し、両者
が一致したのをもって半導体デバイス２の動作が正常で
あると判定するようにする方法。
実施するバーンイン試験において、半導体デバイスの動
作が正常であるか否かを確認するモニター方法に関し、
バーンインボードに専用のモニター端子を設けることな
く半導体デバイスの動作状態をモニターできるバーンイ
ンのモニター方法を提供することを目的とする。 【構成】 電磁波検出用微小アンテナ８を半導体デバイ
ス２に近接または密着させて、半導体デバイス２がバー
ンイン試験中に発生する電磁波を検出し、この電磁波の
周波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応する振幅を
正常な半導体デバイスの発生するそれらと比較し、両者
が一致したのをもって半導体デバイス２の動作が正常で
あると判定するようにする方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの初期
不良を排除するために実施するバーンイン試験におい
て、半導体デバイスの動作が正常であるか否かを確認す
るモニター方法に関する。
不良を排除するために実施するバーンイン試験におい
て、半導体デバイスの動作が正常であるか否かを確認す
るモニター方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高品質化を図るため、
初期不良を効果的に排除する目的でバーンイン試験が実
施されている。バーンイン試験は半導体デバイスに定格
条件より高い周囲温度と電源電圧とを印加した状態で動
作させ、短時間で初期不良を検出するものである。
初期不良を効果的に排除する目的でバーンイン試験が実
施されている。バーンイン試験は半導体デバイスに定格
条件より高い周囲温度と電源電圧とを印加した状態で動
作させ、短時間で初期不良を検出するものである。
【０００３】ところで、半導体デバイスの一層の高品質
化を図るためには、バーンイン試験される半導体デバイ
スを装着するバーンインボードの不良、半導体デバイス
とバーンインボードとの間の接触不良、または、バーン
イン装置（バーンイン試験に必要な装置のうち、バーン
インボードを除く部分をバーンイン装置と言う。）の不
良によって、バーンイン中に半導体デバイスが正常に動
作していない状態があってはいけないのでバーンイン中
の各半導体デバイスの動作状態をモニターする必要があ
る。
化を図るためには、バーンイン試験される半導体デバイ
スを装着するバーンインボードの不良、半導体デバイス
とバーンインボードとの間の接触不良、または、バーン
イン装置（バーンイン試験に必要な装置のうち、バーン
インボードを除く部分をバーンイン装置と言う。）の不
良によって、バーンイン中に半導体デバイスが正常に動
作していない状態があってはいけないのでバーンイン中
の各半導体デバイスの動作状態をモニターする必要があ
る。
【０００４】従来のモニター方法としては、図２に示す
ように、バーンインボードに半導体デバイス２を実装し
て恒温室（図示せず。）に入れて加熱し、それぞれの半
導体デバイス２にデータ入力信号、リセット信号、クロ
ック信号等を入力して動作させ、半導体デバイス２の出
力端子を集合したモニター端子３にオッシロスコープ等
を接続してそれぞれの半導体デバイスの出力波形をモニ
ターする方法が使用されている。
ように、バーンインボードに半導体デバイス２を実装し
て恒温室（図示せず。）に入れて加熱し、それぞれの半
導体デバイス２にデータ入力信号、リセット信号、クロ
ック信号等を入力して動作させ、半導体デバイス２の出
力端子を集合したモニター端子３にオッシロスコープ等
を接続してそれぞれの半導体デバイスの出力波形をモニ
ターする方法が使用されている。
【０００５】また、図３に示すように、データ入力端
子、リセット入力端子、クロック入力端子及びモニター
端子をバーンインボード１の一辺に集合配置し、これに
データ入力信号、リセット信号及びクロック信号等の発
生回路とモニター機能とを有するモニター装置（図示せ
ず。）を連結してモニターする方法も使用されている。
子、リセット入力端子、クロック入力端子及びモニター
端子をバーンインボード１の一辺に集合配置し、これに
データ入力信号、リセット信号及びクロック信号等の発
生回路とモニター機能とを有するモニター装置（図示せ
ず。）を連結してモニターする方法も使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイス毎に出
力端子の電圧波形をモニターするため、バーンインボー
ド１に専用のモニター端子３を設ける必要がある。その
ため、バーンインボード１が複雑で高価となり、また、
モニター端子３の端子数の制約からバーンインボード１
に実装できる半導体デバイスの個数が制限されるという
問題がある。
力端子の電圧波形をモニターするため、バーンインボー
ド１に専用のモニター端子３を設ける必要がある。その
ため、バーンインボード１が複雑で高価となり、また、
モニター端子３の端子数の制約からバーンインボード１
に実装できる半導体デバイスの個数が制限されるという
問題がある。
【０００７】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、バーンインボードに専用のモニター端子を
設けることなく半導体デバイスの動作状態をモニターで
きるバーンインのモニター方法を提供することにある。
ことにあり、バーンインボードに専用のモニター端子を
設けることなく半導体デバイスの動作状態をモニターで
きるバーンインのモニター方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、電磁波検
出用微小アンテナ（８）を半導体デバイス（２）に近接
または密着させて、この半導体デバイス（２）がバーン
イン試験中に発生する電磁波を検出し、この電磁波の周
波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応する振幅を正
常な半導体デバイスの発生する電磁波の周波数成分及び
それぞれの周波数成分に対応する振幅と比較し、両者が
一致したのをもって前記の半導体デバイス（２）の動作
が正常であると判定するバーンインの非接触モニター方
法によって達成される。
出用微小アンテナ（８）を半導体デバイス（２）に近接
または密着させて、この半導体デバイス（２）がバーン
イン試験中に発生する電磁波を検出し、この電磁波の周
波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応する振幅を正
常な半導体デバイスの発生する電磁波の周波数成分及び
それぞれの周波数成分に対応する振幅と比較し、両者が
一致したのをもって前記の半導体デバイス（２）の動作
が正常であると判定するバーンインの非接触モニター方
法によって達成される。
【０００９】
【作用】図１に本発明の動作原理図を示す。
【００１０】半導体デバイスが動作すると、入出力端子
と電源端子との動作に対応した電流が流れる。ＩＣパッ
ケージ７に封止されているＩＣチップ４、ボンディング
ワイヤ５、リード６に流れる電流によって発生する電磁
波を、ＩＣパッケージ７に２０ｍｍ以下の距離に近接ま
たは密着させたアンテナ８により検出する。この検出し
た電磁波を増幅器９で増幅し、周波数・レベルアナライ
ザー１０を使用して分析して周波数成分とそれぞれの周
波数成分に対応する振幅とを求め、これと半導体デバイ
スが正常動作時に発生する電磁波の周波数成分とそれぞ
れの周波数成分に対応する振幅とを比較器１１で比較し
て半導体デバイスが正常なバーンイン条件で動作してい
るか否かをモニターするものである。
と電源端子との動作に対応した電流が流れる。ＩＣパッ
ケージ７に封止されているＩＣチップ４、ボンディング
ワイヤ５、リード６に流れる電流によって発生する電磁
波を、ＩＣパッケージ７に２０ｍｍ以下の距離に近接ま
たは密着させたアンテナ８により検出する。この検出し
た電磁波を増幅器９で増幅し、周波数・レベルアナライ
ザー１０を使用して分析して周波数成分とそれぞれの周
波数成分に対応する振幅とを求め、これと半導体デバイ
スが正常動作時に発生する電磁波の周波数成分とそれぞ
れの周波数成分に対応する振幅とを比較器１１で比較し
て半導体デバイスが正常なバーンイン条件で動作してい
るか否かをモニターするものである。
【００１１】なお、バーンイン開始時、バーンイン中及
びバーンイン終了時の周波数・振幅データを比較データ
と比較することにより、バーンイン中のどの時点で半導
体デバイスに異常が発生したかをモニターすることがで
きる。
びバーンイン終了時の周波数・振幅データを比較データ
と比較することにより、バーンイン中のどの時点で半導
体デバイスに異常が発生したかをモニターすることがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の二つの実施
例に係るバーンインのモニター方法について説明する。
例に係るバーンインのモニター方法について説明する。
【００１３】第１例 図４参照 図４において、図２に示したものと同一の部材は同一記
号で示してある。バーンイン試験がなされる半導体デバ
イス２をバーンインボード１に装着して恒温室（図示せ
ず。）に入れて加熱し、電源電圧、データ入力信号、リ
セット信号、クロック信号等をそれぞれの半導体デバイ
ス２に入力してバーンイン条件を設定する。これにより
半導体デバイス２はそれぞれ定められたバーンイン条件
で動作する。
号で示してある。バーンイン試験がなされる半導体デバ
イス２をバーンインボード１に装着して恒温室（図示せ
ず。）に入れて加熱し、電源電圧、データ入力信号、リ
セット信号、クロック信号等をそれぞれの半導体デバイ
ス２に入力してバーンイン条件を設定する。これにより
半導体デバイス２はそれぞれ定められたバーンイン条件
で動作する。
【００１４】ＩＣチップ、ボンディングワイヤ、ＩＣリ
ードに流れる電流によって発生した電磁波を、半導体デ
バイスに近接させたアンテナ８で検出し、増幅器９で増
幅する。増幅した信号をスペクトラムアナライザー等の
周波数・レベルアナライザー１０を使用して分析して周
波数成分とそれぞれの周波数成分に対応する振幅とを求
め、これを比較器１１において正常に動作する半導体デ
バイスの発生する電磁波の周波数成分とそれぞれの周波
数成分に対応する振幅とからなる比較データと比較して
半導体デバイスが正常なバーンイン条件で動作している
か否かを判定する。
ードに流れる電流によって発生した電磁波を、半導体デ
バイスに近接させたアンテナ８で検出し、増幅器９で増
幅する。増幅した信号をスペクトラムアナライザー等の
周波数・レベルアナライザー１０を使用して分析して周
波数成分とそれぞれの周波数成分に対応する振幅とを求
め、これを比較器１１において正常に動作する半導体デ
バイスの発生する電磁波の周波数成分とそれぞれの周波
数成分に対応する振幅とからなる比較データと比較して
半導体デバイスが正常なバーンイン条件で動作している
か否かを判定する。
【００１５】このバーンイン試験は、バーンインボード
の良否（ソケットの良否、接触状態の良否を含む。）や
電源電圧、クロック信号、リセット信号、データ入力信
号等の供給状態の良否等を総合して半導体デバイスが正
常なバーンイン条件で動作しているか否かをモニターす
るものであり、下記の状態でモニターされる。
の良否（ソケットの良否、接触状態の良否を含む。）や
電源電圧、クロック信号、リセット信号、データ入力信
号等の供給状態の良否等を総合して半導体デバイスが正
常なバーンイン条件で動作しているか否かをモニターす
るものであり、下記の状態でモニターされる。
【００１６】バーンイン開始時 バーンイン開始時にそれぞれの半導体デバイスが正しい
バーンイン条件で動作しているか否かを確認し、正しい
バーンイン条件になっていない半導体デバイスにはアラ
ームを発生する。
バーンイン条件で動作しているか否かを確認し、正しい
バーンイン条件になっていない半導体デバイスにはアラ
ームを発生する。
【００１７】バーンイン中 バーンイン中に一定周期または常時モニターを実施し、
どの時点、タイミングで動作不良が発生したかをそれぞ
れの半導体デバイスについて記憶し、正常な半導体デバ
イスと区別する。
どの時点、タイミングで動作不良が発生したかをそれぞ
れの半導体デバイスについて記憶し、正常な半導体デバ
イスと区別する。
【００１８】バーンイン終了時 バーンイン終了時に正常に動作していることを確認し、
動作不良品と区別する。
動作不良品と区別する。
【００１９】第２例 図５、図６参照 図５・６において、図４に示したものと同一の部材は同
一記号で示してある。バーンインボード１に実装された
半導体デバイス２のそれぞれに対応する位置にアンテナ
８が形成されたモニターボード１２を図６に示すように
バーンインボード１上に近接または密着させてそれぞれ
の半導体デバイス２の発生する電磁波をマルチプレクサ
ー１３で順次切り換えて検出する。これ以降のモニター
工程は第１例と同一である。なお、図６において１４は
ＩＣソケットであり、１５はＩＣパッケージである。
一記号で示してある。バーンインボード１に実装された
半導体デバイス２のそれぞれに対応する位置にアンテナ
８が形成されたモニターボード１２を図６に示すように
バーンインボード１上に近接または密着させてそれぞれ
の半導体デバイス２の発生する電磁波をマルチプレクサ
ー１３で順次切り換えて検出する。これ以降のモニター
工程は第１例と同一である。なお、図６において１４は
ＩＣソケットであり、１５はＩＣパッケージである。
【００２０】図７参照 モニターボード１２に形成されるアンテナの形成方法の
一例を以下に示す。例えば、ガラスエポキシ樹脂板の両
面に銅板が接着されている両面プリント基板のアンテナ
形成位置にスルーホールを形成して電気メッキ処理をな
し、スルーホール内に導電体を形成して両側の銅板を相
互に接続する。次いで、一方の面の銅板をエッチングし
て同図（ａ）に斜線を施した領域に残留させ、先端がス
ルーホール内の導電体に接続するアンテナ引き出しリー
ド１６を形成する。次に、反対側の面の銅板をエッチン
グし、同図（ｂ）に示すように螺旋状のアンテナ８とそ
れに接続する引き出しリードとを形成する。螺旋状のア
ンテナ８の中心と反対側の面に形成されたリード１６の
先端とはスルーホール内に形成された導電体を介して相
互に接続される。
一例を以下に示す。例えば、ガラスエポキシ樹脂板の両
面に銅板が接着されている両面プリント基板のアンテナ
形成位置にスルーホールを形成して電気メッキ処理をな
し、スルーホール内に導電体を形成して両側の銅板を相
互に接続する。次いで、一方の面の銅板をエッチングし
て同図（ａ）に斜線を施した領域に残留させ、先端がス
ルーホール内の導電体に接続するアンテナ引き出しリー
ド１６を形成する。次に、反対側の面の銅板をエッチン
グし、同図（ｂ）に示すように螺旋状のアンテナ８とそ
れに接続する引き出しリードとを形成する。螺旋状のア
ンテナ８の中心と反対側の面に形成されたリード１６の
先端とはスルーホール内に形成された導電体を介して相
互に接続される。
【００２１】このようなモニターボード１２を使用し、
マルチプレクサー１３を使用して各半導体デバイス２の
発生する電磁波を順次切り換えて検出し比較データと比
較するようにすれば、アンテナ８をモニターすべき半導
体デバイス２上に移動させる必要がなくなる。また、可
動部分がないのでモニター作業の自動化、省力化に有効
である。なお、マルチプレクサー１３を設けずにそれぞ
れのアンテナ８に対応して周波数・レベルアナライザー
１０と比較器１１とを独立して設けるようにしてもよい
ことは言うまでもない。
マルチプレクサー１３を使用して各半導体デバイス２の
発生する電磁波を順次切り換えて検出し比較データと比
較するようにすれば、アンテナ８をモニターすべき半導
体デバイス２上に移動させる必要がなくなる。また、可
動部分がないのでモニター作業の自動化、省力化に有効
である。なお、マルチプレクサー１３を設けずにそれぞ
れのアンテナ８に対応して周波数・レベルアナライザー
１０と比較器１１とを独立して設けるようにしてもよい
ことは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るバー
ンインの非接触モニター方法においては、バーンイン時
に半導体デバイスから発生する電磁波をアンテナで検出
し、その周波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応す
る振幅を正常動作の半導体デバイスの発生するそれらと
比較することによって半導体デバイスが正常なバーンイ
ン条件で動作しているか否かを判定しているので、半導
体デバイスの動作を非接触でモニターすることができ、
バーンインボードに半導体デバイスの動作を確認するた
めの専用のモニター端子を設ける必要がなくなり、簡単
になる。また、従来のように単に半導体デバイスからの
出力信号だけで良否を判断するのではなく、半導体デバ
イスの動作のすべての過程についてモニターしているの
で、バーンインモニターの確度が向上し、半導体デバイ
スの品質向上に寄与するところが大きい。
ンインの非接触モニター方法においては、バーンイン時
に半導体デバイスから発生する電磁波をアンテナで検出
し、その周波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応す
る振幅を正常動作の半導体デバイスの発生するそれらと
比較することによって半導体デバイスが正常なバーンイ
ン条件で動作しているか否かを判定しているので、半導
体デバイスの動作を非接触でモニターすることができ、
バーンインボードに半導体デバイスの動作を確認するた
めの専用のモニター端子を設ける必要がなくなり、簡単
になる。また、従来のように単に半導体デバイスからの
出力信号だけで良否を判断するのではなく、半導体デバ
イスの動作のすべての過程についてモニターしているの
で、バーンインモニターの確度が向上し、半導体デバイ
スの品質向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の動作原理図である。
【図２】従来のバーンインモニター方法の説明図であ
る。
る。
【図３】従来のバーンインモニター方法の説明図であ
る。
る。
【図４】本発明に係るバーンインモニター方法の説明図
である。
である。
【図５】本発明に係るバーンインモニター方法の説明図
である。
である。
【図６】本発明に係るバーンインモニター方法の説明図
である。
である。
【図７】モニター用アンテナの製造方法説明図である。
１ バーンインボード ２ 半導体デバイス ３ モニター端子 ４ ＩＣチップ ５ ボンディングワイヤ ６ リード ７ ＩＣパッケージ ８ アンテナ ９ 増幅器 １０ 周波数・レベルアナライザー １１ 比較器 １２ モニターボード １３ マルチプレクサー １４ ＩＣソケット １５ ＩＣパッケージ １６ リード
Claims (1)
- 【請求項１】 電磁波検出用微小アンテナ（８）を半導
体デバイス（２）に近接または密着させて、該半導体デ
バイス（２）がバーンイン試験中に発生する電磁波を検
出し、 該電磁波の周波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応
する振幅を正常な半導体デバイスの発生する電磁波の周
波数成分及びそれぞれの周波数成分に対応する振幅と比
較し、両者が一致したのをもって前記半導体デバイス
（２）の動作が正常であると判定することを特徴とする
バーンインの非接触モニター方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5142095A JPH06349913A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | バーンインの非接触モニター方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5142095A JPH06349913A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | バーンインの非接触モニター方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349913A true JPH06349913A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15307317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5142095A Withdrawn JPH06349913A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | バーンインの非接触モニター方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349913A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140626A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Sony Corp | バーンイン試験方法およびその装置 |
| US6891391B2 (en) | 2001-05-15 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measuring method, inspection method, inspection device, semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing an element substrate |
| SG117406A1 (en) * | 2001-03-19 | 2005-12-29 | Miconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
| SG132529A1 (en) * | 2001-05-15 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Lab | Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method |
| US7532018B2 (en) | 2001-03-19 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
| CN108387257A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-10 | 深圳市矗能科技有限公司 | 一种老化系统从机id分配的方法 |
| CN117255950A (zh) * | 2021-05-05 | 2023-12-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于求取电子结构单元的磨损的方法、检验设备 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5142095A patent/JPH06349913A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140626A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Sony Corp | バーンイン試験方法およびその装置 |
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| KR100825911B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2008-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제작방법 |
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