JPH0634995A - 光メモリ記憶素子および液晶表示素子 - Google Patents
光メモリ記憶素子および液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH0634995A JPH0634995A JP4187127A JP18712792A JPH0634995A JP H0634995 A JPH0634995 A JP H0634995A JP 4187127 A JP4187127 A JP 4187127A JP 18712792 A JP18712792 A JP 18712792A JP H0634995 A JPH0634995 A JP H0634995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ferroelectric
- liquid crystal
- optical memory
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリ尿素強誘電体を記憶層とする光メモリ記
憶素子 【構成】 透明基板と透明電極と強誘電体膜よりなる記
憶層と反射導電膜がこの順で形成されてなる光メモリ記
憶素子において、強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタン
ジイソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの
蒸着重合法で得られた芳香族ポリ尿素強誘電体であるこ
とを特徴とする光メモリ記憶素子。
憶素子 【構成】 透明基板と透明電極と強誘電体膜よりなる記
憶層と反射導電膜がこの順で形成されてなる光メモリ記
憶素子において、強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタン
ジイソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの
蒸着重合法で得られた芳香族ポリ尿素強誘電体であるこ
とを特徴とする光メモリ記憶素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光メモリ記憶素子および
液晶表示素子に関する。より詳しくは強誘電体膜が芳香
族ポリ尿素強誘電体である光メモリ記憶素子および液晶
表示素子に関する。
液晶表示素子に関する。より詳しくは強誘電体膜が芳香
族ポリ尿素強誘電体である光メモリ記憶素子および液晶
表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、強誘電体としてはチタン酸バリウムなどの無機強誘
電体が一般に知られているが、作製に高温を要する上
に、作製が容易でないという欠点があった。さらに、分
極反転のしきい値となる抗電界の値が不確定なため、実
用化されていない。
来、強誘電体としてはチタン酸バリウムなどの無機強誘
電体が一般に知られているが、作製に高温を要する上
に、作製が容易でないという欠点があった。さらに、分
極反転のしきい値となる抗電界の値が不確定なため、実
用化されていない。
【０００３】一方、フッ化ビニリデンとトリフルオロエ
チレンの共重合体はフレキシビリティーがあり、透明で
薄膜形成も可能であることから比較的よく用いられてい
る。しかし、このフッ化ビニリデンとトリフルオロエチ
レンの共重合体はその共重合比にもよるが、一般に７０
℃付近で強誘電性が失われ、比較的低い温度領域でしか
用いることができないという欠点があった。
チレンの共重合体はフレキシビリティーがあり、透明で
薄膜形成も可能であることから比較的よく用いられてい
る。しかし、このフッ化ビニリデンとトリフルオロエチ
レンの共重合体はその共重合比にもよるが、一般に７０
℃付近で強誘電性が失われ、比較的低い温度領域でしか
用いることができないという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、透明
基板と透明電極と強誘電体膜よりなる記憶層と反射導電
膜がこの順で形成されてなる光メモリ記憶素子におい
て、強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネ
ートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着重合法で
得られた芳香族ポリ尿素強誘電体であることを特徴とす
る光メモリ記憶素子が提供される。
基板と透明電極と強誘電体膜よりなる記憶層と反射導電
膜がこの順で形成されてなる光メモリ記憶素子におい
て、強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネ
ートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着重合法で
得られた芳香族ポリ尿素強誘電体であることを特徴とす
る光メモリ記憶素子が提供される。
【０００５】さらに、透明基板と透明電極と強誘電体膜
と薄膜電極と配向膜がこの順で形成され、これと対向し
て対向透明基板と対向透明電極と対向配向膜がこの順で
形成され、前記配向膜と対向配向膜の間に液晶が注入さ
れてなり、この強誘電体膜が前記の芳香族ポリ尿素強誘
電体であることを特徴とする液晶表示素子が提供され
る。
と薄膜電極と配向膜がこの順で形成され、これと対向し
て対向透明基板と対向透明電極と対向配向膜がこの順で
形成され、前記配向膜と対向配向膜の間に液晶が注入さ
れてなり、この強誘電体膜が前記の芳香族ポリ尿素強誘
電体であることを特徴とする液晶表示素子が提供され
る。
【０００６】この発明における光メモリ記憶素子の透明
基板の材質は、透明な無機材質が適用され、例えばガラ
ス、石英などが挙げられるが、このうちガラスが好まし
い。透明電極の材質は透明かつ伝導度の高い材質が好ま
しく、例えば酸化スズ、酸化インジウム、インジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯと略) などが挙げられるが、このう
ちＩＴＯが好ましい。
基板の材質は、透明な無機材質が適用され、例えばガラ
ス、石英などが挙げられるが、このうちガラスが好まし
い。透明電極の材質は透明かつ伝導度の高い材質が好ま
しく、例えば酸化スズ、酸化インジウム、インジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯと略) などが挙げられるが、このう
ちＩＴＯが好ましい。
【０００７】強誘電体膜は4,4'−ジフェニルメタンジイ
ソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着
重合によって芳香族ポリ尿素強誘電体が作製される。上
記重合反応を実施する装置は公知のもの、例えば特開昭
61-78463のものが利用できる。この装置では真空中でポ
リ尿素の原料モノマーを蒸発させて電極基板の電極側表
面にプレカーサの皮膜を形成し、そのプレカーサをポリ
尿素に重合することができる。ここでポリ尿素の原料モ
ノマーの蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが
互いに、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モ
ノマー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なプレ
カーサの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度に設定する。さらに重合反応するモノ
マーを加熱する必要があるときは、予め保温したモノマ
ーを使用したり、室温で基板上に堆積させた後その基板
を加熱するような方法が適用されている。既成の真空蒸
着重合装置としては、日本真空技術株式会社製真空蒸着
重合装置ＶＥＰ−１００Ａ型などが利用できる。
ソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着
重合によって芳香族ポリ尿素強誘電体が作製される。上
記重合反応を実施する装置は公知のもの、例えば特開昭
61-78463のものが利用できる。この装置では真空中でポ
リ尿素の原料モノマーを蒸発させて電極基板の電極側表
面にプレカーサの皮膜を形成し、そのプレカーサをポリ
尿素に重合することができる。ここでポリ尿素の原料モ
ノマーの蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが
互いに、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モ
ノマー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なプレ
カーサの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度に設定する。さらに重合反応するモノ
マーを加熱する必要があるときは、予め保温したモノマ
ーを使用したり、室温で基板上に堆積させた後その基板
を加熱するような方法が適用されている。既成の真空蒸
着重合装置としては、日本真空技術株式会社製真空蒸着
重合装置ＶＥＰ−１００Ａ型などが利用できる。
【０００８】反射導電膜の材質は、反射率の大きい金属
膜が適当で、例えばアルミニウム、スズなどが挙げられ
るが、このうちアルミニウムが好ましい。このようにし
て作製した光メモリ素子は透明電極と反射導電膜の間に
電界が印加できる。まず、素子の初期の極性を決めると
きは、透明電極側を＋にして約１００Ｖの電界を印加す
る。
膜が適当で、例えばアルミニウム、スズなどが挙げられ
るが、このうちアルミニウムが好ましい。このようにし
て作製した光メモリ素子は透明電極と反射導電膜の間に
電界が印加できる。まず、素子の初期の極性を決めると
きは、透明電極側を＋にして約１００Ｖの電界を印加す
る。
【０００９】この素子に1 の情報を書き込むときは、透
明電極側を−にして約１００Ｖの電界パルスを印加する
と強誘電体の極性が反転し、その極性が保持される。０
を書き込むときは電界パルスを印加しないか、強誘電体
の抗電界以下の電界を印加する。これらの光メモリ素子
から情報を読みだすときは、弱いレーザ光を照射する。
強誘電体はレーザ光を吸収して発熱し、焦電効果によっ
て焦電流が流れる。ところが、前記０と１ではこの電流
の方向が異なるため両者を識別することができる。この
ようにして光メモリ素子に書き込まれた情報が読みだせ
る。
明電極側を−にして約１００Ｖの電界パルスを印加する
と強誘電体の極性が反転し、その極性が保持される。０
を書き込むときは電界パルスを印加しないか、強誘電体
の抗電界以下の電界を印加する。これらの光メモリ素子
から情報を読みだすときは、弱いレーザ光を照射する。
強誘電体はレーザ光を吸収して発熱し、焦電効果によっ
て焦電流が流れる。ところが、前記０と１ではこの電流
の方向が異なるため両者を識別することができる。この
ようにして光メモリ素子に書き込まれた情報が読みだせ
る。
【００１０】このような光メモリ素子をマトリックス上
に配置し、時分割法によって情報を書き込むことにより
２次元情報を記憶させることも可能である。この発明の
液晶表示素子の透明基板、対向透明基板、透明電極、対
向透明電極および強誘電体膜は、前記光メモリ素子に適
用したものがそのまま利用できる。薄膜電極は展性が良
く、伝導度が良好な金属が好ましく、例えば金、銀、ア
ルミニウム、銅、スズなどが挙げられるが、このうちア
ルミニウムが好ましい。
に配置し、時分割法によって情報を書き込むことにより
２次元情報を記憶させることも可能である。この発明の
液晶表示素子の透明基板、対向透明基板、透明電極、対
向透明電極および強誘電体膜は、前記光メモリ素子に適
用したものがそのまま利用できる。薄膜電極は展性が良
く、伝導度が良好な金属が好ましく、例えば金、銀、ア
ルミニウム、銅、スズなどが挙げられるが、このうちア
ルミニウムが好ましい。
【００１１】配向膜および対向配向膜は無機系の層を用
いる場合と有機系の層を用いる場合とがある。無機系の
液晶配向膜を用いる場合、よく用いられる方法としては
酸化ケイ素の斜め蒸着がある。また、回転蒸着などの方
法も用いることもできる。有機系の液晶配向膜を用いる
場合、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド，
ポリ尿素等を用いることができ、通常この上をラビング
する。このうち、蒸着重合で得られるポリイミドが好適
である。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させた
り、磁場による配向、スペーサエッジ法による配向など
も可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着法、
その上をラビングする方法も可能である。
いる場合と有機系の層を用いる場合とがある。無機系の
液晶配向膜を用いる場合、よく用いられる方法としては
酸化ケイ素の斜め蒸着がある。また、回転蒸着などの方
法も用いることもできる。有機系の液晶配向膜を用いる
場合、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド，
ポリ尿素等を用いることができ、通常この上をラビング
する。このうち、蒸着重合で得られるポリイミドが好適
である。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させた
り、磁場による配向、スペーサエッジ法による配向など
も可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着法、
その上をラビングする方法も可能である。
【００１２】また、液晶材料としてはシアノフェニルシ
クロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラ
ン系などが用いられる。ついで、紫外線硬化樹脂で周囲
をシールした後、両基板を貼り合わせ、液晶材料を前記
基板の配向膜間に注入した後、注入口を封止する。この
液晶表示素子の薄膜電極と対向透明電極の間に抗電界以
上の、例えば約８０Ｖの電界パルスを印加することによ
り液晶をオンさせた状態を得ることができる。これは強
誘電体の分極反転が抗電界以上の電界で発生する２端子
素子の性質を利用するものである。この場合も、この素
子をマトリックス上に配置し、時分割法によって駆動す
ることにより２次元表示素子を得ることができる。
クロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラ
ン系などが用いられる。ついで、紫外線硬化樹脂で周囲
をシールした後、両基板を貼り合わせ、液晶材料を前記
基板の配向膜間に注入した後、注入口を封止する。この
液晶表示素子の薄膜電極と対向透明電極の間に抗電界以
上の、例えば約８０Ｖの電界パルスを印加することによ
り液晶をオンさせた状態を得ることができる。これは強
誘電体の分極反転が抗電界以上の電界で発生する２端子
素子の性質を利用するものである。この場合も、この素
子をマトリックス上に配置し、時分割法によって駆動す
ることにより２次元表示素子を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。なお本発明は
以下の物質及び条件に限定されない。 実施例１ インジウム酸化錫（以下ＩＴＯと略す）による透明導電
膜の形成されたガラス基板上に図１に示した構造を持つ
真空蒸着重合装置を用いてポリ尿素膜を形成する。ここ
で１は真空槽、２は蓋、３は蒸発皿１、４は蒸発皿２、
５はモノマー１、６はモノマー２、７はヒーター１、８
はヒーター２、９はマスク、１０は基板、１１は基板加
熱機構、１２は膜厚モニター、１３は真空ポンプを示
す。ここでは日本真空技術株式会社製ＶＥＰ−１００Ａ
型真空蒸着重合装置を用いた。まずモノマー１として4,
4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、モノマー２と
して4,4'−ジアミノジフェニルメタンを用い、槽内を５
×１０-4torr以下の真空に引いた後、それぞれを１２０
℃及び７０℃に加熱して昇華させ基板上で合成してポリ
尿素膜を得ることができる。この条件の場合は８分間の
蒸着で２２４０Åの膜厚を得ることができる。
以下の物質及び条件に限定されない。 実施例１ インジウム酸化錫（以下ＩＴＯと略す）による透明導電
膜の形成されたガラス基板上に図１に示した構造を持つ
真空蒸着重合装置を用いてポリ尿素膜を形成する。ここ
で１は真空槽、２は蓋、３は蒸発皿１、４は蒸発皿２、
５はモノマー１、６はモノマー２、７はヒーター１、８
はヒーター２、９はマスク、１０は基板、１１は基板加
熱機構、１２は膜厚モニター、１３は真空ポンプを示
す。ここでは日本真空技術株式会社製ＶＥＰ−１００Ａ
型真空蒸着重合装置を用いた。まずモノマー１として4,
4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、モノマー２と
して4,4'−ジアミノジフェニルメタンを用い、槽内を５
×１０-4torr以下の真空に引いた後、それぞれを１２０
℃及び７０℃に加熱して昇華させ基板上で合成してポリ
尿素膜を得ることができる。この条件の場合は８分間の
蒸着で２２４０Åの膜厚を得ることができる。
【００１４】実施例２ 実施例１で形成された膜上にアルミニウム電極を蒸着
し、図２に示す強誘電体セルを作成した。ここで１４は
ガラス基板（厚さ約１．１ｍｍ）、１５はＩＴＯ電極
（厚さ約６５０Å）、１６は実施例１のポリ尿素膜強誘
電体、１７はアルミニウム電極（厚さ約８００Å）を示
す。このセルに対し、ソーヤタワーの回路を用いて電界
を横軸、電気変位を縦軸に取り±１００Ｖ、６０Ｈｚの
サイン波を印加することにより図３に示したヒステリシ
ス曲線が得られ、強誘電性が確認された。このヒステリ
シスは９０℃でも確認できた。また、このようなヒステ
リシスはポリ尿素膜形成後膜を１５０℃程度に加熱した
後、徐冷したり１５０℃程度の温度で１００ＭＶ／ｍ程
度の電圧でポーリングすることにより、より大きな値を
得ることができる。ただしポーリングを行った場合は十
分に空間電荷を中和する必要がある。またこのような強
誘電性は4,4'−ジフェニルメタンジイソシアナートとｐ
−フェニレンジアミンから合成したポリ尿素などの他の
構造のポリ尿素でも得ることができる。
し、図２に示す強誘電体セルを作成した。ここで１４は
ガラス基板（厚さ約１．１ｍｍ）、１５はＩＴＯ電極
（厚さ約６５０Å）、１６は実施例１のポリ尿素膜強誘
電体、１７はアルミニウム電極（厚さ約８００Å）を示
す。このセルに対し、ソーヤタワーの回路を用いて電界
を横軸、電気変位を縦軸に取り±１００Ｖ、６０Ｈｚの
サイン波を印加することにより図３に示したヒステリシ
ス曲線が得られ、強誘電性が確認された。このヒステリ
シスは９０℃でも確認できた。また、このようなヒステ
リシスはポリ尿素膜形成後膜を１５０℃程度に加熱した
後、徐冷したり１５０℃程度の温度で１００ＭＶ／ｍ程
度の電圧でポーリングすることにより、より大きな値を
得ることができる。ただしポーリングを行った場合は十
分に空間電荷を中和する必要がある。またこのような強
誘電性は4,4'−ジフェニルメタンジイソシアナートとｐ
−フェニレンジアミンから合成したポリ尿素などの他の
構造のポリ尿素でも得ることができる。
【００１５】次に上記強誘電体を応用した素子の実施例
について述べる。まず光メモリ素子であるが上記強誘電
体セルに対し、例えばまずＩＴＯ電極側を＋とした１０
０Ｖ程度の電界を印加し素子の初期の極性を決めてお
く、このセルに対し１の情報を書き込むときは逆の極性
で１００Ｖ程度の電界パルスを印加すると強誘電体の極
性が反転し、その極性が保持される。０を書き込むとき
は電界パルスを印加しないか又は印加しても強誘電体の
抗電界以下の電界としておけばよい。これらのセルに弱
いレーザを照射し加熱すると、強誘電体は焦電性を持つ
ため焦電流が流れるが１と０ではこの電流の方向が異な
るため両者を識別することができる。このような光メモ
リ素子をマトリクス上に配置し時分割法によって情報を
書き込むことにより２次元情報を記憶させることも可能
である。
について述べる。まず光メモリ素子であるが上記強誘電
体セルに対し、例えばまずＩＴＯ電極側を＋とした１０
０Ｖ程度の電界を印加し素子の初期の極性を決めてお
く、このセルに対し１の情報を書き込むときは逆の極性
で１００Ｖ程度の電界パルスを印加すると強誘電体の極
性が反転し、その極性が保持される。０を書き込むとき
は電界パルスを印加しないか又は印加しても強誘電体の
抗電界以下の電界としておけばよい。これらのセルに弱
いレーザを照射し加熱すると、強誘電体は焦電性を持つ
ため焦電流が流れるが１と０ではこの電流の方向が異な
るため両者を識別することができる。このような光メモ
リ素子をマトリクス上に配置し時分割法によって情報を
書き込むことにより２次元情報を記憶させることも可能
である。
【００１６】実施例３ また２端子素子は強誘電体を分極反転が抗電界以上の電
界で発生することを利用する。上記強誘電体セルでは約
８０Ｖの電圧で分極反転を起こすことができ、電圧と電
流の関係は図４の様になり非線形を示すため、非線形２
端子素子として用いることができる。これを液晶表示素
子に応用すると例えば図５のようなものが考えられる。
ここで１８はガラス基板（厚さ約１．１ｍｍ）、１９は
ＩＴＯ電極、２０は実施例１のポリ尿素膜強誘電体、２
１はアルミニウム電極（厚さ約８００Å）、２２は液
晶、２３は対向ＩＴＯ電極、２４は対向ガラス基板（厚
さ約１．１ｍｍ）、２５、２６は液晶配向膜（材質：ポ
リイミド，例えばオプトコーＡＬ，日本合成ゴム
（株））を示す。このセルのアルミニウム電極と対向Ｉ
ＴＯ電極間に抗電界以上（約４０Ｖ）の電界パルスを印
加することにより液晶をオンさせた状態を得ることが可
能である。またこの場合もこの素子をマトリクス上に配
置し時分割法によって駆動することにより２次元表示素
子を得ることができる。
界で発生することを利用する。上記強誘電体セルでは約
８０Ｖの電圧で分極反転を起こすことができ、電圧と電
流の関係は図４の様になり非線形を示すため、非線形２
端子素子として用いることができる。これを液晶表示素
子に応用すると例えば図５のようなものが考えられる。
ここで１８はガラス基板（厚さ約１．１ｍｍ）、１９は
ＩＴＯ電極、２０は実施例１のポリ尿素膜強誘電体、２
１はアルミニウム電極（厚さ約８００Å）、２２は液
晶、２３は対向ＩＴＯ電極、２４は対向ガラス基板（厚
さ約１．１ｍｍ）、２５、２６は液晶配向膜（材質：ポ
リイミド，例えばオプトコーＡＬ，日本合成ゴム
（株））を示す。このセルのアルミニウム電極と対向Ｉ
ＴＯ電極間に抗電界以上（約４０Ｖ）の電界パルスを印
加することにより液晶をオンさせた状態を得ることが可
能である。またこの場合もこの素子をマトリクス上に配
置し時分割法によって駆動することにより２次元表示素
子を得ることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明を用いることによりフレキシビリ
ティーがあり、透明で薄膜形成も可能で、かつ耐熱性の
よい強誘電体およびその応用素子として、光メモリ素子
および液晶表示素子を得ることができる。4,4'−ジフェ
ニルメタンジイソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニ
ルメタンの蒸着重合法で得られた芳香族ポリ尿素強誘電
体芳香族ポリ尿素を用いることにより９０℃においても
強誘電性を示す膜を得ることができる。
ティーがあり、透明で薄膜形成も可能で、かつ耐熱性の
よい強誘電体およびその応用素子として、光メモリ素子
および液晶表示素子を得ることができる。4,4'−ジフェ
ニルメタンジイソシアネートと4,4'−ジアミノジフェニ
ルメタンの蒸着重合法で得られた芳香族ポリ尿素強誘電
体芳香族ポリ尿素を用いることにより９０℃においても
強誘電性を示す膜を得ることができる。
【図１】真空蒸着重合装置の概略図である。
【図２】強誘電体セルの概略図である。
【図３】本発明の強誘電体で得られたヒステリシス曲線
を示す。
を示す。
【図４】本発明の強誘電体で得られた電界−電流曲線を
表す。
表す。
【図５】本発明の強誘電非線形素子の液晶表示素子への
適用例の模式断面図である。
適用例の模式断面図である。
１ 真空槽 ２ 蓋 ３ 蒸発皿１ ４ 蒸発皿２ ５ モノマー１ ６ モノマー２ ７ ヒーター１ ８ ヒーター２ ９ マスク １０ 基板 １１ 基板加熱機構 １２ 膜厚モニター １３ 真空ポンプ １４、１８ ガラス基板 １５ ＩＴＯ膜 １６、２０ ポリ尿素膜強誘電体 １７、２１ アルミニウム電極 １９ ＩＴＯ電極 ２２ 液晶 ２３ 対向ＩＴＯ電極 ２４ 対向ガラス基板 ２５、２６ 液晶配向膜
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板に透明電極と強誘電体膜よりな
る記憶層と反射導電膜がこの順で形成されてなる光メモ
リ記憶素子において、 強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート
と4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着重合法で得ら
れた芳香族ポリ尿素強誘電体であることを特徴とする光
メモリ記憶素子。 - 【請求項２】 透明基板に透明電極と強誘電体膜と薄膜
電極と配向膜がこの順で形成され、これと対向して対向
透明基板に対向透明電極と対向配向膜がこの順で形成さ
れ、前記配向膜と対向配向膜の間に液晶が注入されてな
り、 強誘電体膜が4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート
と4,4'−ジアミノジフェニルメタンの蒸着重合法で得ら
れた芳香族ポリ尿素強誘電体であることを特徴とする液
晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187127A JPH0634995A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光メモリ記憶素子および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187127A JPH0634995A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光メモリ記憶素子および液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634995A true JPH0634995A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16200594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4187127A Pending JPH0634995A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光メモリ記憶素子および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009096369A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Univ Of Tokushima | 無人無線操縦ヘリコプタの操縦支援装置 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP4187127A patent/JPH0634995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009096369A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Univ Of Tokushima | 無人無線操縦ヘリコプタの操縦支援装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5239398A (en) | Liquid crystal device with phenylenevinylene or phenylene sulfide alignment films having particular high electrical conductivity | |
| US4869577A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device having uniaxial alignment on both substrates | |
| JPH0799419B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0219A (ja) | 液晶素子および液晶素子配向膜用コーティング用組成物 | |
| JPS63121020A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH08101370A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS6057572B2 (ja) | 液晶表示体 | |
| JP2548592B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS61198130A (ja) | 液晶パネル | |
| JPH0784281A (ja) | アクティブ素子 | |
| JPH0667215A (ja) | 非線形素子基板及び液晶表示装置 | |
| JPS61186933A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0611716A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2699999B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPS63214721A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2775494B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP2636904B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH10511192A (ja) | 光変調デバイス及び光変調デバイスを具えるディスプレイ | |
| JPH0659251A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05289112A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0731325B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06214233A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS61236523A (ja) | スメクテイツク液晶表示パネル | |
| JPH0634959A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06148648A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 |