JPH0637006A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPH0637006A JPH0637006A JP4188177A JP18817792A JPH0637006A JP H0637006 A JPH0637006 A JP H0637006A JP 4188177 A JP4188177 A JP 4188177A JP 18817792 A JP18817792 A JP 18817792A JP H0637006 A JPH0637006 A JP H0637006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor processing
- gas
- atmosphere
- processing apparatus
- Prior art date
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体処理装置に関し、ウェハ表面
の雰囲気にＮ2 ガス気流の影響を与えることなく、ウェ
ハ表面の雰囲気を高温で安定させ、ウェハ表面の放熱量
を少なくしてウェハ表面の膜厚を均一に処理することが
できる半導体処理装置を実現することを目的とする。 【構成】 ウェハ２２の外側にウェハ表面の雰囲気に影
響を与えることなく、Ｎ 2 ガスを供給できる穴１６を等
間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部
熱板１０と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可
能な上部熱板１３とを具備して成るように構成する。
の雰囲気にＮ2 ガス気流の影響を与えることなく、ウェ
ハ表面の雰囲気を高温で安定させ、ウェハ表面の放熱量
を少なくしてウェハ表面の膜厚を均一に処理することが
できる半導体処理装置を実現することを目的とする。 【構成】 ウェハ２２の外側にウェハ表面の雰囲気に影
響を与えることなく、Ｎ 2 ガスを供給できる穴１６を等
間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部
熱板１０と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可
能な上部熱板１３とを具備して成るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理装置及び半導
体の熱処理方法に関する。詳しくは半導体製造装置の薄
膜形成処理装置の熱処理工程においてレジスト等の膜厚
が均一になるように処理することができるようにした処
理装置及び処理方法に関する。
体の熱処理方法に関する。詳しくは半導体製造装置の薄
膜形成処理装置の熱処理工程においてレジスト等の膜厚
が均一になるように処理することができるようにした処
理装置及び処理方法に関する。
【０００２】近年、半導体の微細化が進むに伴い、パタ
ーン幅もますます細くなって来ている。そのためホトリ
ソグラフィ工程においては精度の高いパターンを作成す
る必要がある。精度の高いパターンを作成するには露光
装置、マスク又はレチクル等の高精度であることは勿
論、ウェハに塗布するフォトレジストの膜厚も均一であ
ることが必要である。このためウェハに塗布されたフォ
トレジストを乾燥させる薄膜形成処理装置の熱処理工程
において、ウェハ面のフォトレジストの膜厚を均一に処
理することが求められている。
ーン幅もますます細くなって来ている。そのためホトリ
ソグラフィ工程においては精度の高いパターンを作成す
る必要がある。精度の高いパターンを作成するには露光
装置、マスク又はレチクル等の高精度であることは勿
論、ウェハに塗布するフォトレジストの膜厚も均一であ
ることが必要である。このためウェハに塗布されたフォ
トレジストを乾燥させる薄膜形成処理装置の熱処理工程
において、ウェハ面のフォトレジストの膜厚を均一に処
理することが求められている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の薄膜形成処理を行う半導体
処理装置を示す断面図である。この半導体処理装置は、
ヒータ１を有する熱板２と、該熱板２の周囲からＮ2 ガ
スを供給することができるＮ2 ガス供給管３と、Ｎ2 ガ
スを集めて排気する排気板４及び排気管５とより構成さ
れ、熱板１の上にウェハ６を載置し、Ｎ2 ガス供給管３
から供給されたＮ2 ガス雰囲気中で熱処理することがで
きるようになっている。
処理装置を示す断面図である。この半導体処理装置は、
ヒータ１を有する熱板２と、該熱板２の周囲からＮ2 ガ
スを供給することができるＮ2 ガス供給管３と、Ｎ2 ガ
スを集めて排気する排気板４及び排気管５とより構成さ
れ、熱板１の上にウェハ６を載置し、Ｎ2 ガス供給管３
から供給されたＮ2 ガス雰囲気中で熱処理することがで
きるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体処理
装置では、Ｎ2 ガス供給管３から供給されるＮ2 ガス気
流の影響でウェハ表面の放熱量に変化が生じ、ウェハを
加熱している熱板２に対しウェハ表面の雰囲気の温度が
低く、ウェハ表面の放熱量が多いため、表面の放熱量の
変化が大きくなっていた。このため、ウェハ表面のレジ
ストの膜厚を均一に処理できないという問題を生じてい
た。
装置では、Ｎ2 ガス供給管３から供給されるＮ2 ガス気
流の影響でウェハ表面の放熱量に変化が生じ、ウェハを
加熱している熱板２に対しウェハ表面の雰囲気の温度が
低く、ウェハ表面の放熱量が多いため、表面の放熱量の
変化が大きくなっていた。このため、ウェハ表面のレジ
ストの膜厚を均一に処理できないという問題を生じてい
た。
【０００５】本発明は、ウェハ表面の雰囲気にＮ2 ガス
気流の影響を与えることなく、ウェハ表面の雰囲気を高
温で安定させ、ウェハ表面の放熱量を少なくしてウェハ
表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処理装
置を実現しようとする。
気流の影響を与えることなく、ウェハ表面の雰囲気を高
温で安定させ、ウェハ表面の放熱量を少なくしてウェハ
表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処理装
置を実現しようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体処理装置
に於いては、ウェハ２２の外側にウェハ表面の雰囲気に
影響を与えることなくＮ2 ガスを供給できる穴１６を等
間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部
熱板１０と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可
能な上部熱板１３とを具備して成ることを特徴とする。
に於いては、ウェハ２２の外側にウェハ表面の雰囲気に
影響を与えることなくＮ2 ガスを供給できる穴１６を等
間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部
熱板１０と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可
能な上部熱板１３とを具備して成ることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の半導体の熱処理方法に於い
ては、上記半導体処理装置を用い、上下の熱板１０，１
３の間隔をウェハ２２の厚さの数倍程度にして熱処理を
行うことを特徴とする。また、それに加えて、上記半導
体処理装置を用い、そのＮ2ガス供給穴１６よりＮ2 ガ
スを供給し、ウェハ２２の周囲にＮ2 ガスによる遮断壁
を形成し、ウェハ表面の雰囲気を外気と遮断して熱処理
することを特徴とする。この構成を採ることにより、ウ
ェハ表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処
理装置及び処理方法が得られる。
ては、上記半導体処理装置を用い、上下の熱板１０，１
３の間隔をウェハ２２の厚さの数倍程度にして熱処理を
行うことを特徴とする。また、それに加えて、上記半導
体処理装置を用い、そのＮ2ガス供給穴１６よりＮ2 ガ
スを供給し、ウェハ２２の周囲にＮ2 ガスによる遮断壁
を形成し、ウェハ表面の雰囲気を外気と遮断して熱処理
することを特徴とする。この構成を採ることにより、ウ
ェハ表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処
理装置及び処理方法が得られる。
【０００８】
【作用】本発明では、図１に示すように、ウェハ２２は
上下の熱板１０，１３間にほぼ密閉されるため、ウェハ
２２表面の雰囲気はＮ2 ガス供給穴１６より出るＮ2 ガ
スの気流の影響を受けることなく、素早く高温を安定す
るため、ウェハ２２を加熱している熱板１０，１３とウ
ェハ表面の温度差は小さくなり、ウェハ表面の放熱量は
減少する。従って、ウェハ表面の放熱量は均一になり、
ウェハ表面の膜は均一に熱処理されるため、その膜厚は
均一となる。
上下の熱板１０，１３間にほぼ密閉されるため、ウェハ
２２表面の雰囲気はＮ2 ガス供給穴１６より出るＮ2 ガ
スの気流の影響を受けることなく、素早く高温を安定す
るため、ウェハ２２を加熱している熱板１０，１３とウ
ェハ表面の温度差は小さくなり、ウェハ表面の放熱量は
減少する。従って、ウェハ表面の放熱量は均一になり、
ウェハ表面の膜は均一に熱処理されるため、その膜厚は
均一となる。
【０００９】
【実施例】図２は本発明の半導体熱処理装置の実施例を
示す断面図である。同図において、１０はヒータ１１を
有する下部熱板、１２はウェハ支持ピン、１３はヒータ
１４を有する上部熱板である。そして、下部熱板１０
は、ウェハを収容する部屋を形成する立上り壁１５と、
Ｎ2 ガスを供給するための等間隔に配置されたＮ2 ガス
供給穴１６と、ウェハ支持ピンが摺動可能に挿通される
穴とが形成され、且つ、シリンダ１７等の駆動手段によ
り上下可動となっている。
示す断面図である。同図において、１０はヒータ１１を
有する下部熱板、１２はウェハ支持ピン、１３はヒータ
１４を有する上部熱板である。そして、下部熱板１０
は、ウェハを収容する部屋を形成する立上り壁１５と、
Ｎ2 ガスを供給するための等間隔に配置されたＮ2 ガス
供給穴１６と、ウェハ支持ピンが摺動可能に挿通される
穴とが形成され、且つ、シリンダ１７等の駆動手段によ
り上下可動となっている。
【００１０】また、ウェハ支持ピン１２は少なくとも３
本が固定板１８に固定されている。また、上部熱板１３
は、下部熱板１０の立上り壁１５に対応した立上り壁１
９が形成され、排気管２０を有する排気カバー２１によ
って支持されている。
本が固定板１８に固定されている。また、上部熱板１３
は、下部熱板１０の立上り壁１５に対応した立上り壁１
９が形成され、排気管２０を有する排気カバー２１によ
って支持されている。
【００１１】このように構成された本実施例を用いた熱
処理方法を図３により説明する。先ず、図３（ａ）に示
すように、矢印Ａ方向からウェハ２２がウェハ支持ピン
１２の上に搬送される。次に、図３（ｂ）の如く、シリ
ンダ１７が作動して下部熱板１０を上昇させる。上昇し
た下部熱板１０はウェハ２２を支承して、立上り壁１５
と上部熱板１３の立上り壁１９とでほぼ密閉する。この
場合上下熱板間の距離はウェハの厚さの数倍としてお
く。次いで図３（ｃ）の如くＮ2 ガス供給穴１６からＮ
2 ガスを出してＮ2 ガスによる壁を形成し、外気を該Ｎ
2 ガス遮断壁により遮断する。同時に上下の熱板１０，
１３をヒータ１１，１４で加熱し、ウェハ２２を上下か
ら加熱する。
処理方法を図３により説明する。先ず、図３（ａ）に示
すように、矢印Ａ方向からウェハ２２がウェハ支持ピン
１２の上に搬送される。次に、図３（ｂ）の如く、シリ
ンダ１７が作動して下部熱板１０を上昇させる。上昇し
た下部熱板１０はウェハ２２を支承して、立上り壁１５
と上部熱板１３の立上り壁１９とでほぼ密閉する。この
場合上下熱板間の距離はウェハの厚さの数倍としてお
く。次いで図３（ｃ）の如くＮ2 ガス供給穴１６からＮ
2 ガスを出してＮ2 ガスによる壁を形成し、外気を該Ｎ
2 ガス遮断壁により遮断する。同時に上下の熱板１０，
１３をヒータ１１，１４で加熱し、ウェハ２２を上下か
ら加熱する。
【００１２】処理が終わると、下部熱板１０はシリンダ
１７の作動により下降し、図３（ａ）の状態に戻り、ウ
ェハ表面にあった雰囲気はＮ2 ガスと共にカバー２１の
中に取り入れられ排気管２０から排気される。同時にウ
ェハ２２はウェハ支持ピン１２の上に載せられ搬送を待
機する。
１７の作動により下降し、図３（ａ）の状態に戻り、ウ
ェハ表面にあった雰囲気はＮ2 ガスと共にカバー２１の
中に取り入れられ排気管２０から排気される。同時にウ
ェハ２２はウェハ支持ピン１２の上に載せられ搬送を待
機する。
【００１３】このように処理する処理方法は、Ｎ2 ガス
供給穴１６からのＮ2 ガス気流はウェハ周囲に外気を遮
断する遮断壁を形成した後排気され、ウェハ表面の雰囲
気には侵入しないため、ウェハ表面の雰囲気はＮ2 ガス
気流の影響を受けることなく熱板１０，１３によって加
熱され高温で安定する。このためウェハ表面のレジスト
等の膜は均一に加熱され、均一な膜厚となる。
供給穴１６からのＮ2 ガス気流はウェハ周囲に外気を遮
断する遮断壁を形成した後排気され、ウェハ表面の雰囲
気には侵入しないため、ウェハ表面の雰囲気はＮ2 ガス
気流の影響を受けることなく熱板１０，１３によって加
熱され高温で安定する。このためウェハ表面のレジスト
等の膜は均一に加熱され、均一な膜厚となる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜形成処理装置の熱
処理工程において、ウェハ表面の雰囲気はＮ2 ガス気流
の影響を受けることなく高温で安定しウェハの放熱量を
少なくさせ、ウェハ表面の膜厚を均一に処理することが
出来、係る半導体製造装置の性能向上に寄与するところ
が大きい。
処理工程において、ウェハ表面の雰囲気はＮ2 ガス気流
の影響を受けることなく高温で安定しウェハの放熱量を
少なくさせ、ウェハ表面の膜厚を均一に処理することが
出来、係る半導体製造装置の性能向上に寄与するところ
が大きい。
【図１】本発明原理説明図である。
【図２】本発明の半導体処理装置の実施例を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明の半導体処理装置を用いた処理方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】従来の半導体処理装置を示す断面図である。
１０…下部熱板 １１，１４…ヒータ １２…ウェハ支持ピン １３…上部熱板 １５，１９…立上り壁 １６…Ｎ2 ガス供給穴 １７…シリンダ １８…固定板 ２０…排気管 ２１…排気カバー ２２…ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハ（２２）の外側にウェハ表面の雰
囲気に影響を与えることなく、Ｎ2 ガスを供給できる穴
（１６）を等間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制
御可能な下部熱板（１０）と、該ウェハの上部に平行に
位置し温度制御可能な上部熱板（１３）とを具備して成
ることを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項２】 請求項１の半導体処理装置を用い、上下
の熱板（１０，１３）の間隔をウェハ（２２）の厚さの
数倍程度にして熱処理を行うことを特徴とする半導体の
処理方法。 - 【請求項３】 請求項１の半導体処理装置を用い、その
Ｎ2 ガス供給穴（１６）よりＮ2 ガスを供給し、ウェハ
（２２）の周囲にＮ2 ガスによる遮断壁を形成し、ウェ
ハ表面の雰囲気を外気と遮断して熱処理することを特徴
とする半導体の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188177A JPH0637006A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188177A JPH0637006A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637006A true JPH0637006A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16219117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4188177A Withdrawn JPH0637006A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637006A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002221394A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Showa Mfg Co Ltd | 電子部品の加熱装置 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2008521223A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | サブストレートを熱処理するための方法および装置 |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4188177A patent/JPH0637006A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2002221394A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Showa Mfg Co Ltd | 電子部品の加熱装置 |
| JP2008521223A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | サブストレートを熱処理するための方法および装置 |
| JP4922180B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2012-04-25 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | サブストレートを熱処理するための方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |