JPH0637074A - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置のクリーニング方法Info
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- JPH0637074A JPH0637074A JP18976892A JP18976892A JPH0637074A JP H0637074 A JPH0637074 A JP H0637074A JP 18976892 A JP18976892 A JP 18976892A JP 18976892 A JP18976892 A JP 18976892A JP H0637074 A JPH0637074 A JP H0637074A
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- thin film
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ装置・ドライエッチング装置等、反応
チャンバを有する半導体製造装置の反応チャンバ内のク
リーニング方法に関し、反応チャンバ内に付着堆積する
反応生成物を完全に除去することを目的とする。 【構成】 装置使用前に予め Al 製の反応チャンバ１内
面に Ti の薄膜２を被着する。装置使用後に反応チャン
バ１内を排気しながら H2Sガスを導入して薄膜２を選択
的に除去する。その結果、反応チャンバ１内面に付着堆
積した反応生成物が除去される。更に引続き反応チャン
バ１内に N2 ガスを流してパージする。本装置の再使用
に際しては、以上の作業を繰り返す。
チャンバを有する半導体製造装置の反応チャンバ内のク
リーニング方法に関し、反応チャンバ内に付着堆積する
反応生成物を完全に除去することを目的とする。 【構成】 装置使用前に予め Al 製の反応チャンバ１内
面に Ti の薄膜２を被着する。装置使用後に反応チャン
バ１内を排気しながら H2Sガスを導入して薄膜２を選択
的に除去する。その結果、反応チャンバ１内面に付着堆
積した反応生成物が除去される。更に引続き反応チャン
バ１内に N2 ガスを流してパージする。本装置の再使用
に際しては、以上の作業を繰り返す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置・ドライエッ
チング装置等、反応チャンバを有する半導体製造装置の
反応チャンバ内のクリーニング方法に関する。
チング装置等、反応チャンバを有する半導体製造装置の
反応チャンバ内のクリーニング方法に関する。
【０００２】半導体デバイスの製造において、ＣＶＤ装
置やドライエッチング装置等、反応チャンバを有する装
置が多くの工程で使用されている。これらの装置では、
反応チャンバ内に反応生成物が付着堆積することは避け
られない。この反応生成物が剥落してパーティクルとな
って被処理物のウェーハ等に付着すると製造歩留りを低
下させることになるから、反応チャンバ内をクリーニン
グする必要がある。
置やドライエッチング装置等、反応チャンバを有する装
置が多くの工程で使用されている。これらの装置では、
反応チャンバ内に反応生成物が付着堆積することは避け
られない。この反応生成物が剥落してパーティクルとな
って被処理物のウェーハ等に付着すると製造歩留りを低
下させることになるから、反応チャンバ内をクリーニン
グする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来は、ＣＶＤ装置やドライエッチング
装置の反応チャンバ内のクリーニングは、反応生成物を
物理的に削り取る、又はクリーニングガスを流して反応
生成物を化学的に分解する、等の方法が取られて来た。
装置の反応チャンバ内のクリーニングは、反応生成物を
物理的に削り取る、又はクリーニングガスを流して反応
生成物を化学的に分解する、等の方法が取られて来た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、反応生成物
を物理的に削り取る方法ではパーティクルを飛散させる
ことになり、又、クリーニングガスを流して反応生成物
を化学的に分解する方法ではいろいろな形態の反応生成
物の総てを完全に分解出来るとは限らない、という問題
があった。
を物理的に削り取る方法ではパーティクルを飛散させる
ことになり、又、クリーニングガスを流して反応生成物
を化学的に分解する方法ではいろいろな形態の反応生成
物の総てを完全に分解出来るとは限らない、という問題
があった。
【０００５】本発明はこのような問題を解決して、反応
チャンバ内に付着堆積する反応生成物を完全に除去する
ことが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を提供
することを目的とする。
チャンバ内に付着堆積する反応生成物を完全に除去する
ことが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、〔１〕反応チャンバを有する半導体製造装置のク
リーニング方法であって、該半導体製造装置使用前に予
め該反応チャンバの内面に該反応チャンバの内面表層を
構成する材料とは異なる材料の薄膜を被着し、該半導体
製造装置使用後に該薄膜を選択的にエッチングして該薄
膜上に付着した反応生成物を該薄膜と共に除去すること
を特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法とする
ことで、〔２〕前記〔１〕において前記反応チャンバの
内面表層を構成する材料がアルミニウムを含み、前記薄
膜の材料がチタンであり、前記薄膜の選択的なエッチン
グは硫化水素ガスを用いたドライエッチングとすること
で、〔３〕前記〔１〕において前記薄膜の前記反応チャ
ンバの内面への被着はＣＶＤ法にて行うことで、〔４〕
前記〔１〕において前記薄膜をエッチングにより除去し
た後、該反応チャンバ内に不活性ガスを導入して該反応
チャンバ内をパージすることで、達成される。
れば、〔１〕反応チャンバを有する半導体製造装置のク
リーニング方法であって、該半導体製造装置使用前に予
め該反応チャンバの内面に該反応チャンバの内面表層を
構成する材料とは異なる材料の薄膜を被着し、該半導体
製造装置使用後に該薄膜を選択的にエッチングして該薄
膜上に付着した反応生成物を該薄膜と共に除去すること
を特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法とする
ことで、〔２〕前記〔１〕において前記反応チャンバの
内面表層を構成する材料がアルミニウムを含み、前記薄
膜の材料がチタンであり、前記薄膜の選択的なエッチン
グは硫化水素ガスを用いたドライエッチングとすること
で、〔３〕前記〔１〕において前記薄膜の前記反応チャ
ンバの内面への被着はＣＶＤ法にて行うことで、〔４〕
前記〔１〕において前記薄膜をエッチングにより除去し
た後、該反応チャンバ内に不活性ガスを導入して該反応
チャンバ内をパージすることで、達成される。
【０００７】
【作用】種々の反応生成物にクリーニングガスを反応さ
せてこれを完全に除去することは困難であるが、反応チ
ャンバ自体をエッチングしてその表層を除去すれば、反
応生成物も完全に除去される。但し、これを繰り返せ
ば、当然、反応チャンバの肉厚が薄くなる。本発明では
装置使用前に反応チャンバの内壁を構成する材料と異な
る材料の薄膜を反応チャンバ内面に形成しておき、装置
使用後にこの薄膜を選択的にエッチングするから、これ
を繰り返しても反応チャンバの肉厚は変化しない。
せてこれを完全に除去することは困難であるが、反応チ
ャンバ自体をエッチングしてその表層を除去すれば、反
応生成物も完全に除去される。但し、これを繰り返せ
ば、当然、反応チャンバの肉厚が薄くなる。本発明では
装置使用前に反応チャンバの内壁を構成する材料と異な
る材料の薄膜を反応チャンバ内面に形成しておき、装置
使用後にこの薄膜を選択的にエッチングするから、これ
を繰り返しても反応チャンバの肉厚は変化しない。
【０００８】反応チャンバの材質はアルミニウム( Al )
であることが多い。チタン( Ti )の薄膜はこのアルミニ
ウムに対して密着性が良いから、使用中に剥離すること
はない。硫化水素( H2S ) は常温ではアルミニウムとは
反応せずチタンとは反応するから、チタンを選択的にエ
ッチングすることが出来る。 H2S と反応した Ti はTi
S となり、常温で分解する。チタン薄膜のエッチングは
反応チャンバ内を排気しながら行われるから、剥落した
反応生成物や上記 TiSは反応チャンバ外に排出される
が、エッチング後に不活性ガスによりパージすること
で、更に完全に除去される。
であることが多い。チタン( Ti )の薄膜はこのアルミニ
ウムに対して密着性が良いから、使用中に剥離すること
はない。硫化水素( H2S ) は常温ではアルミニウムとは
反応せずチタンとは反応するから、チタンを選択的にエ
ッチングすることが出来る。 H2S と反応した Ti はTi
S となり、常温で分解する。チタン薄膜のエッチングは
反応チャンバ内を排気しながら行われるから、剥落した
反応生成物や上記 TiSは反応チャンバ外に排出される
が、エッチング後に不活性ガスによりパージすること
で、更に完全に除去される。
【０００９】尚、シリコン・ウェーハの処理工程におい
てＣＶＤで一般的に使用されるガスは SiH4, SiH2Cl2,
PH3, PCl3, BF3, B2H6, Si(OC2H5)4, PO(OCH3)3, WF6等
であり、又、ドライエッチングで一般的に使用されるガ
スは CF4, CHF3, SiCl4, Cl2, CCl4, HBr 等である。従
って、これらと上記の H2Sによるクリーニングは全く異
質のものである。
てＣＶＤで一般的に使用されるガスは SiH4, SiH2Cl2,
PH3, PCl3, BF3, B2H6, Si(OC2H5)4, PO(OCH3)3, WF6等
であり、又、ドライエッチングで一般的に使用されるガ
スは CF4, CHF3, SiCl4, Cl2, CCl4, HBr 等である。従
って、これらと上記の H2Sによるクリーニングは全く異
質のものである。
【００１０】
【実施例】本発明に係る半導体製造装置のクリーニング
方法の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本
発明の実施例の説明図であり、ＣＶＤ装置又はドライエ
ッチング装置の、クリーニングを行う反応チャンバを断
面図で示している。
方法の実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本
発明の実施例の説明図であり、ＣＶＤ装置又はドライエ
ッチング装置の、クリーニングを行う反応チャンバを断
面図で示している。
【００１１】図において、１はチャンバであり、本実施
例ではアルミニウム製である。チャンバ１内には被処理
物（半導体ウェーハ等）の保持部等があるが、図示は省
略した。11は排気口であり、真空ポンプに連通してい
る。12〜はガス導入口であり、それぞれガス供給系に接
続されている。例えば、ガス導入口12はパージガス、ガ
ス導入口13は反応ガスとクリーニングガス（切替えて導
入する）、ガス導入口14はチタン薄膜形成用の材料ガス
の各供給系に接続されている。２は薄膜であり、当初は
存在しない。
例ではアルミニウム製である。チャンバ１内には被処理
物（半導体ウェーハ等）の保持部等があるが、図示は省
略した。11は排気口であり、真空ポンプに連通してい
る。12〜はガス導入口であり、それぞれガス供給系に接
続されている。例えば、ガス導入口12はパージガス、ガ
ス導入口13は反応ガスとクリーニングガス（切替えて導
入する）、ガス導入口14はチタン薄膜形成用の材料ガス
の各供給系に接続されている。２は薄膜であり、当初は
存在しない。
【００１２】反応チャンバ１のクリーニングは、次のよ
うにして行う。先ず、この装置を使用する前に（即ち、
被処理物のＣＶＤ又はドライエッチングを行う前に）、
反応チャンバ１の内面にチタンを被着して薄膜２を形成
する。この状態で装置を使用し、使用後は、先ず反応チ
ャンバ１内を排気しながらガス導入口13から反応チャン
バ１内に硫化水素ガスを導入する。このガスがチタンの
薄膜２を選択的にエッチングし、薄膜２が徐々に消滅し
て行くと共に薄膜２上に堆積した反応生成物も徐々に剥
落して排気口11から排出される。薄膜２が完全に消滅し
た後、硫化水素ガスの導入を停止し、代わりにガス導入
口12から窒素( N2 )ガスを導入して、反応チャンバ１内
をパージする。
うにして行う。先ず、この装置を使用する前に（即ち、
被処理物のＣＶＤ又はドライエッチングを行う前に）、
反応チャンバ１の内面にチタンを被着して薄膜２を形成
する。この状態で装置を使用し、使用後は、先ず反応チ
ャンバ１内を排気しながらガス導入口13から反応チャン
バ１内に硫化水素ガスを導入する。このガスがチタンの
薄膜２を選択的にエッチングし、薄膜２が徐々に消滅し
て行くと共に薄膜２上に堆積した反応生成物も徐々に剥
落して排気口11から排出される。薄膜２が完全に消滅し
た後、硫化水素ガスの導入を停止し、代わりにガス導入
口12から窒素( N2 )ガスを導入して、反応チャンバ１内
をパージする。
【００１３】以上の方法によりクリーニングしながら本
装置を繰り返し使用した結果、反応チャンバ１内に付着
堆積した反応生成物は常に完全に除去され、しかもパー
ティクルやクリーニングガスが反応チャンバ１内に残る
ことも、又、反応チャンバ１がクリーニングガスに侵さ
れることもなかった。
装置を繰り返し使用した結果、反応チャンバ１内に付着
堆積した反応生成物は常に完全に除去され、しかもパー
ティクルやクリーニングガスが反応チャンバ１内に残る
ことも、又、反応チャンバ１がクリーニングガスに侵さ
れることもなかった。
【００１４】尚、この装置がＣＶＤ装置の場合には、チ
タンの薄膜２をこの装置を用いてＣＶＤ法で形成するこ
とが出来る。この場合、材料ガスとしてはチタン有機化
合物ガスや塩化チタンガス等を用いる。
タンの薄膜２をこの装置を用いてＣＶＤ法で形成するこ
とが出来る。この場合、材料ガスとしてはチタン有機化
合物ガスや塩化チタンガス等を用いる。
【００１５】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
反応チャンバ１の内面表層だけがアルミニウムの場合で
も良く、又、反応チャンバ１と薄膜２とクリーニングガ
スがそれぞれアルミニウムとチタンと硫化水素という組
み合わせ以外であっても、クリーニングガスが薄膜２を
選択的にエッチングするものであれば本発明は有効であ
る。
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
反応チャンバ１の内面表層だけがアルミニウムの場合で
も良く、又、反応チャンバ１と薄膜２とクリーニングガ
スがそれぞれアルミニウムとチタンと硫化水素という組
み合わせ以外であっても、クリーニングガスが薄膜２を
選択的にエッチングするものであれば本発明は有効であ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応チャンバ内に付着堆積する反応生成物を完全に除去
することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を
提供することが出来、半導体デバイス等の製造における
歩留り向上等に寄与する。
反応チャンバ内に付着堆積する反応生成物を完全に除去
することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法を
提供することが出来、半導体デバイス等の製造における
歩留り向上等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
１ 反応チャンバ ２ 薄膜 11 排気口 12, 13, 14 ガス導入口
Claims (4)
- 【請求項１】 反応チャンバを有する半導体製造装置の
クリーニング方法であって、 該半導体製造装置使用前に予め該反応チャンバの内面に
該反応チャンバの内面表層を構成する材料とは異なる材
料の薄膜を被着し、該半導体製造装置使用後に該薄膜を
選択的にエッチングして該薄膜上に付着した反応生成物
を該薄膜と共に除去することを特徴とする半導体製造装
置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 前記反応チャンバの内面表層を構成する
材料がアルミニウムを含み、前記薄膜の材料がチタンで
あり、前記薄膜の選択的なエッチングは硫化水素ガスを
用いたドライエッチングであることを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記薄膜の前記反応チャンバの内面への
被着はＣＶＤ法にて行うことを特徴とする請求項１記載
の半導体製造装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 前記薄膜をエッチングにより除去した
後、該反応チャンバ内に不活性ガスを導入して該反応チ
ャンバ内をパージすることを特徴とする請求項１記載の
半導体製造装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18976892A JPH0637074A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18976892A JPH0637074A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637074A true JPH0637074A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16246869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18976892A Withdrawn JPH0637074A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637074A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133797A (en) * | 1988-04-06 | 1992-07-28 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Coated granular fertilizer composition and its production |
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| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| JP2006278594A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| EP2284291A4 (en) * | 2008-04-30 | 2011-04-20 | Ulvac Inc | VERSUS WATER REACTIVE AL COMPOSITE, VERSUS WATER REACTIVE AL FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE AL FILM, AND FILM-FORMING CHAMBER COMPONENT |
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| JP6932873B1 (ja) * | 2020-04-01 | 2021-09-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置、成膜装置の制御装置及び成膜方法 |
| WO2021199479A1 (ja) * | 2020-04-01 | 2021-10-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置、成膜装置の制御装置及び成膜方法 |
| US12438075B2 (en) | 2021-05-18 | 2025-10-07 | Canon Anelva Corporation | Method for manufacturing a laminated body |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP18976892A patent/JPH0637074A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN115427606A (zh) * | 2020-04-01 | 2022-12-02 | 佳能安内华股份有限公司 | 成膜设备、成膜设备的控制设备以及成膜方法 |
| CN115427606B (zh) * | 2020-04-01 | 2024-01-02 | 佳能安内华股份有限公司 | 成膜设备、成膜设备的控制设备以及成膜方法 |
| US12606904B2 (en) | 2020-04-01 | 2026-04-21 | Canon Anelva Corporation | Film forming apparatus, control apparatus for film forming appartus, and film forming method |
| US12438075B2 (en) | 2021-05-18 | 2025-10-07 | Canon Anelva Corporation | Method for manufacturing a laminated body |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |