JPH063725B2 - ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法 - Google Patents

ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法

Info

Publication number
JPH063725B2
JPH063725B2 JP61116481A JP11648186A JPH063725B2 JP H063725 B2 JPH063725 B2 JP H063725B2 JP 61116481 A JP61116481 A JP 61116481A JP 11648186 A JP11648186 A JP 11648186A JP H063725 B2 JPH063725 B2 JP H063725B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
signal
strobe
supplied
electronic beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61116481A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62272442A (ja
Inventor
宏信 新島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP61116481A priority Critical patent/JPH063725B2/ja
Publication of JPS62272442A publication Critical patent/JPS62272442A/ja
Publication of JPH063725B2 publication Critical patent/JPH063725B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はICに周期信号を供給した時に、特定の位相
におけるこのICの表面の電位分布像などを測定するス
トロボ電子ビーム装置に関し、特に上記ストロボ電子ビ
ームの照射位置を正確に決める方法を実現しようとする
ものである。
「発明の背景」 第2図に上記ストロボ電子ビーム装置の概略図を示す。
これは、端子20からIC16に供給する周期信号と同
期した信号を、端子18よりブランキング偏向器12に
供給する。そして電子銃11から発生している電子ビー
ムを偏向して、絞り13上を走査する。この時、一定の
時間間隔で、電子ビームは絞り13の開口部23を通過
する。絞り13の開口部23を通過した電子ビームを、
端子19からビーム走査コイル14に供給されている信
号により偏向し、IC16の所定位置に照射する。この
時IC16から反射する二次電子の強度を二次電子検出
器15で検出し、端子21より出力する。この出力電圧
を測定することにより、電子ビームの照射された位置に
おける電位を求めることができる。
例えば端子20からIC16に第3図Aに示す信号を供
給し、端子18から第3図B及び第3図Cに示す信号を
供給する。第3図B及び第3図Cの信号は第3図Aの信
号と同期している。第3図Bに示す、電圧が−VXとVX
との間で変化する台形波の信号はブランキング偏向器1
2のX軸偏向板に供給される。第3図Cに示す、電圧が
0 (V)とVYとの間で変化する矩形波の信号はブラ
ンキング偏向器12のY軸偏向板に供給される。従って
第4図に示すように、絞り13上での電子ビームの照射
位置は矢印の方向に変化する。そしてY軸偏向板に供給
される信号が0(V)で、X軸偏向板に供給される信号
が−VXからVXに変化する時、X軸偏向板に供給される
信号が0(V)近傍で電子ビームは絞り13の開口部2
3を通過する。第3図Dは開口部23を通過した電子ビ
ームを示す。この電子ビームはIC16に供給される第
3図Aに示す信号と同期しており、ビーム走査コイル1
4により偏向してIC16の表面を走査する。従って端
子20からの周期信号の特定の位相におけるIC16の
表面の電位分布像などを測定することができる。
また走査コイル14によりストロボ電子ビームをIC1
6の表面上の所定位置に偏向する。そしてIC16に供
給される信号の位相に対する、電子ビームの開口部23
を通過する時間を順次ずらしていくことにより、IC1
6の上記位置における電位波形を測定することができ
る。
ところが第2図に示す装置において、電子ビームが絞り
13の開口部23を通過する時、ブランキング偏向器1
2のX軸偏向板に供給される電圧は−VXからVXに変化
している。電子ビームがブランキング偏向器12を通過
する時間は無視できず、その間に電子ビームの軌道が曲
げられる。即ち、絞り13の開口部23を通過してきた
電子ビームは、電子銃11から絞り13に垂直に照射し
たものではなく、ブランキング偏向器12でその軌道が
曲げられて、開口部23を通過してきたものである。従
ってこの電子ビームをビーム走査コイル14で偏向して
IC16上に照射した時、実際に指定した位置からずれ
ているという問題がある。この問題は、特にIC16の
表面上の所定位置に電子ビームを照射して電位波形を測
定する時に、致命的となる。また上記のずれは電子銃1
1でのビームの加速電圧が低い程大きい。
「問題点を解決するための手段」 この発明による電子ビームの位置決め方法は、校正用マ
ークを例えばステージ上に付加する。そして電子ビーム
を絞りに垂直に照射して開口部を通過させ、この電子ビ
ームを連続的に走査して正確なマーク位置を検出する。
次にブランキング制御器に所定の信号を供給してストロ
ボ電子ビームを得、このストロボ電子ビームを走査して
マーク位置を検出する。この2つのマーク位置から補正
量を求める。ICの所定位置における電位波形などを測
定する時、上記補正量を用いて電子ビームの照射位置を
正確に決めるようにしたものである。
「実施例」 第1図にストロボ電子ビームをICの所定位置に照射す
る時に用いる補正量の算出方法のフローチャートを示
す。この時、例えばステージ17上に設けられた校正用
マーク22は、ステージ17を移動して電子銃11の真
下にもってくる。この校正用マーク22は、その中心位
置がビーム走査により求めることができるものであれ
ば、どのような形状のものでも良い。
初めにステップ1で電子ビームを連続的に走査して正確
なマーク位置を求める。この時ブランキング偏向器12
には信号が供給されないので、電子銃11からの電子ビ
ームは絞り13に垂直に照射し、そのまま開口部23を
通過する。絞り13の開口部23を通過してきた電子ビ
ームを、ビーム走査コイル14で偏向して校正用マーク
22上を複数回走査する。例えば校正用マーク22のエ
ッジが段状になっている場合、電子ビームがこのエッジ
を通過する時に二次電子検出器15で検出される二次電
子の強度が急激に変化する。そこでしきい電圧を設定
し、二次電子検出器15からの出力電圧がこのしきい電
圧と交差した時に、ビーム走査コイル14に供給してい
る電圧から電子ビームの照射位置を求め、記憶手段に記
憶させる。複数回のビーム走査を終了した時に、記憶手
段に記憶されている複数個の電子ビームの照射位置を例
えば平均することにより、正確なマーク位置(X1
1)を求めておく。
次にステップ2で端子18を通じてブランキング偏向器
12に例えば第3図B及び第3図Cに示す信号を供給す
る。このときブランキング偏向器12のX軸偏向板に供
給される信号が負の電圧−VXから正の電圧VXに変化し
た時に絞り13の開口部23を通過する電子ビームをビ
ーム走査コイル14で偏向して校正用マーク22上を複
数回走査する。そしてステップ1と同じ方法でマーク位
置(X2、Y2)を求める。
最後にステップ3でビームを連続走査して求めたマーク
位置(X1、Y1)と、ブランキング偏向器12に所定の
信号を供給してストロボ電子ビームを発生し、このスト
ロボ電子ビームを走査して求めたマーク位置(X2
2)との差を算出して補正量(ΔX、ΔY)を求め
る。
IC16に信号を供給し、該IC16の表面にストロボ
電子ビームを照射して電位波形などを測定する時に、ビ
ームの照射位置(X、Y)に補正量(ΔX、ΔY)を加
算し、この加算値に対応する信号を端子19からビーム
走査コイル14に供給することにより、電子ビームを指
定した位置に正確に照射することができる。
IC16の表面上のパターンの密度に応じて使用するス
トロボ電子ビームのパルス幅を変えるようにしても良
い。例えばパターン密度の高い領域で、所望の位置に電
子ビームを照射して電位波形などを測定する時は、パル
ス幅の小さい電子ビームを用いた方が良い。この電子ビ
ームのパルス幅を変えるには、例えば第3図Bに示す台
形波の電圧が−VXからVXに変化する部分の勾配を変え
れば良い。あらかじめ使用する複数個のストロボ電子ビ
ームのパルス幅がわかっている場合は、ステップ2にお
いて、各々のパルス幅のストロボ電子ビームに対応する
第3図B及び第3図Cのような信号をブランキング偏向
器12に供給する。その時得られたマーク位置(X2
2)から、ステップ3で補正量(ΔX、ΔY)を算出
して記憶手段に記憶させておく。そしてストロボ電子ビ
ームを用いて測定を行う時に、ビームの照射位置に使用
するストロボ電子ビームのパルス幅に対応する補正量を
加算して、この加算値に対応する信号をビーム走査コイ
ル14に供給するようにしてもよい。
「発明の効果」 以上説明したようにこの発明によるストロボ電子ビーム
装置における電子ビームの位置決め方法は、ブランキン
グ制御器に信号を供給しないで電子ビームを連続走査し
ながら求めたマーク位置(X1、Y1)と、ブランキング
制御器に信号を供給してストロボ電子ビームを発生し、
このストロボ電子ビームを走査しながら求めたマーク位
置(X2、Y2)とから補正量(ΔX、ΔY)を算出す
る。そしてストロボ電子ビームを用いて種々の測定を行
う時に、この補正量を用いて電子ビームの照射位置を補
正するように構成したので、電子ビームを指定した位置
に正確に照射することができ、精度良く測定することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に用いられるストロボ電子ビームを所
定位置に照射する時に用いる補正量の算出方法を示すフ
ローチャート、第2図はストロボ電子ビーム装置の概略
図、第3図は第2図に示した装置の動作を説明するため
のタイミングチャート、第4図は第2図に示した装置の
絞り13上での電子ビームの動作を説明するための平面
図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ストロボ電子ビーム装置において、電子ビ
    ームを照射できる所定位置に校正用マークを付加し、ブ
    ランキング偏向器に信号を供給しないで連続電子ビーム
    で上記校正用マーク上を走査して求めたマーク位置と、
    ブランキング偏向器に所定信号を供給してストロボ電子
    ビームを得、該ストロボ電子ビームで上記校正用マーク
    上を走査して求めたマーク位置との差から補正量を算出
    し、ストロボ電子ビームを用いて測定を行う時に電子ビ
    ームの照射位置に対応する信号に上記補正量に対応する
    信号を加算し、この加算された信号をビーム走査コイル
    に供給して上記ストロボ電子ビームを偏向するようにし
    たことを特徴とする電子ビーム位置決め方法。
JP61116481A 1986-05-21 1986-05-21 ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法 Expired - Lifetime JPH063725B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61116481A JPH063725B2 (ja) 1986-05-21 1986-05-21 ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61116481A JPH063725B2 (ja) 1986-05-21 1986-05-21 ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62272442A JPS62272442A (ja) 1987-11-26
JPH063725B2 true JPH063725B2 (ja) 1994-01-12

Family

ID=14688175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61116481A Expired - Lifetime JPH063725B2 (ja) 1986-05-21 1986-05-21 ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH063725B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5345085A (en) * 1993-03-26 1994-09-06 Etec Systems, Inc. Method and structure for electronically measuring beam parameters

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62272442A (ja) 1987-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4807159A (en) Apparatus and method for controlling irradiation of an electron beam at a fixed position in an electron beam tester system
US4413186A (en) Method for detecting a position of a micro-mark on a substrate by using an electron beam
US4119854A (en) Electron beam exposure system
JPH0220921B2 (ja)
US6512237B2 (en) Charged beam exposure method and charged beam exposure apparatus
JPH0513037A (ja) 荷電粒子ビーム装置及びその制御方法
JP3184675B2 (ja) 微細パターンの測定装置
US5523576A (en) Charged beam drawing apparatus
US5164596A (en) Focused ion beam irradiating apparatus
JPWO2001069643A1 (ja) 荷電粒子ビーム走査式装置
JP2548834B2 (ja) 電子ビーム寸法測定装置
JPH0348649B2 (ja)
JPH063725B2 (ja) ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法
US5877505A (en) Apparatus for determining mark position on wafer
GB1597203A (en) Position setting systems using a scanning beam
US6941006B1 (en) Method and system for calibrating the scan amplitude of an electron beam lithography instrument
JPH07226361A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置における矩形ビームのサイズ及び位置決め調整方法
JP2546500B2 (ja) 膜厚測定方法
JP2005064041A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置におけるビームの照射位置補正方法
JPH03254053A (ja) 一次電子着地誤差の補正方法
JP2786662B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPH0531723B2 (ja)
JPH0674742A (ja) 電子ビーム寸法測定装置
JPS6145551A (ja) 電子ビ−ム装置
JPS61290313A (ja) 立体形状測定装置