JPH0637513A - 超伝導体装置 - Google Patents
超伝導体装置Info
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- JPH0637513A JPH0637513A JP4187747A JP18774792A JPH0637513A JP H0637513 A JPH0637513 A JP H0637513A JP 4187747 A JP4187747 A JP 4187747A JP 18774792 A JP18774792 A JP 18774792A JP H0637513 A JPH0637513 A JP H0637513A
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- thin film
- films
- superconductor
- conductor
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Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】周囲温度が臨界温度以上に上昇しても致命的な
特性劣化に判らない超伝導体装置を提供する。 【構成】線路導体を超伝導体薄膜４，高耐熱性金属薄膜
５，高導電率金属薄膜６の３層構造を有する薄膜導体系
により構成し、周囲温度が上昇して超伝導体薄膜４が絶
縁物になっても高導電率金属薄膜６の働きで若干の特性
劣化にとどめる。
特性劣化に判らない超伝導体装置を提供する。 【構成】線路導体を超伝導体薄膜４，高耐熱性金属薄膜
５，高導電率金属薄膜６の３層構造を有する薄膜導体系
により構成し、周囲温度が上昇して超伝導体薄膜４が絶
縁物になっても高導電率金属薄膜６の働きで若干の特性
劣化にとどめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜で形成された回路パ
ターンを含む超伝導体装置に関する。
ターンを含む超伝導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の超伝導体装置の一例である
マイクロ波帯フィルタの図面であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。同図で１は誘電
体基板であり、本例のような受動回路のみの場合はＭｇ
Ｏなどが通常使用される。能動素子も含めてモノリシッ
ク集積化する場合にはＧａＡｓなどの半絶縁性半導体基
板が用いられる。２は線路導体でＹＢＣＯ（ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δ）などの超伝導体の薄膜である。３は接地導
体であり、通常は線路導体２と同様に超伝導体薄膜であ
るが、線路導体ほどは損失に寄与しないので、Ａｕなど
通常の金属導体の薄膜が使用されることもある。
マイクロ波帯フィルタの図面であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。同図で１は誘電
体基板であり、本例のような受動回路のみの場合はＭｇ
Ｏなどが通常使用される。能動素子も含めてモノリシッ
ク集積化する場合にはＧａＡｓなどの半絶縁性半導体基
板が用いられる。２は線路導体でＹＢＣＯ（ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δ）などの超伝導体の薄膜である。３は接地導
体であり、通常は線路導体２と同様に超伝導体薄膜であ
るが、線路導体ほどは損失に寄与しないので、Ａｕなど
通常の金属導体の薄膜が使用されることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現状では常温超伝導体
は発見されていないので、超伝導体装置を動作させるた
めには周囲温度を臨界温度以下に保つ必要がある。超伝
導体は臨界温度以上では導電率が低く、特にＹＢＣＯに
代表される高温超伝導体は酸化物であるため、臨界温度
以上では絶縁体に近い。したがって図２に示す従来の超
伝導体装置では、冷却系が故障して周囲温度が臨界温度
以上になると、まったく機能できなくなる。これは、例
えば人工衛星搭載機器のように高信頼度を要求される機
器に使用するためには致命的な欠陥となる。本発明の目
的は、従来の上記欠陥を除去し、冷却系が故障しても継
続使用可能な超伝導体装置を提供することにある。
は発見されていないので、超伝導体装置を動作させるた
めには周囲温度を臨界温度以下に保つ必要がある。超伝
導体は臨界温度以上では導電率が低く、特にＹＢＣＯに
代表される高温超伝導体は酸化物であるため、臨界温度
以上では絶縁体に近い。したがって図２に示す従来の超
伝導体装置では、冷却系が故障して周囲温度が臨界温度
以上になると、まったく機能できなくなる。これは、例
えば人工衛星搭載機器のように高信頼度を要求される機
器に使用するためには致命的な欠陥となる。本発明の目
的は、従来の上記欠陥を除去し、冷却系が故障しても継
続使用可能な超伝導体装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の超伝導体装置
は、誘電体基板上に超伝導体、高耐熱性金属および高導
電率金属を順次重ねた３層構造を有する薄膜導体で回路
パターンを形成している。
は、誘電体基板上に超伝導体、高耐熱性金属および高導
電率金属を順次重ねた３層構造を有する薄膜導体で回路
パターンを形成している。
【０００５】前記誘電体基板は半絶縁性半導体からなっ
ていてもよい。
ていてもよい。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の超伝導体装置の一実施例で
あるマイクロ波帯フィルタの図面であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。同図で１は
誘電体基板であり、本例のような受動回路のみの場合は
ＭｇＯなどが通常使用される。能動素子も含めてモノリ
シック集積化する場合にはＧａＡｓなどの半絶縁性半導
体基板が用いられる。４はＹＢＣＯなどの超伝導体の薄
膜、５はＰｔなどの高耐熱性金属、６はＡｕなどの高導
電率金属であり、これら薄膜４，５，６の３層構造を有
する薄膜導体系で線路導体を構成する。接地導体に関し
ても同様に、超伝導体薄膜７，高耐熱性金属薄膜８，高
導電率金属薄膜９の３層構造薄膜導体系で構成する。
あるマイクロ波帯フィルタの図面であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。同図で１は
誘電体基板であり、本例のような受動回路のみの場合は
ＭｇＯなどが通常使用される。能動素子も含めてモノリ
シック集積化する場合にはＧａＡｓなどの半絶縁性半導
体基板が用いられる。４はＹＢＣＯなどの超伝導体の薄
膜、５はＰｔなどの高耐熱性金属、６はＡｕなどの高導
電率金属であり、これら薄膜４，５，６の３層構造を有
する薄膜導体系で線路導体を構成する。接地導体に関し
ても同様に、超伝導体薄膜７，高耐熱性金属薄膜８，高
導電率金属薄膜９の３層構造薄膜導体系で構成する。
【０００８】本実施例では薄膜導体が３層構造になって
いるため、臨界温度以上で超伝導体薄膜４，７が絶縁物
に近い状態の場合でも高導電率金属薄膜６，９の働きに
より若干の特性劣化にとどまる。超伝導体薄膜４，７と
高導電率金属薄膜６，９との間に高耐熱性金属薄膜５，
８を設ける理由は、高導電率金属薄膜６，９が超伝導体
薄膜４，７と化学反応して超伝導体薄膜４，７ならびに
高導電率金属薄膜６，９双方の特性劣化を防ぐためであ
る。
いるため、臨界温度以上で超伝導体薄膜４，７が絶縁物
に近い状態の場合でも高導電率金属薄膜６，９の働きに
より若干の特性劣化にとどまる。超伝導体薄膜４，７と
高導電率金属薄膜６，９との間に高耐熱性金属薄膜５，
８を設ける理由は、高導電率金属薄膜６，９が超伝導体
薄膜４，７と化学反応して超伝導体薄膜４，７ならびに
高導電率金属薄膜６，９双方の特性劣化を防ぐためであ
る。
【０００９】本実施例では接地導体も線路導体と同様に
３層構造の薄膜導体系で構成しているが、接地導体は線
路導体ほど損失に寄与しないので高導電率金属薄膜９の
みで構成しても差し支えない。
３層構造の薄膜導体系で構成しているが、接地導体は線
路導体ほど損失に寄与しないので高導電率金属薄膜９の
みで構成しても差し支えない。
【００１０】
【発明の効果】以上図面を用いて評細に説明したように
本発明によれば、冷却系が故障し周囲温度が臨界温度以
上に上昇しても致命的な欠陥とならず若干の特性劣化に
とどまる超伝導体装置が提供できるため、人工衛星搭載
機器のように高信頼度が要求される機器に適用して効果
大なるものがある。
本発明によれば、冷却系が故障し周囲温度が臨界温度以
上に上昇しても致命的な欠陥とならず若干の特性劣化に
とどまる超伝導体装置が提供できるため、人工衛星搭載
機器のように高信頼度が要求される機器に適用して効果
大なるものがある。
【図１】本発明の一実施例を示す図面であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】従来の超伝導体装置の一例を示す図面であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。
１ 誘電体基板 ２，３，４，７ 超伝導体薄膜 ５，８ 高耐熱性金属薄膜 ６，９ 高導電率金属薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板上に超伝導体、高耐熱性金属
および高導電率金属を順次重ねた３層構造を有する薄膜
導体で回路パターンを形成したことを特徴とする超伝導
体装置。 - 【請求項２】 前記誘電体基板は半絶縁性半導体からな
ることを特徴とする請求項１記載の超伝導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187747A JPH0637513A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 超伝導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187747A JPH0637513A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 超伝導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637513A true JPH0637513A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16211498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4187747A Pending JPH0637513A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 超伝導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637513A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995035584A1 (en) * | 1994-06-17 | 1995-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element |
| KR19990022776A (ko) * | 1995-06-13 | 1999-03-25 | 에르링 블롬메, 타게 뢰브그렌 | 동조가능한 마이크로 웨이브장치 |
| WO2002067446A1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-08-29 | Fujitsu Limited | Superconducting filter device and wireless receiver amplifier |
| US7174197B2 (en) | 1999-02-26 | 2007-02-06 | Fujitsu Limited | Superconductive filter module, superconductive filter assembly and heat insulating type coaxial cable |
| US7844916B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-11-30 | Sony Computer Entertainment Inc. | Multimedia reproducing apparatus and menu screen display method |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4187747A patent/JPH0637513A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995035584A1 (en) * | 1994-06-17 | 1995-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element |
| US6016434A (en) * | 1994-06-17 | 2000-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element in which a resonator and input/ouputs are relatively movable |
| US6360112B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator tuned by another movable resonator |
| US6360111B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator with an electroconductive film about the periphery |
| KR19990022776A (ko) * | 1995-06-13 | 1999-03-25 | 에르링 블롬메, 타게 뢰브그렌 | 동조가능한 마이크로 웨이브장치 |
| US7174197B2 (en) | 1999-02-26 | 2007-02-06 | Fujitsu Limited | Superconductive filter module, superconductive filter assembly and heat insulating type coaxial cable |
| WO2002067446A1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-08-29 | Fujitsu Limited | Superconducting filter device and wireless receiver amplifier |
| US7058436B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-06-06 | Fujitsu Limited | Superconducting filter apparatus and wireless receiving amplifier having an abnormality discriminating circuit |
| US7844916B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-11-30 | Sony Computer Entertainment Inc. | Multimedia reproducing apparatus and menu screen display method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000530 |