JPH0638215B2 - 差動回路の基準電源 - Google Patents
差動回路の基準電源Info
- Publication number
- JPH0638215B2 JPH0638215B2 JP62043348A JP4334887A JPH0638215B2 JP H0638215 B2 JPH0638215 B2 JP H0638215B2 JP 62043348 A JP62043348 A JP 62043348A JP 4334887 A JP4334887 A JP 4334887A JP H0638215 B2 JPH0638215 B2 JP H0638215B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- circuit
- voltage
- power source
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は差動回路の基準電源に関する。
最近のICの応用分野におる性能の高度化に伴い、差動
形インバータIC内部のトランジスタセルの特性ばらつ
きまでを問題にしだしている。
形インバータIC内部のトランジスタセルの特性ばらつ
きまでを問題にしだしている。
第2図は従来の差動形インバータの一例の回路図であ
る。
る。
差動形インバータ6はインバータ7と第1及び第2のソ
ースホロワ回路4及び5とから成っている。
ースホロワ回路4及び5とから成っている。
インバータ7はそれぞれゲートが基準電圧入力端子TIR
と電圧入力端子TIxとに接続し、ソースが一端を接地す
る第3の定電流源17の他端に共通に接続し、それぞれ
のドレインが第1及び第2の抵抗R1及びR2を介して
電源端子TDと接続する第3及び第4のFET13及び
14から成っている。
と電圧入力端子TIxとに接続し、ソースが一端を接地す
る第3の定電流源17の他端に共通に接続し、それぞれ
のドレインが第1及び第2の抵抗R1及びR2を介して
電源端子TDと接続する第3及び第4のFET13及び
14から成っている。
第1及び第2のソースホロワ回路4及び5は、それぞれ
のドレインが共通に電源端子TNに接続する第1及び第
2のFET11及び12とそれぞれのソースにそれぞれ
のアノードが接続する第1及び第2のダイオードD1及
びD2とそれらのそれぞれのカソードに一端がそれぞれ
接続し他端が設置する第1及び第2の定電流源とから成
っている。
のドレインが共通に電源端子TNに接続する第1及び第
2のFET11及び12とそれぞれのソースにそれぞれ
のアノードが接続する第1及び第2のダイオードD1及
びD2とそれらのそれぞれのカソードに一端がそれぞれ
接続し他端が設置する第1及び第2の定電流源とから成
っている。
この差動形インバータ6の基準電圧入力端子TIRに基準
電源1aの基準電圧出力端子TRから基準電圧VRを与
へ、電圧入力端子TIxに入力電圧Vxを与えると周知の
様にVx〉VRでは電圧出力端子T01とT02にそれぞれ
高レベルと低レベルの電圧を得る。
電源1aの基準電圧出力端子TRから基準電圧VRを与
へ、電圧入力端子TIxに入力電圧Vxを与えると周知の
様にVx〉VRでは電圧出力端子T01とT02にそれぞれ
高レベルと低レベルの電圧を得る。
Vx〈VRでは電圧出力端子T01とT02の電圧レベルは
逆転する。
逆転する。
Vx=VRの場合は二つの出力電圧は理論上平衡する。
一般に、基準電源としては、独立した安定電源またはI
C内部のバイアス電圧を分圧して与えている。
C内部のバイアス電圧を分圧して与えている。
上述した従来の差動回路の基準電源は、外部安定化電源
の場合は差動回路と全く独立であり、IC内部のバイア
ス電圧を使用の場合は差動回路と構成が異なるので、高
精度の入力電圧の平衡動作を問題にする場合に、差動形
インバータ6を構成する第1〜4のFET11〜14の
しきい値等のばらつきで、個々の差動形インバータのI
Cごとに基準電圧VRの微調整が必要となり、能率と経
済性が悪いという問題があった。
の場合は差動回路と全く独立であり、IC内部のバイア
ス電圧を使用の場合は差動回路と構成が異なるので、高
精度の入力電圧の平衡動作を問題にする場合に、差動形
インバータ6を構成する第1〜4のFET11〜14の
しきい値等のばらつきで、個々の差動形インバータのI
Cごとに基準電圧VRの微調整が必要となり、能率と経
済性が悪いという問題があった。
本発明の目的は、差動回路ICの素子特性のばらつきに
影響されない安定な差動出力の得られる差動回路の基準
電源を提供することにある。
影響されない安定な差動出力の得られる差動回路の基準
電源を提供することにある。
本発明の差動回路の基準電源は、 (A) それぞれのドレインが共通に電源に接続する第
1及び第2のFETと、前記第1及び第2のFETのそ
れぞれのソースにそれぞれのアノードが接続する第1及
び第2のダイオードと、一端が前記第1及び第2のダイ
オードのそれぞれのカソードに接続し他端が接地される
第1及び第2の定電流源とを有するソースホロワ回路、 (B) ドレインが第1の抵抗を介して前記電源に接続
すると共に前記第1のFETのゲートに接続してオフ信
号を供給し、ゲートが前記第2のダイオードのカソード
に接続し、ソースが一端を接地する第3の定電流源の他
端に接続する第3のFETと、一端が前記電源に接続し
他端が前記第2のFETのゲートに接続してオン信号を
供給する第2の抵抗とを有する直流回路、 (C) 前記第1及び第2のダイオードのそれぞれのカ
ソード間に接続された第4及び第5抵抗の中間から直流
電圧の供給を受ける基準電圧出力端子、 を含んで構成されている。
1及び第2のFETと、前記第1及び第2のFETのそ
れぞれのソースにそれぞれのアノードが接続する第1及
び第2のダイオードと、一端が前記第1及び第2のダイ
オードのそれぞれのカソードに接続し他端が接地される
第1及び第2の定電流源とを有するソースホロワ回路、 (B) ドレインが第1の抵抗を介して前記電源に接続
すると共に前記第1のFETのゲートに接続してオフ信
号を供給し、ゲートが前記第2のダイオードのカソード
に接続し、ソースが一端を接地する第3の定電流源の他
端に接続する第3のFETと、一端が前記電源に接続し
他端が前記第2のFETのゲートに接続してオン信号を
供給する第2の抵抗とを有する直流回路、 (C) 前記第1及び第2のダイオードのそれぞれのカ
ソード間に接続された第4及び第5抵抗の中間から直流
電圧の供給を受ける基準電圧出力端子、 を含んで構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例と差動形インバータの一例の
回路図である。
回路図である。
差動形インバータ6は第2図の従来の差動形インバータ
6と同一である。
6と同一である。
基準電源1bの第1及び第2のソースホロワ回路4及び
5は、第2図の従来の第1及び第2のソースホロワ回路
と同一である。
5は、第2図の従来の第1及び第2のソースホロワ回路
と同一である。
直流回路2は、第2図の従来のインバータ7の回路構成
と対応して第4のFET14を除くと共に外部電圧を入
力せずに第3のFET13のゲートと第2のダイオード
D2のカソードを接続した以外は全く同一である。
と対応して第4のFET14を除くと共に外部電圧を入
力せずに第3のFET13のゲートと第2のダイオード
D2のカソードを接続した以外は全く同一である。
低域フィルタ3は第1及び第2のダイオードD1及びD
2のカソード端子間に第3及び第4の抵抗R3及びR4
を直列に挿入し、その接続中点にコンデンサの一端と基
準電圧端子TRを接続している。
2のカソード端子間に第3及び第4の抵抗R3及びR4
を直列に挿入し、その接続中点にコンデンサの一端と基
準電圧端子TRを接続している。
直流回路2は常に電源端子Tdから第2の抵抗R2を通
して第2のFET12をオン状態にさせているので、第
2のダイオードD2のカソードの電圧は高レベルであ
る。
して第2のFET12をオン状態にさせているので、第
2のダイオードD2のカソードの電圧は高レベルであ
る。
従って、第3のFET13がオン状態となり、第1のF
ET11はオフ状態となるので第1のダイオードD1の
カソード電圧は高レベルとなる。
ET11はオフ状態となるので第1のダイオードD1の
カソード電圧は高レベルとなる。
これは第2図の従来の差動形インバータ6の入力電圧の
VR〉Vxの状態をシュミレーションしたものに相当す
る。
VR〉Vxの状態をシュミレーションしたものに相当す
る。
ここで、第3及び第4の抵抗R3及びR4の抵抗値を等
しくすると、第1及び第2のダイオードD1及びD2の
それぞれのカソードの出力電圧の平均値である基準電圧
Vrが基準電圧端子Trに得られる。
しくすると、第1及び第2のダイオードD1及びD2の
それぞれのカソードの出力電圧の平均値である基準電圧
Vrが基準電圧端子Trに得られる。
この基準電圧Vrは、差動形インバータ6と基準電源1
bを同一のIC内に製造した場合は、たとえIC内部の
FETのしきい値にばらつきが存在しても、差動形イン
バータ6と基準電源1b内のそれぞれ回路構成上それぞ
れ対応するFETの回路動作を含めた影響は、ほとんど
同一なので各FET間のしきい値の製造上のばらつきに
ついて自動的に補整されたことになる。
bを同一のIC内に製造した場合は、たとえIC内部の
FETのしきい値にばらつきが存在しても、差動形イン
バータ6と基準電源1b内のそれぞれ回路構成上それぞ
れ対応するFETの回路動作を含めた影響は、ほとんど
同一なので各FET間のしきい値の製造上のばらつきに
ついて自動的に補整されたことになる。
以上説明したように本発明は、差動回路の一安定状態に
相当する出力電圧の中間電圧を基準電圧とすることによ
り差動回路を構成するFETの特性のばらつきの影響の
ないインバータが得られるという効果がある。
相当する出力電圧の中間電圧を基準電圧とすることによ
り差動回路を構成するFETの特性のばらつきの影響の
ないインバータが得られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例と差動形インバータの一例の
回路図、第2図は従来の差動形インバータの一例の回路
図である。 1a,1b……基準電源、2……直流回路、3……低域
フィルタ、4,5……第1及び第2のソースホロワ回
路、6……差動形インバータ、11〜14……第1〜第
4のFET、15〜17……第1〜第3の低電流源、D
1,D2……第1及び第2のダイオード、R1〜R4…
…第1〜第4の抵抗、TD,Td……電源端子、TIR…
…基準電圧入力端子、TIx……電圧入力端子、T01,T
02……電圧出力端子、TR,Tr……基準電圧出力端
子、VR,Vr……基準電圧、Vx……入力電圧。
回路図、第2図は従来の差動形インバータの一例の回路
図である。 1a,1b……基準電源、2……直流回路、3……低域
フィルタ、4,5……第1及び第2のソースホロワ回
路、6……差動形インバータ、11〜14……第1〜第
4のFET、15〜17……第1〜第3の低電流源、D
1,D2……第1及び第2のダイオード、R1〜R4…
…第1〜第4の抵抗、TD,Td……電源端子、TIR…
…基準電圧入力端子、TIx……電圧入力端子、T01,T
02……電圧出力端子、TR,Tr……基準電圧出力端
子、VR,Vr……基準電圧、Vx……入力電圧。
Claims (1)
- 【請求項1】(A) それぞれのドレインが共通に電源
に接続する第1及び第2のFETと、前記第1及び第2
のFETのそれぞれのソースにそれぞれのアノードが接
続する第1及び第2のダイオードと、一端が前記第1及
び第2のダイオードのそれぞれのカソードに接続し他端
が接地される第1及び第2の定電流源とを有するソース
ホロワ回路、 (B) ドレインが第1の抵抗を介して前記電源に接続
すると共に前記第1のFETのゲートに接続してオフ信
号を供給し、ゲートが前記第2のダイオードのカソード
に接続し、ソースが一端を接地する第3の定電流源の他
端に接続する第3のFETと、一端が前記電源に接続し
他端が前記第2のFETのゲートに接続してオン信号を
供給する第2の抵抗とを有する直流回路、 (C) 前記第1及び第2のダイオードのそれぞれのカ
ソード間に接続された第4及び第5抵抗の中間から直流
電圧の供給を受ける基準電圧出力端子、 を含むことを特徴とする差動回路の基準電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043348A JPH0638215B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 差動回路の基準電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043348A JPH0638215B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 差動回路の基準電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208915A JPS63208915A (ja) | 1988-08-30 |
| JPH0638215B2 true JPH0638215B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=12661342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62043348A Expired - Lifetime JPH0638215B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 差動回路の基準電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638215B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62043348A patent/JPH0638215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63208915A (ja) | 1988-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2669435B2 (ja) | 単一チップ型レシーバ回路 | |
| US4697154A (en) | Semiconductor integrated circuit having improved load drive characteristics | |
| US7463087B2 (en) | Operational amplifier with zero offset | |
| JPS6184913A (ja) | 高域通過回路装置 | |
| JPS59178014A (ja) | 発振回路 | |
| JPH0155762B2 (ja) | ||
| JPH0638215B2 (ja) | 差動回路の基準電源 | |
| JP2896029B2 (ja) | 電圧電流変換回路 | |
| US5220291A (en) | Complementary transistor oscillator | |
| US5142241A (en) | Differential input circuit | |
| EP0223228A2 (en) | Balanced oscillator | |
| JPH0586684B2 (ja) | ||
| US6556092B1 (en) | Low consumption oscillator | |
| US4398104A (en) | Low drift tuning circuit | |
| JP2707667B2 (ja) | 比較回路 | |
| JPS584278Y2 (ja) | 電流切換回路 | |
| JPH0736505B2 (ja) | シユミツトトリガ回路 | |
| JPH0453050Y2 (ja) | ||
| JP2581851B2 (ja) | ヒューズ検出回路 | |
| JPS6210917A (ja) | 差動増幅型ヒステリシスコンパレ−タ回路 | |
| JPS6262093B2 (ja) | ||
| JP2558878B2 (ja) | 容量結合回路 | |
| JPS5815968B2 (ja) | 発振回路 | |
| JP2957796B2 (ja) | 移相回路 | |
| JPH056640Y2 (ja) |