JPH063844A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
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- JPH063844A JPH063844A JP16292692A JP16292692A JPH063844A JP H063844 A JPH063844 A JP H063844A JP 16292692 A JP16292692 A JP 16292692A JP 16292692 A JP16292692 A JP 16292692A JP H063844 A JPH063844 A JP H063844A
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- JP
- Japan
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- phthalocyanine
- image
- photoreceptor
- acid
- photoconductor
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- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 デジタル信号に基づいて露光用ビームにより
スポット露光して、鮮鋭度の高いスポット状の画像を形
成する。 【構成】 フタロシアニンとフタロシアニン分子のベン
ゼン核が電子吸引基によって置換されたフタロシアニン
誘導体を、電子吸引基の数がフタロシアニンおよびフタ
ロシアニン誘導体のフタロシアニン単位の合計に対し
0.5個以下0.001個以上となる組成割合で、フタ
ロシアニンを溶解せしめる酸と混合した後、水もしくは
貧溶媒物質によって析出したフタロシアニン系組成物か
ら成る感光体11を、12において正に帯電し、次にデ
ジタル信号に基づいて13においてビームでスポット露
光し、14において現像することにより画像を形成す
る。
スポット露光して、鮮鋭度の高いスポット状の画像を形
成する。 【構成】 フタロシアニンとフタロシアニン分子のベン
ゼン核が電子吸引基によって置換されたフタロシアニン
誘導体を、電子吸引基の数がフタロシアニンおよびフタ
ロシアニン誘導体のフタロシアニン単位の合計に対し
0.5個以下0.001個以上となる組成割合で、フタ
ロシアニンを溶解せしめる酸と混合した後、水もしくは
貧溶媒物質によって析出したフタロシアニン系組成物か
ら成る感光体11を、12において正に帯電し、次にデ
ジタル信号に基づいて13においてビームでスポット露
光し、14において現像することにより画像を形成す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真、静電記録、
静電印刷等に適用される正帯電性感光体を用いた画像形
成方法に関し、特に、デジタル信号に基づいて露光用ビ
ームによりスポット露光してドット状の画像を形成させ
るのに好適な画像形成方法に関する。
静電印刷等に適用される正帯電性感光体を用いた画像形
成方法に関し、特に、デジタル信号に基づいて露光用ビ
ームによりスポット露光してドット状の画像を形成させ
るのに好適な画像形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光導電性有機顔料をバインダー樹脂中に
分散して構成された感光層を備えてなる感光体は、例え
ば特公昭56−20543号公報で公知である。当該公
報には、光導電性有機顔料として光導電性フタロシアニ
ン系顔料を用い、バインダー樹脂としてノボラック型フ
ェノール樹脂を用いることにより、階調性および繰り返
し特性に優れた感光体が得られることが記載されてい
る。
分散して構成された感光層を備えてなる感光体は、例え
ば特公昭56−20543号公報で公知である。当該公
報には、光導電性有機顔料として光導電性フタロシアニ
ン系顔料を用い、バインダー樹脂としてノボラック型フ
ェノール樹脂を用いることにより、階調性および繰り返
し特性に優れた感光体が得られることが記載されてい
る。
【0003】ところで、電子写真に適用される感光体と
しては、図4(a)に示すように、光減衰が緩慢である
いわゆる低γ型光減衰特性を示すものと、図4(b)に
示すように、光減衰が、露光の初期では緩慢であるが、
中期、後期にかけて急峻となるいわゆる高γ型光減衰特
性を示すものとが知られている。
しては、図4(a)に示すように、光減衰が緩慢である
いわゆる低γ型光減衰特性を示すものと、図4(b)に
示すように、光減衰が、露光の初期では緩慢であるが、
中期、後期にかけて急峻となるいわゆる高γ型光減衰特
性を示すものとが知られている。
【0004】前記公報記載の感光体は、図4(a)の低
γ型光減衰特性を示すものであり、階調性および繰り返
し特性に優れていることから、例えば低γ型光減衰特性
を示すセレン系蒸着感光体と同様に、反復転写方式の複
写機等に好適に用いられている。
γ型光減衰特性を示すものであり、階調性および繰り返
し特性に優れていることから、例えば低γ型光減衰特性
を示すセレン系蒸着感光体と同様に、反復転写方式の複
写機等に好適に用いられている。
【0005】他方、図4(b)の高γ型光減衰特性を示
す感光体は、光減衰が露光の後期において急峻で、かつ
高ガンマ特性を有する等の特徴を有しながら、繰り返し
使用の過程で光減衰曲線が変化して劣化する欠点がある
ことから、有効に利用されていない。
す感光体は、光減衰が露光の後期において急峻で、かつ
高ガンマ特性を有する等の特徴を有しながら、繰り返し
使用の過程で光減衰曲線が変化して劣化する欠点がある
ことから、有効に利用されていない。
【0006】近年、電子写真等の分野において、画質の
改善、変検、編集等が容易で、高品質の画像形成が可能
なデジタル方式を採用した画像形成方法の研究開発が盛
んになされている。この画像形成方法においては、例え
ばレーザ、LEDアレイ、液晶シャッタ、好ましくは半
導体レーザのビームを、コンピュータまたは複写原稿か
らのデジタル画像信号により変調し、一様に帯電された
感光体上にスポット露光してドット状の静電潜像を形成
し、これをトナーにより現像してドット状の画像を形成
する。
改善、変検、編集等が容易で、高品質の画像形成が可能
なデジタル方式を採用した画像形成方法の研究開発が盛
んになされている。この画像形成方法においては、例え
ばレーザ、LEDアレイ、液晶シャッタ、好ましくは半
導体レーザのビームを、コンピュータまたは複写原稿か
らのデジタル画像信号により変調し、一様に帯電された
感光体上にスポット露光してドット状の静電潜像を形成
し、これをトナーにより現像してドット状の画像を形成
する。
【0007】デジタル画像信号により変調されたビーム
は、図5(a)に示すように、輝度分布が、裾が左右に
広がった正規分布状のパルスに近似し、例えば半導体レ
ーザビームの場合には、通常、輝度1〜5mWで50〜1
00μm という極めて狭いパルス幅である。かかるパル
スを、通常、電子写真に適用される感光体上にスポット
露光してドット状の静電潜像を形成し、これを好ましく
は反転現像方式で現像してドット状の画像を形成する
と、しばしば鮮鋭度の悪い画像となる。この傾向は低γ
型光減衰特性を示す感光体を用いた場合に顕著であり、
また、露光用ビームのパルス幅が狭いほど顕著である。
は、図5(a)に示すように、輝度分布が、裾が左右に
広がった正規分布状のパルスに近似し、例えば半導体レ
ーザビームの場合には、通常、輝度1〜5mWで50〜1
00μm という極めて狭いパルス幅である。かかるパル
スを、通常、電子写真に適用される感光体上にスポット
露光してドット状の静電潜像を形成し、これを好ましく
は反転現像方式で現像してドット状の画像を形成する
と、しばしば鮮鋭度の悪い画像となる。この傾向は低γ
型光減衰特性を示す感光体を用いた場合に顕著であり、
また、露光用ビームのパルス幅が狭いほど顕著である。
【0008】図5(b)〜(d)の1側には、低γ型光
減衰特性を示す感光体を用いて半導体レーザビームによ
りスポット露光した場合のドット状の静電潜像の電位分
布(b−1)、ドット状の画像イメージ(C−1)、ド
ットの重なり状のラインイメージ(D−1)が示され、
図4(b)〜(D)の2側には高γ型光減衰特性を示す
感光体を用いた場合が上記と同様に示されている。同図
から理解されるように、低γ型光減衰特性を示す感光体
のドット状の静電潜像の電位分布およびドット状、ライ
ン状の画像は、裾が長くて不鮮明であってデジタル方式
の画像の形成に不都合である。
減衰特性を示す感光体を用いて半導体レーザビームによ
りスポット露光した場合のドット状の静電潜像の電位分
布(b−1)、ドット状の画像イメージ(C−1)、ド
ットの重なり状のラインイメージ(D−1)が示され、
図4(b)〜(D)の2側には高γ型光減衰特性を示す
感光体を用いた場合が上記と同様に示されている。同図
から理解されるように、低γ型光減衰特性を示す感光体
のドット状の静電潜像の電位分布およびドット状、ライ
ン状の画像は、裾が長くて不鮮明であってデジタル方式
の画像の形成に不都合である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】かかる観点から、本発
明者らは、低γ型光減衰特性を示す感光体に代えて、図
4(b)に示すような比較的高いガンマ特性を有する高
γ型光減衰特性を示す感光体を用いて、ドット状の画像
の鮮鋭度を改善する技術について鋭意研究を重ねてき
た。
明者らは、低γ型光減衰特性を示す感光体に代えて、図
4(b)に示すような比較的高いガンマ特性を有する高
γ型光減衰特性を示す感光体を用いて、ドット状の画像
の鮮鋭度を改善する技術について鋭意研究を重ねてき
た。
【0010】この高γ型光減衰特性を示す感光体として
は、例えば酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム等の
光導電性無機材料またはフタロシアニン系顔料等の光導
電性有機材料を、通常の電子写真に適用される熱可塑性
バインダー樹脂中に分散含有させて構成された感光層を
備えてなる感光体が知られている。
は、例えば酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム等の
光導電性無機材料またはフタロシアニン系顔料等の光導
電性有機材料を、通常の電子写真に適用される熱可塑性
バインダー樹脂中に分散含有させて構成された感光層を
備えてなる感光体が知られている。
【0011】しかし、これらの高γ型光減衰特性を示す
感光体は、通常の電子写真に適用されるものとして開発
されたものであり、そのためガンマ特性が不十分であ
り、繰り返し特性が劣る問題がある。特に、光導電性無
機材料を用いた感光体は、当該光導電性無機材料の粒子
が比較的に粗く、中程度のガンマ特性を有するにすぎ
ず、デジタル方式によるドット状の画像の形成には全く
不適当である。
感光体は、通常の電子写真に適用されるものとして開発
されたものであり、そのためガンマ特性が不十分であ
り、繰り返し特性が劣る問題がある。特に、光導電性無
機材料を用いた感光体は、当該光導電性無機材料の粒子
が比較的に粗く、中程度のガンマ特性を有するにすぎ
ず、デジタル方式によるドット状の画像の形成には全く
不適当である。
【0012】また、既述の公報にも記載されているよう
に、高γ型光減衰特性を示す感光体は、一般に、繰り返
し特性が悪く疲労劣化が大きいという欠点を有してい
る。
に、高γ型光減衰特性を示す感光体は、一般に、繰り返
し特性が悪く疲労劣化が大きいという欠点を有してい
る。
【0013】本発明は、以上の如き事情に基づいてなさ
れたものであって、その目的は、以下のとおりである。
れたものであって、その目的は、以下のとおりである。
【0014】露光用ビームによるスポット露光により鮮
鋭度の優れたドット状の画像を多数回にわたり安定に形
成することができる画像形成方法を提供すること。
鋭度の優れたドット状の画像を多数回にわたり安定に形
成することができる画像形成方法を提供すること。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の画像形成法方法に用いる正帯電性感光体
は、フタロシアニンとフタロシアニン分子のベンゼン核
が電子吸引基によって置換されたフタロシアニン誘導体
を、電子吸引基の数がフタロシアニンおよびフタロシア
ニン誘導体のフタロシアニン単位の合計に対し0.5個
以下0.001個以上となる組成割合で、フタロシアニ
ンを溶解する酸に溶解した後、水もしくは貧溶媒物質に
よって析出させたフタロシアニン系組成物をバインダー
樹脂中に分散含有してなることを特徴とする。
に、本発明の画像形成法方法に用いる正帯電性感光体
は、フタロシアニンとフタロシアニン分子のベンゼン核
が電子吸引基によって置換されたフタロシアニン誘導体
を、電子吸引基の数がフタロシアニンおよびフタロシア
ニン誘導体のフタロシアニン単位の合計に対し0.5個
以下0.001個以上となる組成割合で、フタロシアニ
ンを溶解する酸に溶解した後、水もしくは貧溶媒物質に
よって析出させたフタロシアニン系組成物をバインダー
樹脂中に分散含有してなることを特徴とする。
【0016】本発明の画像形成方法は、上記フタロシア
ニン系組成物を含有する感光体の表面を正に帯電し、こ
の正帯電性感光体の表面をデジタル信号に基づいて露光
用ビームによりスポット露光して静電潜像を形成させ、
形成された静電潜像を現像剤により現像する一連の工程
を含むことを特徴とする。
ニン系組成物を含有する感光体の表面を正に帯電し、こ
の正帯電性感光体の表面をデジタル信号に基づいて露光
用ビームによりスポット露光して静電潜像を形成させ、
形成された静電潜像を現像剤により現像する一連の工程
を含むことを特徴とする。
【0017】
【作用】本発明の画像形成方法においては、正帯電性感
光体として、電子吸引基によって置換されたフタロシア
ニン誘導体を、電子吸引基の数が全フタロシアニン単位
の合計に対し0.5個以下0.001個以上となる組成
割合でフタロシアニンとを酸に溶解した後、水もしくは
貧溶媒によって析出させたフタロシアニン系組成物を用
いた結果、露光初期においては、若干の期間、感度特性
がほぼ横這いの光減衰特性を示すが、驚くべきことに、
露光の中期、後期にかけては、一転して超高感度となっ
てほぼ直線的に下降する光減衰特性を示し、結果的に超
高γ特性を示すようになる。
光体として、電子吸引基によって置換されたフタロシア
ニン誘導体を、電子吸引基の数が全フタロシアニン単位
の合計に対し0.5個以下0.001個以上となる組成
割合でフタロシアニンとを酸に溶解した後、水もしくは
貧溶媒によって析出させたフタロシアニン系組成物を用
いた結果、露光初期においては、若干の期間、感度特性
がほぼ横這いの光減衰特性を示すが、驚くべきことに、
露光の中期、後期にかけては、一転して超高感度となっ
てほぼ直線的に下降する光減衰特性を示し、結果的に超
高γ特性を示すようになる。
【0018】このような優れた特性が発揮される理由は
必ずしも十分に解明されてはいないが、露光の初期にお
いては光導電性有機顔料の表面に発生したキャリアが、
当該顔料の表面に暫時トラップされて光減衰が抑制さ
れ、露光の中期、後期に至るとキャリアのトラップが飽
和状態となり、この結果、一挙になだれ現象(アバラン
シュ)が生じて、ほぼ直線的に下降する光減衰特性を示
すものと推察される。
必ずしも十分に解明されてはいないが、露光の初期にお
いては光導電性有機顔料の表面に発生したキャリアが、
当該顔料の表面に暫時トラップされて光減衰が抑制さ
れ、露光の中期、後期に至るとキャリアのトラップが飽
和状態となり、この結果、一挙になだれ現象(アバラン
シュ)が生じて、ほぼ直線的に下降する光減衰特性を示
すものと推察される。
【0019】従って、当該感光体の表面を正に一様に帯
電した後、当該表面をデジタル信号に基づいて露光用ビ
ームによりスポット露光してドット状の静電潜像を形成
し、これを例えば反転現像方式で現像して可視化したと
きには、極めて鮮鋭度の高いドット状の画像が得られ
る。
電した後、当該表面をデジタル信号に基づいて露光用ビ
ームによりスポット露光してドット状の静電潜像を形成
し、これを例えば反転現像方式で現像して可視化したと
きには、極めて鮮鋭度の高いドット状の画像が得られ
る。
【0020】図2は、本発明に使用する感光体によって
得られる好ましい感光体特性を示す。
得られる好ましい感光体特性を示す。
【0021】表面電位を初期帯電V0 とほぼ同じ程度に
維持できる光エネルギーのうち最大の光エネルギーをE
1 、表面電位を残留電位Vres 程度(約30V)まで落と
すことのできる光エネルギーのうち最小の光エネルギー
をE2 とした。E1 が小さい程光感度がよく、かつE2
−E1 の差△Eが小さい程高γ型感光体となり得る。本
評価法においては△Eが20μJ/cm2 以下であることが
好ましい。
維持できる光エネルギーのうち最大の光エネルギーをE
1 、表面電位を残留電位Vres 程度(約30V)まで落と
すことのできる光エネルギーのうち最小の光エネルギー
をE2 とした。E1 が小さい程光感度がよく、かつE2
−E1 の差△Eが小さい程高γ型感光体となり得る。本
評価法においては△Eが20μJ/cm2 以下であることが
好ましい。
【0022】(フタロシアニン系組成物)本発明に使用
するフタロシアニンとしては、無金属フタロシアニン、
並びにフタロシアニンと銅、ニッケル、コバルト、ス
ズ、亜鉛、鉄、鉛、マグネシウム、チタン及び上記金属
の酸化物・ハロゲン化物とのフタロシアニン錯体であ
り、また、これらの混合物である。フタロシアニンは顔
料としてよく知られている化合物であり、本発明におい
てはクルードと称されているフタロシアニン、顔料化さ
れたフタロシアニンの何れも使用できる。
するフタロシアニンとしては、無金属フタロシアニン、
並びにフタロシアニンと銅、ニッケル、コバルト、ス
ズ、亜鉛、鉄、鉛、マグネシウム、チタン及び上記金属
の酸化物・ハロゲン化物とのフタロシアニン錯体であ
り、また、これらの混合物である。フタロシアニンは顔
料としてよく知られている化合物であり、本発明におい
てはクルードと称されているフタロシアニン、顔料化さ
れたフタロシアニンの何れも使用できる。
【0023】本発明に使用するフタロシアニン誘導体
は、フタロシアニン分子のベンゼン核が電子吸引基によ
って置換されたものである。電子吸引基とは、ハメット
則において置換基定数δが正の置換基をいう。中でもδ
が+0.2以上のものが好ましい。この様な電子吸引基
としては、例えば、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原
子、スルホン基およびカルボキシル基等が例示される。
このフタロシアニン誘導体はフタロシアニン合成時に、
フタロシアニンの原料となるフタロニトリル、フタル
酸、無水フタル酸、フタルイミドとして、上記置換基で
置換されたフタロニトリル、フタル酸、無水フタル酸、
フタルイミドを用いること、もしくは一部併用すること
によって得られる。フタロシアニン誘導体の製法も特に
制限はない。フタロシアニン誘導体1分子における電子
吸引置換基の数としては1〜16個である。
は、フタロシアニン分子のベンゼン核が電子吸引基によ
って置換されたものである。電子吸引基とは、ハメット
則において置換基定数δが正の置換基をいう。中でもδ
が+0.2以上のものが好ましい。この様な電子吸引基
としては、例えば、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原
子、スルホン基およびカルボキシル基等が例示される。
このフタロシアニン誘導体はフタロシアニン合成時に、
フタロシアニンの原料となるフタロニトリル、フタル
酸、無水フタル酸、フタルイミドとして、上記置換基で
置換されたフタロニトリル、フタル酸、無水フタル酸、
フタルイミドを用いること、もしくは一部併用すること
によって得られる。フタロシアニン誘導体の製法も特に
制限はない。フタロシアニン誘導体1分子における電子
吸引置換基の数としては1〜16個である。
【0024】フタロシアニンとフタロシアニン誘導体と
の組成割合は、フタロシアニン誘導体の電子吸引性基の
数がフタロシアニンおよびフタロシアニン誘導体のフタ
ロシアニン単位の合成に対し0.5個以下、好ましくは
0.2個以下で、かつ0.001個以上、好ましくは
0.002個以上となるような割合にする。
の組成割合は、フタロシアニン誘導体の電子吸引性基の
数がフタロシアニンおよびフタロシアニン誘導体のフタ
ロシアニン単位の合成に対し0.5個以下、好ましくは
0.2個以下で、かつ0.001個以上、好ましくは
0.002個以上となるような割合にする。
【0025】本発明に用いられるフタロシアニンを溶解
する酸としては、硫酸等の無機酸及びメタンスルホン酸
・エタンスルホン酸・プロパンスルホン酸等のアルキル
スルホン酸、これらがハロゲン置換されたハロゲン化ア
ルキルスルホン酸、及びアルキルベンゼンスルホン酸等
の有機酸が挙げられる。また、トルエンスルホン酸・ベ
ンゼンスルホン酸等の芳香族有機酸と上記アルキルスル
ホン酸・ハロゲン化アルキルスルホン酸・アルキルベン
ゼンスルホン酸の少なくとも1種の有機酸との混合酸を
用いることもできる。上記芳香族有機酸と上記有機酸と
の混合割合は、有機酸10重量部に対して芳香族有機酸
1〜6重量部が好ましく、更に1〜4重量部がより好ま
しい。6重量部以上では芳香族有機酸が有機酸に均一に
溶解しない。
する酸としては、硫酸等の無機酸及びメタンスルホン酸
・エタンスルホン酸・プロパンスルホン酸等のアルキル
スルホン酸、これらがハロゲン置換されたハロゲン化ア
ルキルスルホン酸、及びアルキルベンゼンスルホン酸等
の有機酸が挙げられる。また、トルエンスルホン酸・ベ
ンゼンスルホン酸等の芳香族有機酸と上記アルキルスル
ホン酸・ハロゲン化アルキルスルホン酸・アルキルベン
ゼンスルホン酸の少なくとも1種の有機酸との混合酸を
用いることもできる。上記芳香族有機酸と上記有機酸と
の混合割合は、有機酸10重量部に対して芳香族有機酸
1〜6重量部が好ましく、更に1〜4重量部がより好ま
しい。6重量部以上では芳香族有機酸が有機酸に均一に
溶解しない。
【0026】本発明に使用するフタロシアニン系組成物
は、上記割合のフタロシアニンおよびフタロシアニン誘
導体を酸に溶解し、その後、水もしくは貧溶媒物質によ
って析出させることによりフタロシアニン系光導電性組
成物を得る。
は、上記割合のフタロシアニンおよびフタロシアニン誘
導体を酸に溶解し、その後、水もしくは貧溶媒物質によ
って析出させることによりフタロシアニン系光導電性組
成物を得る。
【0027】フタロシアニンおよびフタロシアニン誘導
体の溶解に用いられる酸の量としては、フタロシアニン
およびフタロシアニン誘導体1重量部に対して5〜30
重量が好ましく、10〜20部が更に好ましい。
体の溶解に用いられる酸の量としては、フタロシアニン
およびフタロシアニン誘導体1重量部に対して5〜30
重量が好ましく、10〜20部が更に好ましい。
【0028】フタロシアニン及びフタロシアニン誘導体
を上記割合で酸に溶解する場合、温度は0〜30℃が好
ましく、撹拌を十分行いながら溶解する。撹拌時間は
0.5〜3時間が好ましい。
を上記割合で酸に溶解する場合、温度は0〜30℃が好
ましく、撹拌を十分行いながら溶解する。撹拌時間は
0.5〜3時間が好ましい。
【0029】その後、水もしくは貧溶媒物質によって析
出させるが、再沈殿させる貧溶媒としては、水が好まし
いが、その他フタロシアニンを溶解しないような溶媒な
らば特に限定しない。たとえばメタノール・エタノール
・アセトン・メチルエチルケトンが好ましい。貧溶媒の
量としては、酸量に対して3〜30倍量が好ましく、5
〜15倍量が更に好ましい。
出させるが、再沈殿させる貧溶媒としては、水が好まし
いが、その他フタロシアニンを溶解しないような溶媒な
らば特に限定しない。たとえばメタノール・エタノール
・アセトン・メチルエチルケトンが好ましい。貧溶媒の
量としては、酸量に対して3〜30倍量が好ましく、5
〜15倍量が更に好ましい。
【0030】析出させる方法としては、例えば酸溶解液
を滴下ロートに移し、十分撹拌している水等の貧溶媒中
にゆっくり滴下する。その時の貧溶媒温度は0〜20℃
が好ましい。滴下終了後しばらく撹拌するが、その時間
としては、0.5〜3時間が好ましい。析出したフタロ
シアニン系光導電性組成物をろ過、水洗し、乾燥し、単
離する。
を滴下ロートに移し、十分撹拌している水等の貧溶媒中
にゆっくり滴下する。その時の貧溶媒温度は0〜20℃
が好ましい。滴下終了後しばらく撹拌するが、その時間
としては、0.5〜3時間が好ましい。析出したフタロ
シアニン系光導電性組成物をろ過、水洗し、乾燥し、単
離する。
【0031】(感光体)図3は、本発明に使用する感光
体の具体的構成例を示し、1は導電性支持体、2は下引
層、3は感光体層、4は架橋樹脂層である。この例にお
いては、導電性支持体1上に下引層2を設け、この下引
層2上に感光体層3、更にその上に架橋樹脂層4を設け
て構成される。
体の具体的構成例を示し、1は導電性支持体、2は下引
層、3は感光体層、4は架橋樹脂層である。この例にお
いては、導電性支持体1上に下引層2を設け、この下引
層2上に感光体層3、更にその上に架橋樹脂層4を設け
て構成される。
【0032】導電性支持体1としては、アルミニウム、
スチール、銅等の金属板又はドラムが用いられるが、そ
のほか、紙、プラスチックフィルム上に金属層をラミネ
ートまたは蒸着したものであってもよい。
スチール、銅等の金属板又はドラムが用いられるが、そ
のほか、紙、プラスチックフィルム上に金属層をラミネ
ートまたは蒸着したものであってもよい。
【0033】また、下引層2としては、通常、電子写真
用の感光層に使用される例えば下記樹脂を用いることが
できる。
用の感光層に使用される例えば下記樹脂を用いることが
できる。
【0034】(1)ポリビニルアルコール(ポバー
ル)、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエ
ーテル等のビニル系ポリマー
ル)、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエ
ーテル等のビニル系ポリマー
【0035】(2)ポリビニルアミン、ポリ−N−ビニ
ルイミダゾール、ポリビニルピリジン(四級塩)、ポリ
ビニルピロリドン、ビニルピロリドン−酢酸ビニルコポ
リマー等の含窒素ビニルポリマー
ルイミダゾール、ポリビニルピリジン(四級塩)、ポリ
ビニルピロリドン、ビニルピロリドン−酢酸ビニルコポ
リマー等の含窒素ビニルポリマー
【0036】(3)ポリエチレンオキサイド、ポリエチ
レングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリエ
ーテル系ポリマー
レングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリエ
ーテル系ポリマー
【0037】(4)ポリアクリル酸およびその塩、ポリ
アクリルアミド、ポリ−β−ヒドロキシエチルアクリレ
ート等のアクリル酸系ポリマ−
アクリルアミド、ポリ−β−ヒドロキシエチルアクリレ
ート等のアクリル酸系ポリマ−
【0038】(5)ポリメタアクリル酸およびその塩、
ポリメタアクリルアミド、ポリ−β−ヒドロキシエチル
メタアクリレート、ポリヒドロキシプロピルメタアクリ
レート等のメタアクリル酸系ポリマー
ポリメタアクリルアミド、ポリ−β−ヒドロキシエチル
メタアクリレート、ポリヒドロキシプロピルメタアクリ
レート等のメタアクリル酸系ポリマー
【0039】(6)メチルセルロース、エチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルソース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のエ
ーテル繊維素系ポリマー
ス、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルソース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のエ
ーテル繊維素系ポリマー
【0040】(7)ポリエチレンイミン等のポリエチレ
ンイミン系ポリマー
ンイミン系ポリマー
【0041】(8)ポリアラニン、ポリセリン、ポリ−
L−グルタミン酸、ポリ−(ヒドロキシエチル)−L−
グルタミン、ポリ−δ−カルボキシメチル−L−システ
イン、ポリプロリン、リジン−チロシンコポリマー、グ
ルタミン酸−リジン−アラニンコポリマー、絹フィブロ
イン、カゼイン等のポリアミノ酸類
L−グルタミン酸、ポリ−(ヒドロキシエチル)−L−
グルタミン、ポリ−δ−カルボキシメチル−L−システ
イン、ポリプロリン、リジン−チロシンコポリマー、グ
ルタミン酸−リジン−アラニンコポリマー、絹フィブロ
イン、カゼイン等のポリアミノ酸類
【0042】(9)スターチアセテート、ヒドロキシエ
チルスターチ、スターチアセテート、ヒドロキシエチル
スターチ、アミンスターチ、フォスフェートスターチ等
のでんぷんおよびその誘導体
チルスターチ、スターチアセテート、ヒドロキシエチル
スターチ、アミンスターチ、フォスフェートスターチ等
のでんぷんおよびその誘導体
【0043】(10)ポリアミドである可溶性ナイロ
ン、メトキシメチルナイロン(8タイプナイロン)等の
水とアルコールとの混合溶剤に可溶なポリマー
ン、メトキシメチルナイロン(8タイプナイロン)等の
水とアルコールとの混合溶剤に可溶なポリマー
【0044】下引層2においては、+700〜+2,0
00V の高帯電に耐え、例えば正帯電の場合はエレクト
ロンの導電性支持体1からの注入を阻止し、なだれ現象
による優れた光減衰特性が得られるよう、ホール移動性
を有するのが望ましい。
00V の高帯電に耐え、例えば正帯電の場合はエレクト
ロンの導電性支持体1からの注入を阻止し、なだれ現象
による優れた光減衰特性が得られるよう、ホール移動性
を有するのが望ましい。
【0045】感光体層3は、フタロシアニン系組成物と
バインダー樹脂と、必要に応じて用いられる酸化防止剤
とを、バインダー樹脂の溶剤を用いて0.01〜1μm
径の微粒子状に混合分散して塗布液を調製し、この塗布
液を下引層2上に塗布し、乾燥し、必要により熱処理し
て形成される。
バインダー樹脂と、必要に応じて用いられる酸化防止剤
とを、バインダー樹脂の溶剤を用いて0.01〜1μm
径の微粒子状に混合分散して塗布液を調製し、この塗布
液を下引層2上に塗布し、乾燥し、必要により熱処理し
て形成される。
【0046】架橋樹脂層は、架橋樹脂と、必要に応じて
用いられる酸化防止剤とを溶媒に溶解して塗布液を調製
し、この塗布液を感光体層3に塗布し、乾燥し、必要に
より熱処理して形成される。
用いられる酸化防止剤とを溶媒に溶解して塗布液を調製
し、この塗布液を感光体層3に塗布し、乾燥し、必要に
より熱処理して形成される。
【0047】
【実施例】以下、本発明の参考例及び実施例により具体
的に説明するが、本発明の実施の態様がこれらにより限
定されるものではない。
的に説明するが、本発明の実施の態様がこれらにより限
定されるものではない。
【0048】感光体の参考例1 (フタロシアニン系組成物の製造)無水フタル酸、塩化
第二銅、尿素を用い、ワイラー法と称される方法によっ
て製造した銅フタロシアニン40g と4−ニトロ無水フ
タル酸を用い同様に製造したテトラニトロ銅フタロシア
ニン0.8g をメタンスルホン酸440g に十分撹拌し
ながら溶解した。溶解した液を水2,000g にあけ、
銅フタロシアニン、テトラニトロ銅フタロシアニンの組
成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃で乾燥して
フタロシアニン系組成物39.8g を得た。
第二銅、尿素を用い、ワイラー法と称される方法によっ
て製造した銅フタロシアニン40g と4−ニトロ無水フ
タル酸を用い同様に製造したテトラニトロ銅フタロシア
ニン0.8g をメタンスルホン酸440g に十分撹拌し
ながら溶解した。溶解した液を水2,000g にあけ、
銅フタロシアニン、テトラニトロ銅フタロシアニンの組
成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃で乾燥して
フタロシアニン系組成物39.8g を得た。
【0049】(感光体) ・フタロシアニン系組成物 5.3g ・酸化防止剤 0.2g 2,2−チオ−ジエチレン−ビス−[3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ハイドロキシフェニル)プロピオネ
ート] ・ポリエステル樹脂溶液 19g アルマテックス、P−645(三井東圧製) ・メラミン樹脂溶液 7g ユーバン、20HS(三井東圧製) ・シクロヘキサノン 100g
−t−ブチル−4−ハイドロキシフェニル)プロピオネ
ート] ・ポリエステル樹脂溶液 19g アルマテックス、P−645(三井東圧製) ・メラミン樹脂溶液 7g ユーバン、20HS(三井東圧製) ・シクロヘキサノン 100g
【0050】以上の材料を混合し、ガラスビーズ200
g を加え、ペントミキサーにより4時間分散し、感光体
層用の塗布液を調製した。
g を加え、ペントミキサーにより4時間分散し、感光体
層用の塗布液を調製した。
【0051】一方、直径80mmのアルミニウム製のドラ
ム状の導電性支持体を用い、この表面に可溶性ナイロン
からなる厚さ0.1μm の下引層を形成させた。この下
引層上に上記感光体層用の塗布液を、乾燥後の膜厚が2
0μm となるよう塗布し、200℃で3時間乾燥し、感
光体層を形成させた。
ム状の導電性支持体を用い、この表面に可溶性ナイロン
からなる厚さ0.1μm の下引層を形成させた。この下
引層上に上記感光体層用の塗布液を、乾燥後の膜厚が2
0μm となるよう塗布し、200℃で3時間乾燥し、感
光体層を形成させた。
【0052】次に、フッ素系樹脂(セフラルコートA1
01−B、セントラルガラス製)10g 、イソシアネー
ト樹脂(コロネートHX、日本ポリウレタン製)0.7
g 、構造式(a)で表わされる酸化防止剤0.3g をシ
クロヘキサノン50g に溶解し、架橋樹脂層用の塗布液
を調製した。
01−B、セントラルガラス製)10g 、イソシアネー
ト樹脂(コロネートHX、日本ポリウレタン製)0.7
g 、構造式(a)で表わされる酸化防止剤0.3g をシ
クロヘキサノン50g に溶解し、架橋樹脂層用の塗布液
を調製した。
【0053】
【化1】
【0054】この架橋樹脂層用の塗布液を、前記感光体
層上に、乾燥後の膜厚が1μm となるよう塗布し、 乾燥
して、 本発明に用いる正帯電性感光体を製造した。
層上に、乾燥後の膜厚が1μm となるよう塗布し、 乾燥
して、 本発明に用いる正帯電性感光体を製造した。
【0055】また、導電性支持体として厚さ90μm の
アルミニウム箔を用いたほかは上記と同様にして、本発
明に用いるテスト用の正帯電性感光体を製造した。
アルミニウム箔を用いたほかは上記と同様にして、本発
明に用いるテスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0056】(評価)このテスト用の正帯電性感光体を
「シンシア−55」(ジェンテック社製)に装着し、帯
電・露光試験を行い、該テスト用の感光体の静電特性を
測定した。結果は後記の表1に示す通り良好であった。
「シンシア−55」(ジェンテック社製)に装着し、帯
電・露光試験を行い、該テスト用の感光体の静電特性を
測定した。結果は後記の表1に示す通り良好であった。
【0057】感光体の参考例2 (フタロシアニン系組成物の製造)銅フタロシアニン4
0g 、テトラニトロ銅フタロシアニン0.8g をメタン
スルホン酸/パラトルエンスルホン酸から成り重量比8
/2である有機混合酸440g に十分撹拌しながら溶解
した。溶解した液を水2,000g にあけ、銅フタロシ
アニン系組成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃
で乾燥してフタロシアニン系組成物39.6g を得た。
0g 、テトラニトロ銅フタロシアニン0.8g をメタン
スルホン酸/パラトルエンスルホン酸から成り重量比8
/2である有機混合酸440g に十分撹拌しながら溶解
した。溶解した液を水2,000g にあけ、銅フタロシ
アニン系組成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃
で乾燥してフタロシアニン系組成物39.6g を得た。
【0058】(感光体)参考例1と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0059】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は、後記の表1に示す通り良好であった。
結果は、後記の表1に示す通り良好であった。
【0060】感光体の参考例3 (フタロシアニン系組成物の製造)銅フタロシアニン4
0g 、オクタクロロ銅フタロシアニン0.8g をメタン
スルホン酸440g に十分撹拌しながら溶解した。溶解
した液を水2,000g にあけ、銅フタロシアニン系組
成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃で乾燥して
フタロシアニン系組成物39.0g を得た。
0g 、オクタクロロ銅フタロシアニン0.8g をメタン
スルホン酸440g に十分撹拌しながら溶解した。溶解
した液を水2,000g にあけ、銅フタロシアニン系組
成物を析出させた後、ろ過、水洗し、60℃で乾燥して
フタロシアニン系組成物39.0g を得た。
【0061】(感光体)参考例1と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0062】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
【0063】感光体の参考例4 (フタロシアニン系組成物の製造)参考例1のフタロシ
アニン系組成物を用いた。
アニン系組成物を用いた。
【0064】(感光体)参考例1の感光体層用の塗布液
の調製においてポリエステル樹脂、メラミン樹脂をフッ
素系樹脂、イソシアネート樹脂に変更したほかは、同様
にして本発明に用いるドラム状の正帯電性感光体と、本
発明に用いるテスト用の正帯電性感光体を製造した。
の調製においてポリエステル樹脂、メラミン樹脂をフッ
素系樹脂、イソシアネート樹脂に変更したほかは、同様
にして本発明に用いるドラム状の正帯電性感光体と、本
発明に用いるテスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0065】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
【0066】感光体の参考例5 (フタロシアニン系組成物の製造)実施例2のフタロシ
アニン系組成物を用いた。
アニン系組成物を用いた。
【0067】(感光体)参考例4と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0068】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
【0069】感光体の参考例6 (フタロシアニン系組成物の製造)参考例1のフタロシ
アニン系組成物を用いた。
アニン系組成物を用いた。
【0070】(感光体)参考例1の架橋樹脂層用の塗布
液の調製において、酸化防止剤として構造式(a)の化
合物の代りに下記構造式(b)の化合物に変更したほか
は、参考例1と同様にして本発明に用いるドラム状、テ
スト用の正帯電性感光体を製造した。
液の調製において、酸化防止剤として構造式(a)の化
合物の代りに下記構造式(b)の化合物に変更したほか
は、参考例1と同様にして本発明に用いるドラム状、テ
スト用の正帯電性感光体を製造した。
【0071】
【化2】
【0072】(評価)例1と同様にして評価した。結果
は後記の表1に示す通り良好であった。
は後記の表1に示す通り良好であった。
【0073】感光体の参考例7 (フタロシアニン系組成物の製造)参考例2のフタロシ
アニン系組成物を用いた。
アニン系組成物を用いた。
【0074】(感光体)参考例6と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0075】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
結果は後記の表1に示す通り良好であった。
【0076】比較例1 銅フタロシアニン40g をメタンスルホン酸440g に
十分撹拌しながら溶解した。溶解した液を水2,000
g にあけ、銅フタロシアニン系組成物を析出させた後、
ろ過し、水洗し、60℃で乾燥してフタロシアニン系光
導電性組成物39.0g を得た。
十分撹拌しながら溶解した。溶解した液を水2,000
g にあけ、銅フタロシアニン系組成物を析出させた後、
ろ過し、水洗し、60℃で乾燥してフタロシアニン系光
導電性組成物39.0g を得た。
【0077】(感光体)参考例1と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0078】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り、E2 −E1 が大きくて高
鮮鋭度は得られなかった。
結果は後記の表1に示す通り、E2 −E1 が大きくて高
鮮鋭度は得られなかった。
【0079】比較例2 無置換銅フタロシアニン40、テトラニトロ銅フタロシ
アニン0.8g を98%濃硫酸440に十分撹拌しなが
ら溶解した。溶解した液を水2,000にあけ、銅フタ
ロシアニン系組成物を析出させた後、ろ過、水洗し、6
0℃で乾燥して組成物39g を得た。
アニン0.8g を98%濃硫酸440に十分撹拌しなが
ら溶解した。溶解した液を水2,000にあけ、銅フタ
ロシアニン系組成物を析出させた後、ろ過、水洗し、6
0℃で乾燥して組成物39g を得た。
【0080】(感光体)参考例1と同様に、ドラム状、
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
テスト用の正帯電性感光体を製造した。
【0081】(評価)参考例1と同様にして評価した。
結果は後記の表1に示す通り、E2 −E1 が大きくて高
鮮鋭度は得られなかった。
結果は後記の表1に示す通り、E2 −E1 が大きくて高
鮮鋭度は得られなかった。
【0082】
【表1】
【0083】表1の結果から理解されるように、本発明
に係わる正帯電性感光体によれば、初期帯電V0 が高
く、しかもE2 −E1 が20以下と小さい優れた高γ特
性を有する。
に係わる正帯電性感光体によれば、初期帯電V0 が高
く、しかもE2 −E1 が20以下と小さい優れた高γ特
性を有する。
【0084】
画像形成方法 本発明の画像形成方法を図1により説明する。
【0085】本発明においては、図3に示す特定の感光
体11を用いて、当該感光体の表面を例えば+700〜
+2,000V の範囲で一様に12に於て帯電し、この
感光体の表面をデジタル信号に基づいて露光用ビームに
より13に於てスポット露光してドット状の静電潜像を
形成し、この静電潜像を現像剤により14に於て現像
し、さらに紙等の記録媒体15上へ、16に於て転写
し、17に於て定着してドット状の画像を形成する。転
写後の感光体は、クリーニングブレードあるいはクリー
ニングブラシ等により18に於てクリーニングして清浄
な表面としたうえ、再び帯電工程に付して次の画像の形
成に供する。
体11を用いて、当該感光体の表面を例えば+700〜
+2,000V の範囲で一様に12に於て帯電し、この
感光体の表面をデジタル信号に基づいて露光用ビームに
より13に於てスポット露光してドット状の静電潜像を
形成し、この静電潜像を現像剤により14に於て現像
し、さらに紙等の記録媒体15上へ、16に於て転写
し、17に於て定着してドット状の画像を形成する。転
写後の感光体は、クリーニングブレードあるいはクリー
ニングブラシ等により18に於てクリーニングして清浄
な表面としたうえ、再び帯電工程に付して次の画像の形
成に供する。
【0086】露光工程においては、レーザープリンタ方
式、光シャッターアレイ方式、液晶シャッターアレイ方
式、LED方式等があるが、例えばレーザプリンタ方式
を適用する場合には、コンピューターからの画像に対応
するデジタル信号により変調されたレーザビームによ
り、一様に帯電された感光体の表面をスポット露光し
て、ドット状の静電潜像を形成する。また、デジタル複
写機方式を適用する場合には、複写原稿からの画像に対
応するデジタル信号により変調されたレーザービームに
より、一様に帯電された感光体の表面をスポット露光し
て、ドット状の静電潜像を形成する。
式、光シャッターアレイ方式、液晶シャッターアレイ方
式、LED方式等があるが、例えばレーザプリンタ方式
を適用する場合には、コンピューターからの画像に対応
するデジタル信号により変調されたレーザビームによ
り、一様に帯電された感光体の表面をスポット露光し
て、ドット状の静電潜像を形成する。また、デジタル複
写機方式を適用する場合には、複写原稿からの画像に対
応するデジタル信号により変調されたレーザービームに
より、一様に帯電された感光体の表面をスポット露光し
て、ドット状の静電潜像を形成する。
【0087】露光用ビームとしては、特に半導体レーザ
を好ましく用いることができる。すなわち、半導体レー
ザによれば、きわめて狭いパルス幅のレーザビームを形
成することができるので、高鮮鋭度のドット状の静電潜
像を形成することができる。
を好ましく用いることができる。すなわち、半導体レー
ザによれば、きわめて狭いパルス幅のレーザビームを形
成することができるので、高鮮鋭度のドット状の静電潜
像を形成することができる。
【0088】現像工程においては、露光用ビームにより
スポット露光して感光体上に形成したドット状の静電潜
像を、平均粒径1〜20μm の微粒子トナーを含む一成
分系または二成分系現像剤を用いて現像する。
スポット露光して感光体上に形成したドット状の静電潜
像を、平均粒径1〜20μm の微粒子トナーを含む一成
分系または二成分系現像剤を用いて現像する。
【0089】現像方式としては、接触反転現像方式を採
用してもよいし、また、露光体上に各色トナー像を重ね
合わせて形成し、これを転写材上に一括転写し、定着し
てカラー画像を形成するカラー画像形成方法において
は、現像領域に高周波交流バイアスを印加してトナーを
飛翔させて非接触で反転現像する方式を採用してもよい
(特開昭58−184381号公報参照)。
用してもよいし、また、露光体上に各色トナー像を重ね
合わせて形成し、これを転写材上に一括転写し、定着し
てカラー画像を形成するカラー画像形成方法において
は、現像領域に高周波交流バイアスを印加してトナーを
飛翔させて非接触で反転現像する方式を採用してもよい
(特開昭58−184381号公報参照)。
【0090】また、本発明においては、接触反転現像方
式を採用する場合であっても現像領域に交流バイアスを
印加して現像するのがよく、当該交流バイアスの作用に
よりトナーが感光体の潜像面に垂直方向から押し付けら
れて現像が行われ、潜像面の全体が均一でかつシャープ
に現像される利点がある。
式を採用する場合であっても現像領域に交流バイアスを
印加して現像するのがよく、当該交流バイアスの作用に
よりトナーが感光体の潜像面に垂直方向から押し付けら
れて現像が行われ、潜像面の全体が均一でかつシャープ
に現像される利点がある。
【0091】本発明の画像形成方法によれば、感光体が
優れた高γ特性を有し、しかもこの優れた高γ特性が画
像を多数回にわたり繰り返して形成する場合にも安定し
て発揮されるため、デジタル信号に基づいて露光用ビー
ムにより感光体の表面をスポット露光することにより、
フリンジのない高鮮鋭度のドット状の静電潜像を形成す
ることができ、その結果、鮮鋭度の高い画像を形成する
ことができる。
優れた高γ特性を有し、しかもこの優れた高γ特性が画
像を多数回にわたり繰り返して形成する場合にも安定し
て発揮されるため、デジタル信号に基づいて露光用ビー
ムにより感光体の表面をスポット露光することにより、
フリンジのない高鮮鋭度のドット状の静電潜像を形成す
ることができ、その結果、鮮鋭度の高い画像を形成する
ことができる。
【0092】実施例 参考例1〜7で得られたドラム状の正帯電性感光体をそ
れぞれデジタルレーザープリンターに装着し、当該感光
体11の表面を12において正に一様に帯電した後、当
該感光体の表面を、13においてデジタル信号により変
調された半導体レーザビームにより露光してドット状の
静電潜像を形成し、この静電潜像を、平均粒径12μm
の非磁性トナーと平均粒径100μm の樹脂被覆フェラ
イトキャリアからなる二成分系現像剤を用いて、現像ギ
ャップ間に600V のDCバイアス電圧を印加した状態
で、14において接触反転現像法により現像し、これを
16において普通紙に転写し、17において定着して、
白黒画像を形成した。
れぞれデジタルレーザープリンターに装着し、当該感光
体11の表面を12において正に一様に帯電した後、当
該感光体の表面を、13においてデジタル信号により変
調された半導体レーザビームにより露光してドット状の
静電潜像を形成し、この静電潜像を、平均粒径12μm
の非磁性トナーと平均粒径100μm の樹脂被覆フェラ
イトキャリアからなる二成分系現像剤を用いて、現像ギ
ャップ間に600V のDCバイアス電圧を印加した状態
で、14において接触反転現像法により現像し、これを
16において普通紙に転写し、17において定着して、
白黒画像を形成した。
【0093】かかる操作を連続10万回にわたり繰り返
して行い、得られた白黒画像の鮮鋭度を調べたところ、
いずれの感光体を使用したときにも、最後まで鮮鋭度の
高い優れた画像が得られた。すなわち5.5ポイントの
漢字オリジナル原稿の複写画像は初期画像から10万回
後の画像に至るまで再現性が優れていた。
して行い、得られた白黒画像の鮮鋭度を調べたところ、
いずれの感光体を使用したときにも、最後まで鮮鋭度の
高い優れた画像が得られた。すなわち5.5ポイントの
漢字オリジナル原稿の複写画像は初期画像から10万回
後の画像に至るまで再現性が優れていた。
【0094】比較例3 本発明の実施例において、感光体を、比較例1で得られ
たドラム状の比較用の正帯電性感光体に変更したほか
は、同様にして連続して白黒画像を形成したところ、鮮
鋭性の悪い画像しか得られなかった。すなわち、5.5
ポイントの漢字オリジナル原稿の複写画像は初期画像か
ら漢字が部分的に潰れて判読しにくい画像であった。
たドラム状の比較用の正帯電性感光体に変更したほか
は、同様にして連続して白黒画像を形成したところ、鮮
鋭性の悪い画像しか得られなかった。すなわち、5.5
ポイントの漢字オリジナル原稿の複写画像は初期画像か
ら漢字が部分的に潰れて判読しにくい画像であった。
【0095】比較例4 本発明の実施例において、感光体を、比較例2で得られ
たドラム状の比較用の正帯電性感光体に変更したほかは
同様にして、連続して白黒画像を形成したところ、比較
例3と同様に鮮鋭性が悪く、初期画像から判読しにくい
画像であった。
たドラム状の比較用の正帯電性感光体に変更したほかは
同様にして、連続して白黒画像を形成したところ、比較
例3と同様に鮮鋭性が悪く、初期画像から判読しにくい
画像であった。
【0096】
【発明の効果】光減衰が露光の中期、後期にかけて急峻
となるいわゆる高γ型減衰特性を示す感光体を使用し、
且つ露光用ビームでスポット露光することにより、フリ
ンジのない高鮮鋭度のドット状の静電潜像が得られ、そ
の結果として鮮鋭度の高いデジタル対応の画像を反復形
成することが出来る。
となるいわゆる高γ型減衰特性を示す感光体を使用し、
且つ露光用ビームでスポット露光することにより、フリ
ンジのない高鮮鋭度のドット状の静電潜像が得られ、そ
の結果として鮮鋭度の高いデジタル対応の画像を反復形
成することが出来る。
【図1】デジタル対応の特性を有する新規な感光体を用
いたことを特徴とする画像形成方法の各工程を示す図で
ある。
いたことを特徴とする画像形成方法の各工程を示す図で
ある。
【図2】本発明に使用する感光体の好ましい感光特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図3】本発明に使用する正帯電単層型感光体の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図4】電子写真に用いられる感光体の光減衰特性を示
すグラフであり、図中(a)は低γ型光減衰特性を示
し、(b)は高γ型光減衰特性を示す。
すグラフであり、図中(a)は低γ型光減衰特性を示
し、(b)は高γ型光減衰特性を示す。
【図5】低ガンマ値の感光体(1側)及び高ガンマ値の
感光体(2側)にスポット露光した場合の、夫々の画像
形成態様を示す図であって、図中(a)は正規分布した
露光エネルギー分布を、図中(b)は静電潜像の電位分
を、図中(c)はドット状の画像イメージを、図中
(d)はライン状の画像イメージを夫々示す。
感光体(2側)にスポット露光した場合の、夫々の画像
形成態様を示す図であって、図中(a)は正規分布した
露光エネルギー分布を、図中(b)は静電潜像の電位分
を、図中(c)はドット状の画像イメージを、図中
(d)はライン状の画像イメージを夫々示す。
1 導電性支持体 2 下引層 3 感光体層 4 架橋樹脂層 10 支持ドラム 11 本発明に係る感光体 12 一様帯電 13 スポット露光 14 現像 15 紙等の記録媒体 16 転写 17 定着 18 クリーニング
Claims (1)
- 【請求項1】 フタロシアニンとフタロシアニン分子の
ベンゼン核が電子吸引基によって置換されたフタロシア
ニン誘導体を、電子吸引基の数がフタロシアニンおよび
フタロシアニン誘導体のフタロシアニン単位の合計に対
し0.5個以下0.001個以上となる組成割合で、フ
タロシアニンを溶解する酸に溶解した後、水もしくは貧
溶媒によって析出させたフタロシアニン系組成物をバイ
ンダー樹脂中に含有する感光体を、正に帯電し、この正
帯電感光体の表面をデジタル信号に基づいて露光ビーム
によりスポット露光して静電潜像を形成させ、形成され
た静電潜像を現像剤により現像する一連の工程を含むこ
とを特徴とするデジタル対応の特性を発現させるように
した画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16292692A JPH063844A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16292692A JPH063844A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063844A true JPH063844A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15763866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16292692A Pending JPH063844A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063844A (ja) |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16292692A patent/JPH063844A/ja active Pending
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