JPH0639456Y2 - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPH0639456Y2 JPH0639456Y2 JP510788U JP510788U JPH0639456Y2 JP H0639456 Y2 JPH0639456 Y2 JP H0639456Y2 JP 510788 U JP510788 U JP 510788U JP 510788 U JP510788 U JP 510788U JP H0639456 Y2 JPH0639456 Y2 JP H0639456Y2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は太陽光や照明光の下での光発電や、光検出、色
識別等の光センサに利用される光起電力装置に関する。
識別等の光センサに利用される光起電力装置に関する。
（ロ）従来の技術 第４図は特公昭53-37718号公報に開示された如きこの種
光起電力装置を示し、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基
板（１）上に、ITO、SnO2等の透光性導電酸化物（TCO）
の受光面電極（２）と、光活性層を含む半導体膜（３）
と、金属膜からなる背面電極（４）′とをこの順序で配
置した基本構成を持ち、光入射は基板（１）側から行な
われる。従って、基板（１）は光入射面側の保護体とし
ても作用するので、実用に際しては背面電極（４）′の
露出面がエポキシ系等の高分子樹脂材料からなる背面保
護膜（５）′により覆われている。
光起電力装置を示し、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基
板（１）上に、ITO、SnO2等の透光性導電酸化物（TCO）
の受光面電極（２）と、光活性層を含む半導体膜（３）
と、金属膜からなる背面電極（４）′とをこの順序で配
置した基本構成を持ち、光入射は基板（１）側から行な
われる。従って、基板（１）は光入射面側の保護体とし
ても作用するので、実用に際しては背面電極（４）′の
露出面がエポキシ系等の高分子樹脂材料からなる背面保
護膜（５）′により覆われている。
一方、特開昭61-199673号公報に開示された先行技術
は、上記金属膜背面電極（４）′に代って高価且つ煩雑
な真空蒸着装置やスパッタリング装置を用いることなく
安価且つ容易な印刷法やスプレー法によるニッケル、カ
ーボン等の導電性粉末を含んだ導電性ペースト材を用い
ることを提案する。
は、上記金属膜背面電極（４）′に代って高価且つ煩雑
な真空蒸着装置やスパッタリング装置を用いることなく
安価且つ容易な印刷法やスプレー法によるニッケル、カ
ーボン等の導電性粉末を含んだ導電性ペースト材を用い
ることを提案する。
然し乍ら、導電性ペースト材に含まれる導電性粉末（4
1）（41）…は微細であると雖も数μｍ〜数10μｍの粒
径を持ち、通常実用化されている微細粉末は約10μｍ前
後の平均粒径を備えているので、背面保護膜（５）′に
より覆われる露出面は第５図に示す如く凹凸面となり、
その結果上記背面保護膜（５）′には部分的に肉薄な肉
薄部分（52）（52）…が分散形成されたり、また場合に
よっては導電性粉末（41）（41）…の凸部が貫通するこ
ともある。斯る背面保護膜（５）′の肉薄部分（52）
（52）…或いは貫通部分（図示せず）の存在は当該背面
保護膜（５）′本来の目的を阻害し、例えば光起電力装
置をその背面側に金属板等の導電物を配置した状態で、
斯る光起電力装置を電源とする機器に組込んだだけでも
上記背面電極（４）と肉薄部分（52）（52）…を介して
導電物と導通する危惧を有する。特に機器への組込み時
や、組込んだ後に光入射方向から背面方向に圧力を付加
した場合に上記肉薄部分（52）（52）…が導電性粉末に
より破壊されると、上記背面電極（４）と導電物の導通
は免れない。斯る背面電極（４）と導電物の導通は漏電
のみならず、通常高電圧を得るべく第６図に示された米
国特許第4281208号の如く上記受光面電極（２）、半導
体膜（３）及び金属膜背面電極（４）′の積層体からな
る単位光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）…を、基板
（１）の絶縁表面に並置し、隣接間隔部においてそれら
光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）…を電気的に直列
接続した集積型光起電力装置にあって上記金属膜背面電
極（４）′に代って導電ペースト材の背面電極（４）を
用いると、直列接続関係にある単位光電変換素子（S
C1）（SC2）（SC3）…の背面電極（４）（４）（４）同
士が背面導電物を介して短絡する事故を招く要因とな
る。
1）（41）…は微細であると雖も数μｍ〜数10μｍの粒
径を持ち、通常実用化されている微細粉末は約10μｍ前
後の平均粒径を備えているので、背面保護膜（５）′に
より覆われる露出面は第５図に示す如く凹凸面となり、
その結果上記背面保護膜（５）′には部分的に肉薄な肉
薄部分（52）（52）…が分散形成されたり、また場合に
よっては導電性粉末（41）（41）…の凸部が貫通するこ
ともある。斯る背面保護膜（５）′の肉薄部分（52）
（52）…或いは貫通部分（図示せず）の存在は当該背面
保護膜（５）′本来の目的を阻害し、例えば光起電力装
置をその背面側に金属板等の導電物を配置した状態で、
斯る光起電力装置を電源とする機器に組込んだだけでも
上記背面電極（４）と肉薄部分（52）（52）…を介して
導電物と導通する危惧を有する。特に機器への組込み時
や、組込んだ後に光入射方向から背面方向に圧力を付加
した場合に上記肉薄部分（52）（52）…が導電性粉末に
より破壊されると、上記背面電極（４）と導電物の導通
は免れない。斯る背面電極（４）と導電物の導通は漏電
のみならず、通常高電圧を得るべく第６図に示された米
国特許第4281208号の如く上記受光面電極（２）、半導
体膜（３）及び金属膜背面電極（４）′の積層体からな
る単位光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）…を、基板
（１）の絶縁表面に並置し、隣接間隔部においてそれら
光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）…を電気的に直列
接続した集積型光起電力装置にあって上記金属膜背面電
極（４）′に代って導電ペースト材の背面電極（４）を
用いると、直列接続関係にある単位光電変換素子（S
C1）（SC2）（SC3）…の背面電極（４）（４）（４）同
士が背面導電物を介して短絡する事故を招く要因とな
る。
更に本願出願人は、斯る集積型光起電力装置の改良とし
て、特願昭57-213168号（特開昭59-103383号公報参照）
や特願昭60-173684号（特開昭62-33477号公報参照）等
に代表される構造を出願した。即ち、第７図及び第８図
に示す如く、第７図のように単位光電変換素子（SC1）
（SC2）（SC3）…の電気的直列接続を隣接間隔部におい
て一方のTCO受光面電極（２）と他方のAl背面電極
（４）′を直接結合すると、当該結合物界面において酸
化膜による絶縁層が形成されるために、難酸化性金属膜
の結合電極（９）（９）…や、第８図のように導電ペー
ストの突条結合電極（７）（７）…を用いて電気的な直
列接続を完成させている。
て、特願昭57-213168号（特開昭59-103383号公報参照）
や特願昭60-173684号（特開昭62-33477号公報参照）等
に代表される構造を出願した。即ち、第７図及び第８図
に示す如く、第７図のように単位光電変換素子（SC1）
（SC2）（SC3）…の電気的直列接続を隣接間隔部におい
て一方のTCO受光面電極（２）と他方のAl背面電極
（４）′を直接結合すると、当該結合物界面において酸
化膜による絶縁層が形成されるために、難酸化性金属膜
の結合電極（９）（９）…や、第８図のように導電ペー
ストの突条結合電極（７）（７）…を用いて電気的な直
列接続を完成させている。
然し乍ら、導電ペーストの突条結合電極（７）（７）…
を用いた直列接続形態や、製造工程の簡便化のために上
記難酸化性金属膜の結合電極（９）（９）…に代って、
印刷法により得られる導電ペーストの結合電極を用いる
接続形態にあっては、当該両結合電極は他の構成膜に比
して嵩高であるために、隣接間隔部が各単位光電変換素
子（SC1）（SC2）（SC3）…の背面電極（４）′
（４）′（４）′…より突出し、図示していない背面保
護膜から貫通する危惧を有する。そして、斯る隣接間隔
部の背面保護膜の貫通は直列接続関係にある単位光電変
換素子（SC1）（SC2）（SC3）…の短絡事故の要因にも
なる。
を用いた直列接続形態や、製造工程の簡便化のために上
記難酸化性金属膜の結合電極（９）（９）…に代って、
印刷法により得られる導電ペーストの結合電極を用いる
接続形態にあっては、当該両結合電極は他の構成膜に比
して嵩高であるために、隣接間隔部が各単位光電変換素
子（SC1）（SC2）（SC3）…の背面電極（４）′
（４）′（４）′…より突出し、図示していない背面保
護膜から貫通する危惧を有する。そして、斯る隣接間隔
部の背面保護膜の貫通は直列接続関係にある単位光電変
換素子（SC1）（SC2）（SC3）…の短絡事故の要因にも
なる。
（ハ）考案が解決しようとする課題 本考案は上述の如く背面電極或いは単位光電変換素子を
隣接間隔部において電気的に直列接続せしめる結合電極
として、高価な製造装置を用いることなく容易に形成す
ることができる導電ペースト材を使用すると、当該導電
ペーストの導電性粉末が背面保護膜を部分的に肉薄とし
たり貫通し、背面保護膜本来の目的である背面側の保護
を達成できない点、及び直列接続形態の光起電力装置に
あっては、上記背面保護膜を背面電極乃至結合電極が貫
通すると、隣接する単位光電変換素子が短絡する点を解
決しようとするものである。
隣接間隔部において電気的に直列接続せしめる結合電極
として、高価な製造装置を用いることなく容易に形成す
ることができる導電ペースト材を使用すると、当該導電
ペーストの導電性粉末が背面保護膜を部分的に肉薄とし
たり貫通し、背面保護膜本来の目的である背面側の保護
を達成できない点、及び直列接続形態の光起電力装置に
あっては、上記背面保護膜を背面電極乃至結合電極が貫
通すると、隣接する単位光電変換素子が短絡する点を解
決しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案の光起電力装置は、光入射方向から見て受光面電
極、光活性層を含む半導体膜、背面電極及び背面保護膜
をこの順序で配置した光起電力装置であって、上記背面
電極は導電性粉末を含んだ導電性ペースト材から構成さ
れると共に、当該背面電極を覆う上記背面保護膜は絶縁
性粉末を混在した樹脂材料からなり、上記背面保護膜に
混在せしめられる絶縁性粉末の平均粒径は上記導電性粉
末の平均粒径とほぼ同等か、大きいことを特徴とする。
極、光活性層を含む半導体膜、背面電極及び背面保護膜
をこの順序で配置した光起電力装置であって、上記背面
電極は導電性粉末を含んだ導電性ペースト材から構成さ
れると共に、当該背面電極を覆う上記背面保護膜は絶縁
性粉末を混在した樹脂材料からなり、上記背面保護膜に
混在せしめられる絶縁性粉末の平均粒径は上記導電性粉
末の平均粒径とほぼ同等か、大きいことを特徴とする。
また、本考案の光起電力装置は、光入射方向から見て受
光面電極、光活性層を含む半導体膜及び背面電極の積層
体からなる単位光電変換素子を、基板の絶縁表面に並置
し、隣接せる単位光電変換素子を当該隣接間隔部におい
て結合電極を介して電気的に直列接続せしめ、それらの
背面を背面保護膜で覆った光起電力装置であって、上記
結合電極は導電性粉末を含んだ導電性ペースト材から構
成されると共に、当該結合電極を覆う上記背面保護膜は
絶縁性粉末を混在した樹脂材料からなり、上記背面保護
膜に混在せしめられる絶縁性粉末の平均粒径は上記導電
性粉末の平均粒径とほぼ同等か、大きいことを特徴とす
る。
光面電極、光活性層を含む半導体膜及び背面電極の積層
体からなる単位光電変換素子を、基板の絶縁表面に並置
し、隣接せる単位光電変換素子を当該隣接間隔部におい
て結合電極を介して電気的に直列接続せしめ、それらの
背面を背面保護膜で覆った光起電力装置であって、上記
結合電極は導電性粉末を含んだ導電性ペースト材から構
成されると共に、当該結合電極を覆う上記背面保護膜は
絶縁性粉末を混在した樹脂材料からなり、上記背面保護
膜に混在せしめられる絶縁性粉末の平均粒径は上記導電
性粉末の平均粒径とほぼ同等か、大きいことを特徴とす
る。
（ホ）作用 上述の如く背面保護膜は絶縁性粉末を混在した樹脂材料
からなり、絶縁性粉末の平均粒径は導電性粉末の平均粒
径とほぼ同等か、大きいことより、上記絶縁性粉末は導
電ペースト材からなる背面電極或いは結合電極、更には
金属膜背面電極の露出面側凹凸表面における凹部に埋設
すると共に、凸部にあっても当該粒径に基づく膜厚を絶
えず保証する。
からなり、絶縁性粉末の平均粒径は導電性粉末の平均粒
径とほぼ同等か、大きいことより、上記絶縁性粉末は導
電ペースト材からなる背面電極或いは結合電極、更には
金属膜背面電極の露出面側凹凸表面における凹部に埋設
すると共に、凸部にあっても当該粒径に基づく膜厚を絶
えず保証する。
（ヘ）実施例 第１図は本考案光起電力装置の第１実施例を示す模式的
断面図であって、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板
（１）を光入射を許容する受光板とし、TCOの受光面電
極（２）、光活性層を含み膜面に平行なpinの半導体接
合を備えたアモルファスシリコンを主体とした半導体膜
（３）、ニッケル、カーボン等の平均粒径約10μｍ、最
大粒径数10μｍの導電性粉末（41）（41）…を含む導電
ペースト材からなる背面電極（４）及び絶縁性粉末（5
1）（51）…を含む高分子系の樹脂材料からなる背面保
護膜（５）がこの順序で積層されている。即ち、本考案
の構成的特徴点は背面保護膜（５）として用いられる樹
脂材料に、絶縁性粉末（51）（51）…例えばSiO2、Al2O
3及びCaO等を主成分とする所謂ガラスビーズを混入した
ところにある。上記絶縁性粉末（51）（51）…は粒径約
数μｍ〜100μｍを備え、導電性粉末（41）（41）…が
上述の如く平均粒径約10μｍのとき、好適には約８μｍ
〜60μｍ、より好適には約10μｍ〜50μｍの範囲に渡っ
て粒径が分布し、そのときの平均粒径は約20μｍ〜40μ
ｍである。
断面図であって、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板
（１）を光入射を許容する受光板とし、TCOの受光面電
極（２）、光活性層を含み膜面に平行なpinの半導体接
合を備えたアモルファスシリコンを主体とした半導体膜
（３）、ニッケル、カーボン等の平均粒径約10μｍ、最
大粒径数10μｍの導電性粉末（41）（41）…を含む導電
ペースト材からなる背面電極（４）及び絶縁性粉末（5
1）（51）…を含む高分子系の樹脂材料からなる背面保
護膜（５）がこの順序で積層されている。即ち、本考案
の構成的特徴点は背面保護膜（５）として用いられる樹
脂材料に、絶縁性粉末（51）（51）…例えばSiO2、Al2O
3及びCaO等を主成分とする所謂ガラスビーズを混入した
ところにある。上記絶縁性粉末（51）（51）…は粒径約
数μｍ〜100μｍを備え、導電性粉末（41）（41）…が
上述の如く平均粒径約10μｍのとき、好適には約８μｍ
〜60μｍ、より好適には約10μｍ〜50μｍの範囲に渡っ
て粒径が分布し、そのときの平均粒径は約20μｍ〜40μ
ｍである。
このように背面保護膜（５）として絶縁粉末（51）（5
1）…を混在した樹脂材料を用い、絶縁性粉末（51）（5
1）…の平均粒径は導電性粉末（41）（41）…の平均粒
径とほぼ同等か、大きいことより、当該背面保護膜
（５）の絶縁性粉末（51）（51）…は背面電極（４）の
導電性粉末（41）（41）の存在による露出面側の凹凸表
面における凹部（42）を埋設すると共に、凸部（43）に
あっても当該粒径に基づく膜厚が保証されることにな
る。即ち、背面電極（５）は背面保護膜（５）が他所に
比して肉薄部分となったり貫通する可能性のある背面電
極（４）の凸部（43）にあっても、第１図に示す如く絶
縁粉末（51）（51）…が少なくともその近傍に存在する
ことから、斯る絶縁粉末（51）（51）…の粒径に相当す
る厚みが確保される。更に、絶縁粉末（51）（51）…の
混在により樹脂材料に作用する表面張力が向上すること
から、絶縁粉末を含まない従来の樹脂材料よりも背面保
護膜（５）の膜厚が増大する。
1）…を混在した樹脂材料を用い、絶縁性粉末（51）（5
1）…の平均粒径は導電性粉末（41）（41）…の平均粒
径とほぼ同等か、大きいことより、当該背面保護膜
（５）の絶縁性粉末（51）（51）…は背面電極（４）の
導電性粉末（41）（41）の存在による露出面側の凹凸表
面における凹部（42）を埋設すると共に、凸部（43）に
あっても当該粒径に基づく膜厚が保証されることにな
る。即ち、背面電極（５）は背面保護膜（５）が他所に
比して肉薄部分となったり貫通する可能性のある背面電
極（４）の凸部（43）にあっても、第１図に示す如く絶
縁粉末（51）（51）…が少なくともその近傍に存在する
ことから、斯る絶縁粉末（51）（51）…の粒径に相当す
る厚みが確保される。更に、絶縁粉末（51）（51）…の
混在により樹脂材料に作用する表面張力が向上すること
から、絶縁粉末を含まない従来の樹脂材料よりも背面保
護膜（５）の膜厚が増大する。
而して、平均粒径約10μｍ、最大粒径約25μｍのニッケ
ル導電性粉末を含む導電ペースト材からなる背面電極
（４）を半導体膜（３）の背面にスクリーン印刷により
形成後、平均粒径約30μｍ、最大粒径約60μｍのガラス
ビーズの絶縁性粉末（51）（51）…を30重量％含んだエ
ポキシ系樹脂をスクリーン印刷により平均膜厚約10μｍ
オーバコートした背面保護膜（５）を備える本考案装置
Ａと、背面保護膜（５）の平均膜厚のみを２倍の約20μ
ｍとした本考案装置Ｂを夫々80個及び70個作成し、背面
保護膜（５）の更に背面側にステンレス板を配置して背
面側から手で押圧し斯るステンレス板と背面電極（４）
の導通状態を測定した。一方、比較のために、絶縁性粉
末が含まれていないエポキシ系樹脂のみからなる背面保
護膜を同じ膜厚オーバコートした比較装置Ｃ（平均膜厚
約10μｍ）及び比較装置Ｄ（平均膜厚約20μｍ）を夫々
150個及び90個作成し、同じく押圧による導通テストを
施した。導通テストの結果は本考案装置Ａ及びＢの総計
150個の何れにおいても導通は認められなかったのに対
し、比較装置Ｃにあっては150個中144個が導通し、また
比較装置Ｄにあっても90個中47個が導通していることが
判明した。
ル導電性粉末を含む導電ペースト材からなる背面電極
（４）を半導体膜（３）の背面にスクリーン印刷により
形成後、平均粒径約30μｍ、最大粒径約60μｍのガラス
ビーズの絶縁性粉末（51）（51）…を30重量％含んだエ
ポキシ系樹脂をスクリーン印刷により平均膜厚約10μｍ
オーバコートした背面保護膜（５）を備える本考案装置
Ａと、背面保護膜（５）の平均膜厚のみを２倍の約20μ
ｍとした本考案装置Ｂを夫々80個及び70個作成し、背面
保護膜（５）の更に背面側にステンレス板を配置して背
面側から手で押圧し斯るステンレス板と背面電極（４）
の導通状態を測定した。一方、比較のために、絶縁性粉
末が含まれていないエポキシ系樹脂のみからなる背面保
護膜を同じ膜厚オーバコートした比較装置Ｃ（平均膜厚
約10μｍ）及び比較装置Ｄ（平均膜厚約20μｍ）を夫々
150個及び90個作成し、同じく押圧による導通テストを
施した。導通テストの結果は本考案装置Ａ及びＢの総計
150個の何れにおいても導通は認められなかったのに対
し、比較装置Ｃにあっては150個中144個が導通し、また
比較装置Ｄにあっても90個中47個が導通していることが
判明した。
このように、背面保護膜（５）に絶縁性粉末（51）（5
1）…を混在させることにより、同じ平均膜厚であって
も導通防止に効果があることが確認された。特に上記絶
縁性粉末（51）（51）…の平均粒径は導電性粉末のそれ
とほぼ同等か、或いは大きいときにより大きな加重が加
わっても導通防止に対して有効である。
1）…を混在させることにより、同じ平均膜厚であって
も導通防止に効果があることが確認された。特に上記絶
縁性粉末（51）（51）…の平均粒径は導電性粉末のそれ
とほぼ同等か、或いは大きいときにより大きな加重が加
わっても導通防止に対して有効である。
第２図は本考案光起電力装置の第２実施例を模式的に示
し、特開昭59-103383号公報に開示された直列接続形態
への適用例である。即ち、同実施例は受光面電極
（２）、半導体膜（３）及び金属膜背面電極（４）′の
積層体からなる単位光電変換素子（SC1）（SC2）（S
C3）…を、基板（１）の絶縁表面に並置し、隣接間隔部
においてそれら光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）を
ニッケル、カーボン等の導電性粉末（41）（41）…を含
む導電ペースト材からなる結合電極（６）（６）…を用
いて電気的に直列接続すると共に、当該結合電極（６）
（６）及び背面電極（４）′（４）′…の背面は所謂ガ
ラスビーズ等の絶縁性粉末（51）（51）…を含む樹脂材
料により被覆されている。従って、斯る構造によれば導
電性ペースト材の結合電極（６）（６）…が背面電極
（４）′（４）′…より大きく、例えば約10μｍ程度突
出しても、絶縁粉末（51）（51）…が少なくともその近
傍に存在するから、当該絶縁粉末（51）（51）…の粒径
に相当する厚みが確保され、結合電極（６）（６）…が
背面保護膜（５）を貫通し露出することはない。
し、特開昭59-103383号公報に開示された直列接続形態
への適用例である。即ち、同実施例は受光面電極
（２）、半導体膜（３）及び金属膜背面電極（４）′の
積層体からなる単位光電変換素子（SC1）（SC2）（S
C3）…を、基板（１）の絶縁表面に並置し、隣接間隔部
においてそれら光電変換素子（SC1）（SC2）（SC3）を
ニッケル、カーボン等の導電性粉末（41）（41）…を含
む導電ペースト材からなる結合電極（６）（６）…を用
いて電気的に直列接続すると共に、当該結合電極（６）
（６）及び背面電極（４）′（４）′…の背面は所謂ガ
ラスビーズ等の絶縁性粉末（51）（51）…を含む樹脂材
料により被覆されている。従って、斯る構造によれば導
電性ペースト材の結合電極（６）（６）…が背面電極
（４）′（４）′…より大きく、例えば約10μｍ程度突
出しても、絶縁粉末（51）（51）…が少なくともその近
傍に存在するから、当該絶縁粉末（51）（51）…の粒径
に相当する厚みが確保され、結合電極（６）（６）…が
背面保護膜（５）を貫通し露出することはない。
第３図は本考案光起電力装置の第３実施例を模式的に示
し、特開昭62-33477号公報に開示された直列接続形態へ
の適用例である。斯る接続形態は、受光面電極（２）
（２）…を分割形成後、隣接間隔部に予め約10〜20μｍ
と嵩高な突条導電ペースト材の結合電極（７）（７）…
と、該結合電極（７）（７）…に近接して絶縁ペースト
材の絶縁突条（８）（８）…とを印刷し、次いで連続的
に連なった半導体膜（３）及び金属膜背面背面電極
（４）′を積層し、最後にレーザビームを当該背面電極
（４）′側から結合電極（７）（７）′…に向って照射
して照射部位の背面電極部分及び半導体膜部分を溶融す
ると共に、絶縁突条（８）（８）…に向って結合電極
（７）（７）…より高エネルギ密度のレーザビームを照
射することにより、照射部位の背面電極部分及び半導体
膜部分を焼散除去して隣接せる単位光電変換素子（S
C1）（SC2）（SC3）…が、上記結合電極（７）（７）…
を介して結合される。従って、嵩高な結合電極（７）
（７）…の存在は当該隣接間隔部を単位光電変換素子
（SC1）（SC2）（SC3）…の背面から約10μｍ或いはそ
れ以上突出せしめる。
し、特開昭62-33477号公報に開示された直列接続形態へ
の適用例である。斯る接続形態は、受光面電極（２）
（２）…を分割形成後、隣接間隔部に予め約10〜20μｍ
と嵩高な突条導電ペースト材の結合電極（７）（７）…
と、該結合電極（７）（７）…に近接して絶縁ペースト
材の絶縁突条（８）（８）…とを印刷し、次いで連続的
に連なった半導体膜（３）及び金属膜背面背面電極
（４）′を積層し、最後にレーザビームを当該背面電極
（４）′側から結合電極（７）（７）′…に向って照射
して照射部位の背面電極部分及び半導体膜部分を溶融す
ると共に、絶縁突条（８）（８）…に向って結合電極
（７）（７）…より高エネルギ密度のレーザビームを照
射することにより、照射部位の背面電極部分及び半導体
膜部分を焼散除去して隣接せる単位光電変換素子（S
C1）（SC2）（SC3）…が、上記結合電極（７）（７）…
を介して結合される。従って、嵩高な結合電極（７）
（７）…の存在は当該隣接間隔部を単位光電変換素子
（SC1）（SC2）（SC3）…の背面から約10μｍ或いはそ
れ以上突出せしめる。
ところが本実施例にあっても背面を被覆する背面保護膜
（５）は平均粒径数10μｍのガラスビーズの絶縁性粉末
（51）（51）…を約20〜60重量％含んだエポキシ系樹脂
材料から構成されていることから、当該背面保護膜
（５）の膜厚は被覆箇所に関係なく少なくとも上記絶縁
性粉末（51）（51）…の粒径に相応する分だけ保障す
る。従って、隣接間隔部が単位光電変換素子（SC1）（S
C2）（SC3）…の背面から急激に突出しても、当該隣接
間隔部が背面保護膜（５）を貫通し露出することは阻止
される。
（５）は平均粒径数10μｍのガラスビーズの絶縁性粉末
（51）（51）…を約20〜60重量％含んだエポキシ系樹脂
材料から構成されていることから、当該背面保護膜
（５）の膜厚は被覆箇所に関係なく少なくとも上記絶縁
性粉末（51）（51）…の粒径に相応する分だけ保障す
る。従って、隣接間隔部が単位光電変換素子（SC1）（S
C2）（SC3）…の背面から急激に突出しても、当該隣接
間隔部が背面保護膜（５）を貫通し露出することは阻止
される。
（ト）考案の効果 本考案光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、背
面保護膜は絶縁性粉末を混在した樹脂材料からなり、絶
縁性粉末の平均粒径は導電性粉末の平均粒径とほぼ同等
か、大きいことより、上記絶縁性粉末は導電ペースト材
からなる背面電極或いは結合電極、更には金属膜背面電
極の露出面側凹凸表面における凹部を埋設すると共に、
凸部にあっても当該粒径に基づく膜厚を絶えず保証する
ので、圧力付加時に背面電極の凸部或いは結合電極の存
在による突出部に圧力が集中しても斯る背面電極の凸部
或いは結合電極の存在による突出部は背面保護膜を貫通
するに至らず、従って、背面電極或いは結合電極として
導電ペースト材を使用したにも拘らず当該背面保護膜は
背面側を保護するという本来の目的を達成することがで
きる。
面保護膜は絶縁性粉末を混在した樹脂材料からなり、絶
縁性粉末の平均粒径は導電性粉末の平均粒径とほぼ同等
か、大きいことより、上記絶縁性粉末は導電ペースト材
からなる背面電極或いは結合電極、更には金属膜背面電
極の露出面側凹凸表面における凹部を埋設すると共に、
凸部にあっても当該粒径に基づく膜厚を絶えず保証する
ので、圧力付加時に背面電極の凸部或いは結合電極の存
在による突出部に圧力が集中しても斯る背面電極の凸部
或いは結合電極の存在による突出部は背面保護膜を貫通
するに至らず、従って、背面電極或いは結合電極として
導電ペースト材を使用したにも拘らず当該背面保護膜は
背面側を保護するという本来の目的を達成することがで
きる。
更に直列接続形態の光起電力装置にあっては、背面電極
乃至結合電極が背面保護膜を貫通しないことから、隣接
する単位光電変換素子が短絡することも防止される。
乃至結合電極が背面保護膜を貫通しないことから、隣接
する単位光電変換素子が短絡することも防止される。
第１図乃至第３図は本考案光起電力装置の第１乃至第３
実施例を夫々示す模式的断面図、第４図乃至第８図は各
々従来装置を示す模式的断面図である。 （１）……基板、（２）……受光面電極、（３）……半
導体膜、（４）……背面電極、（41）……導電性粉末、
（５）……背面保護膜、（51）……絶縁性粉末、
（６）、（７）……結合電極、（SC1）（SC2）（SC3）
……単位光電変換素子。
実施例を夫々示す模式的断面図、第４図乃至第８図は各
々従来装置を示す模式的断面図である。 （１）……基板、（２）……受光面電極、（３）……半
導体膜、（４）……背面電極、（41）……導電性粉末、
（５）……背面保護膜、（51）……絶縁性粉末、
（６）、（７）……結合電極、（SC1）（SC2）（SC3）
……単位光電変換素子。
Claims (2)
- 【請求項１】光入射方向から見て受光面電極、光活性層
を含む半導体膜、背面電極及び背面保護膜をこの順序で
配置した光起電力装置であって、上記背面電極は導電性
粉末を含んだ導電性ペースト材から構成されると共に、
当該背面電極を覆う上記背面保護膜は絶縁性粉末を混在
した樹脂材料からなり、上記背面保護膜に混在せしめら
れる絶縁性粉末の平均粒径は上記導電性粉末の平均粒径
とほぼ同等か、大きいことを特徴とした光起電力装置。 - 【請求項２】光入射方向から見て受光面電極、光活性層
を含む半導体膜及び背面電極の積層体からなる単位光電
変換素子を、基板の絶縁表面に並置し、隣接せる単位光
電変換素子を当該隣接間隔部において結合電極を介して
電気的に直列接続せしめ、それらの背面を背面保護膜で
覆った光起電力装置であって、上記結合電極は導電性粉
末を含んだ導電性ペースト材から構成されると共に、当
該結合電極を覆う上記背面保護膜は絶縁性粉末を混在し
た樹脂材料からなり、上記背面保護膜に混在せしめられ
る絶縁性粉末の平均粒径は上記導電性粉末の平均粒径と
ほぼ同等か、大きいことを特徴とした光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP510788U JPH0639456Y2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-01-19 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16727187 | 1987-10-30 | ||
| JP62-167271 | 1987-10-30 | ||
| JP510788U JPH0639456Y2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-01-19 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02749U JPH02749U (ja) | 1990-01-05 |
| JPH0639456Y2 true JPH0639456Y2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=31717081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP510788U Expired - Lifetime JPH0639456Y2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-01-19 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639456Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010113708A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-10-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP510788U patent/JPH0639456Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02749U (ja) | 1990-01-05 |
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