JPH0640163B2 - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
- Publication number
- JPH0640163B2 JPH0640163B2 JP60083643A JP8364385A JPH0640163B2 JP H0640163 B2 JPH0640163 B2 JP H0640163B2 JP 60083643 A JP60083643 A JP 60083643A JP 8364385 A JP8364385 A JP 8364385A JP H0640163 B2 JPH0640163 B2 JP H0640163B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical switch
- optical
- present
- comb
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 本発明は誘電体多層膜光学フイルターの温度制御を行な
うことにより該誘電体多層膜光学フイルターの光学特性
を制御して光学的スイツチング動作をする光スイツチを
提供するものである。
うことにより該誘電体多層膜光学フイルターの光学特性
を制御して光学的スイツチング動作をする光スイツチを
提供するものである。
本発明は光通信や光情報処理に用いられる光スイツチに
おいて誘電体多層膜光学フイルターの光学特性を熱的に
制御することにより構造と制御の簡単な光スイツチを提
供することを目的としたものである。
おいて誘電体多層膜光学フイルターの光学特性を熱的に
制御することにより構造と制御の簡単な光スイツチを提
供することを目的としたものである。
本発明による光スイツチは光通信分野における光分波，
光シヤツターや光情報処理分野における光変調など多く
の応用が考えられる。
光シヤツターや光情報処理分野における光変調など多く
の応用が考えられる。
従来より光スイツチはミラーを電気機械的に駆動させて
光路を変える方法やLiNbO3などの電気光学結晶の光電気
効果を用いてLiNbO3基板上に形成された光導波器内での
光スイツチを行なう方法やＹＩＧなどの磁気光学結晶の
磁気光学効果を用いて光スイツチを構成する方法やＢＳ
Ｏなどの圧電結晶を振動させるときに生ずるラマンニナ
ス散乱を用いて光スイツチを構成する方法が用いられて
きた。
光路を変える方法やLiNbO3などの電気光学結晶の光電気
効果を用いてLiNbO3基板上に形成された光導波器内での
光スイツチを行なう方法やＹＩＧなどの磁気光学結晶の
磁気光学効果を用いて光スイツチを構成する方法やＢＳ
Ｏなどの圧電結晶を振動させるときに生ずるラマンニナ
ス散乱を用いて光スイツチを構成する方法が用いられて
きた。
しかしながら上述した従来の光スイツチはLiNbO3導波路
を用いた光スイツチ以外はすべて寸法が大きく光通信部
品，光情報処理部品の小型軽量化への要求を満足するも
のではない。またLiNbO3導波路を用いた光スイツチは小
型軽量であるが光の入出力方法が容易でなくまたその製
法上の技術も確立されていない。本発明者は、誘電体多
層膜光学フィルターが、熱的に敏感であるとの知見に基
づき本発明に至ったものであり、これにより上記問題点
を解決し小型軽量で光の入出力が容易な光スイツチを提
供するものである。
を用いた光スイツチ以外はすべて寸法が大きく光通信部
品，光情報処理部品の小型軽量化への要求を満足するも
のではない。またLiNbO3導波路を用いた光スイツチは小
型軽量であるが光の入出力方法が容易でなくまたその製
法上の技術も確立されていない。本発明者は、誘電体多
層膜光学フィルターが、熱的に敏感であるとの知見に基
づき本発明に至ったものであり、これにより上記問題点
を解決し小型軽量で光の入出力が容易な光スイツチを提
供するものである。
本発明は、狭帯域型である誘電体多層光学フィルターに
加熱手段を設けることに特徴があり、さらに、具体的構
成を記載すれば下記のとおりである。
加熱手段を設けることに特徴があり、さらに、具体的構
成を記載すれば下記のとおりである。
本発明はガラス基板の上に誘電体多層膜光学フイルター
を形成しその上にニクロムなどの金属ヒーターを形成し
て該誘電体多層膜光学フイルターを上記金属ヒーターで
加熱し上記誘電体多層膜光学フイルターの光学特性を変
化させることにより光スイツチを作製し上記問題点を解
決した。
を形成しその上にニクロムなどの金属ヒーターを形成し
て該誘電体多層膜光学フイルターを上記金属ヒーターで
加熱し上記誘電体多層膜光学フイルターの光学特性を変
化させることにより光スイツチを作製し上記問題点を解
決した。
以下本発明による光スイツチを図面を参照しながら実施
例に沿つて説明する。第１図は本発明による光スイツチ
の構成と基本回路を示した模式図である。第１図におい
てガラス基板１は寸法が１０mm×１０mm×１mmであり両
面を光学研磨したＢＫ−７ガラスである。また本実施例
では誘電体多層膜光学フイルター２として〔HL〕5H(LL)
H〔LH〕5なる膜構造の狭帯域光学フイルターを用いた
（上記の記号でＨは膜厚６７３ÅのＺｎＳ膜，Ｌは膜厚
９９６ÅのMgF2膜を意味し、〔HL〕5はＨＬなる膜構成
を５回くり返し形成することを意味する）。すなわち本
実施例で用いた狭帯域光学フイルターの膜層数は２３層
である。第１図においてくし形電極３としては線幅１０
０μｍ，ピツチ５００μｍ，膜厚５μｍのニクロム電極
を用いた。ただし、くし形電極の線幅としては第１図中
Ｗでピツチとしては第１図中Ｐで示した長さを意味する
ものとする。膜の形成は真空蒸着法で行ない狭帯域光学
フイルターはHeNeレーザー光でガラス基板の透過率を測
定しながら作製した。また本発明による光スイツチの基
本回路は電流計４，電圧計５，定電圧電源６からなりく
し形電極３に流す電流は定電圧電源６の出力を調節する
ことによつて行なつた。
例に沿つて説明する。第１図は本発明による光スイツチ
の構成と基本回路を示した模式図である。第１図におい
てガラス基板１は寸法が１０mm×１０mm×１mmであり両
面を光学研磨したＢＫ−７ガラスである。また本実施例
では誘電体多層膜光学フイルター２として〔HL〕5H(LL)
H〔LH〕5なる膜構造の狭帯域光学フイルターを用いた
（上記の記号でＨは膜厚６７３ÅのＺｎＳ膜，Ｌは膜厚
９９６ÅのMgF2膜を意味し、〔HL〕5はＨＬなる膜構成
を５回くり返し形成することを意味する）。すなわち本
実施例で用いた狭帯域光学フイルターの膜層数は２３層
である。第１図においてくし形電極３としては線幅１０
０μｍ，ピツチ５００μｍ，膜厚５μｍのニクロム電極
を用いた。ただし、くし形電極の線幅としては第１図中
Ｗでピツチとしては第１図中Ｐで示した長さを意味する
ものとする。膜の形成は真空蒸着法で行ない狭帯域光学
フイルターはHeNeレーザー光でガラス基板の透過率を測
定しながら作製した。また本発明による光スイツチの基
本回路は電流計４，電圧計５，定電圧電源６からなりく
し形電極３に流す電流は定電圧電源６の出力を調節する
ことによつて行なつた。
次に本発明による光スイツチの動作を説明する。第２図
は本発明による光スイツチの動作測定法を示した図であ
る。第２図においてHeNeレーザー９から出た光は第１図
で説明した本発明の光スイツチ７の電極面に垂直に入射
した後透過して光検出器１０に入る。検出器１０からの
出力はレコーダー１１により記録される。なお、HeNeレ
ーザー９，本発明の光スイツチ７，光検出器１０は暗箱
内に設置され外光による雑音が除去されるようになつて
いる。第３図に第１図の実施例で示した本発明の光スイ
ツチのニクロムくし形電極の加熱電力と光検出出力の関
係を示す。なお第３図における光検出出力はニクロムく
し形電極に電流を流さないときの出力を１としたときの
相対値を示した。第３図からニクロムくし形電極加熱電
力が4.4Ｗを越えると本発明の光スイツチは完全なオン
オフ動作をすることがわかる。ニクロムくし形電極加熱
電力が４Ｗのとき焦電形温度計で膜温度を測定したとこ
ろ約２６０℃であつた。
は本発明による光スイツチの動作測定法を示した図であ
る。第２図においてHeNeレーザー９から出た光は第１図
で説明した本発明の光スイツチ７の電極面に垂直に入射
した後透過して光検出器１０に入る。検出器１０からの
出力はレコーダー１１により記録される。なお、HeNeレ
ーザー９，本発明の光スイツチ７，光検出器１０は暗箱
内に設置され外光による雑音が除去されるようになつて
いる。第３図に第１図の実施例で示した本発明の光スイ
ツチのニクロムくし形電極の加熱電力と光検出出力の関
係を示す。なお第３図における光検出出力はニクロムく
し形電極に電流を流さないときの出力を１としたときの
相対値を示した。第３図からニクロムくし形電極加熱電
力が4.4Ｗを越えると本発明の光スイツチは完全なオン
オフ動作をすることがわかる。ニクロムくし形電極加熱
電力が４Ｗのとき焦電形温度計で膜温度を測定したとこ
ろ約２６０℃であつた。
次にオン時にくし形電極加熱電力が４Ｗとなるような周
期Ｔの矩形電圧を本発明の光スイツチのくし形電極に印
加しＴを変化させたときの動作特性を第４図に示す。第
４図における光検出出力は第３図で用いたのと同じ相対
値を用いた。第４図から光検出出力の立上り時間は約１
００msec，緩和時間は約１秒であることがわかり、本発
明による光スイツチはＴ＝１sec以上の周期信号によつ
て駆動することが好ましいことがわかる。
期Ｔの矩形電圧を本発明の光スイツチのくし形電極に印
加しＴを変化させたときの動作特性を第４図に示す。第
４図における光検出出力は第３図で用いたのと同じ相対
値を用いた。第４図から光検出出力の立上り時間は約１
００msec，緩和時間は約１秒であることがわかり、本発
明による光スイツチはＴ＝１sec以上の周期信号によつ
て駆動することが好ましいことがわかる。
次に第１図で説明した本発明の光スイツチのくし形電極
の材質としてニクロム，クロム，ニツケル，窒化タンタ
ル，コバルト，タングステン，タンタルを用い、該くし
形電極に電力４Ｗとなる電圧を連続的に印加したときの
光検出器の出力を調べ第５図に示した。第５図から明ら
かなようにくし形電極用材質としてニクロムおよび窒化
タンタルが極めて良い経時特性を持つていることがわか
る。
の材質としてニクロム，クロム，ニツケル，窒化タンタ
ル，コバルト，タングステン，タンタルを用い、該くし
形電極に電力４Ｗとなる電圧を連続的に印加したときの
光検出器の出力を調べ第５図に示した。第５図から明ら
かなようにくし形電極用材質としてニクロムおよび窒化
タンタルが極めて良い経時特性を持つていることがわか
る。
また第１図で示した構成の本発明の光スイツチにおいて
ニクロムくし形電極の線幅が１０μｍ以下となると光の
回折角が大きくなると同時に連続使用時の経時劣化が急
に大きくなる。しかも電極形成をフオトレジストで行な
うことを考慮すればくし形電極幅は２０μｍ以上が良
い。またくし形電極のピツチは電極幅に比べ大きくなけ
ればならなく透過光効率が５０％以上とするためには４
０μｍ以上が必要である。そしてくし形電極形成精度を
考慮すればくし形電極のピツチは５０μｍ以上が良い。
ニクロムくし形電極の線幅が１０μｍ以下となると光の
回折角が大きくなると同時に連続使用時の経時劣化が急
に大きくなる。しかも電極形成をフオトレジストで行な
うことを考慮すればくし形電極幅は２０μｍ以上が良
い。またくし形電極のピツチは電極幅に比べ大きくなけ
ればならなく透過光効率が５０％以上とするためには４
０μｍ以上が必要である。そしてくし形電極形成精度を
考慮すればくし形電極のピツチは５０μｍ以上が良い。
次に本発明の光スイツチの連続使用時の経時劣化を小さ
くするために第１図の実施例で示した本発明の光スイツ
チのくし形電極上にSiO2保護膜を形成しその連続使用時
の経時劣化を調べた。第６図はくし形電極材質としてニ
クロムを用い種々の膜厚のSiO2保護膜を形成した本発明
の光スイツチの連続使用時の経時特性である。第６図中
の曲線に付与された数値はSiO2保護膜の膜厚を示す。第
６図より本発明による光スイツチのSiO2保護膜の膜厚は
５μｍ以上であるのが良いことがわかる。また膜厚５μ
ｍのSiO2保護膜を形成した本発明の光スイツチにオン時
にニクロムくし形電極加熱電力が４Ｗとなるような周期
Ｔの矩形電圧を印加しＴを変化させたときの動作特性を
第７図に示す。第７図より膜厚５μｍのSiO2保護膜を形
成した本発明の光スイツチは立上り時間約２５ｍsec，
緩和時間５０ｍsecとなりSiO2保護膜を形成しない本発
明の光スイツチに比べ応答速度が４倍以上速くなつてい
ることがわかる。また第７図においてＴ＝２secの場合
の緩和時間が第４図の緩和時間と差が認められないのは
本発明の光スイツチに対する蓄熱量がＴ＝２secでは大
きすぎるからであると考えられる。保護膜材質としては
SiO2以外にもZnS,AlN,TiO2,ZrO2などの誘電体であれば
上記と同じ効果が得られることがわかつている。
くするために第１図の実施例で示した本発明の光スイツ
チのくし形電極上にSiO2保護膜を形成しその連続使用時
の経時劣化を調べた。第６図はくし形電極材質としてニ
クロムを用い種々の膜厚のSiO2保護膜を形成した本発明
の光スイツチの連続使用時の経時特性である。第６図中
の曲線に付与された数値はSiO2保護膜の膜厚を示す。第
６図より本発明による光スイツチのSiO2保護膜の膜厚は
５μｍ以上であるのが良いことがわかる。また膜厚５μ
ｍのSiO2保護膜を形成した本発明の光スイツチにオン時
にニクロムくし形電極加熱電力が４Ｗとなるような周期
Ｔの矩形電圧を印加しＴを変化させたときの動作特性を
第７図に示す。第７図より膜厚５μｍのSiO2保護膜を形
成した本発明の光スイツチは立上り時間約２５ｍsec，
緩和時間５０ｍsecとなりSiO2保護膜を形成しない本発
明の光スイツチに比べ応答速度が４倍以上速くなつてい
ることがわかる。また第７図においてＴ＝２secの場合
の緩和時間が第４図の緩和時間と差が認められないのは
本発明の光スイツチに対する蓄熱量がＴ＝２secでは大
きすぎるからであると考えられる。保護膜材質としては
SiO2以外にもZnS,AlN,TiO2,ZrO2などの誘電体であれば
上記と同じ効果が得られることがわかつている。
また第１図における誘電体多層膜光学フイルターとして
〔ＨＬ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ〔ＬＨ〕ｎなる膜構成の狭帯域
フイルターを用い、ｎを３，４，５，６と変化させたと
きのSiO2保護膜を形成しない本発明の光スイツチのニク
ロムくし形電極加熱電力と光検出器出力の関係を示した
のが第８図である（上記の記号でＨは膜厚６７３ÅのＺ
ｎＳ膜、Ｌは膜厚９９６ÅのMgF2膜を意味し、 〔ＨＬ〕ｎはＨＬなる膜構成をｎ回くり返し形成するこ
とを意味する）。第８図よりｎ＝３の場合はニクロムく
し形電極加熱電力を５Ｗ以上としても光検出器出力は相
対値で0.3以下にならないことがわかる。またｎ＝４の
場合光検出器出力がほぼゼロとなるニクロムくし形電極
加熱電力５Ｗとなる電圧を本発明の光スイツチに印加し
たときの膜温度を焦電形温度計で測定したところ約３４
０℃であり、連続使用時の経時劣化はニクロムくし形電
極加熱電力が４Ｗのときに比べて約３倍悪くなつた。以
上のことから本発明の実施例における光スイッチ〔Ｈ
Ｌ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ〔ＬＨ〕ｎなる狭帯域光学フイルタ
ーを用いる場合はｎ＝５以上であることが良いことがわ
かる。これは膜層数では23層以上に当たるが、狭帯域光
学フィルターには種々の膜構成があり、本発明による光
スイッチによる狭帯域光学フィルターの膜層数は、一般
的には21層以上で有効である。
〔ＨＬ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ〔ＬＨ〕ｎなる膜構成の狭帯域
フイルターを用い、ｎを３，４，５，６と変化させたと
きのSiO2保護膜を形成しない本発明の光スイツチのニク
ロムくし形電極加熱電力と光検出器出力の関係を示した
のが第８図である（上記の記号でＨは膜厚６７３ÅのＺ
ｎＳ膜、Ｌは膜厚９９６ÅのMgF2膜を意味し、 〔ＨＬ〕ｎはＨＬなる膜構成をｎ回くり返し形成するこ
とを意味する）。第８図よりｎ＝３の場合はニクロムく
し形電極加熱電力を５Ｗ以上としても光検出器出力は相
対値で0.3以下にならないことがわかる。またｎ＝４の
場合光検出器出力がほぼゼロとなるニクロムくし形電極
加熱電力５Ｗとなる電圧を本発明の光スイツチに印加し
たときの膜温度を焦電形温度計で測定したところ約３４
０℃であり、連続使用時の経時劣化はニクロムくし形電
極加熱電力が４Ｗのときに比べて約３倍悪くなつた。以
上のことから本発明の実施例における光スイッチ〔Ｈ
Ｌ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ〔ＬＨ〕ｎなる狭帯域光学フイルタ
ーを用いる場合はｎ＝５以上であることが良いことがわ
かる。これは膜層数では23層以上に当たるが、狭帯域光
学フィルターには種々の膜構成があり、本発明による光
スイッチによる狭帯域光学フィルターの膜層数は、一般
的には21層以上で有効である。
以上述べたように本発明による光スイツチは誘電体多層
膜光学フイルターに加熱手段を付与することによつて小
型軽量で光の入出力が容易な光スイツチを構成すること
ができ光通信や光情報処理分野における光スイツチの小
型軽量化に対する効果は大きい。また本発明による光ス
イツチは高価な電気光学結晶や磁気光学結晶を用いない
ため光スイツチの低価格化に対する効果も大きい。
膜光学フイルターに加熱手段を付与することによつて小
型軽量で光の入出力が容易な光スイツチを構成すること
ができ光通信や光情報処理分野における光スイツチの小
型軽量化に対する効果は大きい。また本発明による光ス
イツチは高価な電気光学結晶や磁気光学結晶を用いない
ため光スイツチの低価格化に対する効果も大きい。
第１図は本発明による光スイツチの構成と基本回路を示
した模式図であり、第２図は本発明による光スイツチの
動作測定法を示したブロツク図であり、第３図は本発明
による光スイツチのニクロムくし形電極加熱電力と光検
出器出力の関係を示した特性図であり、第４図はオン時
にくし形電極加熱電力が４Ｗになるような周期Ｔの矩形
電圧を本発明のくし形電極に印加しＴを変化させたとき
の動作特性を示した図であり、第５図は種々の電極材質
を本発明の光スイツチのくし形電極に用いた場合の該く
し形電極の加熱電力を４Ｗとなる電圧を印加して連続使
用したときの経時特性を示した図であり、第６図は種々
の膜厚のSiO2保護膜を形成した本発明の光スイツチのニ
クロムくし形電極に加熱電力４Ｗとなる電圧を印加して
連続使用したときの経時特性を示した図であり、第７図
はSiO2保護膜を膜厚５μｍだけ形成した本発明の光スイ
ツチにオン時にくし形電極加熱電力が４Ｗになるような
周期Ｔの矩形電圧を印加しＴを変化させたときの動作特
性を示した図であり、第８図は〔ＨＬ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ
〔ＬＨ〕ｎ形の狭帯域光学フイルターを用いｎを変化さ
せたときの本発明の光スイツチのニクロムくし形電極加
熱電力と光検出器出力の関係を示した図である。 １…ガラス基板 ２…誘電体多層膜光学フイルター ３…くし形電極 ４…電流計 ５…電圧計 ６…定電圧電源 ７…本発明の光スイツチ ８…レーザー電源 ９…HeNeレーザー １０…光検出器 １１……レコーダー
した模式図であり、第２図は本発明による光スイツチの
動作測定法を示したブロツク図であり、第３図は本発明
による光スイツチのニクロムくし形電極加熱電力と光検
出器出力の関係を示した特性図であり、第４図はオン時
にくし形電極加熱電力が４Ｗになるような周期Ｔの矩形
電圧を本発明のくし形電極に印加しＴを変化させたとき
の動作特性を示した図であり、第５図は種々の電極材質
を本発明の光スイツチのくし形電極に用いた場合の該く
し形電極の加熱電力を４Ｗとなる電圧を印加して連続使
用したときの経時特性を示した図であり、第６図は種々
の膜厚のSiO2保護膜を形成した本発明の光スイツチのニ
クロムくし形電極に加熱電力４Ｗとなる電圧を印加して
連続使用したときの経時特性を示した図であり、第７図
はSiO2保護膜を膜厚５μｍだけ形成した本発明の光スイ
ツチにオン時にくし形電極加熱電力が４Ｗになるような
周期Ｔの矩形電圧を印加しＴを変化させたときの動作特
性を示した図であり、第８図は〔ＨＬ〕ｎＨ（ＬＬ）Ｈ
〔ＬＨ〕ｎ形の狭帯域光学フイルターを用いｎを変化さ
せたときの本発明の光スイツチのニクロムくし形電極加
熱電力と光検出器出力の関係を示した図である。 １…ガラス基板 ２…誘電体多層膜光学フイルター ３…くし形電極 ４…電流計 ５…電圧計 ６…定電圧電源 ７…本発明の光スイツチ ８…レーザー電源 ９…HeNeレーザー １０…光検出器 １１……レコーダー
Claims (4)
- 【請求項１】膜層数23層以上の誘電体多層膜からなる狭
帯域光学フィルターに加熱手段を設けてなる光スイッ
チ。 - 【請求項２】上記加熱手段がくし形をした金属薄膜ヒー
ターである特許請求の範囲第１項記載の光スイッチ。 - 【請求項３】上記金属薄膜ヒーターの材質がニクロムま
たは窒化タンタルであり、くし形の線幅が20μｍ以上、
ピッチが50μｍ以上である特許請求の範囲第２項記載の
光スイッチ。 - 【請求項４】上記金属薄膜ヒーター上に誘電体保護膜を
形成した特許請求の範囲第２項記載の光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083643A JPH0640163B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083643A JPH0640163B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241735A JPS61241735A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0640163B2 true JPH0640163B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=13808129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60083643A Expired - Lifetime JPH0640163B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640163B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634925A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波回路装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3834793A (en) | 1973-06-21 | 1974-09-10 | Advance Technology Center Inc | Dichromic mirror having multilayer thin films including vanadium dioxide |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4957850A (ja) * | 1972-09-30 | 1974-06-05 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60083643A patent/JPH0640163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3834793A (en) | 1973-06-21 | 1974-09-10 | Advance Technology Center Inc | Dichromic mirror having multilayer thin films including vanadium dioxide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61241735A (ja) | 1986-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5388170A (en) | Electrooptic device structure and method for reducing thermal effects in optical waveguide modulators | |
| Yamada | Electrically induced Bragg-diffraction grating composed of periodically inverted domains in lithium niobate crystals and its application devices | |
| US4092060A (en) | Thin film optical switching device | |
| US20120020607A1 (en) | Optical waveguide device | |
| US20020141031A1 (en) | Thin film ferroelectric light modulators | |
| JPH0473129B2 (ja) | ||
| US4270847A (en) | Electro-optical light modulation element | |
| Marx et al. | Low‐loss strain induced optical waveguides in strontium barium niobate (Sr0. 6Ba0. 4Nb2O6) at 1.3 μm wavelength | |
| JP3025982B2 (ja) | 導波路型光方向性結合器 | |
| US6215576B1 (en) | Method for making a second-order nonlinear optical material, the material obtained by the method, and an optical modulation device comprising the material | |
| CN112394543A (zh) | 一种基于铌酸锂薄膜的可调谐fp滤光片 | |
| EP1403692A1 (en) | Electro-optic devices | |
| US4856861A (en) | Light waveguide lens | |
| US5046803A (en) | Actively phased matched frequency doubling optical waveguide | |
| CN115976641A (zh) | 一种钽铌酸钾晶体及应用其的低电压电光位相调制器 | |
| JPS61241735A (ja) | 光スイツチ | |
| JP3090176B2 (ja) | 反り変形を有する光位相調整された光導波路型光素子チップ | |
| JP2739405B2 (ja) | 電界センサ | |
| JPS59185311A (ja) | 光制御型光スイツチ | |
| CN111736371A (zh) | 高速相位型一维空间光调制器及方法 | |
| JPH0588123A (ja) | 可変波長フイルタ | |
| JPS61231522A (ja) | 光制御型光スイツチ装置 | |
| JPH08160408A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS5893036A (ja) | 光分岐デバイス | |
| JPS6167838A (ja) | 導波路型光スイツチ |