JPH0640793A - 結晶材料の界面形状制御方法 - Google Patents
結晶材料の界面形状制御方法Info
- Publication number
- JPH0640793A JPH0640793A JP34652291A JP34652291A JPH0640793A JP H0640793 A JPH0640793 A JP H0640793A JP 34652291 A JP34652291 A JP 34652291A JP 34652291 A JP34652291 A JP 34652291A JP H0640793 A JPH0640793 A JP H0640793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- controlling
- crystalline material
- solid phase
- phase
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 17
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract description 19
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract description 17
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶成長炉と凝固されるべき材料との間に、
よく適合制御された温度プロファイルを形成して、優れ
た界面形状制御を行なう。 【構成】 単結晶成長用のブリッジマン型装置におい
て、凝固が行なわれている試料の液体および固体それぞ
れの相に対して、対になった異なる勾配部を形成する。
各勾配部は、熱特性が試料の熱特性と適合するように、
つまり、液相と固相とにおける熱伝導率の差異を考慮に
入れて決められる。それにより、炉と、凝固が行なわれ
る試料との間の温度プロファイルがよく適合即ち制御さ
れ、優れた界面状態の制御が可能となる。
よく適合制御された温度プロファイルを形成して、優れ
た界面形状制御を行なう。 【構成】 単結晶成長用のブリッジマン型装置におい
て、凝固が行なわれている試料の液体および固体それぞ
れの相に対して、対になった異なる勾配部を形成する。
各勾配部は、熱特性が試料の熱特性と適合するように、
つまり、液相と固相とにおける熱伝導率の差異を考慮に
入れて決められる。それにより、炉と、凝固が行なわれ
る試料との間の温度プロファイルがよく適合即ち制御さ
れ、優れた界面状態の制御が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単結晶成長が行なわ
れている結晶材料の界面形状を制御する方法、およびそ
れの実施に使用される装置に関する。
れている結晶材料の界面形状を制御する方法、およびそ
れの実施に使用される装置に関する。
【０００２】
【従来の技術と解決すべき課題】バルク成長（フロム・
ザ・メルト（ｆｒｏｍ−ｔｈｅ−ｍｅｌｔ））半導体の
単結晶は、近代の電子装置およびセンサー用の基本的な
材料である。単結晶の方向性凝固は、様ざまな問題があ
るため困難なプロセスとされている。その一つとして、
固／液界面の形状を正確に制御することが困難であるこ
とがある。このような制御が困難な理由は、炉の「断熱
領域」と凝固材料との間に温度差を生じさせることにあ
る。その原因は、液相と固相との間の熱伝導率に差異が
あることと、半径方向の熱伝達が全く生じない完全な断
熱領域を形成することができないことにある。半径方向
の熱伝達は、非直線界面形状を生成させ、かつ対流作用
を増大させる可能性も極めて高い。
ザ・メルト（ｆｒｏｍ−ｔｈｅ−ｍｅｌｔ））半導体の
単結晶は、近代の電子装置およびセンサー用の基本的な
材料である。単結晶の方向性凝固は、様ざまな問題があ
るため困難なプロセスとされている。その一つとして、
固／液界面の形状を正確に制御することが困難であるこ
とがある。このような制御が困難な理由は、炉の「断熱
領域」と凝固材料との間に温度差を生じさせることにあ
る。その原因は、液相と固相との間の熱伝導率に差異が
あることと、半径方向の熱伝達が全く生じない完全な断
熱領域を形成することができないことにある。半径方向
の熱伝達は、非直線界面形状を生成させ、かつ対流作用
を増大させる可能性も極めて高い。
【０００３】そこで、この発明の第１の目的は、結晶成
長炉と凝固されるべき材料との間に、よく適合制御され
た温度プロファイルを形成し、それにより、優れた界面
状態制御を行なうことである。
長炉と凝固されるべき材料との間に、よく適合制御され
た温度プロファイルを形成し、それにより、優れた界面
状態制御を行なうことである。
【０００４】この発明の第２の目的は、前述の方法を実
施するための装置を提供することにある。
施するための装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、単結晶成長が行なわれている結
晶材料の界面形状を制御するための方法であって、異な
る温度で作動する炉の軸方向に隔離した第１および第２
の加熱要素を、相の熱伝導率が異なるため傾きの異なっ
た温度勾配を有する液相および固相をつくるようにし
て、結晶試料に沿って並進させる段階と、液相からの半
径方向の熱伝達を最小にするべく、液相に適合している
予め決められた第１の熱特性を有している第１の勾配部
を、液相との半径方向の整合がなされるようにして設定
する段階と、固相からの半径方向の熱伝達を最小にする
べく、固相に適合している予め決められた第２の熱特性
を有している第２の勾配部を、固相との半径方向の整合
がなされるようにして設定する段階とを含むことを特徴
とする。
め、この発明によれば、単結晶成長が行なわれている結
晶材料の界面形状を制御するための方法であって、異な
る温度で作動する炉の軸方向に隔離した第１および第２
の加熱要素を、相の熱伝導率が異なるため傾きの異なっ
た温度勾配を有する液相および固相をつくるようにし
て、結晶試料に沿って並進させる段階と、液相からの半
径方向の熱伝達を最小にするべく、液相に適合している
予め決められた第１の熱特性を有している第１の勾配部
を、液相との半径方向の整合がなされるようにして設定
する段階と、固相からの半径方向の熱伝達を最小にする
べく、固相に適合している予め決められた第２の熱特性
を有している第２の勾配部を、固相との半径方向の整合
がなされるようにして設定する段階とを含むことを特徴
とする。
【０００６】また、この発明によれば、試料の熱流束、
従って液／固界面の状態に亘って制御を達成するため、
凝固領域における炉の温度プロファイルを制御する炉装
置が提供される。
従って液／固界面の状態に亘って制御を達成するため、
凝固領域における炉の温度プロファイルを制御する炉装
置が提供される。
【０００７】
【作用】この発明の方法によれば、凝固領域に所望の温
度プロファイルを用い、ブリッジマン型装置の凝固領域
における半径方向の熱伝達を制御することにより、単結
晶の方向性凝固を持続させる際の凍結全面形状を制御す
ることができる。
度プロファイルを用い、ブリッジマン型装置の凝固領域
における半径方向の熱伝達を制御することにより、単結
晶の方向性凝固を持続させる際の凍結全面形状を制御す
ることができる。
【０００８】この制御は、試料の熱特性、および炉の隣
接領域（ゾーン）−温度の積極的制御に基づいた熱特性
（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｔｈｅｒｍａｌ ｃｈａｒａｃｆ
ｅｒｉｓｔｉｃｓ）により構成されている炉の凝固領域
を用いて行なわれる。熱特性は、構成の異なる、すなわ
ち熱伝導率の異なった材料を用いるか、あるいは形状を
変えることにより制御できる。この発明では、温度制御
は、試料の状態並びに温度を使い、炉のゾーン−温度を
調節するとともに、試料における既知でかつ一定の温度
勾配プロファイルを保持させるようになっているコンピ
ュータ制御用アルゴリズムにより達成される。試料内蔵
のアンプルの沿って行なわれる炉の並進動作が、試料の
長手方向に亘って移動式溶融−凝固界面を形成させ、そ
れにより単結晶の成長が可能となる。
接領域（ゾーン）−温度の積極的制御に基づいた熱特性
（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｔｈｅｒｍａｌ ｃｈａｒａｃｆ
ｅｒｉｓｔｉｃｓ）により構成されている炉の凝固領域
を用いて行なわれる。熱特性は、構成の異なる、すなわ
ち熱伝導率の異なった材料を用いるか、あるいは形状を
変えることにより制御できる。この発明では、温度制御
は、試料の状態並びに温度を使い、炉のゾーン−温度を
調節するとともに、試料における既知でかつ一定の温度
勾配プロファイルを保持させるようになっているコンピ
ュータ制御用アルゴリズムにより達成される。試料内蔵
のアンプルの沿って行なわれる炉の並進動作が、試料の
長手方向に亘って移動式溶融−凝固界面を形成させ、そ
れにより単結晶の成長が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、添付の図面を参照して、この発明の好
適実施例を詳細に説明する。それにより、上で述べたこ
の発明の目的および利点が、一層よく理解できることと
思う。
適実施例を詳細に説明する。それにより、上で述べたこ
の発明の目的および利点が、一層よく理解できることと
思う。
【００１０】図１において、符号１０は、この発明の結
晶成長炉を示す。この炉１０は、中に結晶試料１２が入
っている、軸方向に伸びたアンプル１４を収容してい
る。結晶試料１２は、溶融−凝固を移動するようにしな
がら、結晶を単結晶構造に変えていく。結晶試料に対す
る温度勾配、即ちプロファイルを変えていくという考え
方は、従来よく知られており、かつ通常のブリッジマン
（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）型炉の原理に基づくものである。
晶成長炉を示す。この炉１０は、中に結晶試料１２が入
っている、軸方向に伸びたアンプル１４を収容してい
る。結晶試料１２は、溶融−凝固を移動するようにしな
がら、結晶を単結晶構造に変えていく。結晶試料に対す
る温度勾配、即ちプロファイルを変えていくという考え
方は、従来よく知られており、かつ通常のブリッジマン
（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）型炉の原理に基づくものである。
【００１１】従って、図１において、炉１０は、矢印で
示すように、アンプル１４に対し軸方向へ動くようにな
っている。この動きが与えられると、液相１６と固相１
８との間の界面は、アンプル１４を横切って直線的に移
動していく。
示すように、アンプル１４に対し軸方向へ動くようにな
っている。この動きが与えられると、液相１６と固相１
８との間の界面は、アンプル１４を横切って直線的に移
動していく。
【００１２】図１は、凝固領域２０における液−固相の
様子を示す。この領域２０は、半径方向外側に配置され
ている加熱要素とは無関係になっている。凝固領域２０
に温度差をもたせるため、加熱要素１９を、予め決めら
れた熱特性をもって支持体２１の内部に収め、かつ、同
様に収容された第２の加熱要素２３に対してよりも、高
温の状態で作動させる。
様子を示す。この領域２０は、半径方向外側に配置され
ている加熱要素とは無関係になっている。凝固領域２０
に温度差をもたせるため、加熱要素１９を、予め決めら
れた熱特性をもって支持体２１の内部に収め、かつ、同
様に収容された第２の加熱要素２３に対してよりも、高
温の状態で作動させる。
【００１３】図２は、温度を、アンプル１４の長手方向
直線距離に対する関数としてプロットした曲線図であ
る。加熱要素１９は、試料１２の液相１６を、凝固領域
２０の左側に相当する高温２２の状態で加熱する。同様
に、加熱要素２３は、凝固領域２０の右側に示すように
低い温度２４を保持している。
直線距離に対する関数としてプロットした曲線図であ
る。加熱要素１９は、試料１２の液相１６を、凝固領域
２０の左側に相当する高温２２の状態で加熱する。同様
に、加熱要素２３は、凝固領域２０の右側に示すように
低い温度２４を保持している。
【００１４】液相−固相界面は、図１において符号２５
で示してある。これはまた、図２における点２７に対応
している。理想的には、凝固領域における半径方向外側
スペースを完全断熱材料でパック（ｐａｃｋ）する。そ
れにより、炉に断熱領域が形成され、凝固する試料と炉
との間のおける半径方向の熱伝達は行なわれなくなる。
で示してある。これはまた、図２における点２７に対応
している。理想的には、凝固領域における半径方向外側
スペースを完全断熱材料でパック（ｐａｃｋ）する。そ
れにより、炉に断熱領域が形成され、凝固する試料と炉
との間のおける半径方向の熱伝達は行なわれなくなる。
【００１５】通常の炉では、理想的な断熱領域を得るた
め熱絶縁性材料を最大限に利用しているが、完全な断熱
体は実現していない。そのため、半径方向の熱伝達が行
なわれ、それが、界面の状態に非平面性をもたらすとと
もに、熱の対流作用を増大させている。このような問題
が生じると、製造後の結晶性能に悪い影響を及ぼす不均
一な単結晶構造ができてしまうという好ましくない結果
をもたらす。
め熱絶縁性材料を最大限に利用しているが、完全な断熱
体は実現していない。そのため、半径方向の熱伝達が行
なわれ、それが、界面の状態に非平面性をもたらすとと
もに、熱の対流作用を増大させている。このような問題
が生じると、製造後の結晶性能に悪い影響を及ぼす不均
一な単結晶構造ができてしまうという好ましくない結果
をもたらす。
【００１６】完全な断熱領域をつくる際、更に別の問題
が発生する。それは、プロセスにかけられている液相と
固相との間に、熱伝導率の差異が存在するという事実に
起因するものである。図２に示すように、液相の温度勾
配２６は、固相の温度勾配２８とは異なった傾きになっ
ている。従って、所望の断熱領域内部に単一の均一断熱
材があるだけでは、実際問題、凝固領域における炉と試
料との間での半径方向の熱伝達を、均一にかつ最小限に
することはできない。
が発生する。それは、プロセスにかけられている液相と
固相との間に、熱伝導率の差異が存在するという事実に
起因するものである。図２に示すように、液相の温度勾
配２６は、固相の温度勾配２８とは異なった傾きになっ
ている。従って、所望の断熱領域内部に単一の均一断熱
材があるだけでは、実際問題、凝固領域における炉と試
料との間での半径方向の熱伝達を、均一にかつ最小限に
することはできない。
【００１７】この発明は、固相および液相それぞれから
の半径方向の熱伝達が独立して最小になるよう、２つの
試料の相の熱特性に適合する２つの勾配部３０、３２を
凝固領域周囲に組み込んでいる。これら勾配部３０、３
２の所望の熱特性を制御するには、構成の異なる、すな
わち熱伝導率の異なる材料を用いて行なうか、あるいは
勾配部の寸法形状を変えることによって行なうことがで
きる。
の半径方向の熱伝達が独立して最小になるよう、２つの
試料の相の熱特性に適合する２つの勾配部３０、３２を
凝固領域周囲に組み込んでいる。これら勾配部３０、３
２の所望の熱特性を制御するには、構成の異なる、すな
わち熱伝導率の異なる材料を用いて行なうか、あるいは
勾配部の寸法形状を変えることによって行なうことがで
きる。
【００１８】通常のブリッジマン型炉に使用されている
断熱部とは異なり、勾配部３０、３２に使用する材料に
は、相当に高い熱伝導率を持たせることができる。２つ
の勾配部におけるすべての熱フローは、ほぼ一次元的で
あり、かつ軸方向に流れている。外側の断熱には、通常
の低熱伝導率材料４１を使用する。この発明について説
明したように、材料および形状を決めるのに必要なこと
は、当業者であれば日常の経験さえあればよい。
断熱部とは異なり、勾配部３０、３２に使用する材料に
は、相当に高い熱伝導率を持たせることができる。２つ
の勾配部におけるすべての熱フローは、ほぼ一次元的で
あり、かつ軸方向に流れている。外側の断熱には、通常
の低熱伝導率材料４１を使用する。この発明について説
明したように、材料および形状を決めるのに必要なこと
は、当業者であれば日常の経験さえあればよい。
【００１９】試料に所望の温度レベル２２、２４（図２
参照）を与えるため、制御熱電対３４を、勾配部３０の
左縁部、勾配部３２の右縁部、およびそれらの中間の界
面のところにそれぞれ設けてある。これらの熱電対３４
は、ケーブル３６により、測定された温度をモニタする
制御コンピュータ３８へ接続されている。
参照）を与えるため、制御熱電対３４を、勾配部３０の
左縁部、勾配部３２の右縁部、およびそれらの中間の界
面のところにそれぞれ設けてある。これらの熱電対３４
は、ケーブル３６により、測定された温度をモニタする
制御コンピュータ３８へ接続されている。
【００２０】制御コンピュータ３８は、加熱要素用電源
４０へ接続され、かつそれにより、加熱要素１９、２３
へ送られている電力を個々に調節できる。制御コピュー
タ３８は、所望の炉温度プロファイルが図２に示すよう
な状態となり、それにより、試料の半径方向熱流束を最
小にできるよう、加熱要素によって発生される熱を制御
する。
４０へ接続され、かつそれにより、加熱要素１９、２３
へ送られている電力を個々に調節できる。制御コピュー
タ３８は、所望の炉温度プロファイルが図２に示すよう
な状態となり、それにより、試料の半径方向熱流束を最
小にできるよう、加熱要素によって発生される熱を制御
する。
【００２１】通常の結晶成長炉の場合のように、炉１０
を、アンプル１４に対し軸方向へ並進させる必要があ
る。これは、通常のステッパーとか、あるいは連続ドラ
イブモータ４３によって簡単に行なうことができる。
を、アンプル１４に対し軸方向へ並進させる必要があ
る。これは、通常のステッパーとか、あるいは連続ドラ
イブモータ４３によって簡単に行なうことができる。
【００２２】
【発明の効果】上述の説明から明らかなように、この発
明の装置により、凝固領域における所望の温度プロファ
イルを確保し、かつ、凝固領域内の半径方向の熱伝達を
制御することができる。その結果、優れた界面形状制御
が達成されるので、非常に均一な単結晶を得ることがで
きる。
明の装置により、凝固領域における所望の温度プロファ
イルを確保し、かつ、凝固領域内の半径方向の熱伝達を
制御することができる。その結果、優れた界面形状制御
が達成されるので、非常に均一な単結晶を得ることがで
きる。
【００２３】この発明は、上で述べた実施例に制約され
るものではない。当業者であれば、変形・変更を加えて
この発明を実施できることに思い至る筈である。
るものではない。当業者であれば、変形・変更を加えて
この発明を実施できることに思い至る筈である。
【図１】この発明の実施に使用する炉装置の断面を概略
的に示す断面図であり、軸方向に配置された試料内蔵ア
ンプルを含んだ様子を示す図である。
的に示す断面図であり、軸方向に配置された試料内蔵ア
ンプルを含んだ様子を示す図である。
【図２】炉の温度を、軸方向の距離の関数としてプロッ
トした曲線図である。
トした曲線図である。
１０：炉 １２：試料 １４：アンプル １６：液相 １８：固相 １９：加熱要素 ２０：凝固領域 ２１：支持体 ２２：高温 ２３：加熱要素 ２４：低い温度 ２５：液−固界面 ２６：温度勾配 ３０，３２：勾配部 ３４：熱電対 ３６：ケーブル ３８：制御コンピュータ ４０：電源 ４１：低熱伝導率材料 ４３：ドライブモータ
Claims (7)
- 【請求項１】 単結晶成長が行われている結晶材料の界
面形状を制御するための方法であって、 異なる温度で作動する炉の軸方向に隔離した第１および
第２の加熱要素を、相の熱伝導率が異なるため傾きの異
なった温度勾配を有する液相および固相をつくるように
して、結晶試料に沿って並進させる段階と、 液相からの半径方向の熱伝達を最小にするべく、液相に
適合している予め決められた第１の熱特性を有している
第１の勾配部を、液相との半径方向の整合がなされるよ
うにして設定する段階と、 固相からの半径方向の熱伝達を最小にするべく、固相に
適合している予め決められた第２の熱特性を有してる第
２の勾配部を、固相との半径方向の整合がなされるよう
にして設定する段階とを含むことを特徴とする、結晶材
料の界面形状制御方法。 - 【請求項２】 予め決められた第１の熱特性が、液相に
沿う軸方向距離の関数として、液相を横切る温度勾配と
対応している請求項１記載の結晶材料の界面形状制御方
法。 - 【請求項３】 予め決められた第２の熱特性が、固相に
沿う軸方向距離の関数として、固相を横切る温度勾配と
対応している請求項１記載の結晶材料の界面形状制御方
法。 - 【請求項４】 予め決められた第２の熱特性が、固相に
沿う軸方向距離の関数として、固相を横切る温度勾配と
対応している請求項２記載の結晶材料の界面形状制御方
法。 - 【請求項５】 第１および第２の適合熱特性が、異なる
熱伝導率による勾配部の材料を選択することにより達成
される請求項４記載の結晶材料の界面形状制御方法。 - 【請求項６】 第１および第２の適合熱特性が、異なる
状態の勾配部材料を選択することにより達成される請求
項４記載の結晶材料の界面形状制御方法。 - 【請求項７】 第１および第２の適合熱特性が、それぞ
れに異なる状態を有する異なった勾配部の材料を選択す
ることにより達成される請求項４記載の結晶材料の界面
形状制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34652291A JPH0640793A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 結晶材料の界面形状制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34652291A JPH0640793A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 結晶材料の界面形状制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0640793A true JPH0640793A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=18383996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34652291A Pending JPH0640793A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 結晶材料の界面形状制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640793A (ja) |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34652291A patent/JPH0640793A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5116456A (en) | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form | |
| Jasinski et al. | On control of the crystal-melt interface shape during growth in a vertical Bridgman configuration | |
| JP4324467B2 (ja) | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 | |
| JP6077454B2 (ja) | 半導体を凝固及び／又は結晶化するためのシステム用の熱交換器 | |
| CN105705682A (zh) | 控制炉内坩埚的温度 | |
| US5069742A (en) | Method and apparatus for crystal ribbon growth | |
| US4609035A (en) | Temperature gradient furnace for materials processing | |
| Parsey Jr et al. | A new apparatus for the controlled growth of single crystals by horizontal Bridgman techniques | |
| US5055157A (en) | Method of crystal ribbon growth | |
| US5229083A (en) | Method and apparatus for crystal ribbon growth | |
| US6355910B1 (en) | Heating element for heating crucibles and arrangement of heating elements | |
| Ji et al. | Optimization of temperature field and crystal growth in the PVT method for high-quality 8-inch silicon carbide single crystal growth | |
| US5248377A (en) | Crystal-growth furnace for interface curvature control | |
| JPH0640793A (ja) | 結晶材料の界面形状制御方法 | |
| US4980133A (en) | Apparatus comprising heat pipes for controlled crystal growth | |
| US4925636A (en) | Apparatus for directional solidification of a crystal material | |
| GB2262707A (en) | Crystal-growth furnace for interface curvature control | |
| JP2013075789A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
| JPH09169590A (ja) | 晶出炉 | |
| KR20020096097A (ko) | 실리콘 잉곳 성장 장치 | |
| JP2740512B2 (ja) | ブリツジマン法による定方性凝固用傾斜炉 | |
| JP2697327B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| Rajendran et al. | Advances toward “intelligent processing” of electronic materials: I. Development of local heat transfer control furnace | |
| Kakkireni et al. | Seeded Crystal Growth of Cd-Zn-Te (CZT) Assisted via Numerical Modelling | |
| US3592455A (en) | Device for the displacement of a solidification solid-liquid interface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020903 |