JPH0641375Y2 - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
- Publication number
- JPH0641375Y2 JPH0641375Y2 JP1988076708U JP7670888U JPH0641375Y2 JP H0641375 Y2 JPH0641375 Y2 JP H0641375Y2 JP 1988076708 U JP1988076708 U JP 1988076708U JP 7670888 U JP7670888 U JP 7670888U JP H0641375 Y2 JPH0641375 Y2 JP H0641375Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- antenna
- light
- thin film
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は光によりアンテナの放射特性を制御するアン
テナ装置に関するものである。
テナ装置に関するものである。
第３図は例えばIEEE,1986 APS.,pp.361−364に示され
た従来の光制御ダイオードを給電回路に適用したアンテ
ナ装置の一例を示す図である。図において、（１）は誘
電体基板、（２）は地導体、（３）はマイクロストリッ
プアンテナ、（４）はマイクロストリップ線路からなる
給電線路である。（５）は移相器でブランチライン形ハ
イブリッド（６）、1/4波長マイクロストリップ線路
（７）、PINダイオード（８）、LED（９）およびLEDに
電力を供給する電源ケーブル（10）から成る。ここでは
給電線路（４）と移相器（５）が給電回路を構成してい
る。
た従来の光制御ダイオードを給電回路に適用したアンテ
ナ装置の一例を示す図である。図において、（１）は誘
電体基板、（２）は地導体、（３）はマイクロストリッ
プアンテナ、（４）はマイクロストリップ線路からなる
給電線路である。（５）は移相器でブランチライン形ハ
イブリッド（６）、1/4波長マイクロストリップ線路
（７）、PINダイオード（８）、LED（９）およびLEDに
電力を供給する電源ケーブル（10）から成る。ここでは
給電線路（４）と移相器（５）が給電回路を構成してい
る。
次に動作について説明する。給電線路（４）を伝搬して
きた電波は移相器（５）に入射し、次いでマイクロスト
リップアンテナ（３）へ給電される。移相器（５）では
PINダイオード（８）をLED（９）を使って光照射するか
否かにより、PINダイオード（８）のインピーダンスを
変え、反射位相を変えることによりブランチライン形ハ
イブリッド（６）の出力の位相を変えている。LED
（９）を光らせるか否かは、電源ケーブル（10）を介し
てLED（９）に加える電力をON,OFFすることにより達成
している。
きた電波は移相器（５）に入射し、次いでマイクロスト
リップアンテナ（３）へ給電される。移相器（５）では
PINダイオード（８）をLED（９）を使って光照射するか
否かにより、PINダイオード（８）のインピーダンスを
変え、反射位相を変えることによりブランチライン形ハ
イブリッド（６）の出力の位相を変えている。LED
（９）を光らせるか否かは、電源ケーブル（10）を介し
てLED（９）に加える電力をON,OFFすることにより達成
している。
従来のアンテナ装置は以上のように構成されているの
で、LEDに電力を供給する電源ケーブルがアンテナ上方
に配置される。アンテナの素子数が多くなるとこの電源
ケーブルによりアンテナからの放射電波がブロックされ
たり、電波が結合したりしてアンテナの放射特性が劣化
するという課題があった。
で、LEDに電力を供給する電源ケーブルがアンテナ上方
に配置される。アンテナの素子数が多くなるとこの電源
ケーブルによりアンテナからの放射電波がブロックされ
たり、電波が結合したりしてアンテナの放射特性が劣化
するという課題があった。
この考案は上記のような課題を解消するためになされた
もので、アンテナからの放射電波がケーブルの影響を受
けて放射特性が劣化することなく、光でビームを制御で
きるアンテナ装置を得ることを目的とする。
もので、アンテナからの放射電波がケーブルの影響を受
けて放射特性が劣化することなく、光でビームを制御で
きるアンテナ装置を得ることを目的とする。
上記の目的を達成するために、この考案に係わるアンテ
ナ装置は、片面に地導体を有する半導体基板にマイクロ
ストリップアンテナと、上記アンテナに接続した給電回
路とを一体的に構成したアンテナ装置であって、 上記給電回路を給電線路と移相器で構成し、上記移相器
の可変インピーダンス素子として光によってインピーダ
ンスが変化するダイオードを上記半導体基板に形成し、
上記半導体基板に薄膜光導波路を形成し、上記光導波路
を伝搬する光が上記ダイオードの接合部を照射するよう
上記薄膜光導波路の一端を上記ダイオードの接合部近傍
に配置するようにしたものである。
ナ装置は、片面に地導体を有する半導体基板にマイクロ
ストリップアンテナと、上記アンテナに接続した給電回
路とを一体的に構成したアンテナ装置であって、 上記給電回路を給電線路と移相器で構成し、上記移相器
の可変インピーダンス素子として光によってインピーダ
ンスが変化するダイオードを上記半導体基板に形成し、
上記半導体基板に薄膜光導波路を形成し、上記光導波路
を伝搬する光が上記ダイオードの接合部を照射するよう
上記薄膜光導波路の一端を上記ダイオードの接合部近傍
に配置するようにしたものである。
以上のように構成されたこの考案のアンテナ装置では、
移相器を構成する光による可変インピーダンス素子であ
るダイオードに照射する光を、半導体基板表面に一体化
して形成した薄膜光導波路の光入射端からダイオード照
射端まで導くことにより、アンテナからの放射電波がケ
ーブルに影響されて放射特性が劣化することなく、光で
ビームを制御することができる。
移相器を構成する光による可変インピーダンス素子であ
るダイオードに照射する光を、半導体基板表面に一体化
して形成した薄膜光導波路の光入射端からダイオード照
射端まで導くことにより、アンテナからの放射電波がケ
ーブルに影響されて放射特性が劣化することなく、光で
ビームを制御することができる。
以下、この考案の一実施例について図を参照して説明す
る。第１図、第２図において、（12）はシリコンあるい
はガリウム砒素等の半導体基板、（13）はこの半導体基
板（12）に形成したPIN等の光の強度によりインピーダ
ンス特性が変わるダイオードである。（11）は薄膜光導
波路でスパッタリングで作るガラスあるいはコーティン
グで作る高分子薄膜導波路等である。上記薄膜光導波路
（11）は一端から光を入射し、他の一端はダイオード
（13）のPIN接合部近傍に配置される。第２図（ａ）は
第１図の部分拡大図であり、PIN接合部付近のＡ−Ａ′
断面図を第２図（ｂ）に示す。
る。第１図、第２図において、（12）はシリコンあるい
はガリウム砒素等の半導体基板、（13）はこの半導体基
板（12）に形成したPIN等の光の強度によりインピーダ
ンス特性が変わるダイオードである。（11）は薄膜光導
波路でスパッタリングで作るガラスあるいはコーティン
グで作る高分子薄膜導波路等である。上記薄膜光導波路
（11）は一端から光を入射し、他の一端はダイオード
（13）のPIN接合部近傍に配置される。第２図（ａ）は
第１図の部分拡大図であり、PIN接合部付近のＡ−Ａ′
断面図を第２図（ｂ）に示す。
なお、（２）〜（７）は第３図に示す従来の装置と同様
なものである。
なものである。
第１図、第２図において、薄膜光導波路（11）の一端か
ら光を入射するとダイオード（13）側に位置する薄膜光
導波路（11）の他端からの光がダイオード（13）を照射
する。ダイオード（13）は光が照射されると接合部容量
が大きくなり低インピーダンスになる。逆に光照射を断
つと接合部容量が小さくなり高インピーダンスとなる。
このように、光照射の断続によりダイオード（13）に入
射する電波の反射位相を変えることができ、ブランチラ
イン形ハイブリッド（６）、1/4波長マイクロストリッ
プ線路（７）と共に移相器（５）を構成できる。この移
相器（５）と給電線路（４）とから給電回路は構成され
ている。
ら光を入射するとダイオード（13）側に位置する薄膜光
導波路（11）の他端からの光がダイオード（13）を照射
する。ダイオード（13）は光が照射されると接合部容量
が大きくなり低インピーダンスになる。逆に光照射を断
つと接合部容量が小さくなり高インピーダンスとなる。
このように、光照射の断続によりダイオード（13）に入
射する電波の反射位相を変えることができ、ブランチラ
イン形ハイブリッド（６）、1/4波長マイクロストリッ
プ線路（７）と共に移相器（５）を構成できる。この移
相器（５）と給電線路（４）とから給電回路は構成され
ている。
なお、上記実施例では、半導体基板（12）の表面上に薄
膜光導波路（11）を形成する場合について説明したが、
イオン注入等で半導体基板（12）に直接、導波路を形成
してもよい。
膜光導波路（11）を形成する場合について説明したが、
イオン注入等で半導体基板（12）に直接、導波路を形成
してもよい。
以上のように、この考案によれば光照射によってインピ
ーダンスが変化する半導体基板に形成したダイオード
に、半導体基板に形成した薄膜光導波路を介して光照射
して、アンテナからの放射電波がケーブルの影響を受け
て放射特性が劣化することなく、光でビームを制御でき
るアンテナ装置を得ることができる。
ーダンスが変化する半導体基板に形成したダイオード
に、半導体基板に形成した薄膜光導波路を介して光照射
して、アンテナからの放射電波がケーブルの影響を受け
て放射特性が劣化することなく、光でビームを制御でき
るアンテナ装置を得ることができる。
第１図はこの考案の一実施例を示すアンテナ装置の斜視
図、第２図（ａ）は第１図の部分拡大図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）のＡ−Ａ′断面図、第３図は従来のアン
テナ装置の斜視図である。 （２）は地導体、（３）はマイクロストリップアンテ
ナ、（４）は給電線路、（５）は移相器、（６）はブラ
ンチライン形ハイブリッド、（７）は1/4波長マイクロ
ストリップ線路、（11）は薄膜光導波路、（12）は半導
体基板、（13）はダイオードである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
図、第２図（ａ）は第１図の部分拡大図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）のＡ−Ａ′断面図、第３図は従来のアン
テナ装置の斜視図である。 （２）は地導体、（３）はマイクロストリップアンテ
ナ、（４）は給電線路、（５）は移相器、（６）はブラ
ンチライン形ハイブリッド、（７）は1/4波長マイクロ
ストリップ線路、（11）は薄膜光導波路、（12）は半導
体基板、（13）はダイオードである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】片面に地導体を有する半導体基板にマイク
ロストリップアンテナと、上記アンテナに接続した給電
回路とを一体的に構成したアンテナ装置であって、 上記給電回路を給電線路と移相器で構成し、上記移相器
の可変インピーダンス素子として光によってインピーダ
ンスが変化するダイオードを上記半導体基板に形成し、
上記半導体基板に薄膜光導波路を形成し、上記薄膜光導
波路を伝搬する光が上記ダイオードの接合部を照射する
よう上記薄膜光導波路の一端を上記ダイオードの接合部
近傍に配置したことを特徴とするアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988076708U JPH0641375Y2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988076708U JPH0641375Y2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | アンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179612U JPH01179612U (ja) | 1989-12-22 |
| JPH0641375Y2 true JPH0641375Y2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=31301721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988076708U Expired - Lifetime JPH0641375Y2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641375Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289821U (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-09 |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP1988076708U patent/JPH0641375Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01179612U (ja) | 1989-12-22 |
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