JPH0642070B2 - マスクｒｏｍ集積回路の露光データ作成方法 - Google Patents
マスクｒｏｍ集積回路の露光データ作成方法Info
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- JPH0642070B2 JPH0642070B2 JP9606188A JP9606188A JPH0642070B2 JP H0642070 B2 JPH0642070 B2 JP H0642070B2 JP 9606188 A JP9606188 A JP 9606188A JP 9606188 A JP9606188 A JP 9606188A JP H0642070 B2 JPH0642070 B2 JP H0642070B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 データ処理によってマスクＲＯＭ集積回路を露光するた
めの露光データファイルを作成するマスクＲＯＭ集積回
路の露光データ作成方法に関し、 露光データ作成の時間を短縮化することを目的とし、 単一の品種でＲＯＭ部のパターンのみが書込むデータに
応じて異なり、ＲＯＭ部のパターン以外の周辺回路部の
パターンが同一であるマスクＲＯＭ集積回路を露光装置
で製造するための露光データを作成するマスクＲＯＭ集
積回路の露光データ作成方法において、該ＲＯＭ部を構
成する複数のＲＯＭセルのセル配置情報を書込みデータ
の値に拘らず該露光装置で用いる形態に予め処理し、セ
ル配置情報変換ファイルとして登録し、該周辺回路部の
パターンの配置情報から該露光装置で該周辺回路部のパ
ターンの露光に用いるバルク露光データを予め生成して
バルク露光データファイルとして登録しておき、該書込
むデータが与えられたとき、該書込むデータのビット毎
の真理値と該セル情報変換ファイルとから該露光装置で
該ＲＯＭ部のパターンの露光に用いるＲＯＭパターン露
光データを生成し、該バルク露光データファイルからの
バルク露光データと組合わせて該マスクＲＯＭ集積回路
全体の露光データを得るよう構成する。
めの露光データファイルを作成するマスクＲＯＭ集積回
路の露光データ作成方法に関し、 露光データ作成の時間を短縮化することを目的とし、 単一の品種でＲＯＭ部のパターンのみが書込むデータに
応じて異なり、ＲＯＭ部のパターン以外の周辺回路部の
パターンが同一であるマスクＲＯＭ集積回路を露光装置
で製造するための露光データを作成するマスクＲＯＭ集
積回路の露光データ作成方法において、該ＲＯＭ部を構
成する複数のＲＯＭセルのセル配置情報を書込みデータ
の値に拘らず該露光装置で用いる形態に予め処理し、セ
ル配置情報変換ファイルとして登録し、該周辺回路部の
パターンの配置情報から該露光装置で該周辺回路部のパ
ターンの露光に用いるバルク露光データを予め生成して
バルク露光データファイルとして登録しておき、該書込
むデータが与えられたとき、該書込むデータのビット毎
の真理値と該セル情報変換ファイルとから該露光装置で
該ＲＯＭ部のパターンの露光に用いるＲＯＭパターン露
光データを生成し、該バルク露光データファイルからの
バルク露光データと組合わせて該マスクＲＯＭ集積回路
全体の露光データを得るよう構成する。
本発明はマスクＲＯＭ集積回路の露光データ作成方法に
関し、特にデータ処理によってマスクＲＯＭ集積回路を
露光するための露光データファイルを作成するマスクＲ
ＯＭ集積回路の露光データ作成方法に関する。
関し、特にデータ処理によってマスクＲＯＭ集積回路を
露光するための露光データファイルを作成するマスクＲ
ＯＭ集積回路の露光データ作成方法に関する。
マスクＲＯＭ集積回路は高性能化、高信頼性化、低価格
化により、その使用量が急増しており、また日本語情報
処理の急激な発展に伴ないプリンタ、ＣＲＴディスプレ
イ等の漢字パターン発生用メモリとして大容量のマスク
ＲＯＭ集積回路の使用量が増大している。
化により、その使用量が急増しており、また日本語情報
処理の急激な発展に伴ないプリンタ、ＣＲＴディスプレ
イ等の漢字パターン発生用メモリとして大容量のマスク
ＲＯＭ集積回路の使用量が増大している。
このような状況下でマスクＲＯＭ集積回路製品の短納期
化が要望されている。
化が要望されている。
マスクＲＯＭ集積回路の露光パターンは第３図に示す如
く、集積回路を構成するメインパターン１１と位置合せ
用の周辺パターン１２とからなる。メインパターン１１
内にはＲＯＭパターン１３と、それ以外のデコーダパタ
ーン１４及びセンスアンプパターン１５及び入出力回路
のパターン（図示せず）等のバルクのパターンとが配置
される。
く、集積回路を構成するメインパターン１１と位置合せ
用の周辺パターン１２とからなる。メインパターン１１
内にはＲＯＭパターン１３と、それ以外のデコーダパタ
ーン１４及びセンスアンプパターン１５及び入出力回路
のパターン（図示せず）等のバルクのパターンとが配置
される。
セル形成層 ここで、マスクＲＯＭ集積回路を製造するには第４図に
示す如く多層のマスク１６が必要である。マスクＲＯＭ
の品種が異なると、多層のマスク１６は全て異なるが、
同一の品種においてはマスクＲＯＭに書込むデータが異
なっても多層のマスク１６のうちセル形成層のマスク１
６ｎが異なるだけで他のマスクは同一のものを使用でき
る。
示す如く多層のマスク１６が必要である。マスクＲＯＭ
の品種が異なると、多層のマスク１６は全て異なるが、
同一の品種においてはマスクＲＯＭに書込むデータが異
なっても多層のマスク１６のうちセル形成層のマスク１
６ｎが異なるだけで他のマスクは同一のものを使用でき
る。
第３図のＲＯＭパターン１３内には第５図に示す如く、
ＲＯＭセル１７が複数個マトリクス状に並べられてお
り、その上方にワード線１８ａ及びビット線１８ｂが設
けられている。セル形成層のマスク１６ｎは、ＲＯＭパ
ターン１３において各ＲＯＭセル１７にビット線１８ｂ
を接続するセル形成窓（即ちビヤホール）１９のパター
ンを形成するためのマスクである。このセル形成窓１９
を持つＲＯＭセル１７は例えば値１を記憶し、セル
形成窓１９を持たないＲＯＭセル１７は値０を記憶
することになる。
ＲＯＭセル１７が複数個マトリクス状に並べられてお
り、その上方にワード線１８ａ及びビット線１８ｂが設
けられている。セル形成層のマスク１６ｎは、ＲＯＭパ
ターン１３において各ＲＯＭセル１７にビット線１８ｂ
を接続するセル形成窓（即ちビヤホール）１９のパター
ンを形成するためのマスクである。このセル形成窓１９
を持つＲＯＭセル１７は例えば値１を記憶し、セル
形成窓１９を持たないＲＯＭセル１７は値０を記憶
することになる。
勿論、デコーダ１４及びセンスアンプ１５等においても
セル形成層１６ｎのマスクはワード線１８ａ、ビット線
１８ｂ夫々とデコーダ１４、センスアンプ１５夫々とを
接続するセル形成窓のパターンを有するが、この部分は
品種毎に固定されている。
セル形成層１６ｎのマスクはワード線１８ａ、ビット線
１８ｂ夫々とデコーダ１４、センスアンプ１５夫々とを
接続するセル形成窓のパターンを有するが、この部分は
品種毎に固定されている。
第６図は従来のマスクＲＯＭ集積回路の露光データ作成
方法の一例のシステムフローチャートを示す。このフロ
ーチャートはセル形成層に関するものである。
方法の一例のシステムフローチャートを示す。このフロ
ーチャートはセル形成層に関するものである。
同図中、ジョブステップ２１の入力データ処理ではマス
クＲＯＭに書込むデータである書込みデータファイル２
２をカード入力される編集指示情報２３に従って編集
し、かつデータチェックを行なって、第７図（Ａ）に示
す如き真理値テータファイル２４を生成する。
クＲＯＭに書込むデータである書込みデータファイル２
２をカード入力される編集指示情報２３に従って編集
し、かつデータチェックを行なって、第７図（Ａ）に示
す如き真理値テータファイル２４を生成する。
ジョブステップ２５のＲＯＭパターン発生処理では上記
真理値データファイル２４と、カード入力される第７図
（Ｂ）に示す如きＲＯＭパターン１３に関するセル配置
情報２６（図中、ｘはｘ座標、ｙはｙ座標、πは回転角
度、＊はメモリでのアドレスを示す）とから、書込みデ
ータに応じた第７図（Ｃ）に示す如きＲＯＭパターンを
発生する。更にデコーダパターン１４、センスアンプパ
ターン１５等に関するバルク情報ファイル２７から上記
デコーダパターン、センスアンプ等を発生して露光デー
タ第１中間ファイル２８を生成する。
真理値データファイル２４と、カード入力される第７図
（Ｂ）に示す如きＲＯＭパターン１３に関するセル配置
情報２６（図中、ｘはｘ座標、ｙはｙ座標、πは回転角
度、＊はメモリでのアドレスを示す）とから、書込みデ
ータに応じた第７図（Ｃ）に示す如きＲＯＭパターンを
発生する。更にデコーダパターン１４、センスアンプパ
ターン１５等に関するバルク情報ファイル２７から上記
デコーダパターン、センスアンプ等を発生して露光デー
タ第１中間ファイル２８を生成する。
この露光データ第一中間ファイル２８ではＲＯＭパター
ンは階層の展開を行なわれているが、その他のバルクに
ついては階層構造であるため、ジョブステップ２９でこ
れらの階層展開処理を行ない、露光データ第２中間ファ
イル３０を得る。
ンは階層の展開を行なわれているが、その他のバルクに
ついては階層構造であるため、ジョブステップ２９でこ
れらの階層展開処理を行ない、露光データ第２中間ファ
イル３０を得る。
この後、露光データ第２中間ファイル３０を電子ビーム
露光用にフィールド分割、サブフィールド分割を行な
い、さらにサブフィールト内での電子ビームのスキャン
順序を決定して電子ビーム露光装置に供給する露光デー
タファイル３２を生成する。
露光用にフィールド分割、サブフィールド分割を行な
い、さらにサブフィールト内での電子ビームのスキャン
順序を決定して電子ビーム露光装置に供給する露光デー
タファイル３２を生成する。
マスクＲＯＭ集積回路は品種が同一であれば、セル形成
層以外の他の層のパターンは同一であり、セル形成層に
おいてもバルク情報から得られるパターンは同一で、た
だセル形成層のＲＯＭパターンのみが異なる。
層以外の他の層のパターンは同一であり、セル形成層に
おいてもバルク情報から得られるパターンは同一で、た
だセル形成層のＲＯＭパターンのみが異なる。
しかるに従来は同一品種のマスクＲＯＭの露光データを
作成する場合にも、夫々ジョブステップ２５においてセ
ル形成層の全パターンを発生している。このためにはジ
ョブステップ２５内でセル配置情報についてのエビスデ
ィックコードからバイナリーコードへの変換、各パター
ンについて階層の展開、レチクル倍率の乗算、近接効果
補正等のシフト、多重露光部分の除去、フィールド分割
及びサブフィールド分割、スキャン順序の決定等の複雑
な各種処理を行なわねばならない。
作成する場合にも、夫々ジョブステップ２５においてセ
ル形成層の全パターンを発生している。このためにはジ
ョブステップ２５内でセル配置情報についてのエビスデ
ィックコードからバイナリーコードへの変換、各パター
ンについて階層の展開、レチクル倍率の乗算、近接効果
補正等のシフト、多重露光部分の除去、フィールド分割
及びサブフィールド分割、スキャン順序の決定等の複雑
な各種処理を行なわねばならない。
従って、従来方法では露光データ作成に多大の時間がか
かり、製品の短納期化が制限されるという問題があっ
た。
かり、製品の短納期化が制限されるという問題があっ
た。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、露光データ作
成の時間を短縮化するマスクＲＯＭ集積回路の露光デー
タ作成方法を提供することを目的とする。
成の時間を短縮化するマスクＲＯＭ集積回路の露光デー
タ作成方法を提供することを目的とする。
本発明のマスクＲＯＭ集積回路の露光データ作成方法
は、 単一の品種でＲＯＭ部のパターン（１３）のみが書込む
データに応じて異なり、ＲＯＭ部のパターン（１３）以
外の周辺回路部のパターン（１４，１５）が同一である
マスクＲＯＭ集積回路（１０）を露光装置で製造するた
めの露光データを作成するマスクＲＯＭ集積回路の露光
データ作成方法において、 ＲＯＭ部を構成する複数のＲＯＭセルのセル配置情報
（５０）を書込みデータの値に拘らず露光装置で用いる
形態に予め処理し、セル配置情報変換ファイル（５２）
として登録し（５１）、 周辺回路部のパターンの配置情報から露光装置で周辺回
路部のパターン（１４，１５）の露光に用いるバルク露
光データを予め生成してバルク露光データファイル（５
５）として登録しておき（５４）、 書込むデータが与えられたとき、書込むデータのビット
毎の真理値と該セル情報変換ファイル（５２）とから露
光装置でＲＯＭ部のパターン（１３）の露光に用いるＲ
ＯＭパターン露光データを生成し、バルク露光データフ
ァイル（５５）からのバルク露光データと組合わせてマ
スクＲＯＭ集積回路（１０）全体の露光データを得る
（６０）。
は、 単一の品種でＲＯＭ部のパターン（１３）のみが書込む
データに応じて異なり、ＲＯＭ部のパターン（１３）以
外の周辺回路部のパターン（１４，１５）が同一である
マスクＲＯＭ集積回路（１０）を露光装置で製造するた
めの露光データを作成するマスクＲＯＭ集積回路の露光
データ作成方法において、 ＲＯＭ部を構成する複数のＲＯＭセルのセル配置情報
（５０）を書込みデータの値に拘らず露光装置で用いる
形態に予め処理し、セル配置情報変換ファイル（５２）
として登録し（５１）、 周辺回路部のパターンの配置情報から露光装置で周辺回
路部のパターン（１４，１５）の露光に用いるバルク露
光データを予め生成してバルク露光データファイル（５
５）として登録しておき（５４）、 書込むデータが与えられたとき、書込むデータのビット
毎の真理値と該セル情報変換ファイル（５２）とから露
光装置でＲＯＭ部のパターン（１３）の露光に用いるＲ
ＯＭパターン露光データを生成し、バルク露光データフ
ァイル（５５）からのバルク露光データと組合わせてマ
スクＲＯＭ集積回路（１０）全体の露光データを得る
（６０）。
本発明方法においては、マスクＲＯＭ集積回路の新たな
品種を開発するときにセル配置情報変換ファイル（５
２）とバルク露光データファイル（５５）とを生成して
登録しておき、 書込みデータが与えられたときはセル配置情報ファイル
（５２）を利用してＲＯＭパターン露光データを簡単に
生成し、これにバルク露光データファイル（５５）のバ
ルク露光データを組合わせてマスクＲＯＭ集積回路全体
の露光データを得る。
品種を開発するときにセル配置情報変換ファイル（５
２）とバルク露光データファイル（５５）とを生成して
登録しておき、 書込みデータが与えられたときはセル配置情報ファイル
（５２）を利用してＲＯＭパターン露光データを簡単に
生成し、これにバルク露光データファイル（５５）のバ
ルク露光データを組合わせてマスクＲＯＭ集積回路全体
の露光データを得る。
このため書込みデータを与えられたときの処理が従来に
比して大幅に簡単となり、処理時間が大幅に短縮され
る。
比して大幅に簡単となり、処理時間が大幅に短縮され
る。
第２図は本発明方法を実現するためのシステムの構成図
を示す。
を示す。
同図中、４０はＣＰＵであり、４１，４２は記憶装置で
ある。記憶装置４１には第１図に示す各ジョブステップ
のプログラムが格納されており、ＣＰＵ４０によって順
次読出されて実行される。記憶装置４２には第１図に示
す各ファイルが格納される。また、カードリーダ４３は
入力カードを読取ってＣＰＵ４０に供給する。
ある。記憶装置４１には第１図に示す各ジョブステップ
のプログラムが格納されており、ＣＰＵ４０によって順
次読出されて実行される。記憶装置４２には第１図に示
す各ファイルが格納される。また、カードリーダ４３は
入力カードを読取ってＣＰＵ４０に供給する。
第１図は本発明方法の一実施例のシステムフローチャー
トを示す。このフローチャートはセル形成層に関するも
のであり、本発明方法では露光データ作成が３分割され
ている。
トを示す。このフローチャートはセル形成層に関するも
のであり、本発明方法では露光データ作成が３分割され
ている。
第１図（Ａ）において、カード入力されるセル配置情報
５０はジョブステップ５１のセル配置情報トランスレー
ト処理でまずエビスディックコードからバイナリーコー
ドに変換される。この後ジョブステップ５１ではパター
ンの階層展開を行ない、全セルパターン即ちセル形成窓
のパターン毎にレチクル倍率を乗算し、かつ近接効果補
正等のシフト（パターンの補正）を行ない、更にフィー
ルド分割及びサブフィールド分割を行ない、分割された
各サブフィールド内でのセルパターンのスキャン順序を
決定してセル配置情報変換ファイル５２を生成する。
５０はジョブステップ５１のセル配置情報トランスレー
ト処理でまずエビスディックコードからバイナリーコー
ドに変換される。この後ジョブステップ５１ではパター
ンの階層展開を行ない、全セルパターン即ちセル形成窓
のパターン毎にレチクル倍率を乗算し、かつ近接効果補
正等のシフト（パターンの補正）を行ない、更にフィー
ルド分割及びサブフィールド分割を行ない、分割された
各サブフィールド内でのセルパターンのスキャン順序を
決定してセル配置情報変換ファイル５２を生成する。
このセル配置情報変換ファイル５２は各セルパターンに
ついてチップ上での配置位置及びメモリ内でのアドレス
を有しており、セル形成窓の有無が不定であることを除
くと第７図（Ｃ）に示す如きＲＯＭパターン１３の露光
データそのものである。
ついてチップ上での配置位置及びメモリ内でのアドレス
を有しており、セル形成窓の有無が不定であることを除
くと第７図（Ｃ）に示す如きＲＯＭパターン１３の露光
データそのものである。
第１図（Ｂ）において、バルク情報ファイル５３にはメ
インパターン１１内のＲＯＭパターン１３を除くデコー
ダ１４、センスアンプ１５等のバルクに関するバルク情
報が格納されている。
インパターン１１内のＲＯＭパターン１３を除くデコー
ダ１４、センスアンプ１５等のバルクに関するバルク情
報が格納されている。
このバルク情報ファイル５３はジョブステップ５４でバ
ルク露光データ作成処理を行なわれる。ここでは、パタ
ーンの階層展開を行ない、各パターン毎にレチクル倍率
を乗算し、かつ近接効果補正等のシフトを行ない、更に
隣接するパターン間の多重露光部分を除去し、フィール
ド分割及びサブフィールド分割を行ない、分割された各
サブフィールド内でのパターンのスキャン順序を決定し
て、デコーダ１４、センスアンプ１５等のバルクを露光
するためのバルク露光データファイル５５を生成する。
ルク露光データ作成処理を行なわれる。ここでは、パタ
ーンの階層展開を行ない、各パターン毎にレチクル倍率
を乗算し、かつ近接効果補正等のシフトを行ない、更に
隣接するパターン間の多重露光部分を除去し、フィール
ド分割及びサブフィールド分割を行ない、分割された各
サブフィールド内でのパターンのスキャン順序を決定し
て、デコーダ１４、センスアンプ１５等のバルクを露光
するためのバルク露光データファイル５５を生成する。
第１図（Ａ），（Ｂ）に示すセル配置情報トランスレー
ト処理及びバルク露光データ作成処理は新たにマスクＲ
ＯＭ集積回路の１品種を開発する当初においてのみ実行
され、これによって得られたセル配置情報ファイル５２
及びバルク露光データファイル５５はライブラリー登録
されて保管される。
ト処理及びバルク露光データ作成処理は新たにマスクＲ
ＯＭ集積回路の１品種を開発する当初においてのみ実行
され、これによって得られたセル配置情報ファイル５２
及びバルク露光データファイル５５はライブラリー登録
されて保管される。
第１図（Ｃ）において、書込みデータファイル５６には
ユーザがマスクＲＯＭに書込むデータが格納されてい
る。カード入力される編集指示情報５７は書込みデータ
ファイル５６が例えば１ワード８ビットで各１Ｍビット
の４ファイル構成であり、製造するマスクＲＯＭの品種
が例えば１ワード３２ビットで４Ｍビットの１ファイル
である場合のその編集を指示する情報、その他に製造す
るマスクＲＯＭの品種名、及びマスクＲＯＭに書込むデ
ータを特定するためのユーザーナンバー等の情報で構成
されている。
ユーザがマスクＲＯＭに書込むデータが格納されてい
る。カード入力される編集指示情報５７は書込みデータ
ファイル５６が例えば１ワード８ビットで各１Ｍビット
の４ファイル構成であり、製造するマスクＲＯＭの品種
が例えば１ワード３２ビットで４Ｍビットの１ファイル
である場合のその編集を指示する情報、その他に製造す
るマスクＲＯＭの品種名、及びマスクＲＯＭに書込むデ
ータを特定するためのユーザーナンバー等の情報で構成
されている。
ジョブステップ５８の入力データ処理では書込みデータ
ファイル５６を編集指示情報５７に従って編集し、かつ
書込みデータに付加されているエラー検出コードを用い
てデータチェックを行ない真理値データファイル５９を
生成する。
ファイル５６を編集指示情報５７に従って編集し、かつ
書込みデータに付加されているエラー検出コードを用い
てデータチェックを行ない真理値データファイル５９を
生成する。
この真理値データファイル５９は書込みデータの各ビッ
トについて、メモリ内でのアドレス、及びセル形成窓の
有無を表わす１又は０の真理値（例えば１
がセル形成窓有りを示す）を有しており、この他に品種
名及びユーザーナンバーが付加されている。
トについて、メモリ内でのアドレス、及びセル形成窓の
有無を表わす１又は０の真理値（例えば１
がセル形成窓有りを示す）を有しており、この他に品種
名及びユーザーナンバーが付加されている。
ジョブステップ６０のＲＯＭパターン発生処理では、上
記真理値データファイル５９を読込むと共に、ライブラ
リー登録されているセル配置情報変換ファイル５２及び
バルク露光データファイル５５を読込み、真理値データ
ファイル５９とセル配置情報ファイル５２とをメモリ内
のアドレスによりマッチングして、各セルパターンにつ
いてセル形成窓の有無の情報を加味しＲＯＭパターン露
光データを生成する。これと共にバルク露光データに品
種名及びユーザーナンバーを表示するパターンを付加し
た後、上記ＲＯＭパターンの露光データとマージしてメ
インパターン１１全体を電子ビーム露光装置で露光する
ための露光データファイル６１を生成する。
記真理値データファイル５９を読込むと共に、ライブラ
リー登録されているセル配置情報変換ファイル５２及び
バルク露光データファイル５５を読込み、真理値データ
ファイル５９とセル配置情報ファイル５２とをメモリ内
のアドレスによりマッチングして、各セルパターンにつ
いてセル形成窓の有無の情報を加味しＲＯＭパターン露
光データを生成する。これと共にバルク露光データに品
種名及びユーザーナンバーを表示するパターンを付加し
た後、上記ＲＯＭパターンの露光データとマージしてメ
インパターン１１全体を電子ビーム露光装置で露光する
ための露光データファイル６１を生成する。
既に開発されている品種のマスクＲＯＭでは、ユーザの
注文に応じて第１図（Ｃ）に示す入力データ処理５８及
びＲＯＭパターン発生処理だけが実行される。
注文に応じて第１図（Ｃ）に示す入力データ処理５８及
びＲＯＭパターン発生処理だけが実行される。
第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示す全ての処理を実行
すると従来と同様の処理時間を必要とするが、既に開発
されている品種のマスクＲＯＭでは比較的長時間を要す
るジョブステップ５１，５４を実行する必要がないた
め、第１図（Ｃ）のジョブを実行する時間は従来の１／
５〜１／１０に短縮化される。
すると従来と同様の処理時間を必要とするが、既に開発
されている品種のマスクＲＯＭでは比較的長時間を要す
るジョブステップ５１，５４を実行する必要がないた
め、第１図（Ｃ）のジョブを実行する時間は従来の１／
５〜１／１０に短縮化される。
上述のごとく、本発明のマスクＲＯＭ集積回路の露光デ
ータ作成方法によれば、露光データを作成するに要する
処理時間が従来に比して大幅に短縮化され、製品の短納
期化を実現でき、実用上きわめて有用である。
ータ作成方法によれば、露光データを作成するに要する
処理時間が従来に比して大幅に短縮化され、製品の短納
期化を実現でき、実用上きわめて有用である。
第１図は本発明方法の一実施例のシステムフローチャー
ト、 第２図は本発明方法を実現するためのシステム構成図、 第３図はマスクＲＯＭ集積回路を説明するための図、 第４図は多層のマスクを説明するための図、 第５図はＲＯＭセルを説明するための図、 第６図は従来方法のシステムフローチャート、 第７図は第６図の一部処理を説明するための図である。 図において ５０はセル配置情報、 ５１はセル配置情報トランスレート処理、 ５２はセル配置情報変換ファイル、 ５３はバルク情報ファイル、 ５４はバルク露光データ作成処理、 ５５はバルク露光データファイル、 ５６は書込みデータファイル、 ５８は入力データ処理、 ５９は真理値データファイル、 ６０はＲＯＭパターン発生処理 を示す。
ト、 第２図は本発明方法を実現するためのシステム構成図、 第３図はマスクＲＯＭ集積回路を説明するための図、 第４図は多層のマスクを説明するための図、 第５図はＲＯＭセルを説明するための図、 第６図は従来方法のシステムフローチャート、 第７図は第６図の一部処理を説明するための図である。 図において ５０はセル配置情報、 ５１はセル配置情報トランスレート処理、 ５２はセル配置情報変換ファイル、 ５３はバルク情報ファイル、 ５４はバルク露光データ作成処理、 ５５はバルク露光データファイル、 ５６は書込みデータファイル、 ５８は入力データ処理、 ５９は真理値データファイル、 ６０はＲＯＭパターン発生処理 を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】単一の品種でＲＯＭ部のパターン（１３）
のみが書込むデータ応じて異なり、ＲＯＭ部のパターン
（１３）以外の周辺回路部のパターン（１４，１５）が
同一であるマスクＲＯＭ集積回路（１０）を露光装置で
製造するための露光データを作成するマスクＲＯＭ集積
回路の露光データ作成方法において、 該ＲＯＭ部を構成する複数のＲＯＭセルのセル配置情報
（５０）を書込みデータの値に拘らず該露光装置で用い
る形態に予め処理し、セル配置情報変換ファイル（５
２）として登録し（５１）、 該周辺回路部のパターンの配置情報から該露光装置で該
周辺回路部のパターン（１４，１５）の露光に用いるバ
ルク露光データを予め生成してバルク露光データファイ
ル（５５）として登録しておき（５４）、 該書込むデータが与えられたとき、該書込むデータのビ
ット毎の真理値と該セル情報変換ファイル（５２）とか
ら該露光装置で該ＲＯＭ部のパターン（１３）の露光に
用いるＲＯＭパターン露光データを生成し、該バルク露
光データファイル（５５）からのバルク露光データと組
合わせて該マスクＲＯＭ集積回路（１０）全体の露光デ
ータを得る（６０）ことを特徴とするマスクＲＯＭ集積
回路の露光データ作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606188A JPH0642070B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | マスクｒｏｍ集積回路の露光データ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606188A JPH0642070B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | マスクｒｏｍ集積回路の露光データ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267549A JPH01267549A (ja) | 1989-10-25 |
| JPH0642070B2 true JPH0642070B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=14154921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9606188A Expired - Fee Related JPH0642070B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | マスクｒｏｍ集積回路の露光データ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642070B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996022973A1 (fr) * | 1995-01-23 | 1996-08-01 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Derives de vitamine d3 de 2-substitution |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9606188A patent/JPH0642070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01267549A (ja) | 1989-10-25 |
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