JPH0643501A - 同調可能エタロンフィルタ - Google Patents
同調可能エタロンフィルタInfo
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- JPH0643501A JPH0643501A JP5124848A JP12484893A JPH0643501A JP H0643501 A JPH0643501 A JP H0643501A JP 5124848 A JP5124848 A JP 5124848A JP 12484893 A JP12484893 A JP 12484893A JP H0643501 A JPH0643501 A JP H0643501A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 同調可能エタロンフィルタにおいて、高い同
調可能性、狭い通過帯域、低い挿入損失を実現する。 【構成】 同調可能エタロンフィルタが、温度とともに
屈折率が比較的高速に変化する材料のスペーサの両側に
鏡を設置し、温度を制御し、それによってスペーサの屈
折率を制御する温度制御手段にフィルタを結合すること
によって、形成される。スペーサは、シリコンウェハ、
または硫化亜鉛もしくはセレン化亜鉛などである。鏡
は、高屈折率材料および低屈折率材料の誘電体被覆の4
分の1波長層の対から形成される。温度制御手段は、加
熱または冷却によってスペーサの温度を制御するヒート
シンクに結合された熱電冷却器である。フィルタは、受
信光信号の角度に対するその角度を調節することによっ
て所望のチャネルに粗同調される。次に、スペーサの温
度を調節することによって、送信機信号にロックされ
る。
調可能性、狭い通過帯域、低い挿入損失を実現する。 【構成】 同調可能エタロンフィルタが、温度とともに
屈折率が比較的高速に変化する材料のスペーサの両側に
鏡を設置し、温度を制御し、それによってスペーサの屈
折率を制御する温度制御手段にフィルタを結合すること
によって、形成される。スペーサは、シリコンウェハ、
または硫化亜鉛もしくはセレン化亜鉛などである。鏡
は、高屈折率材料および低屈折率材料の誘電体被覆の4
分の1波長層の対から形成される。温度制御手段は、加
熱または冷却によってスペーサの温度を制御するヒート
シンクに結合された熱電冷却器である。フィルタは、受
信光信号の角度に対するその角度を調節することによっ
て所望のチャネルに粗同調される。次に、スペーサの温
度を調節することによって、送信機信号にロックされ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光フィルタの分野に関
し、特に、同調可能エタロンフィルタに関する。
し、特に、同調可能エタロンフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】同調可能光フィルタは、波長分割多重化
光通信システムにおいてチャネルを選択するために必要
である。チャネルを選択するために使用される他に、同
調可能光フィルタは、光増幅器を含む増幅波長分割多重
化システムでノイズをフィルタ除去する際に重要であ
る。
光通信システムにおいてチャネルを選択するために必要
である。チャネルを選択するために使用される他に、同
調可能光フィルタは、光増幅器を含む増幅波長分割多重
化システムでノイズをフィルタ除去する際に重要であ
る。
【0003】これらの応用で使用される場合、同調可能
光フィルタは、広い同調可能性、狭い通過帯域、低い挿
入損失、送信機信号に容易にロックされること、信頼性
が高いこと、安価であること、などの特別の所望される
特性を有するべきである。
光フィルタは、広い同調可能性、狭い通過帯域、低い挿
入損失、送信機信号に容易にロックされること、信頼性
が高いこと、安価であること、などの特別の所望される
特性を有するべきである。
【0004】現在、上記の所望される特性の一部または
ほとんどを有するさまざまな光フィルタが存在する。例
えば、A)ファイバファブリ−ペロー干渉計、B)角度
同調エタロンフィルタ、C)液晶エタロンフィルタ、
D)Ti:LiNbO3電気光学波長フィルタ、および
E)DFBまたはDBR能動光フィルタである。
ほとんどを有するさまざまな光フィルタが存在する。例
えば、A)ファイバファブリ−ペロー干渉計、B)角度
同調エタロンフィルタ、C)液晶エタロンフィルタ、
D)Ti:LiNbO3電気光学波長フィルタ、および
E)DFBまたはDBR能動光フィルタである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このリストは、完全で
はないが、現在知られている多くの異なる種類の光フィ
ルタを代表している。これらのうちには、上記の所望さ
れる特性のうちの多くを有するものもあるが、どの1つ
をとっても、所望されるすべての特性を満足するものは
ない。これらのフィルタの特性は他の文献で詳細に比較
されている(例えば、「高密度波長分割多重化システム
における光チャネル選択用の角度同調エタロンフィル
タ」、J.Lightwave Technol.第7
巻615〜624ページ(1989年)参照。)
はないが、現在知られている多くの異なる種類の光フィ
ルタを代表している。これらのうちには、上記の所望さ
れる特性のうちの多くを有するものもあるが、どの1つ
をとっても、所望されるすべての特性を満足するものは
ない。これらのフィルタの特性は他の文献で詳細に比較
されている(例えば、「高密度波長分割多重化システム
における光チャネル選択用の角度同調エタロンフィル
タ」、J.Lightwave Technol.第7
巻615〜624ページ(1989年)参照。)
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の所望さ
れるすべての特性を有する光フィルタである。
れるすべての特性を有する光フィルタである。
【0007】本発明では、同調可能エタロンフィルタ
が、温度とともに屈折率が比較的高速に変化する材料の
スペーサの両側に鏡を設置し、温度を制御し、それによ
ってスペーサの屈折率を制御する温度制御手段にフィル
タを結合することによって、形成される。特に、2つの
鏡の間にあるスペーサは、シリコンウェハ、または硫化
亜鉛もしくはセレン化亜鉛などである。鏡は、高屈折率
材料および低屈折率材料の誘電体被覆の4分の1波長層
の対から形成される。温度制御手段は、加熱または冷却
によってスペーサの温度を制御するヒートシンクに結合
された熱電冷却器である。
が、温度とともに屈折率が比較的高速に変化する材料の
スペーサの両側に鏡を設置し、温度を制御し、それによ
ってスペーサの屈折率を制御する温度制御手段にフィル
タを結合することによって、形成される。特に、2つの
鏡の間にあるスペーサは、シリコンウェハ、または硫化
亜鉛もしくはセレン化亜鉛などである。鏡は、高屈折率
材料および低屈折率材料の誘電体被覆の4分の1波長層
の対から形成される。温度制御手段は、加熱または冷却
によってスペーサの温度を制御するヒートシンクに結合
された熱電冷却器である。
【0008】フィルタは、受信光信号の角度に対するそ
の角度を調節することによって所望のチャネルに粗同調
される。次に、スペーサの温度を調節することによっ
て、送信機信号にロックされる。
の角度を調節することによって所望のチャネルに粗同調
される。次に、スペーサの温度を調節することによっ
て、送信機信号にロックされる。
【0009】
【実施例】本発明のエタロンフィルタは、温度とともに
屈折率が比較的高速に変化するスペーサで形成される。
本発明の温度同調フィルタは、その角度を調節すること
によって所望のチャネルに粗同調された後、その温度を
変化させることによって送信機信号にロックされる。こ
のフィルタは、広い自由スペクトル範囲、狭い通過帯
域、および比較的低い挿入損失を有する。従って、本発
明の温度同調フィルタは、光増幅器を使用する増幅波長
分割多重化システムにおけるチャネル選択およびノイズ
フィルタリングに使用可能である。
屈折率が比較的高速に変化するスペーサで形成される。
本発明の温度同調フィルタは、その角度を調節すること
によって所望のチャネルに粗同調された後、その温度を
変化させることによって送信機信号にロックされる。こ
のフィルタは、広い自由スペクトル範囲、狭い通過帯
域、および比較的低い挿入損失を有する。従って、本発
明の温度同調フィルタは、光増幅器を使用する増幅波長
分割多重化システムにおけるチャネル選択およびノイズ
フィルタリングに使用可能である。
【0010】ファブリ−ペローエタロンは、相互に対抗
する2つの半透鏡からなる。これはすべての干渉計のう
ち最も単純なものである。ファブリ−ペローエタロンフ
ィルタに入る光波は、これらの鏡の間で複数回反射さ
れ、この反射は、透過光線と反射光線の間の干渉を引き
起こす。ファブリ−ペローエタロンの共鳴波長が、チャ
ネル選択のための送信レーザ波長と等しく調節されてい
る場合、干渉は強め合い、透過は最大となる。
する2つの半透鏡からなる。これはすべての干渉計のう
ち最も単純なものである。ファブリ−ペローエタロンフ
ィルタに入る光波は、これらの鏡の間で複数回反射さ
れ、この反射は、透過光線と反射光線の間の干渉を引き
起こす。ファブリ−ペローエタロンの共鳴波長が、チャ
ネル選択のための送信レーザ波長と等しく調節されてい
る場合、干渉は強め合い、透過は最大となる。
【0011】共鳴波長λは光路長に依存する。光路長
は、屈折率、鏡間隔、および入射角という3つのパラメ
ータによって決定される。これは次の関係によって表現
される。
は、屈折率、鏡間隔、および入射角という3つのパラメ
ータによって決定される。これは次の関係によって表現
される。
【数1】 ただし、nは屈折率、lは鏡間隔、θは内部入射角、お
よびmはモード番号である。以前から、鏡間隔lおよび
角θが光波システムアプリケーションにおける同調に通
常使用されている。しかし、液晶エタロンフィルタ(A
ppl.Phys.Letters、第57(17)巻
第22号(1990年10月)1718〜1720ペー
ジ)を除いては、屈折率nはエタロンフィルタでは研究
されなかった。
よびmはモード番号である。以前から、鏡間隔lおよび
角θが光波システムアプリケーションにおける同調に通
常使用されている。しかし、液晶エタロンフィルタ(A
ppl.Phys.Letters、第57(17)巻
第22号(1990年10月)1718〜1720ペー
ジ)を除いては、屈折率nはエタロンフィルタでは研究
されなかった。
【0012】本発明では、フィルタは温度で屈折率nを
変化させることによって同調する。
変化させることによって同調する。
【0013】屈折率および鏡間隔が温度変化に従う場
合、これらのパラメータの温度依存性は次式によって与
えられる。
合、これらのパラメータの温度依存性は次式によって与
えられる。
【数2】
【数3】 ただし、n0およびl0はそれぞれ0℃における屈折率お
よび鏡間隔である。αは屈折率の温度係数、βは温度膨
張係数、Tは温度である。
よび鏡間隔である。αは屈折率の温度係数、βは温度膨
張係数、Tは温度である。
【0014】従って、エタロンフィルタの温度誘導同調
は次式のように評価される。
は次式のように評価される。
【数4】 ただし、λ0は0℃での共鳴波長である。従って、広範
囲の温度同調を実現するには、エタロンフィルタは大き
いαおよびβを有するスペーサで構成されるべきであ
る。さらに、このスペーサは、光波システムアプリケー
ションで使用するためには、関心のあるスペクトル範囲
(1.5μm)で透明であるべきである。ほとんどの光
学材料では、αが支配的効果を有する。次の表に、1.
5μm領域で透明ないくつかの材料の屈折率の温度係数
を示す。
囲の温度同調を実現するには、エタロンフィルタは大き
いαおよびβを有するスペーサで構成されるべきであ
る。さらに、このスペーサは、光波システムアプリケー
ションで使用するためには、関心のあるスペクトル範囲
(1.5μm)で透明であるべきである。ほとんどの光
学材料では、αが支配的効果を有する。次の表に、1.
5μm領域で透明ないくつかの材料の屈折率の温度係数
を示す。
【表1】
【0015】これらの屈折率の値は、1.5μmスペク
トル領域のものである。
トル領域のものである。
【0016】一般に、シリコン(Si)、硫化亜鉛(Z
nS)、およびセレン化亜鉛(ZnSe)のような材料
が所望の特性を有する。数4および表1の値を使用し
て、エタロンフィルタの温度同調可能性が、例えば、Z
nSフィルタの場合約0.42A/℃(5GHz/
℃)、Siフィルタの場合約0.65A/℃(8GHz
/℃)と計算される。(ただし、Aは単位オングストロ
ームを表すものとする。)
nS)、およびセレン化亜鉛(ZnSe)のような材料
が所望の特性を有する。数4および表1の値を使用し
て、エタロンフィルタの温度同調可能性が、例えば、Z
nSフィルタの場合約0.42A/℃(5GHz/
℃)、Siフィルタの場合約0.65A/℃(8GHz
/℃)と計算される。(ただし、Aは単位オングストロ
ームを表すものとする。)
【0017】非常に原始的な熱設計でも、熱電冷却器上
にマウントされたエタロンフィルタの温度は60℃/ア
ンペア以上変化させることができる。従って、ZnSお
よびSiフィルタの温度同調可能性は、それぞれ25A
/アンペアおよび39A/アンペアと表現することも可
能である。実際には、温度同調可能性は、ZnSのスペ
ーサのフィルタで約0.4A/℃、Siのスペーサのフ
ィルタで約0.85A/℃と測定された。
にマウントされたエタロンフィルタの温度は60℃/ア
ンペア以上変化させることができる。従って、ZnSお
よびSiフィルタの温度同調可能性は、それぞれ25A
/アンペアおよび39A/アンペアと表現することも可
能である。実際には、温度同調可能性は、ZnSのスペ
ーサのフィルタで約0.4A/℃、Siのスペーサのフ
ィルタで約0.85A/℃と測定された。
【0018】スペーサの温度を制御するために使用され
る熱電冷却器(TE)内の電流を±1.7アンペアで掃
引した場合、ZnSフィルタおよびSiフィルタはそれ
ぞれ82Aおよび170Aの範囲で同調された。ヨウ化
セシウムのようないくつかの材料は、屈折率の温度係数
が非常に大きいが、こうした材料は大きい熱膨張および
低い熱伝導率のために容易に破砕する。さらに、こうし
た材料は水およびアルコールに可溶で、柔らかく、非常
に吸湿性が高いため、エタロンフィルタのスペーサとし
て使用するにはあまり適さない。
る熱電冷却器(TE)内の電流を±1.7アンペアで掃
引した場合、ZnSフィルタおよびSiフィルタはそれ
ぞれ82Aおよび170Aの範囲で同調された。ヨウ化
セシウムのようないくつかの材料は、屈折率の温度係数
が非常に大きいが、こうした材料は大きい熱膨張および
低い熱伝導率のために容易に破砕する。さらに、こうし
た材料は水およびアルコールに可溶で、柔らかく、非常
に吸湿性が高いため、エタロンフィルタのスペーサとし
て使用するにはあまり適さない。
【0019】波長分割多重化システムにおけるフィルタ
の性能は、隣接チャネルによって引き起こされるクロス
トークによって特徴づけることができる。エタロンフィ
ルタの場合、クロストークは自由範囲およびフィネスに
依存し、次式によって表される。
の性能は、隣接チャネルによって引き起こされるクロス
トークによって特徴づけることができる。エタロンフィ
ルタの場合、クロストークは自由範囲およびフィネスに
依存し、次式によって表される。
【数5】 ただし、Cはクロストーク、Fはフィネス、Sはチャネ
ル間隔、およびFSRは自由スペクトル範囲である。フ
ィルタが、2つより多くの等間隔チャネルを有する波長
分割多重化システムにおけるチャネルを選択するために
使用される場合、クロストークは、この式によって与え
られるものより約3dB高くなる。
ル間隔、およびFSRは自由スペクトル範囲である。フ
ィルタが、2つより多くの等間隔チャネルを有する波長
分割多重化システムにおけるチャネルを選択するために
使用される場合、クロストークは、この式によって与え
られるものより約3dB高くなる。
【0020】エタロンフィルタの最も重要な設計規則
は、受信感度が不利にならないように、クロストークを
20dB以下に抑制することである。チャネル間隔S
は、与えられたシステムに対しては固定パラメータであ
る。従って、クロストークを抑制するには、フィネスを
増大させ、FSRを減少させることが必要である。しか
し、エタロンフィルタのFSRは、所望のチャネルを選
択するためにシステム帯域幅より大きくなければならな
い。
は、受信感度が不利にならないように、クロストークを
20dB以下に抑制することである。チャネル間隔S
は、与えられたシステムに対しては固定パラメータであ
る。従って、クロストークを抑制するには、フィネスを
増大させ、FSRを減少させることが必要である。しか
し、エタロンフィルタのFSRは、所望のチャネルを選
択するためにシステム帯域幅より大きくなければならな
い。
【0021】エルビウムドープファイバ増幅器を含む増
幅光波システムでは、帯域幅は、エルビウムドープファ
イバ増幅器の利得帯域幅である約30nmに制限され
る。連結されたファイバ増幅器を含む長距離光波伝送シ
ステムでは、システムの3dB帯域幅はほんの数ナノメ
ートルにまで大幅に縮小する。従って、与えられたチャ
ネル間隔および自由スペクトル範囲に対してクロストー
クを抑制するにはフィネスを調節すべきである。自由ス
ペクトル範囲が大きくなり、チャネル間隔が狭くなる
と、高いフィネスが必要となる。本発明の温度同調エタ
ロンフィルタは、これらのシステム条件を満足するよう
に容易に構成される。
幅光波システムでは、帯域幅は、エルビウムドープファ
イバ増幅器の利得帯域幅である約30nmに制限され
る。連結されたファイバ増幅器を含む長距離光波伝送シ
ステムでは、システムの3dB帯域幅はほんの数ナノメ
ートルにまで大幅に縮小する。従って、与えられたチャ
ネル間隔および自由スペクトル範囲に対してクロストー
クを抑制するにはフィネスを調節すべきである。自由ス
ペクトル範囲が大きくなり、チャネル間隔が狭くなる
と、高いフィネスが必要となる。本発明の温度同調エタ
ロンフィルタは、これらのシステム条件を満足するよう
に容易に構成される。
【0022】図1は、本発明の原理によるZnSに基づ
く同調可能エタロンフィルタの図である。
く同調可能エタロンフィルタの図である。
【0023】基板10は、厚さ約0.25mmの石英ガ
ラスからなる。基板10上に、第1の鏡12が形成され
る。第1鏡12は、ZnS/ThF4の5対の誘電体被
覆からなり、各誘電体被覆(層)の厚さは4分の1波長
である。特に、第1鏡12は、基板10上にZnSの第
1層14を堆積し、層14上にThF4の第2層16を
堆積し、層16上にZnSの第3層18を堆積し、層1
8上にThF4の第4層20を堆積し、というように、
5対の層が堆積されるまで続けられる。材料ZnSの屈
折率は約2.27である。材料ThF4の屈折率は約
1.45である。
ラスからなる。基板10上に、第1の鏡12が形成され
る。第1鏡12は、ZnS/ThF4の5対の誘電体被
覆からなり、各誘電体被覆(層)の厚さは4分の1波長
である。特に、第1鏡12は、基板10上にZnSの第
1層14を堆積し、層14上にThF4の第2層16を
堆積し、層16上にZnSの第3層18を堆積し、層1
8上にThF4の第4層20を堆積し、というように、
5対の層が堆積されるまで続けられる。材料ZnSの屈
折率は約2.27である。材料ThF4の屈折率は約
1.45である。
【0024】上記のように、5対の4分の1波長層が第
1鏡を形成する。最後の堆積層の表面上にスペーサ22
が形成される。スペーサ22の屈折率の温度係数は比較
的大きい。スペーサ22は厚さ約16.5μmであり、
ZnSの4分の1波長層の誘電体被覆100個からな
る。第2鏡24がスペーサ22の上面上に形成される。
第2鏡24は、5対のZnS/ThF4の誘電体被覆か
らなり、各誘電体被覆(層)の厚さは4分の1波長であ
る。特に、スペーサの上面上に、ThF4の層34が堆
積され、その後、ZnSの層36が堆積される。層36
の上に、ThF4の層38が堆積され、その後、ZnS
の層40が堆積される。これが、5対の層が形成される
まで継続される。
1鏡を形成する。最後の堆積層の表面上にスペーサ22
が形成される。スペーサ22の屈折率の温度係数は比較
的大きい。スペーサ22は厚さ約16.5μmであり、
ZnSの4分の1波長層の誘電体被覆100個からな
る。第2鏡24がスペーサ22の上面上に形成される。
第2鏡24は、5対のZnS/ThF4の誘電体被覆か
らなり、各誘電体被覆(層)の厚さは4分の1波長であ
る。特に、スペーサの上面上に、ThF4の層34が堆
積され、その後、ZnSの層36が堆積される。層36
の上に、ThF4の層38が堆積され、その後、ZnS
の層40が堆積される。これが、5対の層が形成される
まで継続される。
【0025】鏡の反射率は約95%と評価される。自由
スペクトル範囲およびFWHMでの通過帯域はそれぞれ
30nmおよび0.46nmと測定された。鏡の反射率
をさらに高くするには、鏡スタックにさらに多くの4分
の1波長層を加えればよい。
スペクトル範囲およびFWHMでの通過帯域はそれぞれ
30nmおよび0.46nmと測定された。鏡の反射率
をさらに高くするには、鏡スタックにさらに多くの4分
の1波長層を加えればよい。
【0026】図2に、Siに基づく同調可能エタロンフ
ィルタを示す。このフィルタは基板を必要としない。フ
ィルタ40は、第1鏡44と第2鏡46の間に位置する
Siウェハ42からなる。Siウェハ42の厚さは約2
0μmであり、両面が研磨される。この厚さは、所望の
自由スペクトル長に合わせて調節可能である。第1鏡4
4は、SiおよびSiO2の誘電体被覆の3対の4分の
1波長層から形成される。第2鏡46も、SiおよびS
iO2の誘電体被覆の同数対の4分の1波長層から形成
される。Si層の厚さは4分の1波長であり、屈折率は
約3.48である。SiO2層の厚さもまた4分の1波
長であり、屈折率は約1.44である。鏡の反射率は約
95%と評価され、自由スペクトル範囲は約17nmと
決定される。
ィルタを示す。このフィルタは基板を必要としない。フ
ィルタ40は、第1鏡44と第2鏡46の間に位置する
Siウェハ42からなる。Siウェハ42の厚さは約2
0μmであり、両面が研磨される。この厚さは、所望の
自由スペクトル長に合わせて調節可能である。第1鏡4
4は、SiおよびSiO2の誘電体被覆の3対の4分の
1波長層から形成される。第2鏡46も、SiおよびS
iO2の誘電体被覆の同数対の4分の1波長層から形成
される。Si層の厚さは4分の1波長であり、屈折率は
約3.48である。SiO2層の厚さもまた4分の1波
長であり、屈折率は約1.44である。鏡の反射率は約
95%と評価され、自由スペクトル範囲は約17nmと
決定される。
【0027】図3は、多くのチャネルの波長分割多重化
信号からチャネルを選択するために本発明の同調可能エ
タロン光フィルタを使用する構造体の図である。フィル
タ50は、銅ヒートシンク54に接着された熱電(T
E)冷却器52上にマウントされる。銅ヒートシンク5
4は、回転駆動部材56に結合される。回転駆動部材5
6は、光信号をフィルタ50に向けるように配置された
光ファイバ58の長手軸に対する所定角度にフィルタを
角度的に位置づけるために、手動でまたは遠隔的に制御
される。この角度は、所望されれば、一度所定角度にセ
ットされた後は永久に固定することも可能である。熱電
冷却器および銅ヒートシンクは、フィルタ50を通過す
る光信号が光ファイバ60によって受信されるように位
置づけられた直径4mmの孔を有する。
信号からチャネルを選択するために本発明の同調可能エ
タロン光フィルタを使用する構造体の図である。フィル
タ50は、銅ヒートシンク54に接着された熱電(T
E)冷却器52上にマウントされる。銅ヒートシンク5
4は、回転駆動部材56に結合される。回転駆動部材5
6は、光信号をフィルタ50に向けるように配置された
光ファイバ58の長手軸に対する所定角度にフィルタを
角度的に位置づけるために、手動でまたは遠隔的に制御
される。この角度は、所望されれば、一度所定角度にセ
ットされた後は永久に固定することも可能である。熱電
冷却器および銅ヒートシンクは、フィルタ50を通過す
る光信号が光ファイバ60によって受信されるように位
置づけられた直径4mmの孔を有する。
【0028】応用例では、ZnSベースのエタロンフィ
ルタは、外部入射角(光ファイバの長手軸に対するフィ
ルタの角度)を30度変化させることによって38nm
(1.511〜1.549μm)同調された。明らか
に、フィルタは、入射角の小変化によって所望の光振動
数に同調可能である。その後、フィルタは温度を制御す
ることによって送信機信号にロックされる。フィルタの
透過波長は、主としてZnSスペーサの屈折率の変化に
よって温度とともに変化する。スペーサの熱膨張の効果
は無視し得る。
ルタは、外部入射角(光ファイバの長手軸に対するフィ
ルタの角度)を30度変化させることによって38nm
(1.511〜1.549μm)同調された。明らか
に、フィルタは、入射角の小変化によって所望の光振動
数に同調可能である。その後、フィルタは温度を制御す
ることによって送信機信号にロックされる。フィルタの
透過波長は、主としてZnSスペーサの屈折率の変化に
よって温度とともに変化する。スペーサの熱膨張の効果
は無視し得る。
【0029】図4に、温度の関数として測定された透過
波長を示す。このプロットは、ZnSエタロンフィルタ
が約5GHz/℃で同調したことを示している。ZnS
エタロンフィルタの温度は、熱電(TE)冷却器に加え
られた約60℃/アンペアで変化した。熱電冷却器内の
電流が±1.7アンペア変化すると、ZnSフィルタは
8.2nmの範囲で同調した。
波長を示す。このプロットは、ZnSエタロンフィルタ
が約5GHz/℃で同調したことを示している。ZnS
エタロンフィルタの温度は、熱電(TE)冷却器に加え
られた約60℃/アンペアで変化した。熱電冷却器内の
電流が±1.7アンペア変化すると、ZnSフィルタは
8.2nmの範囲で同調した。
【0030】ある応用例では、フィルタはディジタルサ
ーボループを使用して送信信号にロックされた。サーボ
ループは、光電流を監視し、フィルタの温度を調節する
ことによって透過を最大化するように結合された。フィ
ルタの透過は安定であった。送信機レーザの波長が1n
mだけ意図的に変化されたとき、フィルタのドリフトは
3%未満であった。
ーボループを使用して送信信号にロックされた。サーボ
ループは、光電流を監視し、フィルタの温度を調節する
ことによって透過を最大化するように結合された。フィ
ルタの透過は安定であった。送信機レーザの波長が1n
mだけ意図的に変化されたとき、フィルタのドリフトは
3%未満であった。
【0031】図5に、2チャネル1.5μm波長分割多
重化光通信システムにおいて、チャネル間隔に対して測
定されたクロストークを示す。この結果は、フィルタ
が、約2nm以上のチャネル間隔を有するシステムで使
用するのに十分適していることを示している。この場
合、クロストークは−20dB未満である。
重化光通信システムにおいて、チャネル間隔に対して測
定されたクロストークを示す。この結果は、フィルタ
が、約2nm以上のチャネル間隔を有するシステムで使
用するのに十分適していることを示している。この場
合、クロストークは−20dB未満である。
【0032】図6に、2つの異なるチャネル間隔で測定
されたビット誤り率曲線を示す。いずれのチャネルも
1.7Gb/s(パターン長215−1)で変調された。
チャネル間隔が2nm以上の場合、受信機感度に劣化は
全く観測されなかった。チャネル間隔が1.3nmに縮
小されると、クロストークによるパワー損失は約0.3
dBと測定された。
されたビット誤り率曲線を示す。いずれのチャネルも
1.7Gb/s(パターン長215−1)で変調された。
チャネル間隔が2nm以上の場合、受信機感度に劣化は
全く観測されなかった。チャネル間隔が1.3nmに縮
小されると、クロストークによるパワー損失は約0.3
dBと測定された。
【0034】本発明のフィルタが、多層誘電体被覆を使
用して構成された。ZnSフィルタは約5GHz/℃
(0.4A/℃)で同調し、自由スペクトル範囲および
FWHMでの通過帯域はそれぞれ30nmおよび4.6
Aであった。このフィルタは、ディジタルサーボループ
を使用して送信機信号にロックすることが可能であり、
透過は、最大値の3%以内で維持される。このフィルタ
は、受信機感度の劣化を伴わずに、波長分割多重化シス
テムにおけるチャネル選択(多重化解除)に使用可能で
ある。
用して構成された。ZnSフィルタは約5GHz/℃
(0.4A/℃)で同調し、自由スペクトル範囲および
FWHMでの通過帯域はそれぞれ30nmおよび4.6
Aであった。このフィルタは、ディジタルサーボループ
を使用して送信機信号にロックすることが可能であり、
透過は、最大値の3%以内で維持される。このフィルタ
は、受信機感度の劣化を伴わずに、波長分割多重化シス
テムにおけるチャネル選択(多重化解除)に使用可能で
ある。
【0035】図7に、本発明の原理による波長分割多重
化システムの複数のチャネルから単一のチャネルを選択
する構造体を示す。同調可能エタロンフィルタ70は、
TE冷却器のような温度制御手段およびヒートシンクを
有し、上記のように、異なる振動数F1,F2,F
3,...,FMをそれぞれ有する複数のチャネルから
構成される波長分割多重化信号を受信するように、光フ
ァイバ72によって結合される。
化システムの複数のチャネルから単一のチャネルを選択
する構造体を示す。同調可能エタロンフィルタ70は、
TE冷却器のような温度制御手段およびヒートシンクを
有し、上記のように、異なる振動数F1,F2,F
3,...,FMをそれぞれ有する複数のチャネルから
構成される波長分割多重化信号を受信するように、光フ
ァイバ72によって結合される。
【0036】光ファイバの末端はレンズ74で終端する
ことが可能である。レンズ74は、光ファイバの末端か
らの光エネルギーをフィルタ70へ送る。フィルタを通
過した光エネルギーはレンズ76によって受信される。
レンズ76は、光ファイバ80または空間を介して、受
信した光エネルギーを受信機78へ送る。電源のような
エネルギー源82が、TE冷却器にエネルギーを供給す
るために結合される。制御手段84は、受信機78にお
ける信号のレベルを検出するために結合されており、T
E冷却器へ電源82によって供給されるエネルギーを制
御する。図7の構造体では、制御手段84は、フィルタ
の温度を制御するために、最大信号に対する光電流を監
視する。制御手段84は、最大信号を取得するために、
フィルタの温度を調節する。
ことが可能である。レンズ74は、光ファイバの末端か
らの光エネルギーをフィルタ70へ送る。フィルタを通
過した光エネルギーはレンズ76によって受信される。
レンズ76は、光ファイバ80または空間を介して、受
信した光エネルギーを受信機78へ送る。電源のような
エネルギー源82が、TE冷却器にエネルギーを供給す
るために結合される。制御手段84は、受信機78にお
ける信号のレベルを検出するために結合されており、T
E冷却器へ電源82によって供給されるエネルギーを制
御する。図7の構造体では、制御手段84は、フィルタ
の温度を制御するために、最大信号に対する光電流を監
視する。制御手段84は、最大信号を取得するために、
フィルタの温度を調節する。
【0037】動作時には、フィルタは、特定波長の所望
の光チャネルにフィルタを同調させるように外部入射角
をセットするため、光ファイバ(従って、受信した光信
号)の長手軸に対して回転される。このとき、所望され
れば、フィルタは、入射角が変化しないように位置をロ
ックすることが可能である。その後、フィルタの温度を
変化させることによって微調整がなされる。本発明で
は、温度誘導同調は、キャビティ長とは独立であること
が分かった。これは、異なるキャビティ長のいくつかの
エタロンのタンデム配置の場合に重要な実用上の考慮点
である。
の光チャネルにフィルタを同調させるように外部入射角
をセットするため、光ファイバ(従って、受信した光信
号)の長手軸に対して回転される。このとき、所望され
れば、フィルタは、入射角が変化しないように位置をロ
ックすることが可能である。その後、フィルタの温度を
変化させることによって微調整がなされる。本発明で
は、温度誘導同調は、キャビティ長とは独立であること
が分かった。これは、異なるキャビティ長のいくつかの
エタロンのタンデム配置の場合に重要な実用上の考慮点
である。
【0038】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、温
度同調エタロンフィルタは、比較的大きな自由スペクト
ル範囲、狭い通過帯域および比較的低い挿入損失を有す
る。この温度同調フィルタは、増幅波長分割多重化シス
テムにおいて、チャネル選択およびノイズフィルタリン
グに使用可能である。このフィルタの長所は以下の通り
である。すなわち、1)角度同調による広い同調可能
性、2)温度による透過波長の容易な制御、3)大きな
自由スペクトル範囲、4)狭い通過帯域、5)低い挿入
損失、6)信頼性、および7)安価であることである。
度同調エタロンフィルタは、比較的大きな自由スペクト
ル範囲、狭い通過帯域および比較的低い挿入損失を有す
る。この温度同調フィルタは、増幅波長分割多重化シス
テムにおいて、チャネル選択およびノイズフィルタリン
グに使用可能である。このフィルタの長所は以下の通り
である。すなわち、1)角度同調による広い同調可能
性、2)温度による透過波長の容易な制御、3)大きな
自由スペクトル範囲、4)狭い通過帯域、5)低い挿入
損失、6)信頼性、および7)安価であることである。
【図1】本発明の原理による、石英基板上の多層誘電体
被覆を有するZnSに基づくエタロンフィルタの図であ
る。
被覆を有するZnSに基づくエタロンフィルタの図であ
る。
【図2】本発明で例示的に使用されるSiに基づくエタ
ロンフィルタの図である。
ロンフィルタの図である。
【図3】本発明の同調可能エタロンフィルタを動作させ
る構造体の図である。
る構造体の図である。
【図4】図1のZnSに基づくエタロンフィルタに対し
て、温度の関数として測定された透過波長のプロットの
図である。
て、温度の関数として測定された透過波長のプロットの
図である。
【図5】図1のフィルタを使用した2チャネル1.5μ
m波長分割多重化システムにおける、チャネル間隔に対
して測定されたクロストークの図である。
m波長分割多重化システムにおける、チャネル間隔に対
して測定されたクロストークの図である。
【図6】チャネル選択用の図1のフィルタを使用した波
長分割多重化システムの2つの異なるチャネル間隔で測
定されたビット誤り率曲線の図である。
長分割多重化システムの2つの異なるチャネル間隔で測
定されたビット誤り率曲線の図である。
【図7】本発明の原理による複数の波長分割多重化光通
信システムから単一のチャネルを分離する構造の図であ
る。
信システムから単一のチャネルを分離する構造の図であ
る。
10 基板 12 第1鏡 14 第1層(ZnS) 16 第2層(ThF4) 18 第3層(ZnS) 20 第4層(ThF4) 22 スペーサ 24 第2鏡 40 フィルタ 42 Siウェハ 44 第1鏡 46 第2鏡 50 フィルタ 52 熱電冷却器 54 銅ヒートシンク 56 回転駆動部材 58 光ファイバ 60 光ファイバ 70 同調可能エタロンフィルタ 72 光ファイバ 74 レンズ 76 レンズ 78 受信機 80 光ファイバ 82 電源 84 制御手段
Claims (21)
- 【請求項1】 温度依存性の屈折率係数を有するスペー
サ手段と、 前記スペーサ手段の表面に結合された第1反射手段と、 前記スペーサ手段の反対側の表面に結合された第2反射
手段と、 前記スペーサ手段の屈折率を制御するために前記スペー
サ手段の温度を制御する手段とからなることを特徴とす
る同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項2】 前記スペーサ手段が、−0.55×10
-5/℃より大きく9.7×10-3/℃より小さい値を有
する温度依存性屈折率係数を有することを特徴とする請
求項1の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項3】 前記スペーサ手段が、フィルタの通過帯
域のスペクトル領域のエネルギーに対して透明であるこ
とを特徴とする請求項2の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項4】 前記スペーサ手段が、1.5μm領域で
透明であることを特徴とする請求項2の同調可能エタロ
ンフィルタ。 - 【請求項5】 前記スペーサ手段が硫化亜鉛であること
を特徴とする請求項3の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項6】 前記第1および第2反射手段が、高屈折
率材料と低屈折率材料の交互層であることを特徴とする
請求項3の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項7】 前記第1および第2反射手段が、硫化亜
鉛とフッ化トリウムの交互層であることを特徴とする請
求項5の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項8】 前記スペーサ手段が100層の硫化亜鉛
であることを特徴とする請求項7の同調可能エタロンフ
ィルタ。 - 【請求項9】 前記第1および第2反射手段が、5対の
硫化亜鉛およびフッ化トリウムの4分の1波長層からな
ることを特徴とする請求項8の同調可能エタロンフィル
タ。 - 【請求項10】 前記スペーサ手段がケイ素であること
を特徴とする請求項3の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項11】 前記第1および第2反射手段が、ケイ
素と二酸化ケイ素の交互層であることを特徴とする請求
項10の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項12】 前記スペーサ手段がシリコンウェハで
あることを特徴とする請求項11の同調可能エタロンフ
ィルタ。 - 【請求項13】 前記スペーサ手段の厚さが20μmで
あることを特徴とする請求項12の同調可能エタロンフ
ィルタ。 - 【請求項14】 前記第1および第2反射手段が、高屈
折率材料と低屈折率材料の交互層であることを特徴とす
る請求項13の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項15】 前記第1および第2反射手段が、3対
のケイ素および二酸化ケイ素の4分の1波長層からなる
ことを特徴とする請求項13の同調可能エタロンフィル
タ。 - 【請求項16】 前記制御手段が、TE冷却器からなる
ことを特徴とする請求項15の同調可能エタロンフィル
タ。 - 【請求項17】 前記TE冷却器が前記反射表面のうち
の1つに結合され、 前記TE冷却器が、フィルタの通過帯域のスペクトル領
域のエネルギーを通過する開口を有することを特徴とす
る請求項16の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項18】 少なくとも2つの異なる振動数の光信
号を前記フィルタに送るために結合された第1の光ファ
イバと、 前記フィルタからの光信号を受信するために結合された
第2の光ファイバと、 前記少なくとも2つの異なる振動数のうちの1つを通過
させるように前記フィルタを同調されるために前記フィ
ルタに結合された同調手段とをさらに有することを特徴
とする請求項16の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項19】 前記同調手段が、フィルタを光信号に
同調させるために光ファイバの長手軸に対して前記フィ
ルタを角度的に位置づける手段からなることを特徴とす
る請求項18の同調可能エタロンフィルタ。 - 【請求項20】 前記同調手段が、前記フィルタの温度
を制御することによってフィルタを光信号にさらに同調
させるために前記TE冷却器に結合されたエネルギー源
からなることを特徴とする請求項19の同調可能エタロ
ンフィルタ。 - 【請求項21】 第1端および第2端を有し、これらの
間に温度依存性光路特性を与えるスペーサ手段と、 前記スペーサ手段の前記第1端および第2端に結合され
た第1および第2反射手段と、 前記スペーサ手段の温度を制御する手段とからなること
を特徴とする同調可能エタロンフィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/875,873 US5212584A (en) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Tunable etalon filter |
| US875873 | 1992-04-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0643501A true JPH0643501A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=25366518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124848A Pending JPH0643501A (ja) | 1992-04-29 | 1993-04-30 | 同調可能エタロンフィルタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5212584A (ja) |
| EP (1) | EP0568242A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0643501A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002185075A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nec Corp | 波長安定化ユニット及び波長安定化レーザモジュール |
| JP2007279534A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子 |
| JP2008242364A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュール |
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|---|---|---|---|---|
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