JPH0644564B2 - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JPH0644564B2 JPH0644564B2 JP61195390A JP19539086A JPH0644564B2 JP H0644564 B2 JPH0644564 B2 JP H0644564B2 JP 61195390 A JP61195390 A JP 61195390A JP 19539086 A JP19539086 A JP 19539086A JP H0644564 B2 JPH0644564 B2 JP H0644564B2
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- laser
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の表面に補修用配線を形成する方法
に係り、特に試作した半導体装置に部分的な不良が存在
する場合に不良箇所を特定したり補修するのに好適な配
線形成方法に関する。
に係り、特に試作した半導体装置に部分的な不良が存在
する場合に不良箇所を特定したり補修するのに好適な配
線形成方法に関する。
近年、半導体装置は高集積化が著しく、配線層について
も多層化が進んでいる。このため開発過程にある半導体
装置が設計通りに動作するとは限らず、チップ上の配線
を切断したり、あるいは任意部分を接続することにより
不良箇所を特定したり、あるいは補修することにより暫
定的に完全な動作が得られる様にして特性の評価が行わ
れている。
も多層化が進んでいる。このため開発過程にある半導体
装置が設計通りに動作するとは限らず、チップ上の配線
を切断したり、あるいは任意部分を接続することにより
不良箇所を特定したり、あるいは補修することにより暫
定的に完全な動作が得られる様にして特性の評価が行わ
れている。
これらのうち任意の箇所を接続する方法として、エクス
テンド・アプストラクト・オブ・ザ・セブンティーンス
・コンファレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイ
ス・アンド・マテリアルズ、東京（1985年）第193頁か
ら第196頁(Extended Abstracts of the 17-th Conferen
ce on Solid State Devices and Materials,Tokyo 1985
pp193〜196)で論じられている方法がある。すなわち、
Ｘ−Ｙステージ上に設置されたＣＶＤセル内Mo(MO)６蒸
気と大気圧Arガスを導入し、ＣＶＤセル内のSiO2でコー
ティングされたSi基板に、初め数10μＷのArイオンレー
ザの第２高調波（波長257nm）を照射して光化学反応に
よりMo膜を析出し、次に数100mWのArイオンレーザの基
本波（波長515nm）を光化学反応で析出したMo膜に照射
して局部的に熱ＣＶＤを行った後、ＣＶＤセルをＸ−Ｙ
ステージにより移動させてMo配線を形成して任意の箇所
を接続するものである。
テンド・アプストラクト・オブ・ザ・セブンティーンス
・コンファレンス・オン・ソリッド・ステート・デバイ
ス・アンド・マテリアルズ、東京（1985年）第193頁か
ら第196頁(Extended Abstracts of the 17-th Conferen
ce on Solid State Devices and Materials,Tokyo 1985
pp193〜196)で論じられている方法がある。すなわち、
Ｘ−Ｙステージ上に設置されたＣＶＤセル内Mo(MO)６蒸
気と大気圧Arガスを導入し、ＣＶＤセル内のSiO2でコー
ティングされたSi基板に、初め数10μＷのArイオンレー
ザの第２高調波（波長257nm）を照射して光化学反応に
よりMo膜を析出し、次に数100mWのArイオンレーザの基
本波（波長515nm）を光化学反応で析出したMo膜に照射
して局部的に熱ＣＶＤを行った後、ＣＶＤセルをＸ−Ｙ
ステージにより移動させてMo配線を形成して任意の箇所
を接続するものである。
上記従来技術は、形成したMo配線の比抵抗が40μΩ・cm
とバルクの比抵抗（5.4μΩ・cm）の８倍も大きい。こ
のため大型計算機等に用いられている高速論理ＬＳＩの
補修配線に使用すると、信号が遅延し特性の評価が行え
ない。
とバルクの比抵抗（5.4μΩ・cm）の８倍も大きい。こ
のため大型計算機等に用いられている高速論理ＬＳＩの
補修配線に使用すると、信号が遅延し特性の評価が行え
ない。
配線の抵抗値を抵減するための対策として配線膜厚を増
加する方法があるが、レーザＣＶＤにより形成された膜
の残留応力、基板との膨張率の差などにより、クラック
の発生や剥離等が生じ、膜厚の増加には限界がある。
加する方法があるが、レーザＣＶＤにより形成された膜
の残留応力、基板との膨張率の差などにより、クラック
の発生や剥離等が生じ、膜厚の増加には限界がある。
従って配線の抵抗値を低減するためには配線自体の比抵
抗を低減することが不可欠である。
抗を低減することが不可欠である。
本発明の目的は、信号遅延の生じない比抵抗の小さな補
修用配線を形成する方法を提供することにある。
修用配線を形成する方法を提供することにある。
上記目的は、レーザＣＶＤにより形成した配線を非酸化
あるいは還元雰囲気中に保つ真空装置と、当該配線の幅
と同程度に集束したエネルギービーム、例えば配線の幅
と同程度に集光したレーザ光を照射する手段により、当
該配線の焼鈍を行って膜質を向上させることで達成され
る。
あるいは還元雰囲気中に保つ真空装置と、当該配線の幅
と同程度に集束したエネルギービーム、例えば配線の幅
と同程度に集光したレーザ光を照射する手段により、当
該配線の焼鈍を行って膜質を向上させることで達成され
る。
レーザ光照射により焼鈍の対象となる配線は、予めＣＶ
Ｄガス雰囲気中で集光されたレーザ光を試料（半導体集
積回路）に照射しつつ稼動することにより形成されてい
る。当該配線をとりまくＣＶＤガスを排気し、10-5Torr
以上の真空中、あるいは不活性ガス若しくは還元ガス雰
囲気中に当該試料が保たれることで、焼鈍の過程で配線
表面が酸化されることを防止している。
Ｄガス雰囲気中で集光されたレーザ光を試料（半導体集
積回路）に照射しつつ稼動することにより形成されてい
る。当該配線をとりまくＣＶＤガスを排気し、10-5Torr
以上の真空中、あるいは不活性ガス若しくは還元ガス雰
囲気中に当該試料が保たれることで、焼鈍の過程で配線
表面が酸化されることを防止している。
前記配線の幅と同程度に集光したエネルギービーム（レ
ーザ光）を照射することにより、均一な焼鈍と高速な処
理が可能となる。当該幅以下に集光した場合には焼鈍の
効果より再蒸発の効果が顕著となり配線が損傷をうける
ためである。
ーザ光）を照射することにより、均一な焼鈍と高速な処
理が可能となる。当該幅以下に集光した場合には焼鈍の
効果より再蒸発の効果が顕著となり配線が損傷をうける
ためである。
レーザ等のエネルギービームの照射を受けた前記配線
は、局所的に加熱され、配線材料の結晶性の改善、炭
素、酸素等の不純物の除去により、配線の比抵抗を低減
される。
は、局所的に加熱され、配線材料の結晶性の改善、炭
素、酸素等の不純物の除去により、配線の比抵抗を低減
される。
以下、本発明の実施例を図に従って説明する。まず本発
明の方法を実施すのに最適な装置を第１図に示す。当該
装置は、 レーザ光２を発振するレーザ発振器１、レーザ光２を反
射して試料19に導くためのダイクロイックミラー３とレ
ーザ光２を集光して試料19上に照射するための対物レン
ズ４から成る加工光学系と、 観察光源５とレーザ２の波長に近い波長の観察光８を取
り出すためのフィルタ６と観察光８を試料19上に導くた
めのハーフミラー７、そして試料19の像を結像するため
の結像レンズ９、プリズム10、接眼レンズ11とから成る
観察光学系と、 配線形成の対象となる試料19を収納するチャンバ13であ
って、レーザ光２を導入するためのウィンド12、ＣＶＤ
材料ガスを納めたボンベ16からバルブ15を介して接続さ
れたガス導入配管14、バルブ18を介して図示しない真空
排気装置に接続された排気用配管17から成るガス供給排
気系を有し、更に、試料19を載置しレーザ光２及び観察
光８との焦点合せのため試料19を光軸方向に移動させる
ためのＺステージ20、試料19を前記光軸に垂直な平面内
で移動させるＸＹステージ21から成る試料位置特定手段
を有するチャンバ13と、 前記Ｚステージ20及びＸＹステージ21の駆動並びに前記
レーザ光２の光路を開閉するシャッタ23の駆動を制御す
るコンピュータ22、の各々の構成要素から成りたってい
る。
明の方法を実施すのに最適な装置を第１図に示す。当該
装置は、 レーザ光２を発振するレーザ発振器１、レーザ光２を反
射して試料19に導くためのダイクロイックミラー３とレ
ーザ光２を集光して試料19上に照射するための対物レン
ズ４から成る加工光学系と、 観察光源５とレーザ２の波長に近い波長の観察光８を取
り出すためのフィルタ６と観察光８を試料19上に導くた
めのハーフミラー７、そして試料19の像を結像するため
の結像レンズ９、プリズム10、接眼レンズ11とから成る
観察光学系と、 配線形成の対象となる試料19を収納するチャンバ13であ
って、レーザ光２を導入するためのウィンド12、ＣＶＤ
材料ガスを納めたボンベ16からバルブ15を介して接続さ
れたガス導入配管14、バルブ18を介して図示しない真空
排気装置に接続された排気用配管17から成るガス供給排
気系を有し、更に、試料19を載置しレーザ光２及び観察
光８との焦点合せのため試料19を光軸方向に移動させる
ためのＺステージ20、試料19を前記光軸に垂直な平面内
で移動させるＸＹステージ21から成る試料位置特定手段
を有するチャンバ13と、 前記Ｚステージ20及びＸＹステージ21の駆動並びに前記
レーザ光２の光路を開閉するシャッタ23の駆動を制御す
るコンピュータ22、の各々の構成要素から成りたってい
る。
次に上記装置を用いた配線形成の手順を説明する。
まず、バルブ15を閉じ、バルブ18を開けてチャンバ13内
を真空排気装置（図示せず）により10-bTorr以上の真空
度になるまで排気する。しかる後バルブ18を閉じておい
てからバルブ15を開けてＣＶＤガスを所望の圧力になる
までチャンバ13内に導入し、バルブ15を閉じてＣＶＤガ
スをチャンバ13内に閉じ込めた状態にする。その後、観
察光学系により試料19上のパターンを観察しつつＸＹス
テージ21により試料を任意の場所に移動させる。
を真空排気装置（図示せず）により10-bTorr以上の真空
度になるまで排気する。しかる後バルブ18を閉じておい
てからバルブ15を開けてＣＶＤガスを所望の圧力になる
までチャンバ13内に導入し、バルブ15を閉じてＣＶＤガ
スをチャンバ13内に閉じ込めた状態にする。その後、観
察光学系により試料19上のパターンを観察しつつＸＹス
テージ21により試料を任意の場所に移動させる。
次にレーザ発振器１よりレーザ光２を発振し、シャッタ
23を開けてレーザ光２を対物レンズ４により集光して試
料19の任意の場所に照射する。ＣＶＤガスはレーザ光２
の熱エネルギーにより分解され、配線材料を析出する。
当該析出はコンピュータ22で制御されたＸＹステージ20
の動き沿って所望の接続位置まで任意の速度で移動す
る。配線形成はシャッタ23を閉じてレーザ光２の照射を
打ち切ることで終了する。
23を開けてレーザ光２を対物レンズ４により集光して試
料19の任意の場所に照射する。ＣＶＤガスはレーザ光２
の熱エネルギーにより分解され、配線材料を析出する。
当該析出はコンピュータ22で制御されたＸＹステージ20
の動き沿って所望の接続位置まで任意の速度で移動す
る。配線形成はシャッタ23を閉じてレーザ光２の照射を
打ち切ることで終了する。
全ての補修用配線を形成した後、バルブ18を開けて真空
排気装置（図示せず）によりチャンバ13内のＣＶＤガス
を排気し、少くとも10-5Torrの真空とする。そして前記
の方法で形成した配線に対して、レーザ光２の照射径が
配線の幅と同程度になる様に試料19をＺステージ20によ
り光軸方向に前後させる。こうして得られたデフォーカ
スのレーザ光を配線部分のみに照射する様、コンピュー
タ22でＸＹステージ21を制御し、任意の速度で移動させ
て前記配線をアニールする。
排気装置（図示せず）によりチャンバ13内のＣＶＤガス
を排気し、少くとも10-5Torrの真空とする。そして前記
の方法で形成した配線に対して、レーザ光２の照射径が
配線の幅と同程度になる様に試料19をＺステージ20によ
り光軸方向に前後させる。こうして得られたデフォーカ
スのレーザ光を配線部分のみに照射する様、コンピュー
タ22でＸＹステージ21を制御し、任意の速度で移動させ
て前記配線をアニールする。
次に配線形成の手順を第２図により具体的に説明する。
まず第２図(a)にSi基板30上にSiO膜31を介してAl配線層
33が形成されパシベーション膜32が全面に形成された試
料を示す。接続を要する部分のAl配線層33上のパシベー
ション膜32はリソグラフィ技術を用いたエッチングやレ
ーザ加工、イオンビーム加工等の手法により窓あけが成
され、窓あけ部分34a，34bが形成されている。この試料
を第２図(b)の様にＣＶＤガス35雰囲気内（たとえばMo
(CO)６の蒸気0.1Torr）に載置し、窓あけ部分34aに集光
したレーザ光２（たとえばArレーザの基本波、パワー20
0mW）を照射する。そしてＣＶＤガス35を熱化学反応に
より分解しMo膜36を析出しながら矢印方向に試料を任意
の速度（たとえば0.1mm／min）で窓あけ部34bまで移動
させる。このようにして第２図(c)に示す様Mo膜36によ
り窓あけ部34a，34bにあるAl配線同士を接続する。次に
第２図(d)示す様にＣＶＤガス35を排気して少くとも10
-5Torrの真空雰囲気に試料をさらす。そしてレーザ光２
のMo膜36に対する照射径がMo膜36と同程度になる様に試
料を光軸方向に前後にずらし、窓あけ部34aに堆積済み
のMo膜36に照射してアニールする。矢印の方向に試料を
移動させて、当該照射が窓あけ部34bまで成されるよう
にし、Mo膜36のみを第２図(e)に示す様にアニールす
る。
33が形成されパシベーション膜32が全面に形成された試
料を示す。接続を要する部分のAl配線層33上のパシベー
ション膜32はリソグラフィ技術を用いたエッチングやレ
ーザ加工、イオンビーム加工等の手法により窓あけが成
され、窓あけ部分34a，34bが形成されている。この試料
を第２図(b)の様にＣＶＤガス35雰囲気内（たとえばMo
(CO)６の蒸気0.1Torr）に載置し、窓あけ部分34aに集光
したレーザ光２（たとえばArレーザの基本波、パワー20
0mW）を照射する。そしてＣＶＤガス35を熱化学反応に
より分解しMo膜36を析出しながら矢印方向に試料を任意
の速度（たとえば0.1mm／min）で窓あけ部34bまで移動
させる。このようにして第２図(c)に示す様Mo膜36によ
り窓あけ部34a，34bにあるAl配線同士を接続する。次に
第２図(d)示す様にＣＶＤガス35を排気して少くとも10
-5Torrの真空雰囲気に試料をさらす。そしてレーザ光２
のMo膜36に対する照射径がMo膜36と同程度になる様に試
料を光軸方向に前後にずらし、窓あけ部34aに堆積済み
のMo膜36に照射してアニールする。矢印の方向に試料を
移動させて、当該照射が窓あけ部34bまで成されるよう
にし、Mo膜36のみを第２図(e)に示す様にアニールす
る。
この方法では、アニールを行うときレーザ光２をMo膜36
の幅と同程度の径にして照射しているので、アニールが
短時間かつ均一に行える。収束レーザ光によって複数回
照射するときは、堆積済みのMo膜36の剥離、劣化が生じ
やすく、膜自体に応力ストレスが残りやすい。
の幅と同程度の径にして照射しているので、アニールが
短時間かつ均一に行える。収束レーザ光によって複数回
照射するときは、堆積済みのMo膜36の剥離、劣化が生じ
やすく、膜自体に応力ストレスが残りやすい。
本方法によるアニールの効果は、堆積済みのMo膜では比
抵抗が約30μΩ・cmであるのに対し、アニール後のMo膜
38の比抵抗は約11μΩ・cmとなり、約40％の比抵抗の低
減が行える。アニール前後のMo膜の幾何学的形状には大
きな変化はない。従って膜厚、配線幅を変えずに、レー
ザアニールによりMo膜の結晶性改善、炭素、酸素等の不
純物の除去が行える。またレーザ２を窓あけ部34a，34b
のMo膜36に数分間照することで、Mo膜38とAl配線のコン
タクト部が、熱による拡散現象により合金化して接触抵
抗を低減できる効果もある。
抵抗が約30μΩ・cmであるのに対し、アニール後のMo膜
38の比抵抗は約11μΩ・cmとなり、約40％の比抵抗の低
減が行える。アニール前後のMo膜の幾何学的形状には大
きな変化はない。従って膜厚、配線幅を変えずに、レー
ザアニールによりMo膜の結晶性改善、炭素、酸素等の不
純物の除去が行える。またレーザ２を窓あけ部34a，34b
のMo膜36に数分間照することで、Mo膜38とAl配線のコン
タクト部が、熱による拡散現象により合金化して接触抵
抗を低減できる効果もある。
ここでレーザ光２は対物レンズ４により収束されている
が、第３図に示す様にシリンドルカルレンズ24を用いて
もよい。即ち、配線形成を行うときには対物レンズ４を
用い、アニールを行うときにはシリンドリカルレンズ24
を用いることで、レーザ光２は線状に集光され、配線の
幅に対して均一なエネルギーでアニールが行える。この
方法によれば、試料19が観察光８の焦点位置からずれる
ことがないため、アニールを行うときの位置合わせが容
易なる効果がある。
が、第３図に示す様にシリンドルカルレンズ24を用いて
もよい。即ち、配線形成を行うときには対物レンズ４を
用い、アニールを行うときにはシリンドリカルレンズ24
を用いることで、レーザ光２は線状に集光され、配線の
幅に対して均一なエネルギーでアニールが行える。この
方法によれば、試料19が観察光８の焦点位置からずれる
ことがないため、アニールを行うときの位置合わせが容
易なる効果がある。
なお、本実施例においてアニールを行う時、試料19を真
空雰囲気に載置した状態で行ったが、還元雰囲気あるい
は不活性ガス雰囲気においても同様の効果が得られる。
空雰囲気に載置した状態で行ったが、還元雰囲気あるい
は不活性ガス雰囲気においても同様の効果が得られる。
次に本発明の別な実施例である配線形成方法について第
４図により説明する。
４図により説明する。
装置の構成で、加工光学系と観光学系の構成は第１図で
説明したものと同じである。チャンバ40には、上部にレ
ーザ光２を導入するためのウィンド12があり、内部には
試料19ＣＶＤガスを吹き付けられるように設置されたノ
ズル41があり、そのノズル41の先にはＣＶＤガスを納め
たボンベ16とＣＶＤガスの流量を調節するためのバルブ
15がつがっている。また試料19還元ガスを吹き付けられ
るように設置されたノズル42があり、そのノズル42の先
には還元ガスを納めたボンベ44と還元ガスの流量を調節
するためのバルブ43がつながっている。そしてノズル4
1，42と対向するようにＣＶＤガスと還元ガスを排気す
るための排気管45があり、その排気管45には排気量を調
節するためのバルブ18がつながっており、ＣＶＤガスあ
るいは還元ガスを一定の量で排気できるようになってい
る。
説明したものと同じである。チャンバ40には、上部にレ
ーザ光２を導入するためのウィンド12があり、内部には
試料19ＣＶＤガスを吹き付けられるように設置されたノ
ズル41があり、そのノズル41の先にはＣＶＤガスを納め
たボンベ16とＣＶＤガスの流量を調節するためのバルブ
15がつがっている。また試料19還元ガスを吹き付けられ
るように設置されたノズル42があり、そのノズル42の先
には還元ガスを納めたボンベ44と還元ガスの流量を調節
するためのバルブ43がつながっている。そしてノズル4
1，42と対向するようにＣＶＤガスと還元ガスを排気す
るための排気管45があり、その排気管45には排気量を調
節するためのバルブ18がつながっており、ＣＶＤガスあ
るいは還元ガスを一定の量で排気できるようになってい
る。
試料19はレーザ光２及び観察光８との焦点を合わせるた
め光軸方向に前後するステージ20と、ＸＹステージ21上
に載置されている。Ｚステージ20及びＸＹステージ21は
コンピュータ22に接続してあり、所定の位置に任意の速
度で移動制御が可能である。
め光軸方向に前後するステージ20と、ＸＹステージ21上
に載置されている。Ｚステージ20及びＸＹステージ21は
コンピュータ22に接続してあり、所定の位置に任意の速
度で移動制御が可能である。
次に上記した装置を用いた配線形成の手順を説明する。
まず、バルブ15，43を閉じた状態でバルブ18を開けてチ
ャンバ0内を真空排気装置（図示せず）により少くとも1
0-6Torrの真空度になるまで排気する。その排気中に観
察光学系により試料19のパターンを観しつつＸＹステー
ジ21で試料19を任意の場所に移動させておく。しかる後
バルブ15を開けてＣＶＤガスをノズル41より試料19にに
吹き付ける。吹き付けられたＣＶＤガスは排気管45から
排気され、ＣＶＤガスは試料19付近のみに存在すること
となる。この状態でレーザ光２を対物レンズ４により集
光して試料19の任意の場所に照射し、その熱エネルギー
によりＣＶＤガスを分解して配線材料を析出させる。こ
の析出はコンピュータ22で制御しているＸＹステージ21
の移動に沿って接続を行いたい位置まで任意の速度で移
動する。そして所望の配線を形成した後、シャッタ23を
閉じてレーザ光２の光路を遮断し配線形成の工程を終了
する。そして、全ての補修用配線を形成した後にバルブ
15を閉じてＣＶＤガスの供給を停止する。次にバルブ43
を開けて還元ガスをノズル42より試料19に吹き付ける。
吹き付けられた還元ガスは排気管45から排気され、還元
ガスは試料19付近のみに存在することとなる。この状態
で前記の方法で形成した配線に対するレーザ光２の照射
径が、当該配線の幅と同程度になる様に、試料19をＺス
テージ20により光軸方向に前後させる。このようにして
レーザ光２の焦点がずれた状態で配線部分のみに当該レ
ーザ光２が照射される様にコンピュータ22でＸＹステー
ジ21を制御し、任意の速度で移動させ配線をアニールす
る。
ャンバ0内を真空排気装置（図示せず）により少くとも1
0-6Torrの真空度になるまで排気する。その排気中に観
察光学系により試料19のパターンを観しつつＸＹステー
ジ21で試料19を任意の場所に移動させておく。しかる後
バルブ15を開けてＣＶＤガスをノズル41より試料19にに
吹き付ける。吹き付けられたＣＶＤガスは排気管45から
排気され、ＣＶＤガスは試料19付近のみに存在すること
となる。この状態でレーザ光２を対物レンズ４により集
光して試料19の任意の場所に照射し、その熱エネルギー
によりＣＶＤガスを分解して配線材料を析出させる。こ
の析出はコンピュータ22で制御しているＸＹステージ21
の移動に沿って接続を行いたい位置まで任意の速度で移
動する。そして所望の配線を形成した後、シャッタ23を
閉じてレーザ光２の光路を遮断し配線形成の工程を終了
する。そして、全ての補修用配線を形成した後にバルブ
15を閉じてＣＶＤガスの供給を停止する。次にバルブ43
を開けて還元ガスをノズル42より試料19に吹き付ける。
吹き付けられた還元ガスは排気管45から排気され、還元
ガスは試料19付近のみに存在することとなる。この状態
で前記の方法で形成した配線に対するレーザ光２の照射
径が、当該配線の幅と同程度になる様に、試料19をＺス
テージ20により光軸方向に前後させる。このようにして
レーザ光２の焦点がずれた状態で配線部分のみに当該レ
ーザ光２が照射される様にコンピュータ22でＸＹステー
ジ21を制御し、任意の速度で移動させ配線をアニールす
る。
これにより、配線の結晶性の改善や炭素・酸素等の不純
物除去が行え、比抵抗を小さくできる効果がある。
物除去が行え、比抵抗を小さくできる効果がある。
更に本実施例によれば、配線を形成した後にＣＶＤガス
を完全に排気する必要がないため、配線形成後のアニー
ル過程への移行が速やかに行える効果がある。
を完全に排気する必要がないため、配線形成後のアニー
ル過程への移行が速やかに行える効果がある。
ここで、配線材料としてMoを析出させるためにMo(CO)６
を用いたがMoCl5，MoF6等を用いることもできる。ま
た、他の配線材料としてＷを析出させる場合Ｗ(CO)6あ
るいはWF6，Niを析出させる場合Ni(CO)4を使用し、析出
アニールを行うレーザ光としてArレーザの基本波（波長
514.5nm）を用いる組合せや、Arレーザの第２高調波
（波長257nm）を用いてAl(CH3)２からAl、Cd(CH3)２か
らCdを析出させ、Arレーザの基本波によりアニールを行
う組合せを使用することができる。但し、本発明はこれ
らに限定されるものではない。
を用いたがMoCl5，MoF6等を用いることもできる。ま
た、他の配線材料としてＷを析出させる場合Ｗ(CO)6あ
るいはWF6，Niを析出させる場合Ni(CO)4を使用し、析出
アニールを行うレーザ光としてArレーザの基本波（波長
514.5nm）を用いる組合せや、Arレーザの第２高調波
（波長257nm）を用いてAl(CH3)２からAl、Cd(CH3)２か
らCdを析出させ、Arレーザの基本波によりアニールを行
う組合せを使用することができる。但し、本発明はこれ
らに限定されるものではない。
本発明によれば、レーザＣＶＤで形成した配線の抵抗値
を低減できるので、信号遅延が問題となるような半導体
装置の補修用配線に用いることができる。また、上記配
線のみにレーザ等のエネルギビームを照射するため、周
囲の完成した素子に熱影響を与えることなく補修できる
効果がある。
を低減できるので、信号遅延が問題となるような半導体
装置の補修用配線に用いることができる。また、上記配
線のみにレーザ等のエネルギビームを照射するため、周
囲の完成した素子に熱影響を与えることなく補修できる
効果がある。
第１図は本発明の配線形成を行うための一実施例を示す
図、第２図は本発明の配線形成工程を説明する図、第３
図は本発明の配線形成を行うための別の実施例を示す
図、第４図は本発明の配線形成を行う別の実施例を示す
図である。 １……レーザ発振器、２……レーザ光、４……対物レン
ズ、13……チヤンバ、16……ＣＶＤガス用ボンベ、19…
…試料、20……Ｚステージ、21……Ｘ−Ｙステージ、22
……コンピユータ、33……Al配線層、34a，34b……窓あ
け部、36……Mo膜、38……アニールしたMo膜、24……シ
リンドリカルレンズ、41，42……ノズル。
図、第２図は本発明の配線形成工程を説明する図、第３
図は本発明の配線形成を行うための別の実施例を示す
図、第４図は本発明の配線形成を行う別の実施例を示す
図である。 １……レーザ発振器、２……レーザ光、４……対物レン
ズ、13……チヤンバ、16……ＣＶＤガス用ボンベ、19…
…試料、20……Ｚステージ、21……Ｘ−Ｙステージ、22
……コンピユータ、33……Al配線層、34a，34b……窓あ
け部、36……Mo膜、38……アニールしたMo膜、24……シ
リンドリカルレンズ、41，42……ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 秀造 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 水越 克郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−216555（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】局所ＣＶＤにより導体に接続する配線を形
成し、真空、還元ガス、不活性ガスのいずれかの雰囲気
中で前記形成した配線上にレーザを相対的に走査し、前
記形成した配線を局所的に加熱して低抵抗化することを
特徴とする配線形成方法。 - 【請求項２】前記局所ＣＶＤが、レーザを用いたＣＶＤ
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配
線形成方法。 - 【請求項３】前記局所ＣＶＤを行うレーザと、前記局所
的に加熱を行うレーザとを同一のレーザ光源を用いて行
うことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の配線形
成方法。 - 【請求項４】前記局所ＣＶＤにより配線を形成する工程
が、有機金属ガスを用いたＣＶＤであることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項または第３項記載の配線形成方
法。 - 【請求項５】前記局所ＣＶＤにより形成した配線が、Ｍ
ｏ，Ｗなどの高融点金属であることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61195390A JPH0644564B2 (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61195390A JPH0644564B2 (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 配線形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1608994A Division JPH0799746B2 (ja) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | 配線形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352442A JPS6352442A (ja) | 1988-03-05 |
| JPH0644564B2 true JPH0644564B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16340356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61195390A Expired - Fee Related JPH0644564B2 (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644564B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733244B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1998-03-30 | 株式会社日立製作所 | 配線形成方法 |
| JPH02312237A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその配線修正方法および配線修正装置 |
| JP3009157B2 (ja) * | 1989-07-07 | 2000-02-14 | 株式会社日立製作所 | 配線膜形成方法及びその装置 |
| JPH0385729A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Hitachi Ltd | 配線形成方法 |
| WO1996007122A1 (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method of production of active matrix type liquid crystal display device |
| JP5166693B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2013-03-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011056536A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP5912264B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2016-04-27 | 日本発條株式会社 | レーザー加工方法及び装置 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP61195390A patent/JPH0644564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6352442A (ja) | 1988-03-05 |
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