JPH0644659B2 - 光集積回路装置 - Google Patents
光集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0644659B2 JPH0644659B2 JP60157254A JP15725485A JPH0644659B2 JP H0644659 B2 JPH0644659 B2 JP H0644659B2 JP 60157254 A JP60157254 A JP 60157254A JP 15725485 A JP15725485 A JP 15725485A JP H0644659 B2 JPH0644659 B2 JP H0644659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- integrated circuit
- optical integrated
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光通信用光源やコンパクトディスク用光源に用
いることができる光集積回路装置に関するものである。
いることができる光集積回路装置に関するものである。
従来の技術 従来、半導体レーザを用いる際、一定光出力を得るため
には、レーザの後方より出射する光を受光素子で検知
し、その信号をレーザの駆動回路ヘフィードバックす
る、いわゆるＡＰＣ（Automatic Power Control）動作
を行なっている。このため、レーザチップの後方に受光
素子をボンディングしなければならない。又、受光素子
からの反射光がレーザキャビティに戻ると発振光の縦モ
ードを不安定にするため、反射光がレーザキャビティー
に戻らないように配慮されなければならない。これとは
別に戻り光を利用して、縦モードを安定化する方法も検
討されている。これらの縦モード安定化のために外部に
反射鏡を設ける方法が行われている。
には、レーザの後方より出射する光を受光素子で検知
し、その信号をレーザの駆動回路ヘフィードバックす
る、いわゆるＡＰＣ（Automatic Power Control）動作
を行なっている。このため、レーザチップの後方に受光
素子をボンディングしなければならない。又、受光素子
からの反射光がレーザキャビティに戻ると発振光の縦モ
ードを不安定にするため、反射光がレーザキャビティー
に戻らないように配慮されなければならない。これとは
別に戻り光を利用して、縦モードを安定化する方法も検
討されている。これらの縦モード安定化のために外部に
反射鏡を設ける方法が行われている。
発明が解決しようとする問題点 上記のようにレーザのＡＰＣ動作のために受光素子を後
方に設けることや、縦モード安定化のために外部に反射
鏡を設ける方法は、装着時の再現性に乏しく、安定性に
欠ける。
方に設けることや、縦モード安定化のために外部に反射
鏡を設ける方法は、装着時の再現性に乏しく、安定性に
欠ける。
本発明は上記欠点に鑑み、縦モードの安定化を安定性よ
く実施することのできる光集積回路装置を提供するもの
である。
く実施することのできる光集積回路装置を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の光集積回路装置
は、半導体レーザとそのキャビティーに隣接してレーザ
の活性層に一致するように絶縁膜を介して受光素子とな
るＰｎ接合が形成されて構成されている。
は、半導体レーザとそのキャビティーに隣接してレーザ
の活性層に一致するように絶縁膜を介して受光素子とな
るＰｎ接合が形成されて構成されている。
作用 この構成によって、レーザの活性層内に分布する光の一
部を受光素子で検知することができ、その信号でＡＰＣ
動作を行なうことができる。その上、レーザキャビティ
ーに隣接して局部的に形成された受光素子部とそれ以外
にキャビティー部界面で光の内部反射が起こり、複合キ
ャビティーを構成し、縦モードを安定化することができ
る。
部を受光素子で検知することができ、その信号でＡＰＣ
動作を行なうことができる。その上、レーザキャビティ
ーに隣接して局部的に形成された受光素子部とそれ以外
にキャビティー部界面で光の内部反射が起こり、複合キ
ャビティーを構成し、縦モードを安定化することができ
る。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図，第２図は本発明の実施例における光集積回路の
斜視図および断面図である。
斜視図および断面図である。
１はｐ型GaAs基板、２はｎ型GaAs層、３はｐ型Ga1-xAlx
Asクラッド層、４はノンドープGa1-yAlyAs活性層、５は
ｎ型Ga1-x′Alx′Asクラッド層、６はｎ型GaAs層、７は
ｐ側オーミック電極、８はｎ側オーミック電極、９はレ
ーザと受光素子を電気的に分離するSiO2膜、１０はｎ型
GaAs層、１１はｐ型GaAs層、１２はオーミック電極、１
３〜１５は電極端子である。
Asクラッド層、４はノンドープGa1-yAlyAs活性層、５は
ｎ型Ga1-x′Alx′Asクラッド層、６はｎ型GaAs層、７は
ｐ側オーミック電極、８はｎ側オーミック電極、９はレ
ーザと受光素子を電気的に分離するSiO2膜、１０はｎ型
GaAs層、１１はｐ型GaAs層、１２はオーミック電極、１
３〜１５は電極端子である。
ｎ型GaAs層２は１μｍ、ｐ型Ga1-xAlxAsクラッド層３は
0.3μｍ、活性層４は0.1μｍ、ｎ型Ga1-x′Alx′As層５
は２μｍ、ｎ型GaAs層６は２μｍである。SiO2膜９はク
ラッド層３の溝部エッジより５μｍの所に位置し、厚さ
３０００Åである。ｎ型GaAs層１０とｐ型GaAs層１１と
の接合部は活性層４と一致している。
0.3μｍ、活性層４は0.1μｍ、ｎ型Ga1-x′Alx′As層５
は２μｍ、ｎ型GaAs層６は２μｍである。SiO2膜９はク
ラッド層３の溝部エッジより５μｍの所に位置し、厚さ
３０００Åである。ｎ型GaAs層１０とｐ型GaAs層１１と
の接合部は活性層４と一致している。
以上のように構成された光集積回路について、その動作
を説明する。
を説明する。
先ず、端子１３をプラス、端子１４をマイナスにしてレ
ーザ部をバイアスするとクラッド層３の溝部直上の活性
層４で単一横モード発振を行なう。ここで端子１３に対
して１５もマイナスにしてｎ，ｐ−GaAs層１０，１１の
接合部に逆バイアスを印加する。
ーザ部をバイアスするとクラッド層３の溝部直上の活性
層４で単一横モード発振を行なう。ここで端子１３に対
して１５もマイナスにしてｎ，ｐ−GaAs層１０，１１の
接合部に逆バイアスを印加する。
キャビティーでの活性層接合面に平行方向での光の近視
野分布はクラッド層３の溝幅以上に広がり光分布の一部
がSiO2膜９を通してｎ，ｐ−GaAs層１０，１１の接合部
で吸収されることになり、その信号を用いることによっ
てレーザの光出力を一定にするＡＰＣ動作を行なうこと
ができる。
野分布はクラッド層３の溝幅以上に広がり光分布の一部
がSiO2膜９を通してｎ，ｐ−GaAs層１０，１１の接合部
で吸収されることになり、その信号を用いることによっ
てレーザの光出力を一定にするＡＰＣ動作を行なうこと
ができる。
本実施例のレーザは３つのキャビティーｌ１，ｌ２，ｌ
３を有する複合キャビティーレーザになっており、ゲイ
ン分布の中で３つのキャビティーで干渉を行なう波長が
選択され、単一縦モード発振を行なう。
３を有する複合キャビティーレーザになっており、ゲイ
ン分布の中で３つのキャビティーで干渉を行なう波長が
選択され、単一縦モード発振を行なう。
又、レーザ方向の光の出射を必要とせず、キャビティー
の後方端面に高反射コーディング膜１６を形成し、反射
率を１００％に近い高反射面を形成することにより、レ
ーザの高出力化も容易に行なえる。なお、実施例ではレ
ーザとして内部ストライプ型を示したが、これに限定さ
れるものではなく、いかなるストライプ型レーザでも用
いることができる。又、受光部としてｐｎ接合を示した
が、これに限定されるものではなく、いかなる受光素子
（pin，アバランシェフォトダイオード，フォトコンダ
クターなど）でもよい。又、GaAs-CaAlAs系材料で示し
たが、InGaAs ｐ系をはじめ、その他のIII−Ｖ，II−I
V族半導体の使用も可能である。
の後方端面に高反射コーディング膜１６を形成し、反射
率を１００％に近い高反射面を形成することにより、レ
ーザの高出力化も容易に行なえる。なお、実施例ではレ
ーザとして内部ストライプ型を示したが、これに限定さ
れるものではなく、いかなるストライプ型レーザでも用
いることができる。又、受光部としてｐｎ接合を示した
が、これに限定されるものではなく、いかなる受光素子
（pin，アバランシェフォトダイオード，フォトコンダ
クターなど）でもよい。又、GaAs-CaAlAs系材料で示し
たが、InGaAs ｐ系をはじめ、その他のIII−Ｖ，II−I
V族半導体の使用も可能である。
SiO2以外の絶縁材料の使用できることはいうまでもな
い。又、本実施例では受光部をレーザキャビティーの中
央に位置させ、３つのキャビティーの構成を示したが受
光部をキャビティー端部に形成し２つのキャビティーに
することも可能である。その上、受光部を複数にして３
つ以上の複合キャビティーレーザも構成することができ
る。又、発振部の両側に設けることもできる。
い。又、本実施例では受光部をレーザキャビティーの中
央に位置させ、３つのキャビティーの構成を示したが受
光部をキャビティー端部に形成し２つのキャビティーに
することも可能である。その上、受光部を複数にして３
つ以上の複合キャビティーレーザも構成することができ
る。又、発振部の両側に設けることもできる。
発明の効果 以上のように本発明は、レーザのストライプ状キャビテ
ィーに隣接させ、受光素子を設けることにより、受光素
子の信号を用いてレーザをＡＰＣ動作させることがで
き、その上、複合キャビティー構造をとることができ、
安定な単一縦モード発振を行うことができ、その実用的
効果は大なるものである。
ィーに隣接させ、受光素子を設けることにより、受光素
子の信号を用いてレーザをＡＰＣ動作させることがで
き、その上、複合キャビティー構造をとることができ、
安定な単一縦モード発振を行うことができ、その実用的
効果は大なるものである。
さらに、後方端面を高反射率にすることによりレーザの
高出力動作という効果も得られる。
高出力動作という効果も得られる。
第１図は本発明の一実施例における光集積回路装置の斜
視図、第２図はその断面図である。 １……ｐ型GaAs基板、２……ｎ型GaAs層、３……ｐ型Ga
1-xAlxAs層、４……ノンドープGa1-yAlyAs活性層、５…
…ｎ型Ga1-x′Alx′As層、６……ｎ型GaAs層、７……ｐ
側オーミック電極、８……ｎ側オーミック電極、９……
SiO2膜、１０……ｎ型GaAs層、１１……ｐ型GaAs層、１
２……オーミック電極、１３〜１５……電極端子、１６
……高反射コーティング膜。
視図、第２図はその断面図である。 １……ｐ型GaAs基板、２……ｎ型GaAs層、３……ｐ型Ga
1-xAlxAs層、４……ノンドープGa1-yAlyAs活性層、５…
…ｎ型Ga1-x′Alx′As層、６……ｎ型GaAs層、７……ｐ
側オーミック電極、８……ｎ側オーミック電極、９……
SiO2膜、１０……ｎ型GaAs層、１１……ｐ型GaAs層、１
２……オーミック電極、１３〜１５……電極端子、１６
……高反射コーティング膜。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に活性層を含むダブルヘテロ
接合と、ストライプ状の窓を有する電流制限層とをそな
えた半導体レーザにおいて、少なくともレーザキャビテ
ィ部に隣接した前記ダブルヘテロ接合の一部を除去した
部分に、絶縁膜を介して受光素子がその接合部と前記活
性層と同位置となるように形成され、前記受光素子部と
前記レーザキャビティ部界面で光の内部反射を生じさ
せ、複合キャビティを構成することを特徴とする光集積
回路装置。 - 【請求項２】レーザキャビティ後方端面に高反射率の膜
が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60157254A JPH0644659B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60157254A JPH0644659B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218079A JPS6218079A (ja) | 1987-01-27 |
| JPH0644659B2 true JPH0644659B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15645628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60157254A Expired - Lifetime JPH0644659B2 (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644659B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2695315B2 (ja) * | 1991-08-01 | 1997-12-24 | 株式会社ピーエフユー | 用紙検出センサの誤動作防止装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150888A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS59128756U (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-30 | 三洋電機株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60157254A patent/JPH0644659B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218079A (ja) | 1987-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6339607B1 (en) | Method and apparatus for modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers | |
| US6347108B2 (en) | Method and apparatus for modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers | |
| JP4090402B2 (ja) | 半導体光増幅器及びそれを用いた光モジュ−ル | |
| US20050259700A1 (en) | Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device | |
| JP2000196189A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JP3099921B2 (ja) | 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 | |
| US4977570A (en) | Semiconductor laser array with stripe electrodes having pads for wire bonding | |
| JPH0766995B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0118591B2 (ja) | ||
| JP2000269600A (ja) | 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス | |
| JP3251003B2 (ja) | 半導体レーザ装置及び光学記録再生装置 | |
| JPH11186661A (ja) | 変調器付半導体レーザ | |
| JPH0644659B2 (ja) | 光集積回路装置 | |
| JPS6083389A (ja) | 面発光レ−ザ発振装置 | |
| JPH08162669A (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JP2967757B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH04144182A (ja) | 光半導体装置アレイ | |
| JPH0685456B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2001042169A (ja) | 光学装置 | |
| JPH0666514B2 (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6320396B2 (ja) | ||
| JPH0433386A (ja) | 端面出射型半導体発光素子およびその駆動方法 | |
| JP2806094B2 (ja) | スーパ・ルミネッセント・ダイオード | |
| JPS62140488A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP3154828B2 (ja) | 半導体能動素子 |