JPH0645037B2 - 超純水製造方法 - Google Patents
超純水製造方法Info
- Publication number
- JPH0645037B2 JPH0645037B2 JP61180601A JP18060186A JPH0645037B2 JP H0645037 B2 JPH0645037 B2 JP H0645037B2 JP 61180601 A JP61180601 A JP 61180601A JP 18060186 A JP18060186 A JP 18060186A JP H0645037 B2 JPH0645037 B2 JP H0645037B2
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超純水製造方法に関し、特に純水を逆浸透膜に
より処理する工程を有するものに関するものである。
より処理する工程を有するものに関するものである。
従来純水製造工程では、比抵抗10MΩcm以上,微粒子
数10〜500ケ/m(0.2μm以上)、バクテリア数1
〜10ケ/m等の水質以上の純水や超純水を精製した場
合、その精製された処理水を一時的に蓄えるタンクの汚
染シールには微圧のN2(窒素)ガスシールが行なわれて
きた。
数10〜500ケ/m(0.2μm以上)、バクテリア数1
〜10ケ/m等の水質以上の純水や超純水を精製した場
合、その精製された処理水を一時的に蓄えるタンクの汚
染シールには微圧のN2(窒素)ガスシールが行なわれて
きた。
第3図は超純水を製造する従来装置のフローの一例を示
し、該図を用いて超純水の製造方法を説明する。
し、該図を用いて超純水の製造方法を説明する。
基本的には受入原水を原水槽1で受けた後、凝集沈澱濾
過槽2で凝集剤を用いて原水を濾過し、さらにポリッシ
ング濾過槽3で濾過した水を、N2ガスシールされた前処
理槽4に貯める。ここまでの処理は前処理と言われ原水
中の大きなゴミ,不純物を砂濾過で減らすのが主目的で
ある。
過槽2で凝集剤を用いて原水を濾過し、さらにポリッシ
ング濾過槽3で濾過した水を、N2ガスシールされた前処
理槽4に貯める。ここまでの処理は前処理と言われ原水
中の大きなゴミ,不純物を砂濾過で減らすのが主目的で
ある。
次に上記処理水をカチオン樹脂槽5,脱CO2塔6,アニ
オン樹脂槽7に通して上記処理水中の陽イオンや陰イオ
ンを取り純水とし、一次純水槽8に貯える。ここでは上
記純水は比抵抗約1MΩcm程度の水質となっている。ま
た、イオン交換樹脂槽5,7は水中の微粒子や有機物の
吸着を行ない、毎日一度程度のイオン交換樹脂の再生
時、系外へ吸着したものを排出する役割を持っている。
オン樹脂槽7に通して上記処理水中の陽イオンや陰イオ
ンを取り純水とし、一次純水槽8に貯える。ここでは上
記純水は比抵抗約1MΩcm程度の水質となっている。ま
た、イオン交換樹脂槽5,7は水中の微粒子や有機物の
吸着を行ない、毎日一度程度のイオン交換樹脂の再生
時、系外へ吸着したものを排出する役割を持っている。
次に一次純水槽8からの純水を熱交換器9,プレフィル
タ10,逆浸透膜11を通して精製し、N2ガスシールさ
れたRO処理水槽12に貯水する。上記逆浸透膜(Rever
se Osmosis,Film)11は、海水を淡水にする為に開発さ
れたもので、5〜10Åのポアーサイズの膜として20〜30
kg/cm2の高圧をかけて汚い水をきれいな水にしてい
る。この膜は海水を淡水にするぐらいであるので脱塩率
90〜99%,分子量300〜500以上の高分子物質、特に高分
子有機物をほぼ100%除去することができる。又、ポア
ーサイズが小さいので水中のダストもかなり除去でき
る。しかしこの逆浸透膜11はうすい膜でスパイラル状
に何m2の面積を持つ膜であり、高圧をかけて運転するの
で上記物質は一部スルー(通過)し、コロイダル状物質
の除去率は非常に低い。
タ10,逆浸透膜11を通して精製し、N2ガスシールさ
れたRO処理水槽12に貯水する。上記逆浸透膜(Rever
se Osmosis,Film)11は、海水を淡水にする為に開発さ
れたもので、5〜10Åのポアーサイズの膜として20〜30
kg/cm2の高圧をかけて汚い水をきれいな水にしてい
る。この膜は海水を淡水にするぐらいであるので脱塩率
90〜99%,分子量300〜500以上の高分子物質、特に高分
子有機物をほぼ100%除去することができる。又、ポア
ーサイズが小さいので水中のダストもかなり除去でき
る。しかしこの逆浸透膜11はうすい膜でスパイラル状
に何m2の面積を持つ膜であり、高圧をかけて運転するの
で上記物質は一部スルー(通過)し、コロイダル状物質
の除去率は非常に低い。
その後RO処理水槽12からの精製水を真空膜気塔1
3,混床塔14,N2ガスシールされた二次純水槽15を
とおし、その後段のユースポイントや超々純水製造工程
で処理すれば一層良い水質の超純水が得られる。ここで
真空脱気塔13は水に溶けているガスが泡状になってく
るのを防ぐものである。
3,混床塔14,N2ガスシールされた二次純水槽15を
とおし、その後段のユースポイントや超々純水製造工程
で処理すれば一層良い水質の超純水が得られる。ここで
真空脱気塔13は水に溶けているガスが泡状になってく
るのを防ぐものである。
従来の超純水製造方法は以上のように構成されているの
で、水中に含まれるコロイダル状シリカ等のコロイド状
物質は除去しにくいという欠点があった。
で、水中に含まれるコロイダル状シリカ等のコロイド状
物質は除去しにくいという欠点があった。
本発明は従来のような問題点を解決するためになされた
もので、逆浸透膜を透過してしまう程度の微細なコロイ
ダル状物質をその固形化により効率よく除去することが
できる超純水製造方法を得ることを目的とする。
もので、逆浸透膜を透過してしまう程度の微細なコロイ
ダル状物質をその固形化により効率よく除去することが
できる超純水製造方法を得ることを目的とする。
最近の超LSIや超々LSI用洗浄水としての超純水や
超々純水の水質を得るうえで最も大きな問題となってい
るのがコロイダル状シリカ,コロイダル状金属成分,及
びコロイダル状有機物である。
超々純水の水質を得るうえで最も大きな問題となってい
るのがコロイダル状シリカ,コロイダル状金属成分,及
びコロイダル状有機物である。
そこで本発明に係る超純水製造方法は、原水の処理水に
イオン除去処理を施して得られた純水を、酸素ガスでガ
スシールされた貯水タンクに貯水し、従来純水中のコロ
イダル物質を酸化により固形化するようにしたものであ
る。
イオン除去処理を施して得られた純水を、酸素ガスでガ
スシールされた貯水タンクに貯水し、従来純水中のコロ
イダル物質を酸化により固形化するようにしたものであ
る。
この発明においては、原水の処理水にイオン除去処理を
施して得られた純水を、酸素ガスでガスシールされた純
水槽に貯水し、従来純水中のコロイダル物質を酸化によ
り固形化するようにしたから、従来コロイダル物質が酸
化状固形微粒子として逆浸透膜の濃縮水側に排出される
こととなり、上記逆浸透膜による除去が困難なコロイダ
ル物質の除去率を向上することができる。
施して得られた純水を、酸素ガスでガスシールされた純
水槽に貯水し、従来純水中のコロイダル物質を酸化によ
り固形化するようにしたから、従来コロイダル物質が酸
化状固形微粒子として逆浸透膜の濃縮水側に排出される
こととなり、上記逆浸透膜による除去が困難なコロイダ
ル物質の除去率を向上することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による超純水製造方法のフロ
ーを示し、図において、第3図と同一符号は同一のもの
を示し、80は窒素ガスでシールされる一次純水槽で、
高品質になってきた最近の超々LSIデバイスの洗浄水
で問題になっているコロイダル状物質を除去するように
したものである。
ーを示し、図において、第3図と同一符号は同一のもの
を示し、80は窒素ガスでシールされる一次純水槽で、
高品質になってきた最近の超々LSIデバイスの洗浄水
で問題になっているコロイダル状物質を除去するように
したものである。
また第2図は上記一次純水槽80を示し、図中、21は
一次純水供給口、22は一次純水排出口、23はメッシ
ュ、24は多孔O2供給配管、25はシールガス排出部
であり、上記槽80では酸素ガスシールを行うと共に第
2図に示すように一次純水供給口21より2B3T(二
床三塔)で処理された比抵抗1MΩcm前後の純水を受け
る。このタンクの従来の役割は逆浸透膜11の処理の為
のバッファ水槽として純水を一時的に貯水すること、ま
たこのタンク80に貯蔵される純水に空気中のCO2ガ
ス等の不純物ガスを溶かさないようにすると共に外気の
ダストやバクテリアを混入させないようにすることであ
り、そのシールガスとして窒素ガスを用いていた。
一次純水供給口、22は一次純水排出口、23はメッシ
ュ、24は多孔O2供給配管、25はシールガス排出部
であり、上記槽80では酸素ガスシールを行うと共に第
2図に示すように一次純水供給口21より2B3T(二
床三塔)で処理された比抵抗1MΩcm前後の純水を受け
る。このタンクの従来の役割は逆浸透膜11の処理の為
のバッファ水槽として純水を一時的に貯水すること、ま
たこのタンク80に貯蔵される純水に空気中のCO2ガ
ス等の不純物ガスを溶かさないようにすると共に外気の
ダストやバクテリアを混入させないようにすることであ
り、そのシールガスとして窒素ガスを用いていた。
しかるに本実施例では純水中のコロイダル物質を固型化
することもできるようシールガスとして酸素ガスを用い
た。具体的にはO2ガスと純水の気液接触の効率を向上
させるため、受入純水をその上部の一次純水供給口21
からタンク80に供給し下部の一次純水排出口22から
次工程へ送り、またタンク80の下に♯50〜♯100メッ
シュ23をはり、その下までO2ガス配管を施工し、さ
らにメッシュ23の下にあるO2ガス配管部分は0.1〜
0.5mmの多孔のある配管24とし、該管24とメッシュ
23の両方で小さなO2ガス気泡を純水中でバブリング
させるようにしている。またタンク80の上部の純水の
ない空間にはO2ガスを陽圧にして充満させこの陽圧が
過多になった時25のバルブから外へ出るようにしてい
る。
することもできるようシールガスとして酸素ガスを用い
た。具体的にはO2ガスと純水の気液接触の効率を向上
させるため、受入純水をその上部の一次純水供給口21
からタンク80に供給し下部の一次純水排出口22から
次工程へ送り、またタンク80の下に♯50〜♯100メッ
シュ23をはり、その下までO2ガス配管を施工し、さ
らにメッシュ23の下にあるO2ガス配管部分は0.1〜
0.5mmの多孔のある配管24とし、該管24とメッシュ
23の両方で小さなO2ガス気泡を純水中でバブリング
させるようにしている。またタンク80の上部の純水の
ない空間にはO2ガスを陽圧にして充満させこの陽圧が
過多になった時25のバルブから外へ出るようにしてい
る。
また、この一次純水槽の後段にコロイダル状を固型化し
た物質を濃縮水側に排出する為にRO膜11を配置し、
該RO膜後段に溶存O2の残ガスを除去する為の真空脱
気塔13を配置すればさらに良い水質を得ることができ
る。
た物質を濃縮水側に排出する為にRO膜11を配置し、
該RO膜後段に溶存O2の残ガスを除去する為の真空脱
気塔13を配置すればさらに良い水質を得ることができ
る。
このように本実施例では一次純水槽80のN2シールガ
スを酸素シールガスに変えると共に酸素シールガスを一
次純水槽80にて小さな気泡でバブリングさせこれによ
り気液接触を向上させ純水中のコロイド物質を酸化させ
例えばコロイドシリカをSiO2微粒子にしてRO膜1
1の濃縮水側に排出するようにしたので、ユースポイン
トや末端の高精度なフィルタを100%透水させても目詰
まらないようにできるだけでなく、膜分離で除去できな
い純水中のコロイダル物質を固形物として効率よく除去
することができる。またこの際純水中のイオン状物質も
一部酸化して固形物として除去することができる。
スを酸素シールガスに変えると共に酸素シールガスを一
次純水槽80にて小さな気泡でバブリングさせこれによ
り気液接触を向上させ純水中のコロイド物質を酸化させ
例えばコロイドシリカをSiO2微粒子にしてRO膜1
1の濃縮水側に排出するようにしたので、ユースポイン
トや末端の高精度なフィルタを100%透水させても目詰
まらないようにできるだけでなく、膜分離で除去できな
い純水中のコロイダル物質を固形物として効率よく除去
することができる。またこの際純水中のイオン状物質も
一部酸化して固形物として除去することができる。
以上のように本発明によれば、原水の処理水にイオン除
去処理を施して得られた純水を、酸素ガスでガスシール
された貯水タンクに貯水し、上記純水中のコロイダル物
質を酸化により固形化するようにしたので、上記コロイ
ダル物質が膜分離工程で酸化状固形微粒子として逆浸透
膜の濃縮水側に排出されることとなり、逆浸透膜で除去
しにくいコロイダル物質の除去率を向上することができ
る超純水製造方法を得ることができる。
去処理を施して得られた純水を、酸素ガスでガスシール
された貯水タンクに貯水し、上記純水中のコロイダル物
質を酸化により固形化するようにしたので、上記コロイ
ダル物質が膜分離工程で酸化状固形微粒子として逆浸透
膜の濃縮水側に排出されることとなり、逆浸透膜で除去
しにくいコロイダル物質の除去率を向上することができ
る超純水製造方法を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例による超純水製造方法を説明
するための図、第2図は該方法に用いる一次純水槽の構
造を示す図、第3図は従来の超純水製造方法を説明する
ための図である。 図において、21は一次純水供給口、22は一次純水排
出口、23は♯50〜♯100メッシュ(SUS製又はポリ
マー)、24は多孔O2供給配管、25はシールガス排
出部、80は一次純水タンクである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
するための図、第2図は該方法に用いる一次純水槽の構
造を示す図、第3図は従来の超純水製造方法を説明する
ための図である。 図において、21は一次純水供給口、22は一次純水排
出口、23は♯50〜♯100メッシュ(SUS製又はポリ
マー)、24は多孔O2供給配管、25はシールガス排
出部、80は一次純水タンクである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項1】原水の凝集沈澱処理を行う前処理工程と、 上記処理水をイオン交換樹脂層を通し純水とするととも
に、この純水を酸素ガスでガスシールされた純水槽に貯
水し、上記純水中のコロイダル物質を固形化する工程
と、 上記純水から上記コロイダル物質及び高分子有機物を逆
浸透膜を用いて除去する工程とを備えたことを特徴とす
る超純水製造方法。 - 【請求項2】上記酸素ガスシールは、上記純水槽内で酸
素ガスをバブリングさせて行うことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の超純水製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180601A JPH0645037B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 超純水製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180601A JPH0645037B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 超純水製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336899A JPS6336899A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0645037B2 true JPH0645037B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=16086107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61180601A Expired - Fee Related JPH0645037B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 超純水製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645037B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0790219B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1995-10-04 | 日本錬水株式会社 | 純水製造装置及び製造方法 |
| JP2872829B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1999-03-24 | オルガノ株式会社 | 超純水の製造のための曝気装置及び方法 |
| JP2978418B2 (ja) * | 1995-05-26 | 1999-11-15 | 川崎重工業株式会社 | 自動刃具交換装置 |
| JP3727156B2 (ja) * | 1997-10-22 | 2005-12-14 | オルガノ株式会社 | 脱塩装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631496A (en) * | 1979-07-20 | 1981-03-30 | Ebara Infilco Co Ltd | Treatment of waste water |
| JPS592554A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-09 | Hitachi Ltd | 永久磁石界磁電動機 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61180601A patent/JPH0645037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6336899A (ja) | 1988-02-17 |
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|---|---|---|---|
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