JPH0645231A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0645231A JPH0645231A JP4197121A JP19712192A JPH0645231A JP H0645231 A JPH0645231 A JP H0645231A JP 4197121 A JP4197121 A JP 4197121A JP 19712192 A JP19712192 A JP 19712192A JP H0645231 A JPH0645231 A JP H0645231A
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- Japan
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- ray
- rays
- mask
- pattern
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線マ
スク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の
入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への
２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マ
スクのパターン方向に依存しない、転写パターンの線幅
精度が実現できるＸ線露光装置を提供するものである。 【構成】 Ｘ線露光装置のＸ線光学系１２内に、その主
光軸１４に平行なＸ線にコリメートする作用を有する回
転放物面状のＸ線反射ミラー１２Ａをその焦点がＸ線光
源１１に一致するように配置させると共にこのＸ線反射
ミラー１２ＡからのＸ線を透過させる平板結晶からなる
円偏向子１２Ｂを配置させて円偏向したＸ線をＸ線マス
ク１３に照射するように構成した。
スク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の
入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への
２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マ
スクのパターン方向に依存しない、転写パターンの線幅
精度が実現できるＸ線露光装置を提供するものである。 【構成】 Ｘ線露光装置のＸ線光学系１２内に、その主
光軸１４に平行なＸ線にコリメートする作用を有する回
転放物面状のＸ線反射ミラー１２Ａをその焦点がＸ線光
源１１に一致するように配置させると共にこのＸ線反射
ミラー１２ＡからのＸ線を透過させる平板結晶からなる
円偏向子１２Ｂを配置させて円偏向したＸ線をＸ線マス
ク１３に照射するように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンクロトロン放射光
等の直線偏光するＸ線を放射するＸ線源を利用したＸ線
露光装置に関する。
等の直線偏光するＸ線を放射するＸ線源を利用したＸ線
露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ストレージリングから放射するシンクロ
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域を
持ち、ストレージリング内の電子軌道面と平行な方向に
直線偏光するＸ線を水平方向に大きな発散角、垂直方向
には小さな発散角を持ってシート状に放射するＸ線源で
ある。
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域を
持ち、ストレージリング内の電子軌道面と平行な方向に
直線偏光するＸ線を水平方向に大きな発散角、垂直方向
には小さな発散角を持ってシート状に放射するＸ線源で
ある。
【０００３】このようなシンクロトロン放射光をＸ線源
として利用するＸ線露光装置としては、例えば、雑誌
（「ニュークリア インスツルメントツ アンド メソ
ッズイン フィジックス リサーチ」Ａ２４６（１９８
６）,ｐ.６５８〜６６７）に記載された、図３に示すも
のが知られている。同図において、１は水平方向及び垂
直方向の発散角を持つシート状のＸ線を放射するシンク
ロトロン放射光の光源点、２は平面Ｘ線反射ミラー、３
は１０オングストローム以上の長波長域を遮断するため
の例えばベリリウム膜等で形成された真空窓、４はＸ線
マスク、５は露光面である。そして、上記平面Ｘ線反射
ミラー２及びベリリウム膜等で形成された真空窓３でＸ
線光学系を構成し、露光に適当な波長である１０オング
ストローム近傍の波長帯のＸ線を取り出すようにしてい
る。
として利用するＸ線露光装置としては、例えば、雑誌
（「ニュークリア インスツルメントツ アンド メソ
ッズイン フィジックス リサーチ」Ａ２４６（１９８
６）,ｐ.６５８〜６６７）に記載された、図３に示すも
のが知られている。同図において、１は水平方向及び垂
直方向の発散角を持つシート状のＸ線を放射するシンク
ロトロン放射光の光源点、２は平面Ｘ線反射ミラー、３
は１０オングストローム以上の長波長域を遮断するため
の例えばベリリウム膜等で形成された真空窓、４はＸ線
マスク、５は露光面である。そして、上記平面Ｘ線反射
ミラー２及びベリリウム膜等で形成された真空窓３でＸ
線光学系を構成し、露光に適当な波長である１０オング
ストローム近傍の波長帯のＸ線を取り出すようにしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線露光装置の場合には、Ｘ線光学系を通過していくに
当り、それを構成するＸ線反射ミラー２及び真空窓３に
Ｘ線の偏光特性を変化させる作用がないため、ストレー
ジリング内の電子軌道面と平行な方向に直線偏光するシ
ンクロトロン放射光は、偏光特性をそのまま保持して、
直線偏光する露光Ｘ線となってＸ線マスク４に照射され
る。この時、Ｘ線マスク４及びレジスト中の元素は、直
線偏光するＸ線を吸収し、２次電子を放出し、その放出
方向の確率分布は下記数１で与えられる微分断面積に従
う。
Ｘ線露光装置の場合には、Ｘ線光学系を通過していくに
当り、それを構成するＸ線反射ミラー２及び真空窓３に
Ｘ線の偏光特性を変化させる作用がないため、ストレー
ジリング内の電子軌道面と平行な方向に直線偏光するシ
ンクロトロン放射光は、偏光特性をそのまま保持して、
直線偏光する露光Ｘ線となってＸ線マスク４に照射され
る。この時、Ｘ線マスク４及びレジスト中の元素は、直
線偏光するＸ線を吸収し、２次電子を放出し、その放出
方向の確率分布は下記数１で与えられる微分断面積に従
う。
【０００５】
【数１】
【０００６】数１において、Ｚは２次電子を放出するＸ
線マスク及びレジスト中の原子番号、ａ0はボーア半径
で、ａ0＝０.５２９×１０-8、αは微細構造定数で、α
＝１／１３７、Ｅは２次電子の運動エネルギー、ｍは電
子の質量、ｃは光速、ｖは光電子の速度（ｖはｃより遥
かに小さい）、ベクトルｋ0はＸ線の入射方向単位ベク
トル、ベクトルｅは偏光方向単位ベクトル、ベクトルｐ
は２次電子の放出方向単位ベクトルをそれぞれ示してい
る。
線マスク及びレジスト中の原子番号、ａ0はボーア半径
で、ａ0＝０.５２９×１０-8、αは微細構造定数で、α
＝１／１３７、Ｅは２次電子の運動エネルギー、ｍは電
子の質量、ｃは光速、ｖは光電子の速度（ｖはｃより遥
かに小さい）、ベクトルｋ0はＸ線の入射方向単位ベク
トル、ベクトルｅは偏光方向単位ベクトル、ベクトルｐ
は２次電子の放出方向単位ベクトルをそれぞれ示してい
る。
【０００７】即ち、２次電子は入射する直線偏光するＸ
線の偏光方向に最も多くの２次電子を放出する。従っ
て、Ｘ線マスク４のパターンを転写する時、偏光方向と
直交するパターンは、偏光方向と平行なパターンに比
べ、２次電子の影響を大きく受けるため、転写パターン
の線幅精度にパターン方向による依存性を生じるという
課題があった。
線の偏光方向に最も多くの２次電子を放出する。従っ
て、Ｘ線マスク４のパターンを転写する時、偏光方向と
直交するパターンは、偏光方向と平行なパターンに比
べ、２次電子の影響を大きく受けるため、転写パターン
の線幅精度にパターン方向による依存性を生じるという
課題があった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線
マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線
の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向へ
の２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線
マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの線
幅精度が実現できるＸ線露光装置を提供することを目的
としている。
れたもので、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線
マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線
の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向へ
の２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線
マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの線
幅精度が実現できるＸ線露光装置を提供することを目的
としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のＸ線露光装置は、Ｘ線光学系内に平板結晶からなる円
偏光子を配置させて円偏光したＸ線をＸ線マスクに照射
するように構成されている。
のＸ線露光装置は、Ｘ線光学系内に平板結晶からなる円
偏光子を配置させて円偏光したＸ線をＸ線マスクに照射
するように構成されている。
【００１０】また、本発明の請求項２に記載のＸ線露光
装置は、Ｘ線光学系内に、その主光軸に平行なＸ線にコ
リメートする作用を有する回転放物面状のＸ線反射ミラ
ーをその焦点がＸ線光源に一致するように配置させると
共にこのＸ線反射ミラーからのＸ線を透過させる平板結
晶からなる円偏光子を配置させて円偏光したＸ線をＸ線
マスクに照射するように構成されている。
装置は、Ｘ線光学系内に、その主光軸に平行なＸ線にコ
リメートする作用を有する回転放物面状のＸ線反射ミラ
ーをその焦点がＸ線光源に一致するように配置させると
共にこのＸ線反射ミラーからのＸ線を透過させる平板結
晶からなる円偏光子を配置させて円偏光したＸ線をＸ線
マスクに照射するように構成されている。
【００１１】
【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、Ｘ線
源からのＸ線の直線偏光特性をそのまま維持しながら平
板結晶の円偏光子に入射し、この円偏光子を透過したＸ
線は円偏光した状態でＸ線マスクに照射される。
源からのＸ線の直線偏光特性をそのまま維持しながら平
板結晶の円偏光子に入射し、この円偏光子を透過したＸ
線は円偏光した状態でＸ線マスクに照射される。
【００１２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、点光源状のＸ線源からのＸ線はＸ線反射ミラーに
入射してＸ線光学系の光軸に平行にコリメートされてＸ
線反射ミラーから反射された後、このコリメートされた
Ｘ線はその直線偏光特性を維持したままの直線偏光特性
をそのまま維持しながら平板結晶の円偏光子に入射し、
この円偏光子を透過したＸ線は円偏光した状態でＸ線マ
スクに照射される。
れば、点光源状のＸ線源からのＸ線はＸ線反射ミラーに
入射してＸ線光学系の光軸に平行にコリメートされてＸ
線反射ミラーから反射された後、このコリメートされた
Ｘ線はその直線偏光特性を維持したままの直線偏光特性
をそのまま維持しながら平板結晶の円偏光子に入射し、
この円偏光子を透過したＸ線は円偏光した状態でＸ線マ
スクに照射される。
【００１３】
【実施例】以下、図１、図２に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明のＸ線露光
装置の一実施例の概念を示す構成図、図２は図１に示す
Ｘ線露光装置のＸ線光学系の主光軸を含む縦方向の断面
図である。
発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明のＸ線露光
装置の一実施例の概念を示す構成図、図２は図１に示す
Ｘ線露光装置のＸ線光学系の主光軸を含む縦方向の断面
図である。
【００１４】本実施例のＸ線露光装置は、図１に示すよ
うに、直線偏光するＸ線をＸ線源１１から放射し、この
直線偏光するＸ線をＸ線光学系１２を通過させてＸ線マ
スク１３のパターンを転写するように構成されている。
そして、このＸ線露光装置では、シンクロトロン放射光
等の直線偏光するＸ線を用いるため、その光源サイズは
ストレージリングを周回する十分に小さい電子ビームサ
イズに等しい点光源とみなすことができる。
うに、直線偏光するＸ線をＸ線源１１から放射し、この
直線偏光するＸ線をＸ線光学系１２を通過させてＸ線マ
スク１３のパターンを転写するように構成されている。
そして、このＸ線露光装置では、シンクロトロン放射光
等の直線偏光するＸ線を用いるため、その光源サイズは
ストレージリングを周回する十分に小さい電子ビームサ
イズに等しい点光源とみなすことができる。
【００１５】而して、上記Ｘ線光学系１２内には、図
１、図２に示すように、その主光軸１４に平行なＸ線に
コリメートする作用を有する回転放物面状のＸ線反射ミ
ラー１２Ａがその焦点を上記Ｘ線光源１１に一致させて
配置されていると共に、このＸ線反射ミラー１２Ａから
のＸ線を透過させる平板結晶からなる円偏光子１２Ｂが
配置されており、上記Ｘ線反射ミラー１２Ａによってコ
リメートされた直線偏光特性を維持したＸ線を円偏光子
１２Ｂで円偏光させ、円偏光したＸ線をベリリウム膜等
でできた真空窓１２Ｃを透過させてＸ線マスク１３に照
射して、そのパターンを露光面、例えばレジスト１５に
転写するようにしてある。尚、図１において、１２Ｄは
直線偏光する電場ベクトル、１２Ｅは円偏光する電場ベ
クトルである。
１、図２に示すように、その主光軸１４に平行なＸ線に
コリメートする作用を有する回転放物面状のＸ線反射ミ
ラー１２Ａがその焦点を上記Ｘ線光源１１に一致させて
配置されていると共に、このＸ線反射ミラー１２Ａから
のＸ線を透過させる平板結晶からなる円偏光子１２Ｂが
配置されており、上記Ｘ線反射ミラー１２Ａによってコ
リメートされた直線偏光特性を維持したＸ線を円偏光子
１２Ｂで円偏光させ、円偏光したＸ線をベリリウム膜等
でできた真空窓１２Ｃを透過させてＸ線マスク１３に照
射して、そのパターンを露光面、例えばレジスト１５に
転写するようにしてある。尚、図１において、１２Ｄは
直線偏光する電場ベクトル、１２Ｅは円偏光する電場ベ
クトルである。
【００１６】また、上記Ｘ線反射ミラー１２Ａは、上述
のように、その反射面が回転放物面として形成され、そ
の焦点が上記点光源状のＸ線源１１と実質的に一致する
ように上記Ｘ線光学系１２内に配置されている。従っ
て、ストレージリング内の電子軌道面と平行する方向に
直線偏光し、水平方向及び垂直方向に発散角を持って放
射するシンクロトロン放射光は、上記Ｘ線反射ミラー１
２Ａに入射し、これによって直線偏光を保持したままＸ
線光学系１２の主光軸１４と平行にコリメートされる。
のように、その反射面が回転放物面として形成され、そ
の焦点が上記点光源状のＸ線源１１と実質的に一致する
ように上記Ｘ線光学系１２内に配置されている。従っ
て、ストレージリング内の電子軌道面と平行する方向に
直線偏光し、水平方向及び垂直方向に発散角を持って放
射するシンクロトロン放射光は、上記Ｘ線反射ミラー１
２Ａに入射し、これによって直線偏光を保持したままＸ
線光学系１２の主光軸１４と平行にコリメートされる。
【００１７】一方、上記平板結晶１２Ｂは、完全結晶に
よって薄板状に形成され、ブラッグ条件のもとでコヒー
レントなＸ線、例えば、直線偏光するＸ線にラウエ・ケ
ースの回折を起こさせると、結晶中で生じるブロッホ波
は、σ偏光成分、π偏光成分が干渉し合って、下記数２
で与えられる位相差Δφを生じ、透過回折光は楕円偏光
あるいは円偏光になる。
よって薄板状に形成され、ブラッグ条件のもとでコヒー
レントなＸ線、例えば、直線偏光するＸ線にラウエ・ケ
ースの回折を起こさせると、結晶中で生じるブロッホ波
は、σ偏光成分、π偏光成分が干渉し合って、下記数２
で与えられる位相差Δφを生じ、透過回折光は楕円偏光
あるいは円偏光になる。
【００１８】
【数２】
【００１９】数２において、ｔ0は薄い平板結晶１２Ｂ
の厚さ、λはＸ線の波長、θBはブラッグ角、ｒ0は古典
電子半径で、ｒ0＝２.８２×１０-13ｃｍ、Ｆhklは結晶
構造因子、ｖは結晶の単位セル当りの体積をそれぞれ示
している。
の厚さ、λはＸ線の波長、θBはブラッグ角、ｒ0は古典
電子半径で、ｒ0＝２.８２×１０-13ｃｍ、Ｆhklは結晶
構造因子、ｖは結晶の単位セル当りの体積をそれぞれ示
している。
【００２０】而して、直線偏光するＸ線の波長に対応し
て数２で与えられる位相差が９０°になる条件を満たす
厚さ及び完全結晶によって形成された平板結晶１２Ｂを
結晶の回折面と入射Ｘ線の直線偏光方向との角度が４５
°になるように配置し、ラウエ・ケースでこのＸ線に回
折を起こさせると、その透過Ｘ線は円偏光になる。円偏
光したＸ線はそのまま偏光特性を保持したままＸ線光学
系１２を通過してＸ線マスク１３に入射し、そのパター
ンを転写する。この時、Ｘ線マスク１３及びレジスト１
５中の元素からの２次電子は露光Ｘ線の入射方向を軸と
して均一な方向に放出され、一方向への２次電子の影響
を実効的に低くしながら、しかもＸ線マスクのパターン
方向に依存しない、転写パターンの線幅精度を実現する
ことができ、延いてはＸ線リソグラフィーにおけるレジ
スト１５のパターン寸法を高精度に制御することができ
る。
て数２で与えられる位相差が９０°になる条件を満たす
厚さ及び完全結晶によって形成された平板結晶１２Ｂを
結晶の回折面と入射Ｘ線の直線偏光方向との角度が４５
°になるように配置し、ラウエ・ケースでこのＸ線に回
折を起こさせると、その透過Ｘ線は円偏光になる。円偏
光したＸ線はそのまま偏光特性を保持したままＸ線光学
系１２を通過してＸ線マスク１３に入射し、そのパター
ンを転写する。この時、Ｘ線マスク１３及びレジスト１
５中の元素からの２次電子は露光Ｘ線の入射方向を軸と
して均一な方向に放出され、一方向への２次電子の影響
を実効的に低くしながら、しかもＸ線マスクのパターン
方向に依存しない、転写パターンの線幅精度を実現する
ことができ、延いてはＸ線リソグラフィーにおけるレジ
スト１５のパターン寸法を高精度に制御することができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、Ｘ線光学系内に円偏光子を配置し
たため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線マス
ク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の入
射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への２
次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マス
クのパターン方向に依存しない、転写パターンの線幅精
度が実現できるＸ線露光装置を提供することができる。
記載の発明によれば、Ｘ線光学系内に円偏光子を配置し
たため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線マス
ク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の入
射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への２
次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マス
クのパターン方向に依存しない、転写パターンの線幅精
度が実現できるＸ線露光装置を提供することができる。
【００２２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、Ｘ線光学系内に、回転放物面状のＸ線反射ミラー
をその焦点がＸ線光源に一致するように配置し且つこの
Ｘ線反射ミラーからのＸ線を透過させる円偏光子を配置
したため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、水平方
向及び垂直方向に発散角を持つＸ線をコリメートしてＸ
線マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ
線の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向
への２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ
線マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの
線幅精度が実現できるＸ線露光装置を提供することがで
きる。
れば、Ｘ線光学系内に、回転放物面状のＸ線反射ミラー
をその焦点がＸ線光源に一致するように配置し且つこの
Ｘ線反射ミラーからのＸ線を透過させる円偏光子を配置
したため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、水平方
向及び垂直方向に発散角を持つＸ線をコリメートしてＸ
線マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ
線の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向
への２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ
線マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの
線幅精度が実現できるＸ線露光装置を提供することがで
きる。
【図１】本発明のＸ線露光装置の一実施例の概念を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】図１に示すＸ線露光装置のＸ線光学系の主光軸
を含む縦方向の断面図である。
を含む縦方向の断面図である。
【図３】従来のＸ線露光装置の概念を示す構成図であ
る。
る。
１１ Ｘ線源 １２ Ｘ線光学系 １２Ａ Ｘ線反射ミラー １２Ｂ 円偏光子 １３ Ｘ線マスク １４ 主光軸
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】このようなシンクロトロン放射光をＸ線源
として利用するＸ線露光装置としては、例えば、雑誌
（「ニュークリア インスツルメンツ アンド メソッ
ズ イン フィジックス リサーチ」Ａ２４６（１９８
６）,ｐ.６５８〜６６７）に記載された、図３に示すも
のが知られている。同図において、１は水平方向及び垂
直方向の発散角を持つシート状のＸ線を放射するシンク
ロトロン放射光の光源点、２は平面Ｘ線反射ミラー、３
は１０オングストローム以上の長波長域を遮断するため
の例えばベリリウム膜等で形成された真空窓、４はＸ線
マスク、５は露光面である。そして、上記平面Ｘ線反射
ミラー２及びベリリウム膜等で形成された真空窓３でＸ
線光学系を構成し、露光に適当な波長である１０オング
ストローム近傍の波長帯のＸ線を取り出すようにしてい
る。
として利用するＸ線露光装置としては、例えば、雑誌
（「ニュークリア インスツルメンツ アンド メソッ
ズ イン フィジックス リサーチ」Ａ２４６（１９８
６）,ｐ.６５８〜６６７）に記載された、図３に示すも
のが知られている。同図において、１は水平方向及び垂
直方向の発散角を持つシート状のＸ線を放射するシンク
ロトロン放射光の光源点、２は平面Ｘ線反射ミラー、３
は１０オングストローム以上の長波長域を遮断するため
の例えばベリリウム膜等で形成された真空窓、４はＸ線
マスク、５は露光面である。そして、上記平面Ｘ線反射
ミラー２及びベリリウム膜等で形成された真空窓３でＸ
線光学系を構成し、露光に適当な波長である１０オング
ストローム近傍の波長帯のＸ線を取り出すようにしてい
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】数１において、Ｚは２次電子を放出するＸ
線マスク及びレジストを構成する元素の原子番号、ａ0
はボーア半径で、ａ0＝０.５２９×１０-8 ｃｍ、αは微
細構造定数で、α＝１／１３７、Ｅは２次電子の運動エ
ネルギー、ｍは電子の質量、ｃは光速、ｖは光電子の速
度（ｖはｃより遥かに小さい）、ベクトルｋ0はＸ線の
入射方向単位ベクトル、ベクトルｅは偏光方向単位ベク
トル、ベクトルｐは２次電子の放出方向単位ベクトルを
それぞれ示している。
線マスク及びレジストを構成する元素の原子番号、ａ0
はボーア半径で、ａ0＝０.５２９×１０-8 ｃｍ、αは微
細構造定数で、α＝１／１３７、Ｅは２次電子の運動エ
ネルギー、ｍは電子の質量、ｃは光速、ｖは光電子の速
度（ｖはｃより遥かに小さい）、ベクトルｋ0はＸ線の
入射方向単位ベクトル、ベクトルｅは偏光方向単位ベク
トル、ベクトルｐは２次電子の放出方向単位ベクトルを
それぞれ示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】即ち、２次電子は入射する直線偏光するＸ
線の偏光方向に最も多くの２次電子を放出する。従っ
て、Ｘ線マスク４のパターンを転写する時、偏光方向と
直交するパターンは、偏光方向と平行なパターンに比
べ、２次電子の影響を大きく受けるため、転写パターン
の線幅精度にパターン方向による依存性を生じるという
問題があった。
線の偏光方向に最も多くの２次電子を放出する。従っ
て、Ｘ線マスク４のパターンを転写する時、偏光方向と
直交するパターンは、偏光方向と平行なパターンに比
べ、２次電子の影響を大きく受けるため、転写パターン
の線幅精度にパターン方向による依存性を生じるという
問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線
マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線
の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向へ
の２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線
マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの高
精度な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供するこ
とを目的としている。
れたもので、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線
マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線
の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向へ
の２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線
マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの高
精度な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供するこ
とを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、点光源状のＸ線源からのＸ線はＸ線反射ミラーに
入射してＸ線光学系の光軸に平行にコリメートされてＸ
線反射ミラーから反射された後、このコリメートされた
Ｘ線はその直線偏光特性をそのまま維持しながら平板結
晶の円偏光子に入射し、この円偏光子を透過したＸ線は
円偏光した状態でＸ線マスクに照射される。
れば、点光源状のＸ線源からのＸ線はＸ線反射ミラーに
入射してＸ線光学系の光軸に平行にコリメートされてＸ
線反射ミラーから反射された後、このコリメートされた
Ｘ線はその直線偏光特性をそのまま維持しながら平板結
晶の円偏光子に入射し、この円偏光子を透過したＸ線は
円偏光した状態でＸ線マスクに照射される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】而して、直線偏光するＸ線の波長に対応し
て数２で与えられる位相差が９０°になる条件を満たす
厚さ及び完全結晶によって形成された平板結晶１２Ｂを
結晶の回折面と入射Ｘ線の直線偏光方向との角度が４５
°になるように配置し、ラウエ・ケースでこのＸ線に回
折を起こさせると、その透過Ｘ線は円偏光になる。円偏
光したＸ線はそのまま偏光特性を保持したままＸ線光学
系１２を通過してＸ線マスク１３に入射し、そのパター
ンを転写する。この時、Ｘ線マスク１３及びレジスト１
５中の元素からの２次電子は露光Ｘ線の入射方向を軸と
して均一な方向に放出され、一方向への２次電子の影響
を実効的に低くしながら、しかもＸ線マスクのパターン
方向に依存しない、転写パターンの高精度な線幅制御を
実現することができ、延いてはＸ線リソグラフィーにお
けるレジスト１５のパターン寸法を高精度に制御するこ
とができる。
て数２で与えられる位相差が９０°になる条件を満たす
厚さ及び完全結晶によって形成された平板結晶１２Ｂを
結晶の回折面と入射Ｘ線の直線偏光方向との角度が４５
°になるように配置し、ラウエ・ケースでこのＸ線に回
折を起こさせると、その透過Ｘ線は円偏光になる。円偏
光したＸ線はそのまま偏光特性を保持したままＸ線光学
系１２を通過してＸ線マスク１３に入射し、そのパター
ンを転写する。この時、Ｘ線マスク１３及びレジスト１
５中の元素からの２次電子は露光Ｘ線の入射方向を軸と
して均一な方向に放出され、一方向への２次電子の影響
を実効的に低くしながら、しかもＸ線マスクのパターン
方向に依存しない、転写パターンの高精度な線幅制御を
実現することができ、延いてはＸ線リソグラフィーにお
けるレジスト１５のパターン寸法を高精度に制御するこ
とができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、Ｘ線光学系内に円偏光子を配置し
たため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線マス
ク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の入
射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への２
次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マス
クのパターン方向に依存しない、転写パターンの高精度
な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供することが
できる。
記載の発明によれば、Ｘ線光学系内に円偏光子を配置し
たため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、Ｘ線マス
ク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ線の入
射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向への２
次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ線マス
クのパターン方向に依存しない、転写パターンの高精度
な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供することが
できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、Ｘ線光学系内に、回転放物面状のＸ線反射ミラー
をその焦点がＸ線光源に一致するように配置し且つこの
Ｘ線反射ミラーからのＸ線を透過させる円偏光子を配置
したため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、水平方
向及び垂直方向に発散角を持つＸ線をコリメートしてＸ
線マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ
線の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向
への２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ
線マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの
高精度な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供する
ことができる。
れば、Ｘ線光学系内に、回転放物面状のＸ線反射ミラー
をその焦点がＸ線光源に一致するように配置し且つこの
Ｘ線反射ミラーからのＸ線を透過させる円偏光子を配置
したため、Ｘ線マスクのパターンを転写する際、水平方
向及び垂直方向に発散角を持つＸ線をコリメートしてＸ
線マスク及びレジスト中の元素からの２次電子を露光Ｘ
線の入射方向を軸として均一な方向に放出させ、一方向
への２次電子の影響を実効的に低くしながら、しかもＸ
線マスクのパターン方向に依存しない、転写パターンの
高精度な線幅制御が実現できるＸ線露光装置を提供する
ことができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 直線偏光するＸ線をＸ線源から放射し、
この直線偏光するＸ線をＸ線光学系を通過させてＸ線マ
スクのパターンを転写するＸ線露光装置において、上記
Ｘ線光学系内に平板結晶からなる円偏光子を配置させて
円偏光したＸ線をＸ線マスクに照射することを特徴とす
るＸ線露光装置。 - 【請求項２】 直線偏光するＸ線を点光源状のＸ線源か
ら放射し、この直線偏光するＸ線をＸ線光学系を通過さ
せてＸ線マスクのパターンを転写するＸ線露光装置にお
いて、上記Ｘ線光学系内に、その主光軸に平行なＸ線に
コリメートする作用を有する回転放物面状のＸ線反射ミ
ラーをその焦点が上記Ｘ線光源に一致するように配置さ
せると共にこのＸ線反射ミラーからのＸ線を透過させる
平板結晶からなる円偏光子を配置させて円偏光したＸ線
をＸ線マスクに照射することを特徴とするＸ線露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197121A JPH0645231A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197121A JPH0645231A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645231A true JPH0645231A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16369088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4197121A Pending JPH0645231A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042202A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置 |
| JP2016509259A (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置に使用される出力ビームを発生させるためのｅｕｖ光源 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP4197121A patent/JPH0645231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042202A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置 |
| JP2016509259A (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置に使用される出力ビームを発生させるためのｅｕｖ光源 |
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