JPH0645334U - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH0645334U JPH0645334U JP8773092U JP8773092U JPH0645334U JP H0645334 U JPH0645334 U JP H0645334U JP 8773092 U JP8773092 U JP 8773092U JP 8773092 U JP8773092 U JP 8773092U JP H0645334 U JPH0645334 U JP H0645334U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- substrate
- processing
- inner tank
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 101100229738 Mus musculus Gpank1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造により安価でメンテナンスが容易
な処理槽を備えた基板処理装置を提供する。 【構成】 処理液を充満して基板の表面処理を行なう内
槽1と、この処理槽1と分離して配設され前記内槽1か
ら溢れ出た処理液Lを回収する外槽2とを備え、内槽1
下部に設けられた処理液噴出パイプ3から処理液を内槽
1内に噴出するとともに、内槽1から溢れ出た処理液を
外槽2によって回収して循環ポンプ7で循環させ、濾過
器8で浄化した後再使用する。
な処理槽を備えた基板処理装置を提供する。 【構成】 処理液を充満して基板の表面処理を行なう内
槽1と、この処理槽1と分離して配設され前記内槽1か
ら溢れ出た処理液Lを回収する外槽2とを備え、内槽1
下部に設けられた処理液噴出パイプ3から処理液を内槽
1内に噴出するとともに、内槽1から溢れ出た処理液を
外槽2によって回収して循環ポンプ7で循環させ、濾過
器8で浄化した後再使用する。
Description
【0001】
本考案は、基板処理装置、特に、半導体基板や液晶用又はフォトマスク用ガラ ス基板等の薄板状基板(以下、単に「基板」という。)を表面処理するための基 板処理装置における処理槽の構成に関する。
【0002】
基板を処理槽に充満した処理液に浸漬し、処理槽下部から処理液を供給して処 理槽の上縁部から溢れ出させて当該基板の表面処理を行なう、いわゆるオーバー フロー方式の基板処理装置においては、基板表面に常に清浄な処理液が供給され るため、処理時間を短縮できるという利点がある。
【0003】 このようなオーバーフロー方式の基板処理装置にあっては、通常、処理槽から 溢れ出た処理液を回収してポンプで循環させて再使用し、メンテナンスコストを 低減するようになっている。
【0004】 従来、このような処理液を循環させるオーバーフロー方式の基板処理装置とし て、たとえば図8に示すようなものがあった。
【0005】 同図8において石英製の処理槽101の外周上部には、当該処理槽101の上 縁部101aから溢れ出た処理液Lを回収するための石英製の回収槽102が前 記処理槽101と一体に形成されている。
【0006】 回収槽102に貯溜した処理液Lは、廃液パイプ103より排出され、循環ポ ンプ104によって強制的に濾過器105に送られて浄化された後、処理液供給 パイプ106を介して上記処理槽101の下部に横設された処理液噴出パイプ1 07に供給され、その噴出孔107aから処理槽101内に噴出される。
【0007】 紙面に垂直に並んでいる基板Wは、基板搬送容器(キャリア)108内に起立 状態で保持されたまま図示しない基板搬送装置によって搬送されて処理槽101 内に浸漬される。処理液噴出パイプ107から噴出された処理液Lは、基板Wの 表面に沿って流れ、やがて上縁部101aから溢れ出て循環される。
【0008】 なお、109は処理槽中間板であって、噴出孔107aから噴出された処理液 Lの流れが当該処理槽中間板109の孔109aを通過することにより均一化さ れて基板Wに供給されるようになっており、表面処理の均一化を目的として設置 される。
【0009】
しかしながら、上述のような従来の基板処理装置における処理槽の構造におい ては、次のような問題点があった。
【0010】 (1) 処理液Lには、硫酸などの強度の腐食性を有する薬液を使用する場合 が多く、そのためフッ酸を使用する場合を除いて処理槽101は石英で形成され るのが通常であるが、石英は強度が乏しいうえ、処理槽101と回収槽102が 一体構造なのでその外形が複雑であって取扱いに注意が必要であり、基板処理装 置の組み立て時や、処理槽の交換時などに破損するおそれが高かった。
【0011】 (2) 上述のように回収槽102が処理槽101と一体形成されるため、回 収槽も当然石英製となるが、石英を素材としてこのような一体構造の処理槽を形 成するにはコストが高くつくという欠点がある。これを避けるため、回収槽のみ 安価で耐腐食性を有する樹脂で別個に形成して処理槽101に取り付けることも 考えられるが、別部材の回収槽102を処理槽101の周囲に密閉状態で取り付 けるためには、複雑な加工が必要になってかえってコストが高くなるという不都 合があるとともに、処理槽101の当該取り付け部分での強度が弱くなるという 欠点がある。
【0012】 (3) 最近は基板の径が6インチから8インチへと大型化する傾向にあり、 両方のサイズの基板を処理できるコンパチブルな基板処理装置が望まれているが 、その場合に従来の基板処理装置では一体化された処理槽101全体をサイズの 異なるものに交換する必要がある。ところが従来の処理槽101は上述のように 高価でしかも破損しやすく、取扱いが不便である。
【0013】 (4) 特にオーバーフロー方式の基板処理装置においては処理液Lを循環濾 過して再使用する場合、濾過に時間がかかり回収槽102に処理液Lがしばらく 貯溜することになるので、当該回収槽102に所定の容量が望まれるが、従来の ように処理槽101の外周部に回収槽102を設けた場合には、所定の容量を確 保するためにその平面面積を大きくしなければならず、それだけ一体化された処 理槽が占める平面面積が大きくなる。通常、基板処理装置は複数の処理槽を一列 に配列して構成するので全体としてかなり大型化してしまう。
【0014】 (5) また回収槽102も石英なので破損しやすく、表面処理をしている際 に何かの原因、たとえば基板搬送装置のトラブルなどで当該回収槽102が破損 して劇薬の処理液が外部に流出すれば、基板処理装置を破損させるだけでなく、 作業員の人身事故にも繋がりかねないおそれがある。
【0015】 本考案は、上述のような問題点を解消するためになされたものであって、簡単 な構造により安価でメンテナンスが容易な処理槽を備えた基板処理装置を提供す ることを目的とする。
【0016】
上記目的を達成するため、本考案にかかる基板処理装置は、 基板を処理槽に貯溜した処理液に浸漬して表面処理を行なう基板処理装置にお いて、 前記処理槽は、 前記処理液を充満して前記基板の表面処理を行なう内槽と、 前記内槽の外側に前記内槽と分離して配設され、前記内槽から溢れ出た処理液 を受けてこれを貯溜する外槽と、からなるとともに、 前記内槽に設けられ、前記処理液を前記内槽内に供給する処理液供給手段と、 前記外槽に貯溜した処理液を循環させて再度前記処理液供給手段に供給する処 理液循環手段と、を備える。
【0017】 また、請求項2の基板処理装置は、請求項1において、内槽が石英で形成され 、外槽が耐腐食性樹脂で形成される。
【0018】
請求項1の考案によれば、内槽から溢れ出た処理液を回収する外槽を、前記内 槽から分離して配設した2層構造にしているので、内槽と外槽を別の部材で形成 することができるとともに、内槽のみの取り外しまたは交換が可能となる。外槽 に貯溜した処理液を処理液循環手段によって循環させて内槽下部に設けられた処 理液供給手段から供給し処理液を循環再使用する。
【0019】 請求項2の考案によれば、内槽が石英で形成されているため十分な耐腐食性を 維持しながら表面処理できるとともに、外槽は耐腐食性樹脂で形成されているた め加工が容易で十分な強度を有する。
【0020】
以下、図面を参照して本考案にかかる基板処理装置の実施例を詳細に説明する が、本考案の技術的範囲がこれによって制限されるものではないことはもちろん である。
【0021】 図1は本考案にかかる基板処理装置の要部の処理槽部分の正面縦断面図、図2 は図1のA−A線における矢視断面図である。
【0022】 石英で形成された内槽1の底面裏側には支持台として4本の円柱状の石英棒1 1が溶着されており、耐腐食性樹脂、たとえばテフロンで形成された外槽2内に 載置される。この際、石英棒11の下端を外槽2の底面に設けられた凹部21( 図2)に位置決めすることにより内槽1の設置を容易にし、また外部から振動が 加えられても位置ずれが生じないようになっている。
【0023】 内槽1内の下部には石英で形成された2本の処理液噴出パイプ3が内槽1の側 面を貫通して水平に横設されており(図2)、その貫通部分で液密に溶着固定さ れる。処理液噴出パイプ3の端部31は閉塞されており、一方の端部32は内槽 1の側面から突出して第1の処理液供給パイプ33に接続され、継手34を介し て第2の処理液供給パイプ35に接続される。処理液噴出パイプ3の側面には、 複数の処理液噴出孔3aが、浸漬されるべき基板Wの配列間隔と等しいピッチで 1列に設けられており、処理液Lが基板Wの表面に均一に流れるように図1の矢 印方向に噴出する。噴出された処理液Lは内槽1内を流れてやがて上縁部12か ら溢れ出て外槽2に回収される。
【0024】 上述のようなオーバーフロー方式の基板処理装置において処理液Lを循環濾過 して再使用する場合、濾過に所定時間要するため外槽2には一定の貯溜容量が要 求されるが、本実施例では内槽1の下面に石英棒11の支持台を設け外槽2から 浮いた状態で載置されているので、内槽1の下方の部分にも溢れ出した処理液L を貯溜することができ、外槽2の平面面積を大きくしなくても処理液Lの貯溜容 積を増やすことができる。その結果、基板処理装置全体の占める平面面積をコン パクトにすることができる。また、内槽1の取り外しができるので処理液Lと共 にオーバーフローした重金属の粉や基板の破片などが外槽の底部に溜っても、内 槽を取り外して容易に洗浄できるという利点もある。
【0025】 基板Wの表面処理を均一に行なうためには、処理液噴出パイプ3から噴出され た処理液Lが内槽1内を均一に循環することが望まれるが、そのためには内槽1 の上縁部12のレベルが同一で処理液Lが当該上縁部12から均一に溢れ出るこ とが要求される。そこで、本実施例では、外槽2のレベルを調整して内槽1のレ ベル出しを行なうようにしている。
【0026】 外槽2は、その下面を支える4本のレベル調整ネジ5によって第1のバット4 に保持されている。このレベル調整ネジ5は、図2の断面図に示すように外ネジ 51と、この外ネジ51の中心部に形成されたネジ穴に螺合された内ネジ52と 、前記外ネジ51の中心部に回転自在に挿入され前記内ねじ52の先端に当接す る支持部材53とからなる。支持部材53の先端は上記外槽2の底面の位置決め 凹部22に位置決めされる。外ネジ51の外周にもネジ溝が刻設されており、第 1のバット4の底面部に形成されたネジ穴に螺合される。
【0027】 このレベル調整ネジ5によるレベル出しは、まず、レベル調整ネジ5を回転さ せて、支持部材53の先端の高さが大体等しくなるように設定した後、外槽2、 内槽1を所定位置に載置し、水平器などで内槽1の上縁部12の水平度を確認し ながら、内ネジ52を回転させて微調整することにより達成される。
【0028】 外槽2の下部側面には廃液穴23が設けられ、この廃液穴23に第1の廃液パ イプ24が液密に接続される。この第1の廃液パイプ24は、第1のバット4の 側面に形成された若干大きめな貫通穴41を通過して外部に引き出され、接続継 手25を介して第2の廃液パイプ26に接続される。貫通穴41の外周部には円 筒部材42が付設され、その開口部には円板状のカバー43がボルト44で支持 される。接続継手25の一部が、カバー43の中央に設けられた穴に嵌挿されて 保持されるが、ボルト44を貫通させるためカバー43に設けられた穴は、ボル ト44の径より少し大きめに形成されボルト44は軽く止めているだけなので、 円筒部材42に対してカバー43および接続継手25は若干移動可能であり、内 槽1のレベル出しのときにレベル調整ネジ5を操作して高さを変化させても、第 1の廃液パイプ24に曲げ力がかからないようになっている。
【0029】 なお、円筒部材42の開口部とカバー43の間には、シリコンゴムなどで形成 されたシール部材45を介在させており、万一処理液Lが第1のバット4内に流 出した場合でも、外部に漏れないようになっている。
【0030】 また、第2の処理液供給パイプ35は第1のバット4の貫通穴46を通過して 、接続継手36を介して第3の廃液パイプ37に接続されているが、当該接続継 手36も上述の接続継手25と全く同様にして、円筒部材47およびカバー48 などによって密閉かつ可動の状態で支持される。
【0031】 図1に戻って、基板保持ホルダー6は、内槽1内で複数の基板Wを所定ピッチ で起立保持するためのものである。基板保持ホルダー6下部の基枠61には、3 本の保持棒62が紙面に垂直な方向に吊設されている。
【0032】 図4は、図1の基板保持ホルダー6の拡大図であって、説明の便宜上各保持棒 62はガイド溝63での断面が示されている。ガイド溝63は、各保持棒62側 面の基板Wと当接する方向に複数個等ピッチで形成されており、図示しない基板 搬送装置によって基板WをそのオリエンテーションフラットWaが下方にくるよ うにして把持し、そのまま下降させて前記ガイド溝63に基板Wの外周縁を挿入 させることにより基板Wが当該基板保持ホルダー6に起立保持される。
【0033】 この場合、基板Wは、実質上3つの保持棒62のうち両端の2つで支持されて おり、中央の保持棒62は基板Wが前後に倒れるのを防止すると共に、処理槽内 での基板処理中に基板Wが回転しようとしたとき、当該オリエンテーションフラ ットWaの直線部に係合し、その回転を阻止して、処理槽内での安定した基板処 理を可能ならしめる。
【0034】 基板保持ホルダー6の上部には図2に示すように取り付け部64が水平方向に 延設されており、第1のバット4の内側に取り付けられたステー65、66にボ ルト67でネジ止めされている。このように基板保持ホルダー6は、第1のバッ ト4に直接固定されているため、内槽1のレベル出しの際、基板保持ホルダー6 は移動せず、上記基板搬送装置との位置関係を内槽1のレベル出しのたびに調整 する必要がない。
【0035】 上述のような2層構造の処理槽にあっては、内槽1が、外槽2内に載置されて いるだけであり、外槽2に処理液Lを入れた状態で内槽1内の処理液Lを排出し た場合には内槽1が浮き上がるおそれがあるので、たとえば図5に示すような押 え部材を設けておいた方が望ましい。
【0036】 同図5(a)は、内槽1の側面の一部断面図であり、図5(b)は、図5(a )を上方から見た図である。内槽1外周上部の4角に石英製の当接部材13を溶 着し、一方外槽2の内面に付設されたステー23に押え部材24をボルト25に よって固定し、この押え部材24に押えネジ26を螺合させてこの押えネジ26 を締め付けることにより上記当接部材13を下方に押え付け内槽1の浮き上がり を防止する。
【0037】 この押え部材24の形状は、図5(b)に示すようにL字型に形成されて内槽 1のコーナに配設されるので、内槽1の水平方向の位置決めもなされる。
【0038】 なお、内槽1を押え付ける治具は上記のような構成に限定されず、また、この ような押え治具を第1のパッド4内面にも設けておき、レベル調整ネジ5で外槽 2の高さを調整した後、当該外槽2を下層に押し付けるようにしておけば、外部 から震動が加えられても外槽2が転倒するおそれがない。
【0039】 図3は、本実施例にかかる基板処理装置の全体の構成を示す図である。上記第 2の廃液パイプ26は循環ポンプ7に接続される。当該循環ポンプ7は、ベロー ズ式のポンプであって、対腐食性の可撓性樹脂で形成されたベローズをモータや 電磁石などの駆動機構によって外部から伸縮駆動させることにより、ポンプ動作 を行なうようになっている。循環ポンプ7から送り出された処理液Lは、中継パ イプ27を介して濾過器8に送られ、表面処理の結果生じた重金属のかけらや塵 などの異物を取り除いて浄化した後、第3、第2、第1の処理液供給パイプ37 、35、33を介して、処理液噴出パイプ3に供給され、内槽1内に処理液Lを 噴出し、上記の循環動作が繰り返される。
【0040】 この濾過器8のフィルターや処理液は、所定時間使用した後は新しいものに交 換され表面処理が続けられる。
【0041】 なお、循環ポンプ7の動作は、表面処理動作の進行状況に応じて制御装置9に よって制御される。また、第2のバット10は、循環ポンプ7や濾過器8から万 −処理液が漏れた場合に、これを回収し他の装置を破損しないようにするための ものである。
【0042】 図6,図7は、レベル出しのための別のレベル調整機構の実施例を示す図であ る。第1のバット4の内面に取り付けられた支持台400の上部には係合部40 0aが形成され、この係合部400aを第1のバット4の係合穴400bに係合 させた状態で、ボルト401によって支持台400を第1のバット4に固定する 。一方外槽2の外周上部の4角には、L型の保持具402がボルト403によっ てネジ止めされている。
【0043】 図7(a)は、上記保持具402と支持台400の位置関係を示す拡大斜視図 であり、図7(b)は、図7(a)の矢印B方向から見たときの正面図である。
【0044】 図7(b)に示すように保持具402の水平部404には、ネジ穴404aと 貫通穴404bが設けられ、ネジ穴404aにはレベル調整ネジ405が螺合さ れ、貫通穴404bには固定用ネジ406が挿入される。この固定用ネジ406 は、支持台400の上面に設けられた固定用ネジ穴400cに螺合される。
【0045】 このような吊り下げ式のレベル調整機構においては、まず、貫通穴404bに 挿入された固定用ネジ406を支持台400の固定用ネジ穴400cに軽く螺合 させて水平方向の位置決めを行ない、次に内槽1の上縁部12の水平度を水平器 などで確認しながら、各レベル調整ネジ405を回転させてその捩じ込み長さを 調整してレベル調整を行ない、最後に固定用ネジ406を締め付けて外槽2を第 1のバット4に固定する。
【0046】 このようなレベル調整機構の第2の実施例によると、第1の実施例と異なり内 槽1の上方からの操作によりレベル出しができ、またレベル出しと外槽2の固定 が併せて行なえるという利点がある。
【0047】 上述の実施例では処理槽が1槽のみの基板処理装置について説明したが、複数 の処理槽を配列して処理するバッチ式の基板処理装置においても適用できること はいうまでもない。この場合表面処理の種類に応じて各内槽の形状が変化しても 外槽は全て同一スペックで形成されるので、製造コストを低く押えることが可能 となる。
【0048】 また、上述の実施例では基板Wを基板搬送用容器(キャリア)から出して、基 板Wのみ内槽1内の基板保持ホルダー6に保持して処理する、いわゆるキャリア レス方式のものについて述べたが、キャリアに載置したまま内槽1内に浸漬させ て処理するキャリア方式のものであってもよい。
【0049】 また、外槽2の開口部上方もしくは第1のバットの開口部に、開閉可能なカバ ーを設けておいて、基板の出し入れをする際のみ開放し、表面処理中や不使用の 時間帯には閉じるようにしておけば、処理中に処理液が空気中に飛散して環境が 劣化するおそれがなく、また空気中の塵などが処理液中に紛れ込んで基板処理の 精度が劣化することがない。
【0050】 また、外槽2の素材は、上述のテフロンの他、PVC,PE,SUSなどでも よい。また、上述した基板処理装置の構成要素のうちその素材を明記していない ものにおいても処理液Lと接触するものについては、少なくともその接触面に対 腐食性の素材が使用されることはいうまでもない。このとき、表面処理の種類に よっては、各々の槽の素材として石英の使用を要求される場合もあるが、外槽2 に貯溜する処理液Lは、濾過器8を通過した後に内槽1に供給されるため、外槽 2として石英槽を使用する必要はない。
【0051】 なお、濾過器8としてはメンブレン膜を使用したもののほか、場合によっては 電気的その他の手段によって浄化するものでも可能であるし、表面処理の種類に よっては濾過器8を省略することも可能である。
【0052】
以上述べたように、請求項1の考案によれば基板処理装置の処理槽が、基板の 表面処理を行う内槽と、この内槽から溢れ出た処理液を回収する外槽との2層構 造であって、前記外槽は前記内槽と分離して設けられているので、 (1) 内槽が簡易な形状になって外形形状に凹凸部分がほとんどなくなるの で、移送時や基板処理装置の組み立て時などにおける取扱いが容易となり破損の おそれが低減する。
【0053】 (2) 内槽と外槽を別々に形成できるので、製造コストを低く抑えることが できる。
【0054】 (3) サイズの異なる基板を処理する場合であっても外槽の大きさを一番大 きな基板サイズに合せて形成しておけば、内槽のみ交換すればよいので経済的で ある。
【0055】 (4) 内槽と外槽が分離しているので、内槽を外槽から浮かした状態で保持 でき、内槽底面の下方にも処理液を貯溜できるので、外槽の平面面積を変えずに 容量を増加させることができ、基板処理装置をコンパクトにしながら濾過循環式 のオーバーフローに必要な貯溜容量を備えることができる。
【0056】 また、請求項2の考案によれば、内槽が石英で形成されて外槽が耐腐食性樹脂 で形成されているため、 (5) 内槽は長時間腐食性処理液を貯溜して表面処理を行なっても十分耐え ることができ異物も発生しない、また、外槽の耐腐食性樹脂は安価で成形しやす い上に強度が強く外部から衝撃を加えても容易に破損せず、処理液を外部に流出 して事故が起こるようなおそれがない。
【図1】本考案の実施例にかかる基板処理装置の要部の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図2】図1の基板処理装置の要部の側面断面図であ
る。
る。
【図3】図1の基板処理装置の全体の構成を示す概略図
である。
である。
【図4】図1の基板処理装置における基板保持ホルダー
の形状を示す図である。
の形状を示す図である。
【図5】内槽の浮き上がりを防止するための押え部材の
構成を側面断面および平面により示す図である。
構成を側面断面および平面により示す図である。
【図6】レベル調整機構の別の実施例を示す図である。
【図7】図6のレベル調整機構を斜視および正面より示
す図である。
す図である。
【図8】従来の基板処理装置の要部の正面断面図であ
る。
る。
1 内槽 2 外槽 3 処理液噴出パイプ 4 第1のバット 5,405 レベル調節ネジ 6 基板保持ホルダー 7 循環ポンプ 8 濾過器 9 制御装置 10 第2のバット 11 石英棒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 橋本 浩一郎 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内
Claims (2)
- 【請求項1】 基板を処理槽に貯溜した処理液に浸漬し
て表面処理を行なう基板処理装置において、 前記処理槽は、 前記処理液を充満して前記基板の表面処理を行なう内槽
と、 前記内槽の外側に前記内槽と分離して配設され、前記内
槽から溢れ出た処理液を受けてこれを貯溜する外槽と、
からなるとともに、 前記内槽に設けられ、前記処理液を前記内槽内に供給す
る処理液供給手段と、 前記外槽に貯溜した処理液を循環させて再度前記処理液
供給手段に供給する処理液循環手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 前記内槽は石英で形成され、前記外槽は
耐腐食性樹脂で形成されることを特徴とする請求項1記
載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8773092U JPH0645334U (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8773092U JPH0645334U (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645334U true JPH0645334U (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=13923037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8773092U Pending JPH0645334U (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645334U (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242624A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄槽の排液排出装置 |
| JPS625637B2 (ja) * | 1982-08-20 | 1987-02-05 | Sharp Kk | |
| JPS63254735A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH03222419A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Kokusai Denki Erutetsuku:Kk | 超音波洗浄装置 |
| JPH04144132A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Fujitsu Ltd | 基板乾燥方法 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP8773092U patent/JPH0645334U/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625637B2 (ja) * | 1982-08-20 | 1987-02-05 | Sharp Kk | |
| JPS60242624A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄槽の排液排出装置 |
| JPS63254735A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH03222419A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Kokusai Denki Erutetsuku:Kk | 超音波洗浄装置 |
| JPH04144132A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Fujitsu Ltd | 基板乾燥方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5593505A (en) | Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface | |
| JP3634618B2 (ja) | 半導体装置製造用ウエットエッチング装置 | |
| JPH1128467A (ja) | 浸漬型膜分離装置 | |
| JP3343033B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN110694991A (zh) | 晶圆清洗装置 | |
| JPH0521413A (ja) | 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法 | |
| JP2001332469A (ja) | 現像処理装置および現像処理方法 | |
| CN118588610A (zh) | 降低晶圆表面金属残留的清洗设备及12寸晶圆上的应用 | |
| JPH0645334U (ja) | 基板処理装置 | |
| CN210628253U (zh) | 一种硅片清洗的防烙印机构 | |
| CN115161653B (zh) | 一种耐压耐热活性炭酸洗槽 | |
| CN218133634U (zh) | 一种晶圆清洗装置 | |
| CN114643229A (zh) | 清洗架 | |
| US5935457A (en) | Machining fluid processing apparatus for electric discharge machine | |
| CN207641303U (zh) | 可改善处理均度的膜组件清洗装置 | |
| CN222587504U (zh) | 一种槽式超声波清洗机 | |
| CN112485856A (zh) | 聚乙烯醇去除装置以及偏振片的制造方法 | |
| CN223400871U (zh) | 一种液相色谱仪的废液收集装置 | |
| CN222973416U (zh) | 具有废液收集功能的转运装置 | |
| CN218897465U (zh) | 一种具有除杂功能的种子生产清洗装置 | |
| CN221728585U (zh) | 一种小尺寸板沉锡治具 | |
| JPH071794Y2 (ja) | 浸漬型基板処理槽 | |
| CN215026299U (zh) | 一种清洁造纸用污水处理设备 | |
| CN212888534U (zh) | 一种镜片强化处理设备 | |
| JP3243452B2 (ja) | 表面処理設備における処理液の回収装置 |