JPH0645656A - 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ - Google Patents
発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサInfo
- Publication number
- JPH0645656A JPH0645656A JP4218288A JP21828892A JPH0645656A JP H0645656 A JPH0645656 A JP H0645656A JP 4218288 A JP4218288 A JP 4218288A JP 21828892 A JP21828892 A JP 21828892A JP H0645656 A JPH0645656 A JP H0645656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- optical fiber
- reflection surface
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＥＤチップから出射される光を反射させる
ためのパラボラ状反射面の径及び形状に工夫を施すこと
により、出射光のパラボラ状反射面による光ファイバへ
の結合の寄与分を向上させた発光装置を提供する。 【構成】 パラボラ状反射面１の底面形状を、ＬＥＤチ
ップ２の底面形状と略同一形状としたので、パラボラ状
反射面１の径を小さくでき、パラボラ状反射面１からの
反射光がより多く光ファイバ３に入射できるようにな
り、光ファイバ３とＬＥＤチップ２との結合効率が向上
する。
ためのパラボラ状反射面の径及び形状に工夫を施すこと
により、出射光のパラボラ状反射面による光ファイバへ
の結合の寄与分を向上させた発光装置を提供する。 【構成】 パラボラ状反射面１の底面形状を、ＬＥＤチ
ップ２の底面形状と略同一形状としたので、パラボラ状
反射面１の径を小さくでき、パラボラ状反射面１からの
反射光がより多く光ファイバ３に入射できるようにな
り、光ファイバ３とＬＥＤチップ２との結合効率が向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主にセンサ用、通信
用、及び照明用に使用される、光ファイバ結合型の半導
体発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサに
関する。
用、及び照明用に使用される、光ファイバ結合型の半導
体発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ファイバ式光電センサに用いら
れる光ファイバ結合用半導体発光装置には、図９に示す
ように、リードフレーム８に円環状にパラボラ状反射面
１を設け、このパラボラ状反射面１の中央に発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）チップ２を設置し、このＬＥＤチップ２
とパラボラ状反射面１を透明樹脂４によって樹脂モール
ドし、これと光ファイバ３の端面とを直接結合する方式
が広く用いられている。この方式は、パラボラ状反射面
１を用いることで、ＬＥＤチップ２から出射される側面
光を、より多く有効に光ファイバ３に入射させることを
目的としている。
れる光ファイバ結合用半導体発光装置には、図９に示す
ように、リードフレーム８に円環状にパラボラ状反射面
１を設け、このパラボラ状反射面１の中央に発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）チップ２を設置し、このＬＥＤチップ２
とパラボラ状反射面１を透明樹脂４によって樹脂モール
ドし、これと光ファイバ３の端面とを直接結合する方式
が広く用いられている。この方式は、パラボラ状反射面
１を用いることで、ＬＥＤチップ２から出射される側面
光を、より多く有効に光ファイバ３に入射させることを
目的としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際
は、このパラボラ状反射面１の径がＬＥＤチップ２に比
べて大きいため、パラボラ状反射面１による光ファイバ
３への結合の寄与分が少なく、依然として光の漏れが大
きく、結果としてパラボラ状反射面１を用いても、光フ
ァイバとＬＥＤとの結合効率が６〜７％と低いという問
題点がある。
は、このパラボラ状反射面１の径がＬＥＤチップ２に比
べて大きいため、パラボラ状反射面１による光ファイバ
３への結合の寄与分が少なく、依然として光の漏れが大
きく、結果としてパラボラ状反射面１を用いても、光フ
ァイバとＬＥＤとの結合効率が６〜７％と低いという問
題点がある。
【０００４】本発明は、上述した問題点を解決するもの
で、パラボラ状反射面の径を小さくし、かつ、パラボラ
状反射面の底面形状をＬＥＤチップの底面形状と略同一
形状とすることで、パラボラ状反射面による光ファイバ
への結合の寄与分を向上させた発光装置及びそれを備え
た光ファイバ式光電センサを提供することを目的とす
る。
で、パラボラ状反射面の径を小さくし、かつ、パラボラ
状反射面の底面形状をＬＥＤチップの底面形状と略同一
形状とすることで、パラボラ状反射面による光ファイバ
への結合の寄与分を向上させた発光装置及びそれを備え
た光ファイバ式光電センサを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、半導体発光素子と、該半導体発光
素子周辺部に設けられたパラボラ状反射面とを備えた発
光装置において、上記パラボラ状反射面の底面形状を、
上記半導体発光素子の底面形状と略同一形状としたもの
である。請求項２の発明は、上記パラボラ状反射面を、
リードフレームもしくはステムに凹部を設けることによ
って形成したものである。請求項３の発明は、上記半導
体発光素子の基板部分を上記リードフレームもしくはス
テムの凹部に埋め込み、発光部分を上記パラボラ状反射
面内に臨ませたものである。請求項４の発明は、上記半
導体発光素子と上記パラボラ状反射面を、透明樹脂によ
って樹脂モールドしたものである。請求項５の発明は、
上記発光装置を備えた光ファイバ式光電センサである。
に請求項１の発明は、半導体発光素子と、該半導体発光
素子周辺部に設けられたパラボラ状反射面とを備えた発
光装置において、上記パラボラ状反射面の底面形状を、
上記半導体発光素子の底面形状と略同一形状としたもの
である。請求項２の発明は、上記パラボラ状反射面を、
リードフレームもしくはステムに凹部を設けることによ
って形成したものである。請求項３の発明は、上記半導
体発光素子の基板部分を上記リードフレームもしくはス
テムの凹部に埋め込み、発光部分を上記パラボラ状反射
面内に臨ませたものである。請求項４の発明は、上記半
導体発光素子と上記パラボラ状反射面を、透明樹脂によ
って樹脂モールドしたものである。請求項５の発明は、
上記発光装置を備えた光ファイバ式光電センサである。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、パラボラ状反射面の底面
形状を、半導体発光素子の底面形状と略同一形状とした
ので、パラボラ状反射面からの反射光がより多く光ファ
イバに入射するようになり、光ファイバとＬＥＤとの結
合効率が向上する。また、このような発光装置を光ファ
イバ式光電センサに備えることで、半導体発光素子の発
光を有効に利用できるようになる。
形状を、半導体発光素子の底面形状と略同一形状とした
ので、パラボラ状反射面からの反射光がより多く光ファ
イバに入射するようになり、光ファイバとＬＥＤとの結
合効率が向上する。また、このような発光装置を光ファ
イバ式光電センサに備えることで、半導体発光素子の発
光を有効に利用できるようになる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体化した実施例について図
面を参照して説明する。図１は一実施例による発光装置
の要部構成を示す。この発光装置は、半導体発光素子で
あるＬＥＤチップ２と、ＬＥＤチップ２の周辺部に設け
られたパラボラ状反射面１とを備えている。ＬＥＤチッ
プ２は、発光部分２ａと基板部分２ｂ等でなる。パラボ
ラ状反射面１の底面形状をＬＥＤチップ２の底面形状と
略同一の正方形とし、パラボラ状反射面１の口径をＬＥ
Ｄチップ２の寸法と略同一にして、ＬＥＤチップ２の基
板部分２ｂを、ほとんど隙間なく、リードフレーム８に
設けられた凹部５に埋め込むことができるようにする。
また、ＬＥＤチップ２の発光部分２ａをパラボラ状反射
面１内に臨ませる。このように構成することにより、Ｌ
ＥＤチップ２の側方向に出射しパラボラ状反射面１で反
射された光の多くの成分は、パラボラ径が小さいため、
光ファイバ３に入射するようになる。従って、従来に比
べて、光ファイバとＬＥＤとの結合効率が向上する。ま
た、ＬＥＤチップ２とパラボラ状反射面１は、透明樹脂
４によって樹脂モールドされている。
面を参照して説明する。図１は一実施例による発光装置
の要部構成を示す。この発光装置は、半導体発光素子で
あるＬＥＤチップ２と、ＬＥＤチップ２の周辺部に設け
られたパラボラ状反射面１とを備えている。ＬＥＤチッ
プ２は、発光部分２ａと基板部分２ｂ等でなる。パラボ
ラ状反射面１の底面形状をＬＥＤチップ２の底面形状と
略同一の正方形とし、パラボラ状反射面１の口径をＬＥ
Ｄチップ２の寸法と略同一にして、ＬＥＤチップ２の基
板部分２ｂを、ほとんど隙間なく、リードフレーム８に
設けられた凹部５に埋め込むことができるようにする。
また、ＬＥＤチップ２の発光部分２ａをパラボラ状反射
面１内に臨ませる。このように構成することにより、Ｌ
ＥＤチップ２の側方向に出射しパラボラ状反射面１で反
射された光の多くの成分は、パラボラ径が小さいため、
光ファイバ３に入射するようになる。従って、従来に比
べて、光ファイバとＬＥＤとの結合効率が向上する。ま
た、ＬＥＤチップ２とパラボラ状反射面１は、透明樹脂
４によって樹脂モールドされている。
【０００８】次に、ＬＥＤチップ２の構成を図２を参照
して説明する。ＬＥＤチップ２の上端及び下端には、そ
れぞれ電極１７，１８が設けられていて、電極１８の上
には基板１１が設けられ、この基板１１の上には、ｎ形
半導体結晶の下クラッド層１２、発光部分２ａの活性層
１３、ｐ形半導体結晶の上クラッド層１４が形成されて
いる。電極１７に正の電圧、電極１８に負の電圧を印加
することにより、活性層１３内の電子・正孔が再結合し
て光が発生する。
して説明する。ＬＥＤチップ２の上端及び下端には、そ
れぞれ電極１７，１８が設けられていて、電極１８の上
には基板１１が設けられ、この基板１１の上には、ｎ形
半導体結晶の下クラッド層１２、発光部分２ａの活性層
１３、ｐ形半導体結晶の上クラッド層１４が形成されて
いる。電極１７に正の電圧、電極１８に負の電圧を印加
することにより、活性層１３内の電子・正孔が再結合し
て光が発生する。
【０００９】ＬＥＤチップ２の基板への接着の仕方を図
３、図４により説明する。図３に示す例では、リードフ
レーム８の凹部５の側面とＬＥＤチップ２の基板部分２
ｂの側面との隙間にダイボンド用樹脂６を充填すること
により、両者を接着している。この構成により、ＬＥＤ
チップ２の放熱を促進することができるので、高出力タ
イプのＬＥＤをダイボンドするのに適している。また、
図４に示す例では、リードフレーム８の凹部５の底面と
ＬＥＤチップ２の底面との間にダイボンド用樹脂６を使
用している。なお、上記では凹部５をリードフレーム８
に設けた例を示したが、凹部５を設ける基板は、このよ
うにリードフレーム８に限られず、金属ステムなどであ
っても構わない。
３、図４により説明する。図３に示す例では、リードフ
レーム８の凹部５の側面とＬＥＤチップ２の基板部分２
ｂの側面との隙間にダイボンド用樹脂６を充填すること
により、両者を接着している。この構成により、ＬＥＤ
チップ２の放熱を促進することができるので、高出力タ
イプのＬＥＤをダイボンドするのに適している。また、
図４に示す例では、リードフレーム８の凹部５の底面と
ＬＥＤチップ２の底面との間にダイボンド用樹脂６を使
用している。なお、上記では凹部５をリードフレーム８
に設けた例を示したが、凹部５を設ける基板は、このよ
うにリードフレーム８に限られず、金属ステムなどであ
っても構わない。
【００１０】次に、発光装置の全体構成例を図５乃至図
８を用いて説明する。図５に示す例は、金属ステム７に
凹部５を設け、この凹部５にＬＥＤチップ２の基板部分
２ｂを埋め込み、ダイボンド、及びワイヤボンドして、
透明樹脂４によって樹脂モールドしたものである。ま
た、図６に示す例は、図５の金属ステム７の代わりに、
リードフレーム８を用いたものである。リードフレーム
８には孔８ａが設けられ、透明樹脂４が裏側までまわり
込んでモールドされている。
８を用いて説明する。図５に示す例は、金属ステム７に
凹部５を設け、この凹部５にＬＥＤチップ２の基板部分
２ｂを埋め込み、ダイボンド、及びワイヤボンドして、
透明樹脂４によって樹脂モールドしたものである。ま
た、図６に示す例は、図５の金属ステム７の代わりに、
リードフレーム８を用いたものである。リードフレーム
８には孔８ａが設けられ、透明樹脂４が裏側までまわり
込んでモールドされている。
【００１１】図７に示す例は、樹脂モールドの中央部を
双曲面として双曲面レンズ９を形成し、ＬＥＤチップ２
の光軸を外れた光線がより多く光ファイバ３に入射する
ようにしたものである。また、図８の例は、パラボラ部
とチップ収納用凹部とを一体化したもので、こうするこ
とでＬＥＤチップ２をダイボンドするのが容易になり、
ボンディングの位置精度を向上することができる。ま
た、このような発光装置を光ファイバ式光電センサに備
えることで、半導体発光素子の発光を有効に利用でき、
感度のよいセンサを構成することができる。なお、半導
体発光素子は、上記実施例のようにＬＥＤに限られず、
半導体レーザでもよい。
双曲面として双曲面レンズ９を形成し、ＬＥＤチップ２
の光軸を外れた光線がより多く光ファイバ３に入射する
ようにしたものである。また、図８の例は、パラボラ部
とチップ収納用凹部とを一体化したもので、こうするこ
とでＬＥＤチップ２をダイボンドするのが容易になり、
ボンディングの位置精度を向上することができる。ま
た、このような発光装置を光ファイバ式光電センサに備
えることで、半導体発光素子の発光を有効に利用でき、
感度のよいセンサを構成することができる。なお、半導
体発光素子は、上記実施例のようにＬＥＤに限られず、
半導体レーザでもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上のように請求項１，２及び４の発明
によれば、パラボラ状反射面の底面形状をＬＥＤチップ
の底面形状と略同一形状とし、パラボラ口径を可能な限
り小さくすることができるので、ＬＥＤから出射されパ
ラボラ状反射面で反射した光がより多く光ファイバに入
射するようになる。これにより、光ファイバとＬＥＤと
の結合効率が向上し、コスト面、量産面で優れた発光装
置が得られる。請求項３の発明によれば、ＬＥＤチップ
をダイボンドするのが容易になるので、リードフレーム
もしくはステムに対する、ＬＥＤチップのボンディング
の位置精度を高めることができる。請求項５の発明によ
れば、半導体発光素子の発光を有効に利用できるので、
感度のよい光ファイバ式光電センサが得られる。
によれば、パラボラ状反射面の底面形状をＬＥＤチップ
の底面形状と略同一形状とし、パラボラ口径を可能な限
り小さくすることができるので、ＬＥＤから出射されパ
ラボラ状反射面で反射した光がより多く光ファイバに入
射するようになる。これにより、光ファイバとＬＥＤと
の結合効率が向上し、コスト面、量産面で優れた発光装
置が得られる。請求項３の発明によれば、ＬＥＤチップ
をダイボンドするのが容易になるので、リードフレーム
もしくはステムに対する、ＬＥＤチップのボンディング
の位置精度を高めることができる。請求項５の発明によ
れば、半導体発光素子の発光を有効に利用できるので、
感度のよい光ファイバ式光電センサが得られる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例による発光装置の要
部側断面図、（ｂ）は同平面図である。
部側断面図、（ｂ）は同平面図である。
【図２】同発光装置におけるＬＥＤチップの側断面図で
ある。
ある。
【図３】同発光装置におけるチップと基板との接着構成
例を示す側断面図である。
例を示す側断面図である。
【図４】同発光装置におけるチップと基板との接着構成
例を示す側断面図である。
例を示す側断面図である。
【図５】（ａ）は発光装置の他の実施例を示す側断面
図、（ｂ）は同平面図である。
図、（ｂ）は同平面図である。
【図６】発光装置のさらに他の実施例を示す側断面図で
ある。
ある。
【図７】発光装置のさらに他の実施例を示す側断面図で
ある。
ある。
【図８】（ａ）は発光装置のさらに他の実施例を示す側
断面図、（ｂ）は同平面図である。
断面図、（ｂ）は同平面図である。
【図９】（ａ）は従来の発光装置の側断面図、（ｂ）は
同平面図である。
同平面図である。
１ パラボラ状反射面 ２ ＬＥＤチップ ３ 光ファイバ ４ 透明樹脂 ５ 凹部 ７ 金属ステム ８ リードフレーム
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、該半導体発光素子周
辺部に設けられたパラボラ状反射面とを備えた発光装置
において、上記パラボラ状反射面の底面形状を、上記半
導体発光素子の底面形状と略同一形状としたことを特徴
とする発光装置。 - 【請求項２】 上記パラボラ状反射面は、リードフレー
ムもしくはステムに凹部を設けることによって形成した
ものであることを特徴とする請求項１に記載の発光装
置。 - 【請求項３】 上記半導体発光素子は、基板部分を上記
リードフレームもしくはステムの凹部に埋め込み、発光
部分を上記パラボラ状反射面内に臨ませたことを特徴と
する請求項２に記載の発光装置。 - 【請求項４】 上記半導体発光素子と上記パラボラ状反
射面を、透明樹脂によって樹脂モールドしたことを特徴
とする請求項１，２又は３に記載の発光装置。 - 【請求項５】 請求項１，２，３又は４に記載の発光装
置を備えたことを特徴とする光ファイバ式光電センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218288A JPH0645656A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218288A JPH0645656A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645656A true JPH0645656A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16717492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4218288A Withdrawn JPH0645656A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645656A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216441A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2003315637A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Yamaha Corp | 発光部構造 |
| JP2005353816A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corp | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ |
| JP2006013265A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
| WO2006095676A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Rohm Co., Ltd. | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
| JP2006313896A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光素子パッケージ |
| JP2007035810A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュール |
| JP2009026991A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2019145577A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 半導体モジュール、および半導体モジュールの製造方法 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4218288A patent/JPH0645656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216441A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置 |
| JP2003315637A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Yamaha Corp | 発光部構造 |
| JP2005353816A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corp | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ |
| WO2005122291A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corporation | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ |
| US7918567B2 (en) | 2004-06-10 | 2011-04-05 | Olympus Corporation | Light emitting device, manufacturing method for light emitting device, illumination device using light emitting device, and projector |
| JP2006013265A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
| KR100945621B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2010-03-04 | 로무 가부시키가이샤 | 광 통신 모듈 및 그 제조 방법 |
| WO2006095676A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Rohm Co., Ltd. | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
| US8148735B2 (en) | 2005-03-07 | 2012-04-03 | Rohm Co., Ltd. | Optical communication module |
| JP2006313896A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光素子パッケージ |
| JP2007035810A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュール |
| JP2009026991A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2019145577A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 半導体モジュール、および半導体モジュールの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5925898A (en) | Optoelectronic transducer and production methods | |
| US6369506B1 (en) | Light emitting apparatus and method for mounting light emitting device | |
| JP2557324B2 (ja) | 反射光障壁およびその製造方法 | |
| JP4182783B2 (ja) | Ｌｅｄパッケージ | |
| JP2007287713A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP3951406B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR20050041990A (ko) | 발광다이오드칩 | |
| JPH0224389B2 (ja) | ||
| JPH0918058A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP2002324919A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH06177429A (ja) | 青色ｌｅｄ素子 | |
| JPH0645656A (ja) | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007184319A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH09199756A (ja) | 反射型光結合装置 | |
| JP2019201198A (ja) | 発光チップ及び関連するパッケージ構造 | |
| KR20030024283A (ko) | 방열 리드프레임과 이를 이용한 광 반도체 소자 및 그제조방법과, 반도체 소자 | |
| JP3286221B2 (ja) | 発光デバイス | |
| JPH11214752A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11204841A (ja) | 光半導体素子とその製造方法 | |
| JPS6012782A (ja) | 発光ダイオ−ド実装構造 | |
| CN111048647B (zh) | 发光装置 | |
| JPS6195590A (ja) | 光電子装置 | |
| US20050023489A1 (en) | Chip type photo coupler | |
| JPS5815287A (ja) | 光半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |