JPH0645672A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
- Publication number
- JPH0645672A JPH0645672A JP19797392A JP19797392A JPH0645672A JP H0645672 A JPH0645672 A JP H0645672A JP 19797392 A JP19797392 A JP 19797392A JP 19797392 A JP19797392 A JP 19797392A JP H0645672 A JPH0645672 A JP H0645672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- temperature
- level
- analog
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 48
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＬＤダイオードに温度変動があっても光信号の
出力平均値および光変調度を一定に保つ低消費電力の光
送信回路を提供する。 【構成】フォトダイオード２と平均値検出回路７と電圧
比較回路６とＬＤバイアス電流駆動回路５とはレーザダ
イオード（ＬＤ）１のバイアス電流を制御して光信号の
出力レベルを自動する。メモリ９は、ＬＤ１の近傍温度
が変化しても同一光変調度の光信号を生ずるＬＤ１への
アナログ信号の入力レベルデータを記憶する。温度セン
サ３はＬＤ１の近傍温度を検出し、Ａ／Ｄ１０はディジ
タル信号の検出近傍温度を生ずる。メモリ９はこの検出
近傍温度対応の入力レベルデータをＤ／Ａ８に供給し、
Ｄ／Ａ８はアナログ形式の入力レベルデータにより可変
利得増幅回路４を制御し、増幅回路４の出力にはどの上
記近傍温度においても光変調度を一定に保つレベルのア
ナログ信号が設定される。
出力平均値および光変調度を一定に保つ低消費電力の光
送信回路を提供する。 【構成】フォトダイオード２と平均値検出回路７と電圧
比較回路６とＬＤバイアス電流駆動回路５とはレーザダ
イオード（ＬＤ）１のバイアス電流を制御して光信号の
出力レベルを自動する。メモリ９は、ＬＤ１の近傍温度
が変化しても同一光変調度の光信号を生ずるＬＤ１への
アナログ信号の入力レベルデータを記憶する。温度セン
サ３はＬＤ１の近傍温度を検出し、Ａ／Ｄ１０はディジ
タル信号の検出近傍温度を生ずる。メモリ９はこの検出
近傍温度対応の入力レベルデータをＤ／Ａ８に供給し、
Ｄ／Ａ８はアナログ形式の入力レベルデータにより可変
利得増幅回路４を制御し、増幅回路４の出力にはどの上
記近傍温度においても光変調度を一定に保つレベルのア
ナログ信号が設定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光送信回路に関し、特に
アナログ光伝送システムの光送信回路に関する。
アナログ光伝送システムの光送信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の周波数変調や位相変調などのよう
に振幅が一定にアナログ変調された光信号を伝送する光
伝送システムにおける光送信回路について、図２のブロ
ック図を参照して説明する。
に振幅が一定にアナログ変調された光信号を伝送する光
伝送システムにおける光送信回路について、図２のブロ
ック図を参照して説明する。
【０００３】この光送信回路は、増幅回路１３で増幅さ
れた入力アナログ電気信号がレーザダイオード（ＬＤ）
１１に入力されると、ＬＤ１１はアナログ電気信号で変
調された光信号を発する。ＬＤ１１が出力した光信号の
一部をフォトダイオード（ＰＤ）２で電気信号に変換す
る。ＰＤ２の出力の平均値を平均値検出回路７で検出
し、電圧比較回路６で平均値検出回路７の出力とリファ
レンス側に与えられた基準電圧とを比較する。電圧比較
回路６の出力はＬＤバイアス電流駆動回路５を制御す
る。ＬＤバイアス電流駆動回路５は、ＬＤ１１のバイア
ス電流を負帰還制御により可変し、ＬＤ１１の発する光
出力平均値の一定化を図っている。
れた入力アナログ電気信号がレーザダイオード（ＬＤ）
１１に入力されると、ＬＤ１１はアナログ電気信号で変
調された光信号を発する。ＬＤ１１が出力した光信号の
一部をフォトダイオード（ＰＤ）２で電気信号に変換す
る。ＰＤ２の出力の平均値を平均値検出回路７で検出
し、電圧比較回路６で平均値検出回路７の出力とリファ
レンス側に与えられた基準電圧とを比較する。電圧比較
回路６の出力はＬＤバイアス電流駆動回路５を制御す
る。ＬＤバイアス電流駆動回路５は、ＬＤ１１のバイア
ス電流を負帰還制御により可変し、ＬＤ１１の発する光
出力平均値の一定化を図っている。
【０００４】なお、ＬＤ１１は、恒温素子（ペルチェ素
子）を使ってＬＤ素子の温度を一定に保ち、温度変動に
よるこのＬＤ素子（ＬＤ１１）のしきい値の変動および
微分量子効率の（ＤＥＱ）の変動を防いでいる。
子）を使ってＬＤ素子の温度を一定に保ち、温度変動に
よるこのＬＤ素子（ＬＤ１１）のしきい値の変動および
微分量子効率の（ＤＥＱ）の変動を防いでいる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光送信回路
では、ＰＤ２と平均値検出回路７と電圧比較回路６とＬ
Ｄバイアス電流駆動回路５とで構成される自動光出力制
御回路により、ＬＤ１１のしきい値の変動等に対しても
光出力平均値を一定にしているが、この手段ではＬＤ１
１の微分量子効率の変動等による光変調度を一定にする
ことができない。
では、ＰＤ２と平均値検出回路７と電圧比較回路６とＬ
Ｄバイアス電流駆動回路５とで構成される自動光出力制
御回路により、ＬＤ１１のしきい値の変動等に対しても
光出力平均値を一定にしているが、この手段ではＬＤ１
１の微分量子効率の変動等による光変調度を一定にする
ことができない。
【０００６】このため、従来の光送信回路は、恒温素子
（ペルチェ素子）を使ってＬＤ素子の温度を一定に保
ち、温度変動によるしきい値の変動および微分量子効率
の変動を防ぐことにより光変調度を一定に保っていた。
しかし、この方法はペルチェ素子の駆動のために、消費
電流が増大するという新たな問題を生じる。
（ペルチェ素子）を使ってＬＤ素子の温度を一定に保
ち、温度変動によるしきい値の変動および微分量子効率
の変動を防ぐことにより光変調度を一定に保っていた。
しかし、この方法はペルチェ素子の駆動のために、消費
電流が増大するという新たな問題を生じる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光送信回路は、
アナログ信号とバイアス電流とに応答して前記アナログ
信号のレベルに対応する振幅で変調されるとともに前記
バイアス電流に対応する出力レベルの光信号を生ずるレ
ーザダイオードと、前記光信号の一部から電気信号を生
ずるフォトダイオードと、前記電気信号の平均値を検出
する平均値検出回路と、予め定めた基準電圧と前記電気
信号の平均値とを比較する電圧比較回路と、前記電圧比
較回路出力に応答して前記光信号の出力レベルを前記基
準電圧対応のレベルにするように前記バイアス電流を制
御するＬＤバイアス電流駆動回路とを備える光送信回路
において、前記光送信回路が、さらに、前記レーザダイ
オードの近傍温度を検出する温度センサと、近傍温度に
対応して前記レーザダイオードに供給されるべき前記ア
ナログ信号の入力レベルを入力レベルデータとして記憶
するメモリと、前記温度センサの検出した前記レーザダ
イオードの近傍温度に応答して前記メモリから対応する
前記入力レベルデータを読み出す変調レベル読み出し回
路と、前記変調レベル読み出し回路からの前記入力レベ
ルデータに応答して前記レーザダイオードへ供給するア
ナログ信号の入力レベルを設定するアナログ信号レベル
設定回路とを備えている。
アナログ信号とバイアス電流とに応答して前記アナログ
信号のレベルに対応する振幅で変調されるとともに前記
バイアス電流に対応する出力レベルの光信号を生ずるレ
ーザダイオードと、前記光信号の一部から電気信号を生
ずるフォトダイオードと、前記電気信号の平均値を検出
する平均値検出回路と、予め定めた基準電圧と前記電気
信号の平均値とを比較する電圧比較回路と、前記電圧比
較回路出力に応答して前記光信号の出力レベルを前記基
準電圧対応のレベルにするように前記バイアス電流を制
御するＬＤバイアス電流駆動回路とを備える光送信回路
において、前記光送信回路が、さらに、前記レーザダイ
オードの近傍温度を検出する温度センサと、近傍温度に
対応して前記レーザダイオードに供給されるべき前記ア
ナログ信号の入力レベルを入力レベルデータとして記憶
するメモリと、前記温度センサの検出した前記レーザダ
イオードの近傍温度に応答して前記メモリから対応する
前記入力レベルデータを読み出す変調レベル読み出し回
路と、前記変調レベル読み出し回路からの前記入力レベ
ルデータに応答して前記レーザダイオードへ供給するア
ナログ信号の入力レベルを設定するアナログ信号レベル
設定回路とを備えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の構成を示すブロック図で
ある。
る。図１は本発明の一実施例の構成を示すブロック図で
ある。
【０００９】この光送信回路は、図２に示す光送信回路
と同様に、ＰＤ２と平均値検出回路７と電圧比較回路６
とＬＤバイアス電流駆動回路５とからなる自動光出力制
御回路を備えている。なお、この光送信回路において、
光信号を送信するレーザダイオード（ＬＤ）１は、図２
に示したＬＤ１１から恒温素子を除いている。
と同様に、ＰＤ２と平均値検出回路７と電圧比較回路６
とＬＤバイアス電流駆動回路５とからなる自動光出力制
御回路を備えている。なお、この光送信回路において、
光信号を送信するレーザダイオード（ＬＤ）１は、図２
に示したＬＤ１１から恒温素子を除いている。
【００１０】この光送信回路では、入力アナログ信号が
供給されると、可変利得増幅回路４がこの入力アナログ
信号を増幅してＬＤ１の変調電流とする。また、上記自
動光出力制御回路は、ＬＤ１が出力した光信号をＰＤ２
がモニタして電気信号に変換し、この電気信号の平均値
を平均値検出回路７で検出する。電圧比較回路６は平均
値検出回路７出力とリファレンス側に与えられた基準電
圧とを比較し、この電圧比較回路６出力がＬＤバイアス
電流駆動回路５を制御する。ＬＤバイアス電流制御回路
５はＬＤ１からの光信号の出力平均値を一定とするよう
にＬＤ１のバイアス電流を制御する。ＬＤ１は、このバ
イアス電流に可変利得増幅回路４からのアナログ形式の
変調電流を重量し、アナログ信号で変調された光信号を
出力する。
供給されると、可変利得増幅回路４がこの入力アナログ
信号を増幅してＬＤ１の変調電流とする。また、上記自
動光出力制御回路は、ＬＤ１が出力した光信号をＰＤ２
がモニタして電気信号に変換し、この電気信号の平均値
を平均値検出回路７で検出する。電圧比較回路６は平均
値検出回路７出力とリファレンス側に与えられた基準電
圧とを比較し、この電圧比較回路６出力がＬＤバイアス
電流駆動回路５を制御する。ＬＤバイアス電流制御回路
５はＬＤ１からの光信号の出力平均値を一定とするよう
にＬＤ１のバイアス電流を制御する。ＬＤ１は、このバ
イアス電流に可変利得増幅回路４からのアナログ形式の
変調電流を重量し、アナログ信号で変調された光信号を
出力する。
【００１１】ここで、ＬＤ１の近傍に温度センサ３が設
置されており、この温度センサ３はＬＤ１の近傍温度を
検知する。また、メモリ９には、近傍温度が変動しても
ＬＤ１１の光変調度を一定にする変調電流（アナログ信
号）のレベルを入力レベルデータとして記憶している。
なお、上記入力レベルデータは、温度センサ３の検知し
たＬＤ１１の近傍温度に各各対応するＤＥＱ等のデータ
からなる。
置されており、この温度センサ３はＬＤ１の近傍温度を
検知する。また、メモリ９には、近傍温度が変動しても
ＬＤ１１の光変調度を一定にする変調電流（アナログ信
号）のレベルを入力レベルデータとして記憶している。
なお、上記入力レベルデータは、温度センサ３の検知し
たＬＤ１１の近傍温度に各各対応するＤＥＱ等のデータ
からなる。
【００１２】温度センサ３はＬＤ１の近傍温度をアナロ
グデータでアナログ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ）１０
に変換する。Ａ／Ｄ１０は上記近傍温度をディジタルデ
ータに変換してメモリ９に供給する。メモリ９は、上記
ディジタルデータが供給されると、対応する近傍温度の
入力レベルデータをディジタル−アナログ変換器（Ｄ／
Ａ）８に出力する。このＤ／Ａ８からのアナログ形式の
入力レベルデータは可変利得増幅回路４の利得を制御
し、可変利得増幅回路４はこの入力レベルデータに対応
するレベルのアナログ信号をＬＤ１に設定する。従っ
て、ＬＤ１は自動光出力制御回路により光信号の出力レ
ベルを一定に保つとともに、上記可変利得増幅回路４と
温度センサ３とＡ／Ｄ１０とメモリ９とＤ／Ａ８とから
なる自動光変調度制御回路によって光変調度を一定に保
った光信号を出力する。
グデータでアナログ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ）１０
に変換する。Ａ／Ｄ１０は上記近傍温度をディジタルデ
ータに変換してメモリ９に供給する。メモリ９は、上記
ディジタルデータが供給されると、対応する近傍温度の
入力レベルデータをディジタル−アナログ変換器（Ｄ／
Ａ）８に出力する。このＤ／Ａ８からのアナログ形式の
入力レベルデータは可変利得増幅回路４の利得を制御
し、可変利得増幅回路４はこの入力レベルデータに対応
するレベルのアナログ信号をＬＤ１に設定する。従っ
て、ＬＤ１は自動光出力制御回路により光信号の出力レ
ベルを一定に保つとともに、上記可変利得増幅回路４と
温度センサ３とＡ／Ｄ１０とメモリ９とＤ／Ａ８とから
なる自動光変調度制御回路によって光変調度を一定に保
った光信号を出力する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来から
用いていた自動光出力制御回路による光信号出力平均値
の一定化に加え、一定の光変調度を保つアナログ信号の
レベルをレーザダイオードの近傍温度対応に記憶してお
き、レーザダイオードの近傍温度を検出してこの検出温
度ごとにレーザダイオードに供給するアナログ信号のレ
ベルを上記記憶されたアナログ信号レベルに設定するの
で、いかなる温度においても光信号の変調度を一定に保
つことができるという効果を有する。
用いていた自動光出力制御回路による光信号出力平均値
の一定化に加え、一定の光変調度を保つアナログ信号の
レベルをレーザダイオードの近傍温度対応に記憶してお
き、レーザダイオードの近傍温度を検出してこの検出温
度ごとにレーザダイオードに供給するアナログ信号のレ
ベルを上記記憶されたアナログ信号レベルに設定するの
で、いかなる温度においても光信号の変調度を一定に保
つことができるという効果を有する。
【００１４】また、従来の恒温素子をレーザダイオード
に備えた光送信回路に比べて消費電流を大幅に削減でき
るという効果を有する。
に備えた光送信回路に比べて消費電流を大幅に削減でき
るという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】従来技術による光送信回路のブロック図であ
る。
る。
１，１１ レーザダイオード（ＬＤ） ２ フォトダイオード（ＰＤ） ３ 温度センサ ４ 可変利得増幅回路 ５ ＬＤバイアス電流駆動回路 ６ 電圧比較回路 ７ 平均値検出回路 ８ ディジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ） ９ メモリ １０ アナログ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ） １３ 増幅器
Claims (2)
- 【請求項１】 アナログ信号とバイアス電流とに応答し
て前記アナログ信号のレベルに対応する振幅で変調され
るとともに前記バイアス電流に対応する出力レベルの光
信号を生ずるレーザダイオードと、前記光信号の一部か
ら電気信号を生ずるフォトダイオードと、前記電気信号
の平均値を検出する平均値検出回路と、予め定めた基準
電圧と前記電気信号の平均値とを比較する電圧比較回路
と、前記電圧比較回路出力に応答して前記光信号の出力
レベルを前記基準電圧対応のレベルにするように前記バ
イアス電流を制御するＬＤバイアス電流駆動回路とを備
える光送信回路において、 前記光送信回路が、さらに、前記レーザダイオードの近
傍温度を検出する温度センサと、近傍温度に対応して前
記レーザダイオードに供給されるべき前記アナログ信号
の入力レベルを入力レベルデータとして記憶するメモリ
と、前記温度センサの検出した前記レーザダイオードの
近傍温度に応答して前記メモリから対応する前記入力レ
ベルデータを読み出す変調レベル読み出し回路と、前記
変調レベル読み出し回路からの前記入力レベルデータに
応答して前記レーザダイオードへ供給するアナログ信号
の入力レベルを設定するアナログ信号レベル設定回路と
を備えることを特徴とする光送信回路。 - 【請求項２】 アナログ信号とバイアス電流とに応答し
て前記アナログ信号のレベルに対応する振幅で変調され
るとともに前記バイアス電流に対応する出力レベルの光
信号を生ずるレーザダイオードと、前記光信号の一部か
ら電気信号を生ずるフォトダイオードと、前記電気信号
の平均値を検出する平均値検出回路と、予め定めた基準
電圧と前記電気信号の平均値とを比較する電圧比較回路
と、前記電圧比較回路出力に応答して前記光信号の出力
レベルを前記基準電圧対応のレベルにするように全記バ
イアス電流を制御するＬＤバイアス電流駆動回路とを備
える光送信回路において、 前記光送信回路が、さらに、前記レーザダイオードの近
傍温度を検出する温度センサと、近傍温度に対応して前
記レーザダイオード供給されるべき前記アナログ信号の
入力レベルを入力レベルデータとして記憶するメモリ
と、前記検出近傍温度をディジタル信号に変換するＡ／
Ｄ変換器と、前記ディジタル信号に応答して前記メモリ
から前記ディジタル信号対応の前記入力レベルデータを
読み出す変調レベル読み出し回路と、前記入力レベルデ
ータをアナログ形式の入力レベルデータに変換するＤ／
Ａ変換器と、前記アナログ形式の入力レベルデータに応
答して前記レーザダイオードへの前記アナログ信号の入
力レベルを設定する可変利得増幅回路とを備えることを
特徴とする光送信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797392A JPH0645672A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797392A JPH0645672A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 光送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645672A true JPH0645672A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16383406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19797392A Withdrawn JPH0645672A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 光送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
| KR100290261B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 온도감지수단을 이용한 레이저 다이오드 구동회로의 변조전류 제어회로 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19797392A patent/JPH0645672A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
| US6195370B1 (en) | 1997-09-16 | 2001-02-27 | Hitachi, Ltd. | Optical transmission device and method for driving laser diode |
| KR100290261B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 온도감지수단을 이용한 레이저 다이오드 구동회로의 변조전류 제어회로 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5579328A (en) | Digital control of laser diode power levels | |
| US4954786A (en) | Optical amplifying device | |
| JPH11135871A (ja) | レーザダイオード駆動方法および回路 | |
| JPH06132894A (ja) | 光送信器 | |
| KR100445910B1 (ko) | 광신호 세기의 변동에 관계없이 최적의 수신 성능을 갖는광신호 수신장치 및 그 방법 | |
| US5127015A (en) | Driving circuit of a semiconductor laser | |
| US4101847A (en) | Laser control circuit | |
| JPH06103765B2 (ja) | 半導体レーザバイアス電流制御方式 | |
| JPH0645672A (ja) | 光送信回路 | |
| KR102574422B1 (ko) | 광 송신 장치의 컨트롤러 | |
| JPS608640B2 (ja) | 非直線閾値装置の駆動方法および装置 | |
| US5557445A (en) | Optical signal transmitter having an apc circuit with automatic bias current control | |
| JP2005057216A (ja) | レーザダイオード駆動回路及び光送信装置 | |
| JP2613670B2 (ja) | 半導体レーザの駆動回路 | |
| JP2773447B2 (ja) | レーザダイオードの出力制御回路 | |
| JP3109467B2 (ja) | 光送信器 | |
| JPH0687549B2 (ja) | 光受信器 | |
| JPH0560695B2 (ja) | ||
| EP1042875A1 (en) | An optical transmitter | |
| JP2001094201A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6146994B2 (ja) | ||
| JPH10107555A (ja) | 光受信回路およびその制御方法 | |
| JP2600462B2 (ja) | 光受信回路 | |
| JPH01135085A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JP2001156719A (ja) | 光送信器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |