JPH0645804A

JPH0645804A - 誘電体フィルタ

Info

Publication number: JPH0645804A
Application number: JP9853993A
Authority: JP
Inventors: Sukeyuki Atokawa; 祐之後川; Naoshi Shima; 直志島; Yasuo Yamada; 康雄山田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-05-25
Filing date: 1993-03-31
Publication date: 1994-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】部品点数を削減し、コストダウンを図るこ
と。【構成】ベース基板２２の上面の端部側に電極パター
ン４２を電極膜状に形成する。この電極パターン４２
は、例えば、印刷パターンや厚膜エッチング等によりベ
ース基板２２に形成する。この電極パターン４２を、３
つのキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃と、２つのインダクタ電
極Ｌ₁，Ｌ₂とで構成する。電極パターン４２のキャパ
シタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃の上面には、上下面にコンデンサ電
極膜を形成したコンデンサ基板４３〜４５を半田付け等
で実装する。このコンデンサ基板４３〜４５の上面のコ
ンデンサ電極膜に誘電体同軸共振器１〜３からの接続端
子９を半田付けにより接続する。これらの構成によりデ
ィスクリート部品を使用せずにバンドエリミネーション
フィルタを構成できる。従って、部品点数を削減し、コ
ストダウンを図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用されるマイクロ波帯用
の誘電体フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２１は３段のバンドエリミネーション
フィルタの等価回路図を示し、３個の誘電体同軸共振器
１〜３と、６個のＣ成分（Ｃ₁〜Ｃ₆）と、２個のＬ成
分（Ｌ）とで構成されるものである。この等価回路に対
する誘電体フィルタの構成は図２２に示すような構成と
なっている。すなわち、ベース４８上にディスクリート
部品のコンデンサＣ₄〜Ｃ₆を配設し、コンデンサＣ₄
とＣ₅、コンデンサＣ₅とＣ₆との間にディスクリート
部品のインダクタンスＬ，Ｌをそれぞれ架橋し、さら
に、コンデンサＣ₄〜Ｃ₆の上にディスクリート部品の
コンデンサＣ₁〜Ｃ₃を配設している。そして、誘電体
同軸共振器１〜３から延出した接続端子９をコンデンサ
Ｃ₁〜Ｃ₃の上に置いて半田付け等で各部品を接続固定
している。なお、５０，５１は信号の入出力を行う入出
力端子である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例において
は、フィルタを構成する場合に、コンデンサＣ₁〜Ｃ₆
及びインダクタンスＬ，Ｌをすべてディスクリート部品
で構成していた。そのため、部品点数が多く、製造工程
が多くなり、コストが高いという問題があった。

【０００４】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を削減し、コストダウンを図ることを
目的とした誘電体フィルタを提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ｌ成分、Ｃ成
分及び誘電体同軸共振器等からなり所定の周波数帯域で
信号を通過ないし阻止させる誘電体フィルタにおいて、
上記誘電体同軸共振器を実装する絶縁体上にＬ成分ない
しＣ成分を電極膜状にパターン形成したものである。

【０００６】また、請求項２においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にＬ成分ない
しＣ成分を電極膜状にパターン形成したものである。

【０００７】

【作用】本発明によれば、従来、Ｌ成分ないしＣ成分を
構成する場合にディスクリート部品を用いていたのとは
異なり、絶縁体上に電極膜状のパターンとしてＬ成分な
いしＣ成分を形成することで、部品点数を削減すること
ができ、そのため、コストダウンを図ることができる。

【０００８】また、請求項２においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にＬ成分ない
しＣ成分を電極膜状にパターン形成していることで、実
装面側の部品とパターンとは位置的に無関係となり、部
品間の寸法を小さくすることができる。そのため、全体
的に寸法を小さくでき、小型の誘電体フィルタを実現す
ることができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１において、誘電体同軸共振器１〜３は１／４
波長形のもので、誘電体に貫通して設けた穴８の内周面
には電極膜状の内導体が形成され、誘電体の側表面には
外導体４１が電極膜状に形成され、さらに、前記内導体
と外導体とを短絡するために穴８が開口している端面の
一方に短絡導体（図示せず）が電極膜状に形成されてい
る。誘電体同軸共振器１〜３の穴８内には金属製の接続
端子９がそれぞれ誘電体同軸共振器１〜３の開放端側よ
り圧入されて、内導体と接触して導通を得ている。上記
誘電体同軸共振器１〜３を半田付け等により実装するベ
ース基板２２の上面の一部及び底面にはアース電極２６
が形成されている。この絶縁体を構成するベース基板２
２は、例えばアルミナ，ガラスエポキシなどの誘電体基
板を用いている。尚、ベース基板２２の上面に形成した
アース電極２６は、アースのために、例えばスルーホー
ル構造の電極で下面のアース電極と接続されている。

【００１０】上記ベース基板２２の上面の端部側には電
極パターン４２が電極膜状に形成してある。この電極パ
ターン４２は、例えば、印刷パターンや厚膜エッチング
等によりベース基板２２に形成される。この電極パター
ン４２は、３つのキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃と、２つの
インダクタ電極Ｌ₁，Ｌ₂とで構成されている。電極パ
ターン４２のキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃の上面には、上
下面にコンデンサ電極膜を形成したコンデンサ基板４３
〜４５が半田付け等で実装されるようになっている。そ
して、この誘電体からなるコンデンサ基板４３〜４５の
上面のコンデンサ電極膜に上記誘電体同軸共振器１〜３
からの接続端子９が半田付け等で接続される。

【００１１】なお、略Ｚ字型に折曲した金属製の入出力
端子４６，４７の一端が電極パターン４２の両側のキャ
パシタ電極Ｃ₁とＣ₃の上に配置され、その上に両側の
コンデンサ基板４３と４５が配置され、下面のコンデン
サ電極膜と共に半田付け等で接続固定されるようになっ
ている。

【００１２】図２はこのようにして構成されたバンドエ
リミネーションフィルタの等価回路図を示している。図
２において、Ｃ₁₁，Ｃ₂₁，Ｃ₃₁はコンデンサ基板４３〜
４５の上下面のコンデンサ電極膜により形成されるキャ
パシタである。また、Ｃ₁₂，Ｃ₂₂，Ｃ₃₂はコンデンサ電
極Ｃ₁〜Ｃ₃とベース基板２２の底面のアース電極２６
との間で形成されるキャパシタである。さらに、Ｌ₁，
Ｌ₂は、図１に示すインダクタ電極Ｌ₁，Ｌ₂によるイ
ンダクタンスである。

【００１３】ところで、上記ベース基板２２上の電極パ
ターンで形成するＬ成分，Ｃ成分は、誘電体フィルタに
必要なＬ成分，Ｃ成分のすべてでなくともよい。つま
り、誘電体フィルタを構成するＬ成分，Ｃ成分の一部を
電極パターンでベース基板２２上に形成するようにして
も良い。例えば、図２の回路において、キャパシタ
Ｃ₁₂，Ｃ₂₂，Ｃ₃₂はベース基板２２上の電極パターンで
形成し、インダクタンスＬ₁，Ｌ₂はディスクリート部
品で構成するようにしてもよい。

【００１４】また、ベース基板２２上の電極パターンだ
けでは必要な容量が得られない場合、キャパシタＣ₁₂，
Ｃ₃₂はベース基板２２上に電極パターンで形成し、残り
のキャパシタＣ₂₂をディスクリート部品で構成しても良
い。更に、図３（ａ）は上記図２の回路の一部を示すも
のであり、図３（ａ）に示すキャパシタＣ₁₂を、図３
（ｂ）に示すように２つのキャパシタＣ_12a，Ｃ_12bに
分けて、一方のキャパシタＣ_12aを電極パターンで形成
し、他方のキャパシタＣ_12bをディスクリート部品で構
成しても良い。また、逆にキャパシタＣ_12bを電極パタ
ーンで形成し、キャパシタＣ_12aをディスクリート部品
で構成しても良い。なお、この場合も、ベース基板２２
上の電極パターンだけでは必要な容量が得られない場合
である。また、他のキャパシタＣ₂₂，Ｃ₃₂の場合も同様
である。

【００１５】（実施例２）図４は実施例２を示し、ベー
ス基板２２の上面（表面）にキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃
を形成し、ベース基板２２の下面（裏面）には一面にア
ース電極２６を形成し、またベース基板２２の下面にイ
ンダクタ電極Ｌ₁，Ｌ₂を略コ字型に形成している。そ
して、上記キャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃とインダクタ電極
Ｌ₁，Ｌ₂とをスルーホール構造の端子電極４９でそれ
ぞれ導通を得ている。上記ベース基板２２の上面のキャ
パシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃と下面のアース電極２６とで、図
２に示すキャパシタＣ₁₂，Ｃ₂₂，Ｃ₃₂をそれぞれ得てい
る。また、図２に示すキャパシタＣ₁₁，Ｃ₂₁，Ｃ₃₁は先
の実施例と同様にコンデンサ基板４３〜４５の上下面の
コンデンサ電極膜で得ている。

【００１６】（実施例３）図５は実施例３を示し、上記
ベース基板２２を多層基板式としたものである。図５
（ａ）ベース基板２２の上面（表面）を、（ｂ）は下面
（裏面）をそれぞれ示している。また、図５（ｃ）はベ
ース基板２２の内部で積層した内層ベース基板２２ａを
示している。ベース基板２２の上面には先の実施例と同
様にキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃を形成し、内層ベース基
板２２ａにはインダクタ電極Ｌ₁，Ｌ₂を形成したもの
である。また、ベース基板２２の各電極はスルーホール
構造の端子電極４９で導通を得るようにしている。更
に、ベース基板２２の上面のキャパシタ電極Ｃ₁〜Ｃ₃
と下面のアース電極２６とで、図２に示すキャパシタＣ
₁₂，Ｃ₂₂，Ｃ₃₂を得ている。

【００１７】（実施例４）ところで、図６は、例えば、
自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるも
のであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテナ共用器
と言われる誘電体フィルタの等価回路図を示している。
そして、この誘電体フィルタは送信側がバンドエリミネ
ーションフィルタで構成され、受信側がバンドパスフィ
ルタで構成されている。表面実装タイプのこの誘電体フ
ィルタのバンドエリミネーションフィルタは３段の共振
器構成となっており、３個の１／４波長形誘電体同軸共
振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４段の共振器
構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器４〜７を
有している。

【００１８】また、図７はこの誘電体フィルタの全体の
分解斜視図を示し、図８は各部品を実装した状態の斜視
図を示している。まず、図７及び図８により本実施例に
おけるアンテナ共用器と言われる誘電体フィルタの構成
について説明する。

【００１９】先の実施例と同様の誘電体同軸共振器１〜
７は、直方体状に形成されている誘電体の穴８の内周面
に形成した電極膜状の内導体と、該誘電体の側表面に形
成した電極膜状の外導体と、前記内導体と外導体とを短
絡するために穴８が開口している端面の一方に形成した
短絡導体（図示せず）とで構成され、所定の周波数で共
振するようになっている。この誘電体同軸共振器１〜７
の穴８には一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端
子９がそれぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より
圧入されて、穴８内の内導体と接触して導通を得てい
る。上記接続端子９の他端側は舌片状に形成されてい
て、後述するコンデンサ基板１０〜１２や結合基板１３
の上面に形成されている電極膜１４〜１７に半田付け等
でそれぞれ接続されるようになっている。

【００２０】上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設
されており、電極膜１４〜１６は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダ
クタＬ₁〜Ｌ₃が接続される。上記インダクタＬ₁〜Ｌ
₃を実装する誘電体からなる結合基板１８の上面には電
極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。

【００２１】上記各部材を上面に実装するベース基板２
２には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２
４と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板２２の
上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板２２は、誘電
体または絶縁体等で形成されている。ベース基板２２の
上面に実装される上記結合基板１３は２個のスペーサ２
１を介して実装されるものであり、他の１個のスペーサ
２１はベース基板２２の入出力端子２４の上面に実装さ
れる。これら３個のスペーサ２１は、金属等の導通のあ
る部材を用いている。

【００２２】ベース基板２２を覆設するカバー２７は金
属製で構成され、カバー２７の天板には誘電体同軸共振
器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等を
するための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の
特性を調整するための治具挿入用の穴２９が穿孔してあ
る。また、カバー２７の下縁前部・背部（図示せず）よ
りベース基板２２の上面アース電極２６と接続されるア
ース端子３０が複数形成されている。カバー２７の側板
には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を露
出させるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。ま
た、図８に示すように、カバー２７の上面にはラベル３
２が貼付され穴２８や２９が覆われるようになってい
る。

【００２３】尚、上記の場合においては、カバー２７を
用いた場合について説明したが、カバー２７を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル３２は、耐熱性の高いカプトン（商品名）という樹脂
で形成されている。ラベル３２は、樹脂で形成した場合
はシールドの役目を有していないが、シールドの機能を
持たす場合には、金属製のものを使用するようになって
いる。

【００２４】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図７及び図８に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２
２の入出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１
８がベース基板２２の入出力端子２４と２３との間のア
ース電極２６の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ
実装され、この２個のスペーサ２１の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板１３が架橋されハンダづけ
される。

【００２５】図８に示すように、インダクタＬ₁の一端
がスペーサ２１の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続さ
れる。また、インダクタＬ₁の他端は結合基板１８の電
極膜１９の上に実装され、インダクタＬ₂が結合基板１
８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、イ
ンダクタＬ₁とＬ₂の接続部の上にコンデンサ基板１１
が実装され、コンデンサ基板１１の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器２からの接続端子９が接続される。インダ
クタＬ₃の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装
され、他端は入出力端子２３の上に実装される。また、
インダクタＬ₂とＬ₃の接続部の上にコンデンサ基板１
２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器３からの接続端子９が接続される。

【００２６】２個のスペーサ２１の上に実装された結合
基板１３の上面の各電極膜１４〜１７に、誘電体同軸共
振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるよう
になっている。

【００２７】また、ベース基板２２の上下面の入出力端
子２３〜２５の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３に
より導通を得ている。また、ベース基板２２の周囲に複
数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成した電極膜
を介して上下面のアース電極２６が導通している。更
に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介
してベース基板２２の上下面が導通している。

【００２８】図６に示す等価回路において、バンドエリ
ミネーションフィルタ側のキャパシタＣ₁〜Ｃ₃は、コ
ンデンサ基板１０〜１２の上下の電極膜で形成され、キ
ャパシタＣ₄は入出力端子２４と下面のアース電極との
間で形成されるものである。キャパシタＣ₅，Ｃ₆は、
結合基板１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電極膜
とで形成されている。また、キャパシタＣ₇は、入出力
端子２３と下面のアース電極との間で形成されるもので
ある。

【００２９】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
Ｃ₈は、結合基板１３の電極膜１４と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタＣ₉〜Ｃ_{1 0}は、結合基板１
３の各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパ
シタＣ_{1 1}は、結合基板１３の上面の電極膜１６と下面
の電極膜（図示せず）で形成される。この下面の電極膜
は図７の右側のスペーサ２１に導通している。更に、キ
ャパシタＣ_{1 2}は結合基板１３の上面の電極膜１７と下
面の電極膜（図示せず）とで形成される。尚、誘電体同
軸共振器７とキャパシタＣ_{1 2}とで直列共振回路のトラ
ップ回路を構成している。

【００３０】また、図６において、アンテナ側の入出力
端子２３には位相調整用のインダクタＬが接地してあ
る。本実施例では、このインダクタＬをベース基板２２
の上面に電極パターン４２として形成しているものであ
る。図７に示すように、インダクタＬを形成する電極パ
ターン４２を略コ字型に電極膜状に形成し、一端を入出
力端子２３と一体化し、他端をベース基板２２のスルー
ホール３３を介して下面のアース電極と導通を得てい
る。

【００３１】このようにアンテナ共用器に使用される位
相調整用のコイル（インダクタＬ）を図７に示すよう
に、ベース基板２２上に電極パターン４２として形成す
ることにより、部品定数が削減され、コストダウンを図
ることができる。また、半田付けによりインダクタＬを
形成した電極パターン４２のインダクタンス値が変化し
ないので、フィルタの特性が安定する。

【００３２】（実施例５）また、実施例４のように位相
調整用コイルだけでなく、図９に示すようなバンドパス
フィルタのインダクタＬの場合にも適用できるものであ
る。図９において、１〜４は先の実施例と同様の誘電体
同軸共振器であり、キャパシタＣ₁〜Ｃ₄により容量結
合を行っている。また、誘電体同軸共振器４とコンデン
サＣ₅はトラップ回路を構成している。

【００３３】このトラップ回路の共振周波数がバンドパ
スフィルタの通過帯域より高い場合に、トラップ回路の
共振周波数による通過帯域特性に悪影響を与えないよう
に、トラップ回路を並列共振を行うように上記インダク
タＬを設けているものである。このインダクタＬもベー
ス基板の上面に電極パターンとして形成することで、部
品定数が削減され、コストダウンを図ることができる。
また、半田付けによりインダクタＬを形成した電極パタ
ーンのインダクタンス値が変化しないので、フィルタの
特性が安定する。

【００３４】（実施例６）図１０〜図１３に実施例６を
示す。本実施例では、ベース基板２２を２枚の基板２２
₁，２２₂による多層基板とし、上側の基板２２₁の下
面にインダクタを形成する電極パターン４２を作成した
ものである。尚、このインダクタは、例えば、図６に示
すような、バンドエリミネーションフィルタ側のインダ
クタＬ₁〜Ｌ₃である。また、上下面にコンデンサ電極
膜（図示せず）を形成したコンデンサ基板１０，１１と
は、基板２２₁に穿設したスルーホール３５を介してそ
れぞれ導通を得ている。

【００３５】このように、インダクタをディスクリート
部品のコイルで実現するのではなく、樹脂の多層基板内
にラインパターンとしての電極パターン４２を描くこと
によって省スペースで回路構成を簡素化することができ
る。特に、図１０に示すように、コンデンサ基板１０，
１１間のインダクタ（電極パターン４２）を基板２２₁
の下面に形成しているために、コンデンサ基板１０，１
１間の寸法を小さくすることができて、小型化を図るこ
とができる。また、ベース基板２２の上側の基板２２₁
の上面や、基板２２₂の下面に他の実装部品等が存在し
ていても、インダクタ（電極パターン４２）の形成には
問題はない。

【００３６】本実施例では、ベース基板２２を２層の多
層基板としたが、必要に応じて３層、４層・・・と増や
していくことで、より大きなインダクタンスも実現する
ことが可能となる。

【００３７】本実施例においては、このようにフィルタ
を構成するインダクタンスを多層構造としたベース基板
２２内に形成することで、フィルタの小型化を実現する
ことができる。また、ベース基板２２の材質として、ガ
ラスエポキシ、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等を使
用することで、これらの基板は安価で多層基板を形成で
きるので、多層基板内でのインダクタンス形成が容易と
なる。

【００３８】（実施例７）図１３はバンドエリミネーシ
ョンフィルタの等価回路図を示し、３段の共振器構成で
あり、１〜３は誘電体同軸共振器、Ｃ₁〜Ｃ₆はキャパ
シタ、Ｌ₁，Ｌ₂はインダクタである。また、図１３に
おいて、５２は入力端子、５３は出力端子である。図１
４に示すように、本実施例では、ベース基板２２を２枚
の基板２２₁，２２₂の多層基板で構成し、上記各キャ
パシタＣ₁〜Ｃ₆、インダクタＬ₁，Ｌ₂を電極パター
ン４２で構成したものである。

【００３９】上側の基板２２₁にはキャパシタＣ₁〜Ｃ
₃を形成し、下側の基板２２₂にキャパシタＣ₄〜Ｃ₆
及びインダクタＬ₁，Ｌ₂を形成するようにしたもので
ある。すなわち、上側の基板２２₁の上下面にはそれぞ
れ独立した電極膜５４，５６，５８を形成し、各電極膜
５４，５６，５８に対向して基板２２₁の下面に電極膜
５５，５７，５９を形成している。そして、上下の電極
膜５４，５５、５６，５７、５８，５９間の容量で、そ
れぞれキャパシタＣ₁，Ｃ₂，Ｃ₃を形成している。
尚、基板２２₁の上面の電極膜５４，５６，５８は誘電
体同軸共振器１〜３等に接続されるようになっている。

【００４０】また、ベース基板２２の下側の基板２２₂
の上面には、上側の基板２２の下面の電極膜５５，５
７，５９と接触して導通を得る電極膜６０，６１，６２
が形成されている。そして、電極膜６０と６１、６１と
６２の間にはライン状の電極膜６３，６４により架橋し
ている。

【００４１】ここで、電極パターン４２の各電極膜６０
〜６２は基板２２₂の下面のアース電極（図示せず）と
で、それぞれキャパシタＣ₄，Ｃ₅，Ｃ₆を形成し、ラ
イン状の電極膜６３，６４でインダクタＬ₁，Ｌ₂を形
成している。このライン状の電極膜６３，６４によりキ
ャパシタＣ₄とＣ₅、Ｃ₅とＣ₆を接続する回路を構成
している。また、その他、電極間容量が不要な場合は、
スルーホールで表面回路素子やアース電極で接続する。

【００４２】本実施例では、バンドエリミネーションフ
ィルタの場合について説明したが、バンドエリミネーシ
ョンフィルタに限らず、マッチング回路や、バンドパス
フィルタ等全てに適用できるものである。また、２枚の
基板の多層基板としたが、２枚以上の多層基板で構成し
て、インダクタやキャパシタを電極パターンで形成して
も良いのは勿論である。

【００４３】このように、本実施例では、フィルタ回路
を構成するインダクタ及びキャパシタのすべてを電極パ
ターンで形成したことで、ディスクリート部品で構成し
た場合と比べて、部品点数を削減でき、コストダウンを
図ることができる。しかも、組み立てが容易となり、量
産性が向上するものである。

【００４４】（実施例８）図１５及び図１６に実施例８
を示す。図１５は図６に示すアンテナ共用器の要部回路
図を示し、送信側と受信側とのマッチングに使用する位
相調整用のインダクタＬを多層基板で形成したものであ
る。ベース基板２２の下側の基板２２₂の上面にインダ
クタＬを形成すべく電極パターン４２を形成している。
上側の基板２２₁には他の回路と接続するランド６５，
６６を形成し、スルーホール７０を介して下側の基板２
２₂の電極パターン４２の端部のランド６７，６８と導
通を得るようにしている。

【００４５】尚、本実施例では、アンテナ共用器の位相
調整用のインダクタについて適用したが、バンドパスフ
ィルタの場合のインダクタンス結合する場合のインダク
タも図１６の場合と同様に本発明を適用することができ
る。

【００４６】（実施例９）実施例９を図１７及び図１８
に示す。本実施例では、バンドパスフィルタの反共振イ
ンダクタンスの場合について適用したものである。図１
７はバンドパスフィルタの回路図を示し、１〜３は誘電
体同軸共振器を示し、Ｃ₁〜Ｃ₄はキャパシタを示して
いる。多層基板としたベース基板２２の下側の基板２２
₂の上面にインダクタＬを形成すべく電極パターン４２
を形成し、電極パターン４２の中央に形成したスルーホ
ール７１を介して下面のアース電極と導通を得ている。
また、電極パターン４２の端部のランド７２は、上側の
基板２２₁に形成したスルーホール７３を介して基板２
２₁の表面回路と接続されるようになっている。

【００４７】（実施例１０）図１９及び図２０は実施例
１０を示し、ローパスフィルタのインダクタＬ₁とキャ
パシタＣ₁を電極パターン４２で形成したものである。
本実施例では、ベース基板２２を３層の多層基板とした
ものであり、内層の基板２２₂の上面にインダクタＬ₁
としての電極パターン４２を形成し、下側の基板２２₃
の上面にキャパシタＣ₁を形成すべく電極パターン４２
を形成したものである。尚、キャパシタＣ₁は、基板２
２₃の電極パターン４２と下面のアース電極との間の容
量で形成している。

【００４８】上側の基板２２₁に形成してあるパターン
７４と内層の基板２２₂の電極パターン４２の一端とは
スルーホール７５を介して接続され、基板２２₂の電極
パターン４２の他端と基板２２₃の電極パターン４２と
はスルーホール７６を介して接続されるようになってい
る。

【００４９】なお、上記の各実施例において、バンドエ
リミネーションフィルタ、バンドパスフィルタ、ローパ
スフィルタ等について説明したが、ハイパスフィルタに
も本発明を適用できるものであり、更には、これらの各
種のフィルタの組み合わせの場合にも適用できるもので
ある。すなわち、フィルタを構成する場合に、Ｌ成分や
Ｃ成分をディスクリート部品で構成するのではなく、電
極膜状のパターン電極で構成することにより本発明を適
用できるものである。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、Ｌ成分、Ｃ成分及び誘
電体同軸共振器等からなり所定の周波数帯域で信号を通
過ないし阻止させる誘電体フィルタにおいて、上記誘電
体同軸共振器を実装する絶縁体上にＬ成分ないしＣ成分
を電極膜状にパターン形成したものであるから、従来、
Ｌ成分ないしＣ成分を構成する場合にディスクリート部
品を用いていたのとは異なり、絶縁体上に電極膜状のパ
ターンとしてＬ成分ないしＣ成分を形成することで、部
品点数を削減することができ、そのため、コストダウン
を図ることができるという効果を奏するものである。

【００５１】また、請求項２においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にＬ成分ない
しＣ成分を電極膜状にパターン形成していることで、実
装面側の部品とパターンとは位置的に無関係となり、部
品間の寸法を小さくすることができる。そのため、全体
的に寸法を小さくでき、小型の誘電体フィルタを実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。

【図２】本発明の図１に示す誘電体フィルタの等価回路
図である。

【図３】本発明の図２に示すキャパシタの一部をディス
クリート部品で構成した場合の説明図である。

【図４】本発明の実施例２の基板の電極パターンを示す
説明図である。

【図５】本発明の実施例３の基板の電極パターンを示す
説明図である。

【図６】本発明の実施例４のアンテナ共用器と言われる
誘電体フィルタの等価回路図である。

【図７】本発明の実施例４の誘電体フィルタの分解斜視
図である。

【図８】本発明の実施例４の部品を実装した状態の誘電
体フィルタの斜視図である。

【図９】本発明の実施例５のバンドパスフィルタの等価
回路図である。

【図１０】本発明の実施例６の要部断面図である。

【図１１】本発明の実施例６の要部斜視図である。

【図１２】本発明の実施例６の要部分解斜視図である。

【図１３】本発明の実施例７のバンドエリミネーション
フィルタの等価回路図である。

【図１４】本発明の実施例７のベース基板の分解斜視図
である。

【図１５】本発明の実施例８のアンテナ共用器の要部回
路図である。

【図１６】本発明の実施例８の要部分解斜視図である。

【図１７】本発明の実施例９のバンドパスフィルタの回
路図である。

【図１８】本発明の実施例９の要部分解斜視図である。

【図１９】本発明の実施例１０のローパスフィルタの部
分を示す要部回路図である。

【図２０】本発明の実施例１０の要部分解斜視図であ
る。

【図２１】バンドエリミネーションフィルタの等価回路
図である。

【図２２】従来例の誘電体フィルタをディスクリート部
品で構成した場合の平面図である。

【符号の説明】

１〜７誘電体同軸共振器２２ベース基板４２電極パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｌ成分、Ｃ成分及び誘電体同軸共振器等
からなり所定の周波数帯域で信号を通過ないし阻止させ
る誘電体フィルタにおいて、上記誘電体同軸共振器を実
装する絶縁体上にＬ成分ないしＣ成分を電極膜状にパタ
ーン形成したことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】上記絶縁体を多層基板で構成し、この多
層基板の内面側にＬ成分ないしＣ成分を電極膜状にパタ
ーン形成したことを特徴とする請求項１記載の誘電体フ
ィルタ。