JPH06459Y2 - 縦型エピタキシャル成長装置 - Google Patents
縦型エピタキシャル成長装置Info
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- JPH06459Y2 JPH06459Y2 JP7837388U JP7837388U JPH06459Y2 JP H06459 Y2 JPH06459 Y2 JP H06459Y2 JP 7837388 U JP7837388 U JP 7837388U JP 7837388 U JP7837388 U JP 7837388U JP H06459 Y2 JPH06459 Y2 JP H06459Y2
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- Japan
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- base plate
- epitaxial growth
- outer ring
- gap
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は縦型エピタキシャル成長装置に関する。
第２図は縦型エピタキシャル成長装置の反応炉の一例を
示す。
示す。
図において１はベースプレート、２はアウターリング、
３は石英ベルジャ、４はサスベルジャ、５は反応ガス噴
出パイプ、６はサセプタ、７はウエハである。
３は石英ベルジャ、４はサスベルジャ、５は反応ガス噴
出パイプ、６はサセプタ、７はウエハである。
ベースプレート１にアウターリング２を介して真空気密
構造に取付けられたベルジャ３、４内で、回転するサセ
プタ６上に載置されたウエハ７表面に、パイプ５から噴
出される反応ガスによってエピタキシャル成長が行なわ
れる。
構造に取付けられたベルジャ３、４内で、回転するサセ
プタ６上に載置されたウエハ７表面に、パイプ５から噴
出される反応ガスによってエピタキシャル成長が行なわ
れる。
エピタキシャル成長のシーケンスは、例えば、SiH4の熱
分解法では、まず、ウエハを高温の水素中でベークし、
表面のSiO2を還元除去し、そして、HClエッチングを行
ない、表面を清浄にする。
分解法では、まず、ウエハを高温の水素中でベークし、
表面のSiO2を還元除去し、そして、HClエッチングを行
ない、表面を清浄にする。
次に、炉内にハロゲン成分が残存せぬように十分に該成
分をパージして、H2-SiH4-ドーパントガスを送りこみ、
ウエハ７表面にエピタキシャル層を成長させる。
分をパージして、H2-SiH4-ドーパントガスを送りこみ、
ウエハ７表面にエピタキシャル層を成長させる。
通常、装置では上記シーケンスはすべて自動的に進行す
るようになっている。
るようになっている。
サセプタ６に載置のウエハ７を取り替える際は、ベルジ
ャ３，４をベルジャ３，４に取付けられたアウターリン
グ２ごとベースプレート１から離して取りのぞけばよい
ようになっている。
ャ３，４をベルジャ３，４に取付けられたアウターリン
グ２ごとベースプレート１から離して取りのぞけばよい
ようになっている。
第３図は従来の縦型エピタキシャル成長装置の一例にお
ける第２図のＡ部分の詳細な構造を示す。
ける第２図のＡ部分の詳細な構造を示す。
図において１，２，３は第２図の同一符号と同一部分を
示し、11a,11b,12はＯリング、１３は真空排気系に通ず
るパイプである。
示し、11a,11b,12はＯリング、１３は真空排気系に通ず
るパイプである。
サスベルジャ４にアウターリング２が固定され、サスベ
ルジャ４と石英ベルジャ３が嵌合され、その石英ベルジ
ャ３とアウターリング２間にＯリング１２が挾まれ、石
英ベルジャ３とアウターリング２間から漏れが起らない
構造になっており、ベースプレート１とアウターリング
２間には２個のＯリング１１ａ，１１ｂが円心状に配列
されて挾まれ、２個のＯリング１１ａ，１１ｂの間のベ
ースプレート１とアウターリング２間の隙間がパイプ１
３を介し真空排気系に連結されて真空排気され、ベース
プレート１とアウターリング２間から漏れが起らない構
造になっている。
ルジャ４と石英ベルジャ３が嵌合され、その石英ベルジ
ャ３とアウターリング２間にＯリング１２が挾まれ、石
英ベルジャ３とアウターリング２間から漏れが起らない
構造になっており、ベースプレート１とアウターリング
２間には２個のＯリング１１ａ，１１ｂが円心状に配列
されて挾まれ、２個のＯリング１１ａ，１１ｂの間のベ
ースプレート１とアウターリング２間の隙間がパイプ１
３を介し真空排気系に連結されて真空排気され、ベース
プレート１とアウターリング２間から漏れが起らない構
造になっている。
従来の縦型エピタキシャル成長装置では、エピタキシャ
ル成長のシーケンスの区切りにおける各パージでは、ベ
ースプレート１とアウターリング２間の隙間などの反応
ガスが十分パージされずに残り、処理ごとに反応生成物
がＯリング１１ａに少しずつ付着してゆき、回数を重ね
ると、Ｏリング１１ａでの気密性が徐々に損われてゆ
き、さらに、反応生成物が２個のＯリング１１ａ，１１
ｂの間の隙間に浸入し、真空排気系に通ずる溝、パイプ
１３などに堆積し、真空引きを阻害し、目的が果されな
くなり、炉内と外気間の気密性が保たれなくなるという
問題があった。
ル成長のシーケンスの区切りにおける各パージでは、ベ
ースプレート１とアウターリング２間の隙間などの反応
ガスが十分パージされずに残り、処理ごとに反応生成物
がＯリング１１ａに少しずつ付着してゆき、回数を重ね
ると、Ｏリング１１ａでの気密性が徐々に損われてゆ
き、さらに、反応生成物が２個のＯリング１１ａ，１１
ｂの間の隙間に浸入し、真空排気系に通ずる溝、パイプ
１３などに堆積し、真空引きを阻害し、目的が果されな
くなり、炉内と外気間の気密性が保たれなくなるという
問題があった。
また、例えば、HClガスのような反応ガスが、真空排気
系に通ずる溝やパイプ１３に入り、空気と触れて腐食性
を生ずることにより、パイプ１３などの腐食、劣化を招
くという問題があった。
系に通ずる溝やパイプ１３に入り、空気と触れて腐食性
を生ずることにより、パイプ１３などの腐食、劣化を招
くという問題があった。
本考案は上記の問題を解消するためになされたもので、
Ｏリング１１ａでの気密性の低下しない構造のものを提
供することを目的とする。
Ｏリング１１ａでの気密性の低下しない構造のものを提
供することを目的とする。
本考案の縦型エピタキシャル成長装置は、反応炉のベー
スプレート１に該ベースプレート１とアウターリング２
間に挾まれた内側のＯリング１１ａ内のベースプレート
１とアウターリング２間の隙間に通ずるガス導入穴及
び、該導入穴上端部の上記ベースプレートに円心状の溝
を設け、エピタキシャル成長のシーケンスに応じて上記
溝を経て上記隙間に反応ガスをパージするガスを噴出さ
せる構造としたものである。
スプレート１に該ベースプレート１とアウターリング２
間に挾まれた内側のＯリング１１ａ内のベースプレート
１とアウターリング２間の隙間に通ずるガス導入穴及
び、該導入穴上端部の上記ベースプレートに円心状の溝
を設け、エピタキシャル成長のシーケンスに応じて上記
溝を経て上記隙間に反応ガスをパージするガスを噴出さ
せる構造としたものである。
第１図は本考案の実施例におけるベースプレートに設け
た溝の一例を示す。
た溝の一例を示す。
図において1,2,3,11a,11b,12,13は第３図の同一符号と
同一または相当する部分を示し、１４はパージガスを送
りこむガス導入穴、１５は円心状の溝である。
同一または相当する部分を示し、１４はパージガスを送
りこむガス導入穴、１５は円心状の溝である。
エピタキシャル成長シーケンスの反応ガスパージ時にガ
ス導入穴１４からもＨ2またはＮ2などのパージ用ガスを
送りこめば、Ｏリング１１ａ内のベースプレート１とア
ウターリング２間の隙間から反応ガスが完全に除去さ
れ、反応生成物がＯリング１１ａに付着することがな
く、真空排気系に通ずる溝、パイプ１３などに堆積する
こともなく、気密が良好に保たれる。
ス導入穴１４からもＨ2またはＮ2などのパージ用ガスを
送りこめば、Ｏリング１１ａ内のベースプレート１とア
ウターリング２間の隙間から反応ガスが完全に除去さ
れ、反応生成物がＯリング１１ａに付着することがな
く、真空排気系に通ずる溝、パイプ１３などに堆積する
こともなく、気密が良好に保たれる。
また、真空排気系に通ずる溝やパイプがHClガスなどに
よって腐食されることもなく劣化が遅くなる。
よって腐食されることもなく劣化が遅くなる。
以上説明したように、本考案によれば、反応炉の気密性
が、処理回数を重ねても低下することがなく、また、真
空排気系に通ずる溝、パイプなどに腐食、劣化が起るこ
とがなくなるという効果がある。
が、処理回数を重ねても低下することがなく、また、真
空排気系に通ずる溝、パイプなどに腐食、劣化が起るこ
とがなくなるという効果がある。
第１図は本考案の実施例におけるベースプレートに設け
た溝の一例を示す断面図、第２図は縦型エピタキシャル
成長装置の反応炉の一例を示す説明図、第３図は従来の
縦型エピタキシャル成長装置の一例における第２図のＡ
部分の詳細な構造を示す断面図である。 １…ベースプレート、２…アウターリング、３…石英ベ
ルジャ、11a,11b,12…Ｏリング、１３…パイプ、１４…
ガス導入穴、１５…溝。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
た溝の一例を示す断面図、第２図は縦型エピタキシャル
成長装置の反応炉の一例を示す説明図、第３図は従来の
縦型エピタキシャル成長装置の一例における第２図のＡ
部分の詳細な構造を示す断面図である。 １…ベースプレート、２…アウターリング、３…石英ベ
ルジャ、11a,11b,12…Ｏリング、１３…パイプ、１４…
ガス導入穴、１５…溝。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】反応炉のベルジャに取付けられたアウター
リングとベースプレート間に２個のＯリングが円心状に
配列されて挾まれ、該２個のＯリングの間の上記ベース
プレートとアウターリング間の隙間が真空排気系に連結
されて真空排気され、反応炉内と外気との気密が保持さ
れる構造の縦型エピタキシャル成長装置において、上記
ベースプレートに該ベースプレートと上記アウターリン
グ間に挾まれた内側のＯリング内の該ベースプレートと
アウターリング間の隙間に通ずるガス導入穴及び該導入
穴上端部の上記ベースプレートに円心状の溝を設けエピ
タキシャル成長のシーケンスに応じて上記溝を経て上記
隙間に反応ガスをパージするガスを噴出させる構造とし
たことを特徴とする縦型エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7837388U JPH06459Y2 (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7837388U JPH06459Y2 (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02369U JPH02369U (ja) | 1990-01-05 |
| JPH06459Y2 true JPH06459Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=31303302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7837388U Expired - Lifetime JPH06459Y2 (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06459Y2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103295935A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| KR20200109672A (ko) * | 2019-03-14 | 2020-09-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 웨이퍼 공정용 열처리 장치 및 그의 캡 플랜지 |
| US11315767B2 (en) | 2017-09-25 | 2022-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101458167B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2014-11-03 | 이리에 고켕 가부시키가이샤 | 게이트 밸브의 시일 구조 |
| JP6029452B2 (ja) * | 2012-02-22 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6455480B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
| JP7690402B2 (ja) * | 2019-05-22 | 2025-06-10 | ラム リサーチ コーポレーション | パージを伴う腐食性ガス用の蒸気アキュムレータ |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP7837388U patent/JPH06459Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103295935A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| US11315767B2 (en) | 2017-09-25 | 2022-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| KR20200109672A (ko) * | 2019-03-14 | 2020-09-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 웨이퍼 공정용 열처리 장치 및 그의 캡 플랜지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02369U (ja) | 1990-01-05 |
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