JPH0647093B2 - 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
半導性ないし導電性薄膜の製造方法Info
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- JPH0647093B2 JPH0647093B2 JP61181618A JP18161886A JPH0647093B2 JP H0647093 B2 JPH0647093 B2 JP H0647093B2 JP 61181618 A JP61181618 A JP 61181618A JP 18161886 A JP18161886 A JP 18161886A JP H0647093 B2 JPH0647093 B2 JP H0647093B2
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、ラングミュア・ブロジェット法を利用した構
造規則性の高い半導性ないし導電性の有機薄膜の製造方
法に関する。
造規則性の高い半導性ないし導電性の有機薄膜の製造方
法に関する。
従来技術 有機半導性ないし導電性薄膜は、有機電池、半導体素
子、電磁シールド、太陽電池、帯電防止材料、電極材料
などに用いられており、また、さらに広範囲な用途が期
待されている。
子、電磁シールド、太陽電池、帯電防止材料、電極材料
などに用いられており、また、さらに広範囲な用途が期
待されている。
従来、このような有機薄膜の製造方法としては電解重合
法が知られており、たとえば次のような報文が知られて
いる。
法が知られており、たとえば次のような報文が知られて
いる。
J.Chem.Soc.Chem.Commun.,635(1979) ibid.,854(1979) ibid.,361(1981) J.Electronal.Chem.,111,111(1981) ibid.,135,173(1983) J.Electrochcm.Soc.,130(7),1506(1983) Electrochem.Acta.,27(1),61(1982) J.Chem.Commun.,1199(1984) しかし、これらは電極を単に溶液相に浸漬して電気化学
的に重合を行なうだけであり、電極表面に吸着した分子
の配列には規則性が認められず、電気導電度を低下させ
る原因となっていた。報文〜は一般的な電気化学的
重合法に関する論文である。
的に重合を行なうだけであり、電極表面に吸着した分子
の配列には規則性が認められず、電気導電度を低下させ
る原因となっていた。報文〜は一般的な電気化学的
重合法に関する論文である。
特に、下記の報文には、電気化学的な重合法により得
られた重合膜がアモルフォスであること、即ち、構成単
位に規則性がないことが報告されている。
られた重合膜がアモルフォスであること、即ち、構成単
位に規則性がないことが報告されている。
J.Polmer Sci.,Polmer Chemistry Edition,21,2035(1
983) 発明の目的 本発明は、構造規制性が高い有機半導性ないし導電性薄
膜を簡便に製造する方法を提供するものである。
983) 発明の目的 本発明は、構造規制性が高い有機半導性ないし導電性薄
膜を簡便に製造する方法を提供するものである。
発明の構成 電気化学的方法を応用した電解重合法は、モノマーと電
解質とを溶解した液に電流を通すと同時に錯体が生成さ
れる方法であり、導電性ないし半導性の有機薄膜が簡便
に得られる。しかしながら、従来技術の項でも述べたよ
うに、分子オーダーでの構造規則性等を制御することは
困難であり、第３Ｂ図のようなアモルファスに近い状態
で製膜される。図中、13はモノマー分子ないしポリマー
の構成単位を表す。
解質とを溶解した液に電流を通すと同時に錯体が生成さ
れる方法であり、導電性ないし半導性の有機薄膜が簡便
に得られる。しかしながら、従来技術の項でも述べたよ
うに、分子オーダーでの構造規則性等を制御することは
困難であり、第３Ｂ図のようなアモルファスに近い状態
で製膜される。図中、13はモノマー分子ないしポリマー
の構成単位を表す。
一方、ラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）は、液
表面に浮場した界面活性物質の単分子膜を基板上に移し
とる方法であり、膜厚や製造規則性等を分子オーダーで
制御することや、異なった単量体を交互に積層して成膜
することが可能である。反面、得られる膜は強度が著し
く低く、耐久性に乏しいという欠点がある。
表面に浮場した界面活性物質の単分子膜を基板上に移し
とる方法であり、膜厚や製造規則性等を分子オーダーで
制御することや、異なった単量体を交互に積層して成膜
することが可能である。反面、得られる膜は強度が著し
く低く、耐久性に乏しいという欠点がある。
本発明者らは、このようなＬＢ法の特性を巧みに利用
し、特に電解重合法と組み合わせて重合膜とすることに
より、膜内分子の構造規則性が高く、均質でしかも結晶
性の高い反導性ないし導電性薄膜の製造に成功し、この
知見に基いて本発明を完成するに至った。
し、特に電解重合法と組み合わせて重合膜とすることに
より、膜内分子の構造規則性が高く、均質でしかも結晶
性の高い反導性ないし導電性薄膜の製造に成功し、この
知見に基いて本発明を完成するに至った。
本発明の第１番目の半導性ないし導電性薄膜の製造方法
は、重合により高分子を形成するモノマーであってその
分子内に親水性の部分と疏水性の部分とを有するモノマ
ーを出発物質として用い、ラングミュア・ブロジェット
法により基板上に該モノマーの単分子膜または単分子累
積膜を形成せしめた後、該モノマーを電気化学的に重合
させることを特徴とする。
は、重合により高分子を形成するモノマーであってその
分子内に親水性の部分と疏水性の部分とを有するモノマ
ーを出発物質として用い、ラングミュア・ブロジェット
法により基板上に該モノマーの単分子膜または単分子累
積膜を形成せしめた後、該モノマーを電気化学的に重合
させることを特徴とする。
以下、添付図面に添って本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
本発明で用いられるモノマーとしては、分子内に相対的
に親水性部分と疏水性部分とを有するものが用いられ、
たとえば、ベンゼン、ピロール、チオフェン、フラン、
セレノフェン、テルルフェン、ナフタレン、アントラセ
ン、アズレン、ピレンおよびこれらの誘導体のような共
役系物質やカルバゾールおよびその誘導体のような非共
役物質が使用される。これらモノマーの具体例としては
次のものが挙げられる。
に親水性部分と疏水性部分とを有するものが用いられ、
たとえば、ベンゼン、ピロール、チオフェン、フラン、
セレノフェン、テルルフェン、ナフタレン、アントラセ
ン、アズレン、ピレンおよびこれらの誘導体のような共
役系物質やカルバゾールおよびその誘導体のような非共
役物質が使用される。これらモノマーの具体例としては
次のものが挙げられる。
(1)以下の一般式（Ｉ）で示されるベンゼン誘導体 （式中、Ｘは親水基を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素または
疏水性を示し、少なくともその一つは疏水基である。） (2)ピロールまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｎ） (3)チオフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｓ） (4)フランまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｏ） (5)セレノフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｓｅ） (6)テルルフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｔｅ） （式中、Ｙは窒素原子、イオウ原子、酸素原子、セレン
原子またはテルル原子を示し、Ｒ４、Ｒ５およびＲ
６は、水素、親水基または疏水基を示し、少なくとも１
つの親水基および疏水基を含むものが望ましい。Ｒ６が
親水基であるものが特に好ましい。） (7)ジアセチレン誘導体 (8)ナフタレン誘導体 (9)アントラセン誘導体 (10)ピレン誘導体 (11)カルバゾール誘導体 上記(7)〜(11)においては、分子内の炭素内のいずれか
一ケ所以上に疏水基が配置し、さらに他の部位に親水基
が配置した置換体が望ましい。
疏水性を示し、少なくともその一つは疏水基である。） (2)ピロールまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｎ） (3)チオフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｓ） (4)フランまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｏ） (5)セレノフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｓｅ） (6)テルルフェンまたはその誘導体 （以下の一般式（II）でＹ＝Ｔｅ） （式中、Ｙは窒素原子、イオウ原子、酸素原子、セレン
原子またはテルル原子を示し、Ｒ４、Ｒ５およびＲ
６は、水素、親水基または疏水基を示し、少なくとも１
つの親水基および疏水基を含むものが望ましい。Ｒ６が
親水基であるものが特に好ましい。） (7)ジアセチレン誘導体 (8)ナフタレン誘導体 (9)アントラセン誘導体 (10)ピレン誘導体 (11)カルバゾール誘導体 上記(7)〜(11)においては、分子内の炭素内のいずれか
一ケ所以上に疏水基が配置し、さらに他の部位に親水基
が配置した置換体が望ましい。
以上の(1)〜(11)において、疏水基として最も代表的な
ものは、直鎖または分岐鎖の長鎖アルキル基である。ア
ルキル基の炭素数は５以上のものが望ましく、特に炭素
数８〜25程度のものが好ましい。また、親水基としては
以下のような官能基が挙げられるが、ピロール等の複素
環式化合物のように、非共有電子対を有する原子が分子
内に存在し、その親水性が比較的に強い場合には、親水
基（Ｘ）を不要とすることもできる。
ものは、直鎖または分岐鎖の長鎖アルキル基である。ア
ルキル基の炭素数は５以上のものが望ましく、特に炭素
数８〜25程度のものが好ましい。また、親水基としては
以下のような官能基が挙げられるが、ピロール等の複素
環式化合物のように、非共有電子対を有する原子が分子
内に存在し、その親水性が比較的に強い場合には、親水
基（Ｘ）を不要とすることもできる。
親水基 不飽和炭化水素基、ハロゲン化物、 ニトロ化合物、エステル基、 エーテル基、ケトン基、 アルデヒド基、 アミン基（第４級アミノ基、オキシアミノ基を含む）、 ヒドロキシル（アルコール）基、 脂肪酸基、硫酸エステル、 スルホン化物、イミノ基、 ジアゾニウム基、グアニジン基、 ヒドラジン基、リン酸基、 ケイ酸基、アルミン酸基。
また、上記の金属塩およびアミン塩等の塩も親水基とし
て使用される。
て使用される。
なお、本発明では上記のようなモノマーの２量体、３量
体のような低次重合分子も、モノマーとして使用でき
る。このようなモノマーの具体例としては、クインクチ
エニル、ターフェニル、ペンタフェニルなどが挙げられ
る。
体のような低次重合分子も、モノマーとして使用でき
る。このようなモノマーの具体例としては、クインクチ
エニル、ターフェニル、ペンタフェニルなどが挙げられ
る。
本発明では、まず、上記のようなモノマーを水面上に展
開して単分子膜を形成する。モノマーが水面上に展開さ
れると、その疏水性部分が水面から突出して単分子膜が
形成される。しかしながら、分子内に親水性部分と疏水
性部分とを有する化合物が必ずしも、常に良好な単分子
膜を形成するとは限らない。このためには親水性と疏水
性のバランスが適度に取れていることが必要である。こ
のバランスが崩れている場合であって疏水性が勝る場合
は、アラキン酸（Ｃ19Ｈ39ＣＯＯＨ）等の長鎖脂肪酸や
ポリビニルアセテート等の高分子物質およびオクタデカ
ン、ヘキサデカン等のアルカン類との混合単分子膜とし
て展開することが可能であり、より良好な単分子膜が形
成される。また、同様に親水基が勝る場合には、水相中
にＮａ＋、Ｃａ＋＋、Ｃｄ＋＋等の金属塩を添加するこ
とにより、水表面に塩析して単分子膜を形成することが
できる。また、水相のpHを緩衝溶液、酸、塩基等により
調節することによって、安定なＬＢ膜を形成することも
可能である。
開して単分子膜を形成する。モノマーが水面上に展開さ
れると、その疏水性部分が水面から突出して単分子膜が
形成される。しかしながら、分子内に親水性部分と疏水
性部分とを有する化合物が必ずしも、常に良好な単分子
膜を形成するとは限らない。このためには親水性と疏水
性のバランスが適度に取れていることが必要である。こ
のバランスが崩れている場合であって疏水性が勝る場合
は、アラキン酸（Ｃ19Ｈ39ＣＯＯＨ）等の長鎖脂肪酸や
ポリビニルアセテート等の高分子物質およびオクタデカ
ン、ヘキサデカン等のアルカン類との混合単分子膜とし
て展開することが可能であり、より良好な単分子膜が形
成される。また、同様に親水基が勝る場合には、水相中
にＮａ＋、Ｃａ＋＋、Ｃｄ＋＋等の金属塩を添加するこ
とにより、水表面に塩析して単分子膜を形成することが
できる。また、水相のpHを緩衝溶液、酸、塩基等により
調節することによって、安定なＬＢ膜を形成することも
可能である。
ついで、第２Ａ図に示すようにＬＢ法により水面上に展
開したモノマー分子13の単分子膜を、電極基板11を引き
上げて、電極基板11上に移す。さらに必要に応じて、第
２Ｂ図および第２Ｃ図に示すように電極基板11の上下操
作を繰り返して単分子膜15を累積する。電極基板11は、
ＬＢ法に適用する前に、その表面が完全に水で濡れるよ
うに十分に洗浄をしておく。なお、図中、白丸は親水部
分を、脚部は疏水部分を表わす。
開したモノマー分子13の単分子膜を、電極基板11を引き
上げて、電極基板11上に移す。さらに必要に応じて、第
２Ｂ図および第２Ｃ図に示すように電極基板11の上下操
作を繰り返して単分子膜15を累積する。電極基板11は、
ＬＢ法に適用する前に、その表面が完全に水で濡れるよ
うに十分に洗浄をしておく。なお、図中、白丸は親水部
分を、脚部は疏水部分を表わす。
また、電極基板11面上に、ステアリン酸、アラギン酸等
の高級脂肪酸および金属塩を塗布したり、ＬＢ膜として
累積することによって表面処理した場合も、上記ＬＢ法
を利用することが可能である。
の高級脂肪酸および金属塩を塗布したり、ＬＢ膜として
累積することによって表面処理した場合も、上記ＬＢ法
を利用することが可能である。
電極基板の構成あるいは形状には特に制限がなく、電解
技術分野で通常用いられるものが使用可能であり、多層
構成電極なども使用できる。電極を構成する材料として
は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ等の
金属、これらの酸化物、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴ
Ｏ、これらの複合電極またはコーティング電極などを挙
げることができる。
技術分野で通常用いられるものが使用可能であり、多層
構成電極なども使用できる。電極を構成する材料として
は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ等の
金属、これらの酸化物、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴ
Ｏ、これらの複合電極またはコーティング電極などを挙
げることができる。
このようにして得られたモノマー分子のラングミュア・
ブロジェット膜（ＬＢ膜）の状態を模式的に示すのが第
３Ａ図である。電極基板11上に、ＬＢ法によりモノマー
分子13が規則的に配列されてＬＢ膜17を形成している。
第３Ｂ図は、既にのべたように通常の電解重合法により
重合膜を形成する場合のモノマー分子13の配置状態であ
り、分子配列に規則性はみられない。
ブロジェット膜（ＬＢ膜）の状態を模式的に示すのが第
３Ａ図である。電極基板11上に、ＬＢ法によりモノマー
分子13が規則的に配列されてＬＢ膜17を形成している。
第３Ｂ図は、既にのべたように通常の電解重合法により
重合膜を形成する場合のモノマー分子13の配置状態であ
り、分子配列に規則性はみられない。
次に、ＬＢ膜17を形成した電極基板11を、電解槽23中に
取り付け、電解質を含む電解液25中に、対極21とともに
浸漬する。
取り付け、電解質を含む電解液25中に、対極21とともに
浸漬する。
電解液として用いる溶剤としては、水、エタノール、ア
セトニトリル、ベンゾニトリル、プロピレンカーボネー
ト、γ−ブチロラクトン、ニトロベンゼン、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミド、アセトン等の極性溶媒を挙
げることができるが、ＬＢ膜形成分子が溶解し難いもの
が望ましく、水または高濃度の電解質を含む溶液が望ま
しい。
セトニトリル、ベンゾニトリル、プロピレンカーボネー
ト、γ−ブチロラクトン、ニトロベンゼン、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミド、アセトン等の極性溶媒を挙
げることができるが、ＬＢ膜形成分子が溶解し難いもの
が望ましく、水または高濃度の電解質を含む溶液が望ま
しい。
対極21としては、電極基板11と同様のものを用いること
ができ、電極基板11と対極21とをガラス、ポリマーなど
でできた多孔質膜で隔離したものを用いることもでき
る。
ができ、電極基板11と対極21とをガラス、ポリマーなど
でできた多孔質膜で隔離したものを用いることもでき
る。
電解質、電解条件なども、通常の電解重合法と同様なも
のを用いることができる。例えば、参照電極を電解槽中
に入れて、正極電位を一定にした状態で電解重合を行う
こともできる。
のを用いることができる。例えば、参照電極を電解槽中
に入れて、正極電位を一定にした状態で電解重合を行う
こともできる。
このようにＬＢ膜を形成して、電極基板11と対極21間に
電流を流して電解重合を行なうと、従来の電解重合膜よ
りも均質で、しかも、結晶性が高く、大きな導電性を有
する有機薄膜を得ることができる。
電流を流して電解重合を行なうと、従来の電解重合膜よ
りも均質で、しかも、結晶性が高く、大きな導電性を有
する有機薄膜を得ることができる。
発明の効果 本発明によれば、ＬＢ法によりモノマーの単分子膜また
はこの累積膜を形成したのち電解重合を行ない半導性な
いし導電性の有機薄膜を形成することにより、構造規則
性および膜厚を分子オーダーで制御することが可能とな
る。
はこの累積膜を形成したのち電解重合を行ない半導性な
いし導電性の有機薄膜を形成することにより、構造規則
性および膜厚を分子オーダーで制御することが可能とな
る。
さらに、従来のＬＢ膜との比較から見れば、安定性が低
かったＬＢ膜を強化することが可能となる。また、従来
はアモルファス状態であった電解重合膜中の分子配列を
制御できるため、導電性、耐久性等の向上が可能とな
り、産業上の各方面への用途に利用できる可能性を示し
ている。
かったＬＢ膜を強化することが可能となる。また、従来
はアモルファス状態であった電解重合膜中の分子配列を
制御できるため、導電性、耐久性等の向上が可能とな
り、産業上の各方面への用途に利用できる可能性を示し
ている。
実施例１ ＬＢ膜累積槽に、５×10-4mol／のＣｄＣｌ２水溶液
（pH＝5.5〜6.0、温度20℃）を入れ、この表面に、以下
に式（Ａ）で示したα−（３，４−ジアルキルピロロ）
酢酸をクロロホルム溶液として展開し、表面圧力15dyne
／cmで圧縮して、３０分間放置した。
（pH＝5.5〜6.0、温度20℃）を入れ、この表面に、以下
に式（Ａ）で示したα−（３，４−ジアルキルピロロ）
酢酸をクロロホルム溶液として展開し、表面圧力15dyne
／cmで圧縮して、３０分間放置した。
その後、表面抵抗30Ω／cm2の清浄なＩＴＯガラス基板
［ガラス基板表面にＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズ
の複合合金）薄膜を設けたもの］を使用し、ＬＢ法によ
りα−（３，４−ジアルキルピロロ）酢酸の単分子膜を
25層累積した。
［ガラス基板表面にＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズ
の複合合金）薄膜を設けたもの］を使用し、ＬＢ法によ
りα−（３，４−ジアルキルピロロ）酢酸の単分子膜を
25層累積した。
次に、このＩＴＯガラス基板を陽極として電解槽内に配
置し、陰極としてＮｉ板を一枚対向させ、パラトルエン
スルホン酸ナトリウムを0.05モル含む水100mlを入れ、
電流密度0.5mA／cm2で６０分間電解重合を行ない、ＩＴ
Ｏガラス基板上に重合膜を形成した。
置し、陰極としてＮｉ板を一枚対向させ、パラトルエン
スルホン酸ナトリウムを0.05モル含む水100mlを入れ、
電流密度0.5mA／cm2で６０分間電解重合を行ない、ＩＴ
Ｏガラス基板上に重合膜を形成した。
さらに、この重合膜を形成したガラス基板をＬＢ膜累積
槽に戻し、前記と同様にして単分子膜を２層累積したの
ち、重合するという操作を繰り返し、40層の累積重合膜
を形成して導電性有機薄膜を得た。この導電性有機薄膜
をＩＴＯガラス基板から剥離し、アセトニトリルで洗浄
後、室温で乾燥した。
槽に戻し、前記と同様にして単分子膜を２層累積したの
ち、重合するという操作を繰り返し、40層の累積重合膜
を形成して導電性有機薄膜を得た。この導電性有機薄膜
をＩＴＯガラス基板から剥離し、アセトニトリルで洗浄
後、室温で乾燥した。
得られた有機薄膜は、平滑で均質な表面を有する安定な
フィルムであり、四端子法で測定した電気伝導度は1.0
Ｓ・cm-1であつた。
フィルムであり、四端子法で測定した電気伝導度は1.0
Ｓ・cm-1であつた。
実施例２ ＬＢ膜累積槽に５×10-3mol／のＣｄＣｌ２を含む水
溶液（pH5.5〜6.0）、温度20℃）を入れ、この表面に、
以下の式（Ｂ）で示したクインクチエニル酸とアラキン
酸を １：１の割合で混合溶解したクロロフォルム溶液を展開
し、表面圧26dyne／cmで圧縮して30分間放置した。
溶液（pH5.5〜6.0）、温度20℃）を入れ、この表面に、
以下の式（Ｂ）で示したクインクチエニル酸とアラキン
酸を １：１の割合で混合溶解したクロロフォルム溶液を展開
し、表面圧26dyne／cmで圧縮して30分間放置した。
その後、表面抵抗30Ω／cm2のＩＴＯガラス（３cm×２c
m×0.1cm）を基板として、ＬＢ法により上記混合単分子
膜を30層累積した。
m×0.1cm）を基板として、ＬＢ法により上記混合単分子
膜を30層累積した。
ついで、0.5mol／の過塩素酸四ブチルアンモニウムを
溶解したアセトニトリル100ｍを電解液として第１図
のように電解槽中に入れた。この電解液中に、陰極とし
て白金板（３cm×２cm×0.05cm）と参照電極として飽和
甘汞電極とを浸漬し、上記の累積単分子膜を形成したＩ
ＴＯガラス基板と白金板とを、それぞれ銅線でポテンシ
オスタットの正極と負極とに接続した。その後、このＩ
ＴＯガラスの先端を５mm程度電解槽中に浸漬して、正極
電位が参照電極より＋2.0Ｖ高くなるように設定し、徐
々にこのＩＴＯガラスを陽極として電解液中に沈降し、
２cm浸漬し、180分間電流を通じて電気化学的重合を行
なった。
溶解したアセトニトリル100ｍを電解液として第１図
のように電解槽中に入れた。この電解液中に、陰極とし
て白金板（３cm×２cm×0.05cm）と参照電極として飽和
甘汞電極とを浸漬し、上記の累積単分子膜を形成したＩ
ＴＯガラス基板と白金板とを、それぞれ銅線でポテンシ
オスタットの正極と負極とに接続した。その後、このＩ
ＴＯガラスの先端を５mm程度電解槽中に浸漬して、正極
電位が参照電極より＋2.0Ｖ高くなるように設定し、徐
々にこのＩＴＯガラスを陽極として電解液中に沈降し、
２cm浸漬し、180分間電流を通じて電気化学的重合を行
なった。
反応終了後に、陽極（ＩＴＯガラス）に生成した重合物
を剥離し、アセトニトリルで洗浄した後、室温で乾燥し
た。
を剥離し、アセトニトリルで洗浄した後、室温で乾燥し
た。
得られた重合物（半導性ないし導電性有機薄膜）は、平
滑で均質な表面を有する安定なフィルムであり、四端子
法で測定した電気伝導度は0.1Ｓ・cm-1であった。
滑で均質な表面を有する安定なフィルムであり、四端子
法で測定した電気伝導度は0.1Ｓ・cm-1であった。
実施例３ 実施例１と同様の方法で、α−（２，３−ジアルキルピ
ロロ）酢酸のＬＢ膜を30層累積した後に、正極電位が電
解槽内に浸漬した飽和甘汞参照電極より1.0Ｖ高くなる
ように設定し、90分間電流を通じて電解重合を行なっ
た。
ロロ）酢酸のＬＢ膜を30層累積した後に、正極電位が電
解槽内に浸漬した飽和甘汞参照電極より1.0Ｖ高くなる
ように設定し、90分間電流を通じて電解重合を行なっ
た。
得られた有機薄膜は、均質なフィルムであり、四端子法
で測定した電気伝導度は0.5Ｓ・cm-1であった。
で測定した電気伝導度は0.5Ｓ・cm-1であった。
第１図は、電解重合法について示す説明図である。 第２Ａ図、第２Ｂ図および第２Ｃ図はＬＢ法について示
す説明図である。 第３Ａ図は本発明のＬＢ膜について示す模式図、第３Ｂ
図は従来の電解重合膜について示す模式図である。 11……電極基板、17……ＬＢ膜 21……対極
す説明図である。 第３Ａ図は本発明のＬＢ膜について示す模式図、第３Ｂ
図は従来の電解重合膜について示す模式図である。 11……電極基板、17……ＬＢ膜 21……対極
Claims (1)
- 【請求項１】重合により高分子を形成するモノマーであ
ってその分子内に親水性の部分と疏水性の部分とを有す
るモノマーを出発物質として用い、ラングミュア・ブロ
ジェット法により基板上に該モノマーの単分子膜または
単分子累積膜を形成せしめた後、該モノマーを電気化学
的に重合させることを特徴とする半導性ないし導電性薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181618A JPH0647093B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181618A JPH0647093B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339664A JPS6339664A (ja) | 1988-02-20 |
| JPH0647093B2 true JPH0647093B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16103943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181618A Expired - Fee Related JPH0647093B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647093B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289013A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機機能膜の作製方法 |
| JP2019220494A (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 株式会社Adeka | 膜形成用組成物、膜付基板、その製造方法及び薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153124A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗膜形成方法 |
| FR2564004B1 (fr) * | 1984-05-10 | 1993-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un film mince comportant au moins une couche monomoleculaire de molecules non amphiphiles |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61181618A patent/JPH0647093B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339664A (ja) | 1988-02-20 |
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