JPH0647268A - 真空処理装置の運転方法 - Google Patents
真空処理装置の運転方法Info
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- JPH0647268A JPH0647268A JP4200153A JP20015392A JPH0647268A JP H0647268 A JPH0647268 A JP H0647268A JP 4200153 A JP4200153 A JP 4200153A JP 20015392 A JP20015392 A JP 20015392A JP H0647268 A JPH0647268 A JP H0647268A
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- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置等を含む真空処理装置の日常
運転時の事故を予知して未然に防止することのできる運
転方法を提供する。 【構成】 真空製造装置１と該装置に連通して設けた真
空ポンプ２と該真空ポンプで吸引されるガスを処理する
乾式除害装置３からなる真空処理装置の運転方法におい
て、前記真空ポンプ出口部１２−１、乾式除害装置入口
部１２−２又は出口部１２−４、及び乾式除害装置の除
害カラム内部１２−３のうちのいずれか１か所以上に温
度センサを配備し、該温度センサのどれかが温度異常上
昇を検知すると、前記真空製造装置に流入するプロセス
ガス１６を停止させ、及び／又は、希釈用不活性ガス１
４を吸引ガス中に大量に流入させることとした。
運転時の事故を予知して未然に防止することのできる運
転方法を提供する。 【構成】 真空製造装置１と該装置に連通して設けた真
空ポンプ２と該真空ポンプで吸引されるガスを処理する
乾式除害装置３からなる真空処理装置の運転方法におい
て、前記真空ポンプ出口部１２−１、乾式除害装置入口
部１２−２又は出口部１２−４、及び乾式除害装置の除
害カラム内部１２−３のうちのいずれか１か所以上に温
度センサを配備し、該温度センサのどれかが温度異常上
昇を検知すると、前記真空製造装置に流入するプロセス
ガス１６を停止させ、及び／又は、希釈用不活性ガス１
４を吸引ガス中に大量に流入させることとした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置の運転方
法に係り、特に、ドライエッチング、ＣＶＤ（化学蒸
着）、イオン注入などの工程に代表される半導体や液晶
など精密電子部品の製造装置（以下、真空製造装置とい
う）の排気処理を含めた真空処理装置の運転方法に関す
る。
法に係り、特に、ドライエッチング、ＣＶＤ（化学蒸
着）、イオン注入などの工程に代表される半導体や液晶
など精密電子部品の製造装置（以下、真空製造装置とい
う）の排気処理を含めた真空処理装置の運転方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスの排気系には、ウエ
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス（ＳｉＨ4 など）や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス（ＳｉＦ4 ，Ｃｌ2 など）が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス（ＳｉＨ4 など）や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス（ＳｉＦ4 ，Ｃｌ2 など）が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
【０００３】これ迄、これらのガスを取扱う工程では、
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをＮ2 などの不活性ガスで置換
しているまた、万一の事態が発生しないように装置及び
配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを採
用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して排
気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾式
除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクトに
接続して換気することもある。
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをＮ2 などの不活性ガスで置換
しているまた、万一の事態が発生しないように装置及び
配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを採
用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して排
気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾式
除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクトに
接続して換気することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の対処では、危険
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置の運
転方法を提供することを課題とする。
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置の運
転方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引されるガスを処理す
る乾式除害装置からなる真空処理装置の運転方法におい
て、前記真空ポンプ出口部、乾式除害装置入口部又は出
口部、及び乾式除害装置の除害カラム内部のうちのいず
れか１か所以上に温度センサを配備し、該温度センサの
どれかが温度異常上昇を検知すると、前記真空製造装置
に流入するプロセスガスを停止させ、及び／又は、希釈
用不活性ガスを吸引ガス中に大量に流入させることとし
たものである。
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引されるガスを処理す
る乾式除害装置からなる真空処理装置の運転方法におい
て、前記真空ポンプ出口部、乾式除害装置入口部又は出
口部、及び乾式除害装置の除害カラム内部のうちのいず
れか１か所以上に温度センサを配備し、該温度センサの
どれかが温度異常上昇を検知すると、前記真空製造装置
に流入するプロセスガスを停止させ、及び／又は、希釈
用不活性ガスを吸引ガス中に大量に流入させることとし
たものである。
【０００６】
【作用】正常な運転においては、プロセスガス流量や半
導体製造装置の操作条件は非常に厳密にコントロールさ
れているので、真空ポンプで排気されるガスの組成・各
成分の濃度・ガス流量の変動は少い。したがって、排気
系の各ポイントにおける温度も安定しており、たとえ
ば、標準的なドライエッチング工程の排気系では排気ガ
ス量１０リットル／ｍｉｎ程度で、真空ポンプ出口直後
１５０〜２００℃、ＳＵＳフレキシブルダクト１〜２ｍ
後で３０〜４０℃、乾式除害カラム入口部ではほぼ室温
に冷却される。
導体製造装置の操作条件は非常に厳密にコントロールさ
れているので、真空ポンプで排気されるガスの組成・各
成分の濃度・ガス流量の変動は少い。したがって、排気
系の各ポイントにおける温度も安定しており、たとえ
ば、標準的なドライエッチング工程の排気系では排気ガ
ス量１０リットル／ｍｉｎ程度で、真空ポンプ出口直後
１５０〜２００℃、ＳＵＳフレキシブルダクト１〜２ｍ
後で３０〜４０℃、乾式除害カラム入口部ではほぼ室温
に冷却される。
【０００７】除害剤の入ったカラム内の反応帯では常温
＋数℃〜数１０℃、除害装置出口では室温〜室温＋数℃
程度になる。装置的なトラブルにより通常希釈用Ｎ2 ガ
ス量が低下すると真空ポンプ出口部の排気温度が上昇す
る。また、排気中のガス成分濃度が上昇するのでカラム
内の反応帯の温度も上昇することになる。さらにカラム
内のガス流入部には反応性に富んだガス成分が高濃度に
吸着されており、大気が混入した排気ガスと接触すると
加水分解反応により発熱し、発火・燃焼の引き金になる
恐れがある。たとえば、エッチング系ガス成分を１リッ
トル当り１００〜２００ｇ吸着した活性炭系除害剤に空
気を通すと、約１０数℃〜数１０℃の温度上昇が認めら
れた。
＋数℃〜数１０℃、除害装置出口では室温〜室温＋数℃
程度になる。装置的なトラブルにより通常希釈用Ｎ2 ガ
ス量が低下すると真空ポンプ出口部の排気温度が上昇す
る。また、排気中のガス成分濃度が上昇するのでカラム
内の反応帯の温度も上昇することになる。さらにカラム
内のガス流入部には反応性に富んだガス成分が高濃度に
吸着されており、大気が混入した排気ガスと接触すると
加水分解反応により発熱し、発火・燃焼の引き金になる
恐れがある。たとえば、エッチング系ガス成分を１リッ
トル当り１００〜２００ｇ吸着した活性炭系除害剤に空
気を通すと、約１０数℃〜数１０℃の温度上昇が認めら
れた。
【０００８】このように、各部の温度の異常上昇をセン
サで検知し、大気の混入を含む異常事態を予知するの
は、きわめて有効な手段である。温度センサの異常出力
信号により、プロセスガスの緊急遮断、不活性ガスの多
量導入を行う。不活性ガス導入量は一律に規定できない
が、配管の接続部がはずれるなどの突発的な事故を除く
と腐食孔からの大気混入や、一時的な操作ミスに起因す
ることが多いことから、１００リットル／ｍｉｎ程度で
充分である。こうすることにより、除害カラム内の発熱
を未然に防止して、発火、爆発等の事故を予防すること
ができる。
サで検知し、大気の混入を含む異常事態を予知するの
は、きわめて有効な手段である。温度センサの異常出力
信号により、プロセスガスの緊急遮断、不活性ガスの多
量導入を行う。不活性ガス導入量は一律に規定できない
が、配管の接続部がはずれるなどの突発的な事故を除く
と腐食孔からの大気混入や、一時的な操作ミスに起因す
ることが多いことから、１００リットル／ｍｉｎ程度で
充分である。こうすることにより、除害カラム内の発熱
を未然に防止して、発火、爆発等の事故を予防すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１は、本発明の運転方法に用いる真空処理装置の概略
を示す系統図である。図において、半導体製造装置１は
真空ポンプ２によって真空が保持され、プロセスガスが
１６から流入されている。真空ポンプ２では排気ガスが
６から吸引され、通常希釈ライン１４からのＮ2 ガスに
よって希釈されて、排気ガスライン７から排出される。
そして、排気ガスライン７からの排気ガスは、乾式除害
装置３に流入して、除害剤が充填されたカラム４内で有
害ガスを除去して排気ガスライン８から排気ダクトに排
出される。乾式除害装置３内には、充填カラム４をバイ
パスするバイパス弁５を有するバイパス通路を設けて、
排気ガスライン７からの排気ガスを直接排気ガスライン
８に排出させることができるようにしてもよい。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１は、本発明の運転方法に用いる真空処理装置の概略
を示す系統図である。図において、半導体製造装置１は
真空ポンプ２によって真空が保持され、プロセスガスが
１６から流入されている。真空ポンプ２では排気ガスが
６から吸引され、通常希釈ライン１４からのＮ2 ガスに
よって希釈されて、排気ガスライン７から排出される。
そして、排気ガスライン７からの排気ガスは、乾式除害
装置３に流入して、除害剤が充填されたカラム４内で有
害ガスを除去して排気ガスライン８から排気ダクトに排
出される。乾式除害装置３内には、充填カラム４をバイ
パスするバイパス弁５を有するバイパス通路を設けて、
排気ガスライン７からの排気ガスを直接排気ガスライン
８に排出させることができるようにしてもよい。
【００１０】上記のような半導体製造装置を含む真空処
理装置において、本発明では、温度センサ１２を、真空
ポンプ２の出口部１２−１、乾式除害装置３の入口部１
２−２、充填カラム４内１２−３及び除害装置３の出口
部１２−４の４か所に設けてあり、これらの温度センサ
１２の信号を温度監視ボックス１７で受けて、半導体製
造装置１内に設けたコントロールボックス１３に送る。
送られた信号のいずれかが温度の異常上昇を示した場合
は、コントロールボックス１３の指令により、プロセス
ガス流入ライン１６に設けた自動弁を閉止し、また、Ｎ
2 ガスの希釈ライン非常時用の自動弁１５を開いて、希
釈ガスを真空ポンプ２に多量に流すように操作する。
理装置において、本発明では、温度センサ１２を、真空
ポンプ２の出口部１２−１、乾式除害装置３の入口部１
２−２、充填カラム４内１２−３及び除害装置３の出口
部１２−４の４か所に設けてあり、これらの温度センサ
１２の信号を温度監視ボックス１７で受けて、半導体製
造装置１内に設けたコントロールボックス１３に送る。
送られた信号のいずれかが温度の異常上昇を示した場合
は、コントロールボックス１３の指令により、プロセス
ガス流入ライン１６に設けた自動弁を閉止し、また、Ｎ
2 ガスの希釈ライン非常時用の自動弁１５を開いて、希
釈ガスを真空ポンプ２に多量に流すように操作する。
【００１１】なお、上記図１において、９は真空ポンプ
ボックスの換気ダクトであり、１０は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、１１は集合主ダクトである。ま
た、上記においては、温度センサは４つ設置したもので
説明したが、温度センサはこれら４つのうちのいずれか
１つ又は２つ以上を組合せて設けてもよい。
ボックスの換気ダクトであり、１０は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、１１は集合主ダクトである。ま
た、上記においては、温度センサは４つ設置したもので
説明したが、温度センサはこれら４つのうちのいずれか
１つ又は２つ以上を組合せて設けてもよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、排気系各ポイントの温
度を適切に管理することにより、大気の混入などの異常
を早期に検知し、発火・爆発などの危険を防止すること
ができる。
度を適切に管理することにより、大気の混入などの異常
を早期に検知し、発火・爆発などの危険を防止すること
ができる。
【図１】本発明の運転方法に用いる真空処理装置の概略
系統図。
系統図。
１：半導体製造装置 ２：真空ポンプ ３：乾式除害装置 ４：除害剤充填カラム ５：バイパス弁 ６、７、８：排ガス排気ライン ９：真空ポンプボックスの換気ダクト １０：除害装置ボックスの換気ダクト １１：集合主ダクト １２：温度センサ １３：コントロールボックス １４：Ｎ2 ガス希釈ライン １５：Ｎ2 ガス非常時希釈ラインの自動弁 １６：プロセスガス流入ライン １７：温度監視ボックス
フロントページの続き (72)発明者 村上 生吾 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 森 洋一 東京都港区港南１丁目６番27号 荏原イン フィルコ株式会社内 (72)発明者 伊藤 晴子 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 真空製造装置と該装置に連通して設けた
真空ポンプと該真空ポンプで吸引されるガスを処理する
乾式除害装置からなる真空処理装置の運転方法におい
て、前記真空ポンプ出口部、乾式除害装置入口部又は出
口部、及び乾式除害装置の除害カラム内部のうちのいず
れか１か所以上に温度センサを配備し、該温度センサの
どれかが温度異常上昇を検知すると、前記真空製造装置
に流入するプロセスガスを停止させ、及び／又は、希釈
用不活性ガスを吸引ガス中に大量に流入させることを特
徴とする真空処理装置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200153A JPH07106315B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置の運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200153A JPH07106315B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置の運転方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0647268A true JPH0647268A (ja) | 1994-02-22 |
| JPH07106315B2 JPH07106315B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=16419673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4200153A Expired - Lifetime JPH07106315B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置の運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106315B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016176095A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理方法 |
| WO2025063147A1 (ja) * | 2023-09-20 | 2025-03-27 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス除害システム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210127597A1 (en) * | 2018-09-12 | 2021-05-06 | Korea Wheel Corporation | Work room system for plant factory |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4200153A patent/JPH07106315B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016176095A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理方法 |
| WO2025063147A1 (ja) * | 2023-09-20 | 2025-03-27 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス除害システム |
| JP2025045892A (ja) * | 2023-09-20 | 2025-04-02 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス除害システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106315B2 (ja) | 1995-11-15 |
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