JPH06502514A - 半導体処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 半導体処理方法及び装置 発明の背景 本発明は、回路製造中における半導体ＩＣ（集積回路）ウェハからの物質層除去 、特にレジストコーティングのストリッピング（除去）に関する。

半導体ＩＣ回路の製造にはかなりの処理段階が必要となるが、典型的なものとし て、数種の段階で実行されるフォトレジストストリッピングが含まれる。このよ うなコーティングをストリッピングするための周知技術には、気体プラズマがコ ーティングと接触するドライストリッピング処理、化学溶液がコーティングと接 触してコーテイング物質を溶解させるウェットストリッピング処理等がある。

通常、これらのストリッピング処理に続いて、リンス、クリーニング及び乾燥処 理が行われる。フォトレジストストリッピング処理は、これら全ての個々の処理 ステップを含む。

完全半導体ウェハ処理（処理全体）の歩どまりには、その総ステツプ数が大きく 影響する。というのは、個々のステップで少なくともある程度の数の不良品が出 るからである。従って、もし各処理ステップを本質的な単一処理ステップへ統合 することができれば、製造処理の総歩どまりを改善できることになる。

これまで、７オトレジストコーテイングを完全除去するには、少なからぬ数のス テップが必要とされ、−の完全製造処理中に異なるフォトレジストコーティング をウェハから数回にわたってストリップしなければならない。この作用が、重大 な不良品発生源となっていた。

フォトレジストストリッピング作用は、種々の形態を有するフォトレジスト上で 実行しなｌすればならないことから、複雑化する。従って、完全製造処理中に、 深く注入した（たくさんイオン注入した）フォトレジストコーティング、深紫外 線露光を受けた（たくさん紫外線露光された）フォトレジストコーティング、通 常の正及び負のフォトレジスト、フッ化フォトレジスト、及びプラズマ硬化フォ トレジストをストリップする必要がある。

当該技術分野で現在使用されているプラクティスによれば、ストリッピングパラ メータ即ち処理時間、使用される化学物質等は、ストリップされるレジスト層の 種類毎に手作業でセットされる。従って、各異なるレジスト層タイプに対して、 これらのパラメータを変更するためにかなりの時間が必要となる。

発明の要約 本発明の主要目的は、半導体ＩＣ製造処理のコストを低減するとともに、総歩ど まりを向上させることにある。

本発明の更に詳細な目的は、フォトレジストコーティングストリッピング処理に より生ずる不良品数を低減することである。

本発明の他の目的は、このようなストリッピングを行うために必要とされる処理 ステップ数を低減することにある。

本発明の他の具体的な目的は、種々のタイプのフォトレジストを完全且つ高い信 頼性でストリッピングできるよう、ストリッピング処理を自動化することにある 。

本発明の他の目的は、異なるレジスト層を自動的に調整することにある。

本発明の更に他の目的は、こうしたストリッピング処理の結果として、半導体ウ ェハのクリーニング作用を改善することにある。

本発明の更に他の目的は、ストリッピング処理中に、レジスト物質がウェハ表面 へ拡散することを防止することにある。

本発明によれば、上記及び他の目的は、複数の半導体ウェハの各々から特定物質 の個別層を除去するためのシステムによって達成され、このシステムは次の各要 素を含む： ａ）入口領域及び出口領域を存する第１除去ユニツトであり、該ユニットは次か ら構成される： ｉ）−口に−ウェハを受取り、ドライ処理により該ウェハから個別層の少なくと も一部を除去する第１物質除去装置；ｂ）入口領域及び出口領域を有する第２除 去ユニツトであり、第２除去ユニツトは次から構成される第２物質除去装置を含 む：ｉ）少なくとも−の物質除去タンク； ｉｆ）特定の物質を各ウェハから除去するための化学物質溶液のバスを維持する ための第１供給手段； １ｉｉ）少なくとも−のリンスタンク；ｉｖ）リンスタンク内におけるリンス溶 液のバスを維持するための第２供給手段； Ｖ）ウェハから汚染物を除去するためのウニ／％クリーニング手段；ｖｉ）ウェ ハからほぼすべての湿気を除去するためのウエノ１乾燥手段；Ｃ）次の順に、一 度に−ウニ１１を転送する自動転送手段：入口領域から物質除去装置を介して第 １及び第２除去ユニツトの出口領域まで：及び入口領域から物質除去装置を介し て第１及び第２除去ユニツトの他の一方の出口領域まで、そして自動化転送手段 は、更に、第２除去ユニツトに備えられ一度に一ウェハを第２除去ユニツトの入 口領域から、次の順で転送する手段を含む：　物質除去タンク内へ；　ウニＩ＼ 乾燥手段内へ；　そして第２除去ユニツトの出口領域へ； ｄ）各ユニットは、各ユニットの出口領域が他のユニットの入り目領域近傍に配 置されるように構成されている。

図面の簡単な説明 図１及び図２は、本発明にかかる統合ストリッピング装置の−の好適な実施例の 側面図及び平面図である。これらは、そうした装置における基本構成要素の一面 図である。図５は、図１及び２の装置で使用された他のウエノ１転送装置の第１ 実施例の側面図である。

図６は、図５の装置に類似した、その第２実施例を示す図である。

図７は、図６の装置の構成要素の側面詳細図である。

図８−１３は、図１及び２のシステムで使用された３個の他のウェハ処理装置の 平面図及び正面図である。

図１４は、図１及び２のシステムで使用されるウェハ処理装置の平面図である。

図１５は、図１及び図２に示されたシステムの一ユニットの側面斜視図である。

図１６は、図１５のユニットで使用された構成要素の断面詳細図である。

図１７は、図１及び図２のシステムで使用された他のユニットの一実施例の正面 断面図である。

図１８は、図１７に示したユニットに使用された装置の破断斜視図である。

好適な実施例の説明 図１及び２に示した装置は、大きく分けて、ウェハ受容及びドライストリッピン グステーション２、ウェットストリッピングステーション６、リンスステージ５ ン８、及び最終クリーニング、乾燥及びウェハ搬送ステーション１２がら成る。

ステーション２は、複数のウェハを収納したカセットを受け入れるためのユニッ ト１４が設けられた入口端部または領域と、カセット１４から各ウェハを個別に 取り出して該ウェハをドライストリッパユニット２４のローディング装置２２へ 転送するウェハピックアップ装置１６を含む。各ウェハは、個別にドライストリ ッパユニット２４内へ導入される。ドライストリッピング処理終了後、ウェハは ユニット２４から転送されて再び装置１６により受容され、ステーション２の出 口端部または領域へ転送され、ここでウェハは位置決め装置２６へ転送される。

ウェットストリッピングステーション６は、その入口領域では前ドア３０と境界 を接し、出口領域では後ドア３２と境界を接している。

ウェットストリッピングステーション６は、更に、主人ロドア３６、主出口ドア ３８、ウエットストリッピングバスタンクユニット４０、及びスプレー及び減衰 タンクとして知られた第１リンスタンク４２を含む。タンクユニット４０は、２ 個以上のストリッピングタンクを含む。

ステーション８内の後ドア３８の下流には、超音波パイブレーク（不図示）を含 むリンスタンク４６が設けられている。

ステーション１２はクリーニング及びスピンドライユニット５０、各ウェハをユ ニット５０へ転送するための転送メカニズム５４、及び各ウェハがその内部へ転 送されるカセットを受け入れその後カセットが装置から取り出されるユニット５ ８を含む。転送メカニズム５４は各ウェハをユニット５８へ搬送する作用を果た す。

各ウェハをユニット１４内のカセットからユニット５８内のカセットへ転送する 作用は、好適には転送制御装置６０によってプログラム制御される一連のロボッ ト機構によって達成される。これらのメカニズムは、ピックアップ装置１６及び 位置合わせ装置２６を含む。後者の装置は、各ウェハを、ウェハフラットが所定 の角度位置になるまで回転させるために設けられている。一般的なウェハは、中 心軸をもつ正円形ディスクであり、その周辺の一部には平坦化領域またはフラッ トが設けられ、これが連続製造作用中にその軸を中心にしてウェハを指向（ｏｒ ｉｅｎｔａｔ！ｏｎ　）させるために使用される。図１及び２に示した装置では 、各ウェハは装置２６内で位置決めされ、後段のロボットメカニズムによるハン ドリングを容易化する。

ステーション２を各ウェハが通過する間、ウェハは水平指向性即ちその主表面が 水平である。しかしながら、ウェットストリッピング及びリンス作用に対する垂 直指向性を各ウェハに与えることが望ましい。この目的のため、指向機構６４が 配置され、これが水平軸を中心として回動する。これにより、装置２６から各ウ ェハが引き抜かれ、そして、ドア３０が開放された時のドア３０のドア通路近傍 またはドア通路内における位置で、ウェハが垂直に指向される。

ウェットストリッピングステーション６及びリンスステーション８を介した各ウ ェハの搬送は、トラック７２に沿って移動可能であり、該トラック７２によって 指示された３個のロボットユニット６６．６８及び７０によって達成される。

各ロボットユニットは、ユニットをトラック７２に沿って水平に移動するととも に対応するアームを垂直方向へ移動させるための垂直に伸長した電気制御可能な 駆動手段を含む。

更に、ロボットアーム（図１及び２では不図示）は、各化学的バス及び各リンス バス内に各ウェハを浸漬する作用を果たす。

リンスステーション８の出口領域において、各ウェハは第２指向メカニズム７４ へ転送される。該メカニズム７４は、本質的にメカニズム６４と等しく、各ウェ ハを水平指向させるよう逆にピボット回転させる。そして、各ウェハは、転送メ カニズム５４によってユニット５０、ついで第２位置合わせ装置７６及び最後に ユニット５８内のカセットへおくられる。ユニット５８内のカセットが満たされ た後、これが手作業で取り外され、次の処理ステーションへ搬送される。トラッ ク７２はポスト８０により支持され、メカニズム５４は−または複数のポスト８ ２によって支持される。

各ドア３０．３２．３６及び３８は、対応するドア通路が閉止した上昇位置と、 対応するドア通路が開放された低位置との間で垂直に移動する。ドア３ｏ及び３ ２は、各ドアが閉止された時にトラック７２の周囲で適合させるように構成され ている。

ステーション６は、ドア３６及び３８により被覆されたものをのぞいてすべての 側面上でタンクユニット４０を閉止する第１７−ド９０と、ドア３ｏ及び３２に より被覆されたものをのぞいてすべての側上でフード９０、トラック７２及びタ ンク４２を閉止する第２フード９２により完成されている。フード９０は、ユニ ット６６．６８及び７０の垂直アームを通過させるための長手方向溝を有する。

ドア３０．３２．３６及び３８は、ウェハを搬送させることが必要になった時に のみ通常開放され、そして両ドア３０及び３２またはドア３６及び３８のいずれ かが任意の時間に閉止されてストリッピングバスからの蒸気の漏れを最小限に抑 制するよう制御されることが好適である。排気システム（不図示）は、フード９ ２によって閉止された領域から蒸気を連続的に排出するように接続されている。

ドライストリッパユニットは、当該技術分野においてすでに周知の原理に従って 構成され、装置２４はカリフォルニア州すニーベール所在のＧａ５ａｓｏｎｉａ ｓ　ｄｉｖｉｓｉｏｎ　ｏｆ　Ａｔｏｍｅｌ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから商品 名ＡＵＲＡとして販売されている装置などの市販のドライストリッパを使用でき る。ユニット１４．１６．２０及び２２の実施例は、そのようなドライストリッ ピング装置を使用するために当該技術分野においてすでに周知である。装置２４ には、ドライストリッピング中にウェハを越えて導かれる気体の酸素含有量をモ ニタするためのそれ自体で周知のタイプの処理制御装置９０を備えることができ る。制御装置９０の目的を以下に述べる。

各連続ウェハは、ステーション２の出口端部とユニット４０のタンクとの間にお いてはロボットユニット６６により、ユニット４０の第２タンクとタンク４２と の間においてはロボットユニット６８により、そしてタンク４２．４６とメカニ ズム７４との間においてはロボットユニット７０によって、それぞれ転送される 。この構成は、ロボットユニット６８がまたウェハをユニット４０の第１タンク から転送するように変更することも可能であり、あるいはこの種の他の変更もま た可能である。メカニズム７４は、ウェハを水平方向へ逆ピボット回動させ、ウ ェハをメカニズム５４へ搬送する。メカニズム５４は、各ウェハを、ユニット５ ０、装置７６とユニット５８との間で搬送する。

本発明にかかる装置において、装置の長さ方向に沿ってウェハを搬送するロボッ トユニットは、種々のウェットストリッピングバスとは接触せず、各ウエノ＼は そのバスにのみ対応するロボットアームにより対応するバス内へ低下される。さ らに、以下に詳述するように、各ロボットユニットは−のバスから他のバスへ化 学物質を転送することを回避するように駆動される。

ロボットユニット６６．６８及び７０の適切な実施例を図３及び図４に示す。

図３及び図４は、それぞれ側面図及び正面図である。図示したロボットユニット は、対応する長手トラック７２（不図示）に沿って移動するよう取り付けられ、 キャリア１０２内で垂直方向へ移動するよう構成された支持ロッド１０４を担持 する支持部材１０２を含む。ロッド１０４は、それぞれが３本のアーム部材から 成る２組のアーム部材を担持している。図３は、第１組の２本のアーム部材１０ ６及び１０８、そして第２組の２本のアーム部材１１２及び１１４を示す。一方 、図４は、第２組の３本のアーム部材１１２．１１４及び１１６を示す。各アー ム部材は、３個のウェハ係合ピン１２０．１２２及び１２４を担持している。す べてのピン１２０は、各組の対応する３本のアーム部材の中間点から等距離にあ り、これはすべてのピン１２２及びすべてのピン１２４に関しても同じである。

図３に示した長手方向において、アーム１０６．１０８．１１２．１１４及び１ １６の全ては垂直へ傾斜し、ビン１２０，１２２及び１２４はそれぞれ異なる長 さを有し、これによって中心１３０に最も近いビンは最も短く、中心１３０がら 最も遠いビン１２４は最も長くなっている。以下の説明よりさらに明がなように 、この装置は、３組のビンのうちのいずれが一組、すなわちビン１２ｏ１または ビン１２２、またはビン１２４が対応するタンクロボットアームと協働可能とな るように設けられている。

図４において、ビン１２０．１２２及び１２４は、３個のビンの各群が、各係を 有するウェハと係合するとともに該ウェハを担持しがつウェハのエツジとのみ当 接し、これによってウニへ表面の汚染を回避するように配置されている。現在、 半導体ＩＣは、５゛、６“及び８″の径を有するウェハ上で製造されている。

アーム部材１０６．１０８．１１２．１１４及び１１６は、ＰＴＦＥで被覆され たスチールブレードから構成、ビン１２０，１２２及び１２４はＰＴＦＥがら構 成できる。

各タンクロボットアームは、図５に示した形態とすることができ、はぼ１字上の アーム１３０から構成され、ピボットアーム１３２により「Ｊ」のステムに対応 するその端部において支持されている。ピボットアーム１３２はその固定ピボッ トポイント１３４で支持され、これによって図示したように上昇位置と、アーム １３０によって担持されたウェハ１３６が化学的またはリンスバス内に浸漬され る下部位置との間でピボット回動する。アーム１３０には、ウェハ１３６をその エツジを介してウェハ１３６の主表面と接触することなく保持するための長手溝 １４０がもうけられている。ウェハ１３６がアーム１３０と図３及び図４に示し たロボットアームとの間を転送される時の、３１１１のビン１２４の位置を図５ に示す。

ロボットユニット６６．６８．６９または７０がタンクロボットアームと協働す る作用の理解を容易化するため、図３．４及び５に示した装置の作用を、ロボッ トユニット６８及びタンクユニット４ｏ及びタンク４２の２１Ｗのタンクに対応 するロボットアームを参照しつつ説明する。

ウェハが図１及び図２に示した装置を介して搬送されると、どんどん清浄化され ており、−のタンク内の溶液がその下流側のタンクへ転送されないことが望まし い。さらに、与えられたタンクを放置した後、ウェハがより高い汚染度を育する 場合には、ロボットユニットピンがタンクへ入る前に接触したロボットユニット ビンによって接触されないようにする。

これを達成するため、ユニット４ｏの上流タンクがら下流タンクへの転送は、ウ ェハがアームｉ０６及び１０８を含む３本のアームによって担持されたビンによ って保持されているときに達成され、ユニット４ｏの下流タンクからタンク４２ への転送は、ウェハがアーム１１２．１１４及び１１６により担持されたビンに よって保持されている時に行われる。従って、ウェハが下流タンクへ入るまえに 該ウェハに存在する汚物は、アーム１１２．１１４及び１１６により担持された フィンガへ転送されない。

ユニットの上流タンク内のウェハの処理後、対応タンクロボットアームはウェハ をバスから取り出すために上方ヘビポット回動される。

ロボットユニット６８は、その後タンクロボットアームの右側に配置され、ロッ ド１０４は必要に応じて正しい高さとなるように移動される。そして、キャリア １０２が左側へ駆動されてウェハをたとえばビン１２４と係合させる。これらの ビンには、若干のフレキシビリティが与えられ、これによってウェハを適切に把 持することができる。ロッド１０４は必要に応じて持ち上げられ、そしてキャリ ア１０２は、それがユニット４ｏの下流タンクのロボットアームのすぐ右側へ位 置する位置へ右方へ変位される。ロッド１０４はその後必要に応じて下方へ移動 され、キャリア１０２は左へ移動されて、ライン中のウェハを対応タンクロボッ トアーム内の溝１４０へ適合させる。ロッド１０４はその後わずかに下方へ移動 され、キャリア１０２は右方へ移動され、これによってフィンガ１２４をウェハ から解離させる。タンクロボットアームはその後降下され、これによってウェハ を対応するバス内で、所望のストリッピング作用を実行するに必要な時間にわた り浸漬される。

ロボットユニット６６．６８及び７ｏがらのウェハの他のロボット部材への転送 は、対向する各アーム１０６及び１１２（図３）により容易化される。これらの アームには、ソレノイド及びアーマチャ装Ｗ１．５０が取り付けられている。該 装置１５０は転送制御装置６ｏにより電気駆動され、これノごよってアーム１０ ６及び１１２をわずかな距離たけロッド１０４へむけて移動させ、これによって ウェハ上のビンによる把持を解放させる。

そして、キャリア１０２はユニット４０の下流タンクのロボットアームの左方の 位置へ移動され、必要に応じてロッド１０４が垂直に移動された後該アームが上 昇され、キャリア１０２は右側へ移動され、これによってアーム１１２．１１４ 及び１１６上のビン１２４がウェハと係合することとなる。ロッド１０４はその 後上方へ移動され、キャリア１０２は右方へ移動され、これによってウェハがタ ンク４２のロボットアームの左側へ位置決めされ、その後上方位置におかれる。

σラド１０４はその後下方へ移動し、ウェハを該タンクロボットアームの凹部と 係合させ、この後キャリア１０２が左方へ移動され、アーム１１２．１１４及び １１６上のビン１２４はウェハから解離される。キャリア１０２は、その後左方 へ再び移動して、次のウェハをユニット４０の上流タンクのタンクロボ・／トア ームから引き出すための位置につく。

ある作用モードでは、ウェハをメカニズム６４とユニット４０の両タンクとの間 で搬送するためにロボットユニット６６を使用することが望ましい。これは、ロ ボットユニット６８を７照しつつ上述した方法と同じ方法で達成される。この場 合、ユニット６６は、ユニット４０の各タンク間でウェハを搬送することができ 、ユニット６８はウェハをユニット４０の下流タンクから転送する。

各ウェハを化学バスまたはリンスバスへ出入りさせるための装置の第２実施例を 図６及び７に示す。図６に示すように、図５の溝１４０が、３個の支持アーム２ ０１．２０２及び２０３によって代替される。各アームは、特に図７に示すよう に、アーム２０２に対して３個の支持レッジ２１０．２１１及び２１２を有する 。各アーム２０１及び２０３上の対応レッジは、谷径を有するウェハを支持する ために配置されている。アーム２０１．２０２及び２０３は、互いに角度を隔て て配置されており、これによってウェハをアーム１３０のピボット回動範囲で固 定状態で揺らせる。これは、アーム２０３が常にウェハの重心の一側に配置され ること、そしてアーム２０１は常に他側に位置することを意味する。図６及び７ に示した装置が使用されると、ウェハフラットは通常アーム２０２上の適切なレ ッジと係合する。

図８及び９には、側面図及び平面図にて、ステーション２を解して連続ウェハを 転送するためのユニット１６により担持（搬送）されるロボットアームの一実施 例を示す。この構造は、垂直軸を中心としてピボット回動するよう取り付けられ 、長手方向へ伸長可能なロッド２１６及び２１７を担持する支持部材２１５を含 む。ロッド２１６は、その自由端で、２個のウェハ支持面２１９及びウェハエツ ジ係合面２２０を有するウェハ保持部材２１８を担持している。ロッド２１７は 、つ二ハ底面支持面２２３及びウェハエツジ係合面２２４を有する第２ウェハ保 持部材２２２を担持している。面２１９及び２２３は、ウェハの底面の小部分と のみ当接する。

次に作用について説明する。アセンブリ全体が回転されてカセット受容ユニット １４と対向し、両ロッド２１６及び２１７はユニットとして伸長して装置１４内 へ入る。装置１４内のカセットは、その後垂直に移動され、ウェハを部材２２０ と２２２との間の位置内へ配置する。その後、ロッド２１６及び２１７は相対移 動され、ウェハをしっかりと把持する。その後、アーム２１６及び２１７はユニ ットとして装！Ｆ１４から引き抜かれ、制御部材２１５が回転され、そしてロッ ド２１６及び２１７の動作が逆転してウェハをローディング装置２２ヘデポジツ ト（配置）する。ドライストリッピング作用が行われた後、ウェハは再び装置１ ６によりティクアップされ（取り上げられ）、利ｒＸＪ部材２１５はピボット回 動され、ウェハを、位置決め装置２６及びメカニズム６４へ転送可能な位置まで 移動させる。望まれる場合には、図８及び９に示したメカニズムを図示した方向 と逆に回転させることも可能である。メカニズム６４は、図１０に平面図でそし て図１１に側面図でそれぞれ示した一般形態を有する。この固定具は、複数のウ ェハエツジ係合面２２９の組を有するウェハ保持体２２７から構成される。これ らの−の組の面が各ウェハ径に対して設けられている。２個の対応面２２９間の 間隔は、ウェハがそれらの面間で軽く把持可能となるように選択される。ウェハ は、装置１６によって適切な面間で堆積され、この後部材２２０及び２２２（図 ８及び９）が互いに離れるように移動され、いずれかの制御部材２１５が若干下 降されるかあるいは保持体２２７が若干上昇され、これによって装置１６のウェ ハ保持素子が引き出される。

その後、ウェハは位置決め装置２６によって係合され、ウェハをその中心軸を中 心としてウェハフラットが所望の角位置になるまで回転させる。

その後、ドア３０が開放され、ロボントユニット６６が左へ移動されて左手側ア ーム１０６．１０８（図３）上の一組のビンがウェハと係合して保持体２２７か ら取り出す時に、装置６４は上方ヘビポット回動じてウェハをドア通路内へ移動 可能となる。

ステーション８の出口領域において、各ウェハは装置７４へ転送され、該装置７ ４は装置６４と同一であり、ウェハを水平位置へ戻すようピボット回動する。

ウェハは、その後メカニズム５４へ転送される。メカニズム５４は、図８及び９ に示したものと同様のウェハ把持アセンブリを何し、図示した方向と逆の方向へ 回転可能である。その後、ウェハがユニット５０へ移動されると、図１２の平面 図及び図１３の側面図でそれぞれ示した形態ををするウェハ支持装置上に堆積可 能である。このウェハ保持装置は、それぞれが異なる径のウェハに対する保持受 容体を備えた３本のアームを有する本体２３１から構成されている。本体は、回 転及び上下移動双方が可能なボディ２３１を介してポスト２３２によって支持さ れている。ウェハがボディ２３１上に堆積された後、後者は、ユニット５０内ま で下降され、ここでクリーニング及びスピンドライング（回転乾燥）処理を受け る。これについては後に詳述する。これらの作用が終了すると、ボディ２３１か 上昇され、ウェハは位置決めユニット７６によって駆動され、ウェハフラットを 所望の角位置へ、カセット受容ユニット５８内へのウェハの導入前に移動される 。

転送メカニズム５４を、平面図である図１４を参照しつつ以下詳述する。ウェハ を把持するための部材２３４は、ピボットアーム２３６により担持され、該アー ム２３６は、キャリア部材２３８へピボット回動するように取り付けられている 。キャリア部材２３８は、駆動ユニット２４０により支持されている。該ユニッ ト２４０は、トラック２４２に沿って長手方向へ移動可能である。ウェハ把持装 置２３４は、適切な電気駆動される制御装置によってアーム２３６から伸長及び アーム２３６内へ退避可能である。このようにして、ウェハ把持装置は、アーム ２３６に対する伸長及び退避動作の組み合わせ、適切なモータの制御下でのキャ リア２３８を中心にしたアーム２３６のピボット回動、及びトラック２４２に沿 ったユニット２４０の長手方向移動によって所望の通路に沿って移動可能となる 。

簡略図である図１５を参照しつつ、ユニット５０をさらに詳しく説明する。

ウェハがボディ２３１上に堆積されると、ボディはタンク２４４内へ下降され、 ここでボディ２３１により担持されたウェハは、ノズル２４５によって発射され るウォータミストによってクリーニングされる。本発明によれば、ノズル２４５ は、超音波振動をミストへ伝送し、これによってウェハが強制的にクリーニング される。クリーニング流体はミストの形態であるので、ウェハの上面及び下面双 方へ均等に作用することができる。このクリーニング作用は、ウェハ表面から汚 染及びサブミクロン粒子を除去することができる。このクリーニング作用中、ボ ディ２３１は比較的低速度、例えば約１１００−２００ｒｐで回転する。

その後、ボディ２３１が上昇され、あるいはその下部位置に留まり、そしてウェ ハは２０００−１００００ｒｐｍの高速でスピンドライングされるとともに、− または複数のノズル２４６によって脱イオン化された水を用いてスプレィされ、 これによってウェハと接触する媒体の導電性が増大され、ウェハからの静電放電 が低減される。この時、イオン化された窒素は媒体内へ導入され、これによって その導電性が増大されると共に、静電放電の防止に寄与する。あるいはこれに代 えて、イソプロピルアルコールなどの溶媒をこの段階で使用可能である。この段 階の終りにおいて、ウェハを閉止している雰囲気中から湿気が除去され、ウェハ が回転乾燥され、これによってほぼすべての液体を確実に除去でき、水スポット がウェハ面に残存することはなくなる。

その後、ウェハはさらに上昇され、すべての吸収した液体を除去するための赤外 線乾燥処理を受ける。

ノズル２４５の適切な実施例を図１６に示す。水は、加圧された状態で通路２４ ７へ搬送される。通路２４７は、ミストスプレィ出口２４８で終止している。

出口２４８の近傍には、超音波トランスデユーサ２４９が配設されている。該ト ランスデユーサは、生じたミストへ所望の超音波振動を与える。このような振動 はまた、異なる指向性を有するトランスデユーサまたはノズル２４５の外部に配 置っされたトランスデユーサにより、あるいは水をノズルへ搬送するために使用 される推進力中にそうした振動を包含することによっても、生成可能である。

ウェットストリッピングユニット４０において、このユニットのタンク内に包含 された化学溶液は、ウェットストリッピング作用のために通常使用されるタイプ のものである。特に本発明の各特徴に従って、ユニット２４内でドライストリッ ピング作用を行うために２要な時間は、ウェットストリッピング処理に伴う化学 処理に所要の時間よりも短縮できる。そして、ウェットストリッピング溶液を含 有したタンク数が２倍となるので、装置の総出力を増大できる。これが、ユニッ ト４０がなぜ２ｍ以上のタンクを備えることが望ましいかの理由の−っである。

これらのタンクは、Ｈ２ＳＯ４及びＨ２Ｏ２の溶液を含有している。ただし、他 の化学物質を使用可能であり、各化学物質を含有するタンク数は、必要に応じて 変更できる。

上述したように、ウェハは、装置内を進むに従って前進的に清浄化されてゆく。

これは、ユニット４０の下流タンク中の化学物質が上流タンクにおいてよりもよ り清浄化されることを意味する。従って、化学物質の使用を増大させるには、各 バス中の清浄度を所望度に維持しつつ、化学溶液をろ過される前に上流方向のタ ンク間に周期的に転送することができる。さらに、本発明によれば、溶液の一部 は、ユニット４０の上流タンク内で使用された後に、対応するフィルタを通過す るのではなくドレインされこれによって、フィルタのつまりが防止される。溶液 のドレインされた部分は、下流タンク内に最初に導入された新鮮溶液から廃棄さ れ該新鮮溶液と交換される。

−または複数のポンプの作用によって、ユニット４０から溶液が除去される。

ウェットストリッピング作用で使用される温度から見れば、溶液残存ユニット４ ０の温度は、ポンプへ直接搬送された場合には、ポンプ寿命を短縮する影響を及 ぼすことになる。従って、本発明の他の特徴によれば、このような溶液は、ポン プに到達する前に冷却される。もし、溶液が、混合された時に発熱反応を起こす ような２種の化学物質から構成されているならば、この反応によって、新鮮化学 物質がユニット４０内へ導入される時に所望の処理温度を達成するのに寄与する 。

ウェットストリッピングにおいて使用される化学物質は、著しく異なる気化率を 存する２１′Ｉ！成分を含有することが多い。本発明によれば、所望の溶液組成 は、ユニット４０からドレインされた溶液の量のみをモニタすることによって維 持されるのではなく、これに加えて各成分の気化率を定めそして新鮮成分を所望 の成分比を設定維持するのに適切な量だけ搬送することによって維持される。

ウェットストリッピングバスタンクユニット４０の一実施例の明確な詳細構成を 図１７に断面で示す。矢印３０２は、ウェットストリッピングステーション６を 通るウェハの一般的走行方向を示す。

本発明の好適な実施例によれば、ユニット４０は、好適にはＰＴＦＥであるプラ スチック物質のブロック３０４を適切に成形することによって形成された複数の タンクをもつ。ブロック３０４は、好適にはステンレススチールから成る金属シ ェル３０６内に収納されている。プラスチックブロック３０４は、シェル３０６ に結合されている。ブロック３０４は、２個のストリッピングタンク３０８及び ３１０、二個の加熱タンク３１２及び３１４、及びオーバフロータンク３１６を もつように形成されている。

各タンク３０８及び３１０はには、対応する０ボットアーム３２０，３２４が設 けられている。該アームは、各ストリッピングタンク内に収納されている化学バ ス内ヘウエハを下降させる作用を果たす。アーム３２０．３２４の適切な実施例 はすでに説明した。

各タンク３１２及び３１４は、各ヒータ３２８．３３０を含む。タンク３１６は 、液体レベルセンサ３３２を含む。さらに、望まれる場合には、タンク３０８及 び３１０内に収納されたバス内に超音波振動を誘起させるための手段を設けるこ ともできる。

各タンクの底には、付随するバルブによって閉止可能な流体管が設定されている （不図示）。タンク３１６に付属する導管は、フローメータ３３６を介して排気 物容器（不図示）へ接続され、またフィルタ３３６を介してタンク３１４に付随 する導管へ接続されている。必要であれば、廃棄物容器に接続されたラインがさ らにポンプ３４２及びポンプ３４２の上流側にクーラ３４４を含むことも可能で ある。同様に、再循環ラインはポンプ３４６及びクーラ３４８を含む。

タンク３１４−３１６の隣接した同土間の壁が矢印３０２と逆の方向へ進むにつ れて減少していることがわかる。ストリッピングバスを構成する化学物質は、流 入バイブ３４０または二個の個別流入バイブを介して、そしてタンク３１４の底 と連通ずる導管を介してタンク３１４内へ導入される。具体的には、新鮮化学物 質がバイブ３１４を介して導入され、一方フィルタされリサイクルされた化学物 質はタンク３１４の底の導管を介して導入される。再充填処理中、これらの化学 物質はタンク３１０内ヘオーバフローするまでタンク３１４へ供給され、その後 加熱タンク３１２、ストリッピングタンク３０８及び最後にオーバフロータンク ３１６へ供給される。タンク３１２および３１４を介して流れる間、化学物質は ヒータ３２８及び３３０によってそれぞれ加熱される。

ウェハは、装置内を進むにつれて清浄化されるので、ストリッピング液は、上流 タンク３０８内で使用される前に下流タンク３１０内で使用されることが望まし い。各タンクパーティション壁の高さが異なることによって支配される流れの方 向によって、これが確実に発生する。　充填または再充填作用中、化学物質は定 められた液体レベルがタンク３１６内のセンサ３３２によって感知されるまでタ ンク３１４内へ導入される。その後、全タンクが充填されストリッピング作用が 進められることが結論される。

ストリッピング化学物質は、周期的なデコンタミネーションを受けなければなら ない。これは、タンク３１６からの溶液をフィルタ３３８を介して再循環させて タンク３１４に戻す二とによって達成されるが、タンク３１６から使用された化 学物質を選択された量だけフローメータ３３６を介して引き出し、その後フィル タ３３８を介して化学物質の残存部分を再循環させることが好適であることが見 いだされている。これによって、特に、フィルタ３３８のつまりを防止または遅 延させることができる。

その各含有物の気化率か著しく互いに異なる混合物から成る、ウェットストリッ ピングのために使用される化学溶液が使用された。これにより、バス中の所望比 を維持することが困難になる。そのような溶液の一例は、ＨＳｏ　及びＨ２ｏ２ の混合物であり、これは半導体ウニｌ＼からレジスト層をストリッピングするの に好適な溶液である。具体的には、過酸化水素は硫酸よりもかなり高い気化率を もつ。事実、硫酸は、過酸化水素の気化率では、はとんど気化されない。

本発明では、この問題を次のようにして解決した。ストリッピング溶液をリフレ ッシュすることが望まれる場合には、溶液を所定量システムからフローメータ３ ３６を介して抽出する。フローメータは、抽出量を示す。そして、残存溶液がフ ィルタ３３８を介して再循環された後、所望比及びフローメータ３３６により測 定された量に対応した総量の新鮮硫酸及び過酸化水素の量が、バイブ３４０また は別個のバイブを介してタンク３１４内へ導入される。一般に、これが行われた 後、レベルセンサ３３２は、タンク３１６内の液体が所望レベルにないことを示 す。従って、過酸化水素は、その後バイブ３４０またはそれ近傍の別個のバイブ を介して、タンク３１６内の液体がレベルセンサ３３２により示された所望レベ ルに到達するまで導入される。フローメータ３３６を介して抽出された液体量と タンク３１６内の所望液体レベルを達成するために必要な液体量との差は過酸化 水素の気化に起因するものであると仮定したならば、この処理は、ストリッピン グバス中の所望８Ｎ物の割合を再設定するのに寄与する。

フローメータ３３６を介して抽出された液体量及びタンク３１６ないの所望レベ ルを回復するために導入された過酸化水素量を測定することによって、排出また は気化のいずれかによって損失した各含有物の量を補充し、そしてユニット４０ へ導入された新鮮な含有物の割合をｊ１節して化学ストリッピングユニット内の 所望含存物比を保持することができる。

上述のように、種々の液体バスが加熱され、そして少なくとも各ウニ／＼がスト リッピングバス内に浸漬されている間、各ウエノ〜が超音波振動にさらされるこ とが望ましい。本発明の他の態様によれば、統合ユニットはバス液体の加熱及び 所望超音波振動の発生双方の作用を果たす。そうした装置の一実施例を図１８に 示すこの装置は、完成した装置において二個のプラスチックブロック４５０及び ４５１を含み、該各ブロックは、互いに当接及び接合されてそのインターフェー ス領域を封止する。この領域には、たとえば２個の抵抗加熱ユニット４５５及び ４５６そして超音波音響波発生器４５７が配設されている。これら各要素に対す る電気接続は、各接続ブロックを介してユニットから導出され、図では加熱素子 ４５５に対する接続ブロック４５９が示されている。

さらに、本発明においては、−のストリッピング化学バス内に浸漬されたウェハ への超音波振動の伝達は、タンク３０８及び３１２とタンク３１０と３１４との 間の壁を除去することにより向上され、これによって著しく大きなストリッピン グタンクが得られる。この改良構成は、ユニット３２８及び３３０の加熱容量か 流入する化学溶液を、各ストリッピングバス内で所望の作用温度を維持するため に十分な高速度で加鵡するに十分である場合に使用可能である。

図１７に示した構成は、ユニット４０の外壁の座屈を回避するのに役立つ。具体 的には、ＰＴＦＨなどのプラスチック内に誘起された熱応力は、ステンレススチ ール等の金属内に誘起された熱応力をオフセットできる。少なくともユニツト４ ０の外壁においてこれらの物質を適切な厚さに設定することによって、完全な熱 応力オフセットが達成される。

本発明にかかる装置は、ストリッピング作用を著しく改善でき、特に「スマート 」なストリッピング処理を実行できる。たとえば、本発明によれば、改善された ストリッピング作用は、レジスト層の一部のみを除去するような方法でドライス トリッピング処理を実行することにより行われる。もしレジスト層全体がドライ ストリッピング作用によって除去されたならば、所定量のレジストがウニ／Ｘ表 面へ拡散し、除去しにくい汚染物質として残存してしまう。従って、本発明によ れば、ドライストリッピング作用がモニタされており、これは、ドライストリッ パユニット２４から流出する気体の酸素含有量を監視し、レジスト層の約半分が 除去された時にドライストリッピング作用を停止することにより行われる。この ような気体の酸素含有量は、レジスト層の残存厚に比例することが知られている 。

ストリッピング作用開始時、酸素含有量は第１既知値であり、ストリッピング作 用終了時には第１既知値よりも小さい第２の値となっている。酸素含有量値は、 残存ストリッピング層の厚さとほぼ線形に比例して減少する。このようにして、 酸素含有量を監視すると共にそれが上値と下値との間のレベルに達した時に表示 する二とによって、全レジスト層が除去される前にドライストリッピング作用を 停止することが可能となる。そして、ウェットストリンピング処理の継続時間は 、レジスト層の残存部を確実に完全除去するよう調節される。

本発明のこの特徴の他の様態によれば、酸素含有量のモニタを、ストリ・ソバユ ニット２４内に存在する気体組成で除去するのは困難なレジスト層の存在を表示 するために使用することが可能である。もし、モニタ結果が、層が所望の割合て 除去されていないことを示したならば、ドライストリッパユニット２４内に存在 する気体はより効果的なストリッピング作用を生成する気体に変更される。しか し、もしウェハが固定率で処理されているならば、これはドライストリッピング 作用に対する残存時間がわずかであることを意味する。この場合には、モニタ結 果を転送制御装置６０（図１）により使用して、ウェットストリッピングユニッ ト６内での処理時間を延長させる。

本発明の他の特徴によれば、タンク４６内で行われた最終リンス作用は、ウェハ が完全に清浄化されたことを確認するためにモニタされる。これは、リンス水を タンク４６へ流し、タンクから出る水の抵抗及び総有機物ｉｔ有量をモニタする ことによって行われる。これらの両パラメータは、ウェハの残存汚染度に従って 変化し、完全汚染物除去されたウェハに対応するその値が既知となっている。

このようにして、これらのパラメータをモニタすることにより、はぼすべての汚 染物質が確実に除去されるまでリンス作用は継続される。具体的には、ウェハの 洗浄が進むにつれて、水の抵抗が増大しその有機物質含有量が減少する。

各ウェハを、特にウェットストリッピング及びリンス処理中にそのエツジだけで 接触させることにより、ウェハの双方の主表面の全体が確実に均一に処理される ことになる。

本発明の概念は、他の物質から半導体層を除去することに拡大することもできる 。例えば、窒化物金属層は、硫酸水溶液を用いて除去でき、ポジティブレジスト 、窒化物、アルミニウム、チタン及びパラジウム等の金属、そしてポリシリコン コーティング等から構成される層は、有機化学物質を用いて除去でき、あるいは 酸化物層は、緩衝フッ化水素酸溶液を用いて除去できる。

図１及び２に示したシステムは、ウェット−ドライ−ウェット処理シーケンスま たはドライードライーウエットンーケンス、またはドライ−ウェット−ドライシ ーケンス等の処理を実行するために拡大することも可能である。例えば、もしス トリップされるべきレジスト層が、レジストコーティング下での金属層の酸化等 、前処理ステップからの残存反応にさらされた場合、この残存反応を終止させる ために予備ウェット処理を行うことができる。

もしウェハが、サブミクロンまたは有機粒子を含有したトレンチを含むならば、 レーザビームを制御してトレンチを追従することができ、これによってウェット ストリッピング処理ごにそうした粒子を除去できる。これは、本発明にかかるド ライ−ウェット−ドライシーケンスの例である。

他の可能性としては、本発明は、ウェット−ドライン−ケンスから成る処理を実 行するように構成できる。この場合、ウェット処理は汚染物質を清浄化するため に使用され、ドライ処理はウェハ面の清浄化を完全にするために行われる。

以上、本発明の特定実施例について説明してきたが、本発明の思想から逸脱する ことなく種々の変更が可能であることが理解される。添付の特許請求の範囲は、 本発明思想の真正な範囲内にあるそれらすべての変更例を包含することを意図し ている。

上記各実施例は、従って、すべて例示的なものであり制限的なものではなく、本 発明の範囲は上気説明ではなく添付の特許請求の範囲により定められるものであ る。従って、特許請求の範囲と等価の意味及び範囲内にある全ての変更が上記説 明に包含されている。

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Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. １．複数の半導体ウエハの各々から所定の物質の個別層を除去するためのシステ ムにおいて、 ａ）入口領域及び出口領域を有する第１除去ユニットであって、該第１除去ユニ ットは、一回に−ウエハを受容してドライプロセスによってウェハから個別層の 少なくとも一部を除去する第１物質除去装置を含み；ｂ）流人領域及び流出領域 を有する第２除去ユニットであって、該第２除去ユニットは、次の各要素を有す る第２物質除去装置を含み：ｉ）少なくとも一の物質除去タンク； ｉｉ）所定の物質を各ウェハから除去するための化学物質の液体溶液のバスを維 持するための第１供給手段； ｉｉｉ）少なくとも一のリンスタンク；ｉｖ）前記リンスタンク内の液体リンス 溶液のバスを維持するための第２供給手段を含み； Ｖ）ウエハから汚染物質を除去するためのウェハクリーニング手段；ｖｉ）ウエ ハからほぼすべての湿気を除去するためのウェハ除去手段；及び ｃ）次の順序で一回に−ウエハを転送するための自動化転送手段を含み：入口領 域から物質除去装置を介して前記第１及び第２除去ユニットの出口領域へ；入口 領域から物質除去装置を介して前記第１及び第２除去ユニットの他方の一の出口 領域へ；そして前記自動化転送手段は、さらに、前記第２除去ユニットの前記入 口領域から一回に−ウェハを次の順序で転送するために前記第２除去ユニットに もうけられた手段：前記物質除去タンク内へ；前記リンスタンク内へ、前記ウェ ハ乾燥手段内へ；そして前記第２除去ユニットの前記出口領域へ； ｄ）前記各ユニットは、前記各ユニットのうちの一の前記出口領域が前記各ユニ ットの他の一の前記入口領域の近傍に配置されていることを特徴とする半導体ウ エハからの所定物質層除去システム。
2. ２．請求項１に記載のシステムにおいて、空カセットを受け入れるために前記各 ユニットのうちの他の一の前記出口領域に配置されたカセット受容装置を含み、 前記自動化転送手段は、さらに、前記各ユニットのうちの他の一の前記出口領域 において一回に−ウエハを前記カセット受容装置のカセット内へ転送するよう作 用することを特徴とする半導体ウェハからの所定物質除去システム。
3. ３．請求項２に記載のシステムにおいて、前記各ユニットのうちの−は、前記第 １ユニットであり、前記各ユニットの他の−は前記第２ユニットであることを特 徴とする半導体ウエハからの所定物質除去システム。
4. ４．請求項３に記載のシステムにおいて、前記第１ユニットは、さらに、それぞ れが所定物質の個別層を有する複数の半導体ウエハを含むカセットを受け入れる ための前記第１ユニットの前記流入領域に配置された第２カセット受容装置を含 むことを特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去システム。
5. ５．請求項４に記載のシステムにおいて、所定物質は、各ウエハからストリップ されるレジストであることを特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去システ ム。
6. ６．請求項５に記載のシステムにおいて、さらに、前記第１物質除去装置内のウ ェハからのレジスト層のストリッピングをモニタすると共に、レジスト層がウエ ハから完全に除去される前に前記第１物質除去装置の作用を停止する処理制御手 段を含むことを特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去システム。
7. ７．請求項６に記載のシステムにおいて、前記処理制御手段は、レジスト層の約 半分がウエハから除去された時に前記第１物質除去装置の作用を停止することを 特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去システム。
8. ８．請求項７に記載のシステムにおいて、前記第１物質除去装置は、気体流をウ エハへ通過させて装置から排出させ、前記処理制御手段は、装置から出た気体の 酸素含有量を監視することによってレジスト層のストリッピングをモニタするこ とを特徴とする半導体ウェハからの所定物質除去システム。
9. ９．請求項１に記載のシステムにおいて、各半導体ウエハは周辺エッジを有し、 前記自動化転送手段は、各ウエハをその周辺エッジのみを介して支持するための ウエハハンドリング部材を含むことを特徴とする半導体ウエハからの所定物質除 去システム。
10. １０．請求項８に記載のシステムにおいて、前記ウエハハンドリング部材は、そ れぞれが各タンクに対応し、一回に−ウエハずつ各タンク内のバス内へ下降させ るよう移動可能であるウエハ浸漬部材を含むことを特徴とする半導体ウエハから の所定物質除去装置。
11. １１．請求項１に記載のシステムにおいて、前記第２物質除去装置は、各ウエハ が前記第１タンク内へ転送されその後前記第２タンクヘ転送されるように配置さ れた第１及び第２物質除去タンクを含み、該各タンクは、前記第２タンクから前 記第１クンクヘの液体化学物質溶液の流れを促進するように構成されていること を特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去装置。
12. １２．請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第２物質除去装置は、前記第 １及び第２タンク、オーバフロータンク及び液体化学溶液を前記第２タンクから 第１クンクヘそして第１タンクから前記オーバフロータンクヘ流すために、前記 タンク間に配置された仕切壁を定める単一プラスチック部材と、前記オーバフロ ータンク内に配設された液体レベルセンサと、を含むことを特徴とする半導体ウ エハからの所定物質除去装置。
13. １３．請求項１２に記載のシステムにおいて、前記第２物質除去装置は、さらに 、前記プラスチック部材を包囲すると共に該プラスチック部材に接合された金属 シェルを含み、前記プラスチック部材及び前記金属シェルは、前記プラスチック 部材内に誘起される応力によって温度変動によって前記金属シェル内に誘起され た応力がオフセットされるような物質から成ることを特徴とする半導体ウエハか らの所定物質除去装置。
14. １４．請求項１３に記載のシステムにおいて、前記プラスチック部材はＰＴＦＥ から成り、前記金属シエルはステンレススチールから成ることを特徴とする半導 体ウエハからの所定物質除去装置。
15. １５．請求項１２に記載のシステムにおいて、前記第２物質除去装置は、さらに 、前記オーバフロータンクから前記第２物質除去タンクヘ液体化学溶液を循環さ せるための導管手段を含み、該導管手段は、溶液をポンピングするためのポンプ 、溶液をろ過するためのフィルタ、及び溶液をポンプに入る前に冷却する手段と 、を含むことを特徴とする半導体ウェハからの所定物質除去装置。
16. １６．請求項１２に記載のシステムにおいて、前記第２物質除去装置は、さらに 、前記第２物質除去装置から測定された量の液体化学溶液を抽出するためのフロ ーメータを含む手段を備えていることを特徴とする半導体ウエハからの所定物質 除去装置。
17. １７．請求項１に記載のシステムにおいて、前記ウエハクリーニング手段は、水 性ミストをウエハへ供給する手段と、ミスト中へ超音波周波数振動を誘起するた めの手段と、を含むことを特徴とする半導体ウエハからの所定物質除去装置。
18. １８．ウエハを通る気体流によってエントレインされたプラズマを用いたドライ ストリッピング処理及びその後にレジストを溶解可能な化学物質を用いたウェッ トストリッピング処理が行われるシーケンスによって半導体ウエハからレジスト 層をストリッピングする方法において、ドライストリッピング処理によってレジ スト層の一部のみを除去し、これによって層の測定可能部分を残存させるステッ プと；ウェットストリッピング処理によってレジスト層の残存部を除去するステ ップと、 を含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジスト層ストリッピング方法。
19. １９．請求項１８に記載の方法において、前記レジスト層の一部のみを除去する ステップは、ウエハを流れが通過した後で気体の酸素含有量を監視するステップ を含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジスト層ストリッピング方法。
20. ２０．請求項１８に記載の方法において、さらに、ドライストリッピング処理に 第１気体の流れを使用するステップと、層が除去される割合をモニタするステッ プと、該モニタステップが層除去率が選択値よりも小さくなったことを示した時 に第２気体へ切り替えるステップと、 を含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジスト層ストリッピング方法。
21. ２１．請求項２０に記載の方法において、前記モニタステップは、ウエハへ流れ が通過した後で、気体の酸素含有量をモニタするステップを含むことを特徴とす る半導体ウエハからのレジスト層ストリッピング方法。
22. ２２．層を溶解可能な化学物質とウエハを接触させ、その後ウエハをウエハバス 中でリンスすることによって半導体ウェハからレジスト層をストリッピングする 方法において、 バスから出る水量を設定するステップと；パスから流出する水の組成をモニタす るステップと；該モニタステップがウェハがほぼ完全に清浄化されたことを示し た時にリンスステップを停止するステップと； を含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジスト層ストリッピング方法。
23. ２３．請求項２２に記載の方法において、前記モニタステップは、水の電気抵抗 をモニタするステップを含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジスト層ス トリッピング方法。
24. ２４．請求項２３に記載の方法において、前記モニタステップは、水の総有機物 質含有量をモニタするステップを含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジ スト層ストリッピング方法。
25. ２５．請求項２２に記載の方法において、前記モニタステップは、水の総有機物 質含有量をモニタするステップを含むことを特徴とする半導体ウエハからのレジ スト層ストリッピング方法。