JPH06503927A - ダズル防止システムを有する電荷転送集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ダズル防止システムを有する電荷転送ｓ、積回路の製造方法本発明は、集積回路 、より特定的には電荷転送デバイスに関する。

この種の回路では、特定の電荷貯蔵ゾーンに現れる過剰電荷を排出するためのダ ズル防止システムＣｓｙｓｔａｍｅｓｄ’　ａｎｔｉ６ｂｌｏｕｉｓｓｅｍｅｎ ｔ　）を形成する必要がある。このダズル防止システムは通常、電荷転送が行わ れる半導体基板から絶縁された極めて細い導電帯体を含む。これらの極めて細い 帯体は、長手方向で、基板に形成された細長いドープされたゾーンを挟んで延び る。このドープされたゾーンは過剰電荷排出ドレーンとして機能する６前記導電 電極は、それを超えた時点でダズル防止のために電荷を排出しなければならない 過剰レベルを決定するポテンシャル障壁の形成に使用される。

ダズル防止装置の一般的な製造方法では、多結晶質ケイ素層をデポジットし、こ の層を半導体帯体を規定すべくエツチングし、次いで細長い帯体形態のドレーン を形成するために２つの多結晶質ケイ素帯体の間の間隙にドーピング用不純物を 注入する。しかしながら、従来のホトリソグラフィー技術では、ドープされた半 導体帯体によって分離された２つの導電帯体からなるアセンブリを形成するのに 必要な合計幅を約５マイクロメートル未満にすることはできない。

しかるに前記幅は、集積回路内での占有場所を節減するために、より小さい値に するのが望ましい。これは、ダズル防止システムを撮像マトリクス（ｍａｔｒｉ ｃｅ　ｄｅ　ｐｒｉｓｅｄ’　ｉｍａｇｅ）の各ビクセル列の間に具備しなけれ ばならない場合には特に重要である。

そこで本発明は、電荷転送デバイス内にダズル防止システムを形成するための新 規な方法を提案する。

本発明の方法は、他の集積回路製造方法で知られているステップ又はステップ群 を使用する。これについては特に欧州特許出願ＥＰ−＾−０４３５２５７を参照 されたい。

本発明では、電荷排出ドレーンを構成すべく基板に形成されたドープされた領域 を挟んで互いに対称的に延び且つ基板に対して絶縁されている２つの細い電極を 含む電荷転送デバイス用ダズル防止システムの製造方法を提供する。

この方法は、 ａ）基板の表面に、好ましくは窒化ケイ素からなるマスキング層をデポジットし 、 ｂ）少なくとも１つのマスキングされていない帯体を規定するために前記層登工 ・ソチシグし、 Ｃ）前記マスキング層によって保護されていない部分で基板に孔を設け、但しこ の操牛は、マスキング層の縁部が前記孔の上方に突出し、前記孔がこれら縁部の 下側にも延びるように行い、 ｄ）多結晶質ケイ素を基板及び突出縁部の輪郭に沿ってデポジットし、 ｅ）極めて細いケイ素帯体が本質的に突出縁部の下側にだけ残るように、マスク 無しでエツチングすることによってケイ素を除去する ステップを含む。

換言すれば、本発明の方法の本質は、突出縁部の下に位置することを特徴とする 、即ち幅の最大値が、基板の孔を規定するのに使用されたマスキング層の縁部の 突出長さに基づいて決定されることを特徴とする導電帯体を形成することにある 。基板という用語はここでは広い意味で使用されている。なぜなら、基板の表面 は半導体面であるが、又は半導体面を多少とも厚い絶縁層で被覆したものであり 得るからである。また、基板に形成された孔は、半導体に形成された孔、又は絶 縁層に形成された孔であり得る。

特に有利には、基板に孔を形成するためにくステ・アＣ）、局部的酸化を深く行 うステップ（ステップｃｌ）と、脱酸ステップ（ｃ２〉とを順次使用する。この 場合は１局部的酸化を深く行うステップがいずれにしろ集積回路の別のエレメン トについても実施されるという事実を利用できるが、ここでは形成された厚い酸 化物を保持しないため、この酸化ステップを通常とは異なるように使用する。従 って、マスキング層はより正確には酸化に対するマスキング層である。

基板に対して自動的に自己整合されたドープされた半導体領域を規定したい場合 には、基板に不純物を注入する。

この不純物は情況に応じて、厚い酸化物を除去する前に、又は多結晶質ケイ素を エツチングした後で注入する。

ドープされた半導体帯体に隣接する２つのグリッドが同じポテンシャルを維持し なければならない場合には、ドープされた半導体領域の上方で２つのグリッドの 間の間隙を埋めるために更に別の多結晶質ケイ素層をデポジットすることができ る。この場合は、この第２の層をマスク無しで均一にエツチングし、自己整合に 狂いが生じた場合に第２の層のエツチングによってドレーン領域に対する電極の 非対称が生じる危険を防止すべく、グリ７ドの最大開方寸法を第１のドープされ たケイ素層の帯体の側方端部によって規定する。

グリッドは、多結晶質ケイ素のデポジットの前に形成される薄い絶縁層によって 半導体基板がら絶縁されることになる。

マスキング層は前述の製造ステップの最後に残しておいてもよく、又は除去して いもよい。

この製造方法の最後の多結晶質ケイ素のエツチングは、垂直異方性エツチング（ プラズマエツチング）が好ましい。

このエツチングは均一に、即ちマスクを用いずに、即ち少なくとも形成すべきラ インの幅を決定するのに使用されるマスクは用いずに実施する。

同一基板上の他の回路エレメントの製造に適合しているという点で特に有利な変 形例では、操作を下記のように行う。

まず、少なくとも１つの厚い絶縁層を基板上に形成しくこの層は実際には、他の 回路エレメントの形成でも必要とされる局部的酸化ステップによって形成する） 、前記厚い絶縁層の工／チングに対するマスキング層をデポジットし、 前記マスキング層をエツチングしてマスキングされていない帯体を規定し、 マスキングされている帯体内て且っマスキング層の縁部の下側で前記厚い絶縁層 をその厚さ全体にわたりエツチングして、前記縁部を突出状に残しくアンダーエ ツチングを含むエツチング）、 前述のプロセスを続ける。即ち、場合によっては露出領域に薄い絶縁層を形成し 、多結晶質ケイ素を前記孔の形状に沿って且つ前記突出縁部の下に来るようにデ ポジットし、マスク無しの均一エツチングにより、多結晶質ケイ素をデポジット した孔の中央部で多結晶質ケイ素を厚さ全体にわたって除去し、前記突出縁部の 下では除去せずに残す。

ケイ素帯体の間にドープされた領域を規定するための基板のドーピングは、多結 晶質ケイ素のデポジットの前、又は多結晶質ケイ素のエツチングの後で実施し得 る。

本発明の方法の有利な点は、フレーム転送撮像マトリクスの場合の使用にある。

この種のマトリクスは、怒光性影＠領域（ｚｏｎｅ　ｉｍａｌｌｅｐｈｏｔｏｓ ｅｎｓｉｂｌｅ　）とフレームメモリ領域（ｚｏｎｅ　ｄｅ　ｍｅｍｏｉｒｅ　 ｄｃ　ｔｒａｍｅ）とを含む。影像領域は感光点列を含み、メモリ領域は感光点 列にそれぞれ対応する貯蔵領域列を含む。隣接する感光点列の間にはダズル防止 システムが具備され、隣接する貯蔵領域列の間には絶縁体か具備される。この場 合は、ダズル防止システムを規定するためのマスキング層を利用して、貯蔵領域 列の絶縁体も同時に規定する。即ち、前記マスキング層を用いて所定のパターン に従い厚い酸化ケイ素層を形成する。前記パターンは影像領域の隣接するビクセ ル列を分離する厚い酸化物列と、メモリ領域の隣接する貯蔵領域列を分離する厚 い酸化物列とを同時に規定する。この後のダズル防止システム形成ステップは影 像領域で実施され、メモリ領域では実施されない。

本発明の他の特徴及び利点は、添付図面に基づく以下の詳細な説明によって明ら かにされよう。

添付図面中、第１区〜第７図は本発明の第１の実施例の主要ステップを示す説明 図である。

第８図及び第９図は第１の実施例の可能な後続ステップを示す説明図である。

第１０図はフレーム転送撮像マトリクスを簡単に示す説明図である。

第１１図〜第１７図は本発明の第２の実施例のステップを示す説明図である。

第１８図〜第２２図は本発明の別の変形例な示す説明図である。

本発明の好ましい実施例は、突出縁部を有する孔を形成するために、酸化を深く 行うステップと脱酸ステップとを順次使用する実施例である。従って、ここでは この製造方法を複数の変形例と共に詳述する。

本発明の方法の第１の変形例では、製造ステップの詳細が下記の通りであり得る ： 出発材料は、例えば半導体基板（実際にはケイ素基板）からなる基板１０である 。ドーピングは余り重要ではなく、基板はＰ型基板もしくはＮ型基板、又はＰ型 もしくはＮ型基板をエピタキシャル層又は逆の型の導電性（Ｎ又はＰ〉を有する 拡散層で被覆したものであってよい。

基板１０はまた、薄い絶縁層１２で被覆してもよい。この絶縁層は例えば、酸化 ケイ素もしくは窒化ケイ素がらなり、又は集積回路の別の部分でも必要とされる のであれば前記２種票の材料を組合わせたものからなる。

基板は更に、別の基板上にデポジットした単一半導体層であってもよい、以下の 説明文中の基板は原則として、電荷転送が行われる半導体層（絶縁体で被覆した もの又は被覆してないもの）である。

基板（１０又は１０＋１２＞上に、酸化に対するマスキング層１４をデポジット する。この層は原則として窒化ケイ素からなり、場合によっては、後で実施され る選択的エエッチング操作を容易にするために、前記窒化物の下に酸化ケイ素を 挿入する。

基板のケイ素の保護が行われないような孔１６を規定するために、通常の方法で 層１４をホトエツチングする。前記孔の幅は約０．５〜２マイクロメートルにし 得る。

その結果、第１図に示すような構造が得られる。

次いで、熱酸化を深く行う、ケイ素は孔１６内でのみ酸化される。極めて一般的 に見られるように、この酸化は深部でケイ素を消費し、表面には膨張が生じる。

生成した酸化物１８は窒化ケイ素層１４の縁部２０．２２を持ち上げる（第２図 ）。

次いで厚い酸化物１８を化学的脱酸によって除去する（貰３［２１）。マスキン グ層１４の持ち上げられた縁部２ｏ、２２は突出状態を維持する。これは、該製 造方法の後続ステップにとって極めて重要なことである。これらの突出縁部の長 さは十分の数マイクロメートルに及ぶ。

通常のように、形成したい細い電極が半導体基板がら絶縁されていなければなら ない場合には、脱酸によって空けられたスペース２５の底部に薄い絶縁層２４を 形成する。

この薄い絶縁層はケイ素の熱酸化によって形成するのが好ましい、この層は数十 オングストローム〜数百オングストロームの厚さを有する（第４図）。

前述のようにして空けられたスペースの幅は例えば、孔１６が１．５〜２マイク ロメートルであり且つ厚い酸化物の厚さが約１マイクロメートルの場合には、約 ３マイクロメートルである。

次いで、基板全体にわたって、表面の凹凸の形状に合致し、特に窒化ケイ素の突 出縁部２０．２２の下まで到達する多結晶質ケイ素層２６を形成する。このよう な結果は、気相での化学的分解によるデポジションによって得られる（第５図） 。

第　デポジットするケイ素層の厚さは、脱酸によって空けられたスペース２５の 大きさを考慮して、二のスペースが全面的に埋まることのないように十分に小さ くする。適当な厚さは０，５マイクロメートル以下である。

次いで、窒化ケイ素を全く又は殆ど腐食しない物質を用いて垂直異方性エツチン グによりティ素層２６をエンチングする。その結果ケイ素が、これを保護する窒 化ケイ素の突出縁部２０．２２の下側を除いて除去される。このエツチングは、 基板の表面全体にわたって窒化物が露出された時点で、即ち多結晶質ケイ素がス ペース２５の中央部で除去された時点て停止する。

その結果２つの極めて細い導電帯体２８及び３０が突出縁部２０及び２２の下に 残る。これらの帯体は、脱酸時に空けられたスペース２５の中央部で自由帯体３ ２によって分離されている。

このようにして極めて細い２つの導電帯体２８．３０が互いに極めて接近した状 態で且つ極めて対称的に形成される。これは、２つの感光点列の間に位置するダ ズル防止ドレーンの場合には重要なことである。電極を分離する間隙３２は極め て狭い。

種々の寸法は次の通りである。導電帯体のＩ！：各々が約０．５〜１マイクロメ ートル。導電帯体の間の間隙、約１マイクロメートル。

次いで、帯体２８及び３０の間の間隙３２への注入及び／′又は拡散によってド ーピングを行う、前記帯体はこの操作でマスクの機能を果たす。

この段階は第７図に示されている。多結晶質ケイ素の帯体によってマスキングし た孔３２を介してＮ＋型不純物を注入した。この不純物は、感光性電荷転送デバ イスの場合に電荷排出ドレーンとして機能し得る。その結果、細いドレーン帯体 ３４を包囲する２つの電極２８．３ｏを備えた対称的ダズル防止装置（デバイス の各側面に位置する電荷転送システムのためのダズル防止）が得られる。この装 置全体の幅は３マイクロメートル以下であり得る。

−変形例では、２つの電極が系統的に同じポテンシャルを維持しなければならな い場合には、前記方法を改変して、前記操作の後に、特に新たな多結晶質ケイ素 のデポジットを行うことにより前記２つの電極を連結し得る。このようにすると 、ラインのアクセス抵抗が減少する。この状態を第８図及び第９図に示した。

ゲイ素層３８は好丈しくは気相中での化学分解によってデポジットする。このデ ボジント層の厚さは、層３８が侠い間隙３２を埋め、且つ該間隙の狭さに起因し て、該間隙の上に厚い肉厚部を形成するように、十分厚くする（第８図）。

次いで、化学的エツチングにより、（少なくとも）デポジットした層３８の厚さ に対応する均一な厚さの多結晶質ケイ素を除去する。このようにして、窒化ケイ 素１４を新たに露出させる。窒化物からなる突出部の間に位置するスペース、即 ち酸化を深く行った後に空けられたスペースには、全体にわたって、電極４０を 構成する多結晶質ケイ素が残される。電極４０は、ドレーンを構成するドープさ れた帯体３４の上に配置され、薄い絶縁層２４によって前記ドレーンから絶縁さ れる（第９図）。

２つの感光領域又は２つの電荷転送レジスタ領域の間に配置されたダズル防止ド レーンの場合の重要な点の１つは、ドープされた帯体３４を包囲する２つの電極 部分２８．３０が、第７図の実施例（分離した電極）でも第９図の実施例（連結 した電極）でも極めて対称的であるということにある０本発明の方法ではこのよ うな対称が得られる。

電極４０がドレーン３４と同じポテンシャルを維持し得るという極めて特殊な場 合には、第７図のイオン注入ステップを省略し、第２の多結晶質ケイ素層３８を 用いて基板のドーピングを行い得る。この場きは、第６図のステップの後で、マ スクとして機能する電極２８及び３０の間の薄い絶縁層２４を除去し、次いで第 ２のケイ素層（ドー１するか又はドーピング用不純物の存在下でデポジットする ）を前述のようにデポジットする。ドープされたケイ素は間隙３２内で基板と接 触し、領域３４を形成するためのドーパントソースとして機能する。この場合は 第９図と類似の、但し層４０が領域３４と直接接触するような構造が得られる。

本発明の方法の重要な点の１つは、電極４０がダズル防止システムの両側でゲイ 素面に対して殆ど盛り上がっていないということにある。この電極は、基板の局 部的酸化を深く行うことによって形成されたスペース（第２図及び第３図参照） を全面的に埋める（それ以上は埋めない）。これは極めて重要なことである。な ぜなら、ダズル防止装置は実際には、ダズルに対して保護しなければならない電 荷転送レジスタの電極によって被覆されことになるからである。従って、これら の電極の破損の危険を防止するためには、段差（ｐａｓｓａｇｅ　ｄｅ　ｍａｒ ｃｔ＋ｅ　）が大きすぎたり又は急激すぎたりしてはならない。従って、第１図 〜第９図に示す方法はこれら２つの観点、即ちが段差が大きすぎず、急激すぎも しないという点で特に有利である。

第１０１２１は、本発明の方法によって形成したダズル防止装置を用いる電荷転 送デバイスの非限定的実施例の全体的構造を示している。ダズル防止装置は符号 ＡＥで示されている。これは、第７図又は第９図に示すように形成した極めて細 い細長い帯体からなる。

前記帯体は、２つの帯体ＡＥと直交する方向に延びる細長いｔ極ＥＬで被覆され ている。これら一連の電ＩＥＬは、帯体ＡＥによって分離された複数の並列レジ スタ列からなる電荷転送レジスタを規定している。これらのレジスタは感光性又 は非感光性であり得る。電極ＥＬは、明確さを期して、相互間に間隙をあけて示 した。実際には間隙はなく、これらの電極は通常部分的に被覆されている。各基 本レジスタ段（ｃａｓｅ　ｄｅ　ｒｅｇｉｓｔｒｅ　Ｎ６ｍｅｎｔａｉｒｅ）は ２つのダズル防止帯体ＡＥの間で電極ＥＬの下に位置するスペースによって規定 される。

フレーム転送撮像デバイスの場合には、本発明の方法は更に重要な利点と有する 。即ち、影像領域のダズル防止帯体とメモリ領域のレジスタの間の絶縁帯体とを 同時に（従って自動調心的に）形成することができるのである。第１０図はこの ようなフレーム転送撮像装置の構造を示している。

この装Ｗの上部は影像領域Ｚ１であり、ダズル防止装置ＡＥによって分離された 複数の隣接列形態の感光セルＣで構成されている。これらのセル列は各々がシフ トレジスタ状に配置されている。影像領域Ｚ１の下には、影像領域の列状のそれ ぞれのレジスタに各々が対応する複数のシフトレジスタで構成されたメモリ領域 Ｍが存在する。メモリ領域は光に対してマスキングされているが、影像領域はマ スキングされていない、メモリ領域の垂直レジスタの間には絶縁体列Ｉｓが具備 されている。メモリ領域の下部には読み取りレジスタＲＬが配置されている。第 １図〜第９図の方法を用いれば、絶縁体領域ＩＳを第１図及び第２図に対応する ステップで形成することができる。これらの領域は帯体ＡＥに対して自動的に自 己整合される。これは重要なことである。第３図〜第９図に示す後続ステップは 、ダズル防止装置を影像領域にのみ具備する必要がある場合にはメモリ領域では 実施されず、影＠領域でのみ実施される。

二二で第１０図〜第１７図を参照しながら説明する変形例では、厚い酸化物１８ を除去する面に、即ち第２図のステップの後で、ライン３４のドーピングを行う 。

この場合も薄い絶縁層１２で被覆したケイ素からなり得る半導体基板１０を使用 するのであれば、第１区に基づいて説明したものと類似の対酸化マスキング用の 層１４をデポジットする。この層を、該層の細い帯体く幅は１．５〜２マイクロ メートルまで細くし得る）を残すようにエツチングする（第１１図）。

その結果、第１図のように狭い孔が形成される代わりに、細い帯体が残される。

ケイ素基板の熱酸化を深く行う。マスキング層１４の下側を除いて厚い酸化物層 １８が形成される。酸化物層１８の膨張に起因して、マスキング層の縁部２０及 び２２はこの酸化ステップの間に持ち上げられる（第１２図）。

次いで、後で両側に２つの導電帯体が形成されることになるドレーン３４の形成 に使用される不純物を注入する。

その結果、導電帯体及びドープされた領域が顕次形成される代わりに、まずドー プされた領域が形成される。

注入は窒化ケイ素層を介して行う、実際、窒化ゲイ素層は酸化に対するマスクの 機能を果たすが、注入が十分なエネルギで行われれば注入された不純物を通過さ せる程度に十分に薄くし得る。この注入ステップでは、厚い酸化ケイ素層１８が マスクとして機能し、不純物が該マスキング層の突出縁部の間に位置するゾーン の外に侵入するのを阻止する（第１３図）。

次いで、化学的脱酸により酸化物１８を除去し、マスキング層１４及びドープさ れた領域３４の両側にスペース２５を空ける。マスキング層の突出縁部２ｏ及び ２２は、空けられたスペース２５の縁部の上に突出した状態を維持する。

形成すべき導電グリッドを基板１ｏがら絶縁したい場合には、熱酸化又はデポジ ションにより、原則的に酸化ケイ素からなる薄い絶縁層２４を形成する（第１５ 図）。

次いで、デポジット層が基板の凹凸の輪郭に従うようなデポジット条件で、基板 の表面全体に多結晶質ケイ素層２６をデポジットする。特に、ケイ素がマスキン グ層１４の突出縁部２０及び２２の下に来るようにしなければならない（第１６ 図）。

次いで、第６区に示したように、層２６のケイ素の異方性エツチングを、ケイ素 が突出縁部２ｏ及び２２の下にしか残らないように行う。残ったケイ素は、侠い ドー１された領域３４を包囲し且つ該ドープされた領域に対して自動的に自己整 合された２つの極めて細い電極２８及び３０分構成する。このアセンブリの幅の き計寸法は２マイクロメートル以下に抑えられ得る。

以上説明してきた実施例はいずれも、酸化を深く行うステップと脱酸ステップと を順次行って、突出縁部で部分的に被覆された孔を形成する。これは実際に最も 有利な実施例である。しかしながら、酸化に対するマスキング層ではなく基板の ケイ素のエツチングに対するマスキング層を形成し、この層を非保護帯体を規定 するようにエツチングし、マスキング層の縁部の下のアンダーエツチングを行い ながら前記帯体内で基板をエツチングする製造方法も考えられる。縁部は突出し たままである。その後の操作は、第４図〜第１０図に基づいて説明したように行 う。即ち、場合によっては前記孔の底部に薄い絶縁層を形成し、次いで、突出縁 部の下側も含めて前記孔の輪郭に沿った多結晶質ケイ素のデポジット層を形成し 、突出縁部の下のケイ素を残してケイ素のエツチングを行うようにしてもよい。

この場合は、突出縁部が水平であり、前述の実施例のように上方に向けて傾斜し ない。従って、多結晶質ケイ素のエツチングはプラズマエツチング（垂直異方性 ）ではなく化学的エンチング（等方性）にすることも可能である。実際、化学的 エツチングでも、デポジットの厚さが突出縁部の下に位置する孔の高さより十分 に大きければ、突出部の下に多結晶質ケイ素が残されることになる。

前記と同じ精神でやはり有利な変形例を第１８図〜第２２図に示した。

出発材料は、少なくと１つの表面半導体層を含む基板１０である。この基板の上 に、厚い絶縁層４ｏを形成する。

この層は半導体の局部的酸化によって形成するのが好ましい。なぜなら、このス テップはいずれにしろ他の回路エレメントにも必要だからである。従ってこの層 は、基板がケイ素の場合には酸化ケイ素からなる。

このようにして被覆した基板と本発明のステップにかける。突出部の形成とそれ に次ぐ多結晶質ケイ素のデポジション及びエツチングである。

好ましくは窒化ケイ素からなるマスキング層１４をデポジットし、このマスキン グ層に帯体形態の孔１６を設ける。

この層は、層４０のエツチングステップで保護層として機能する（第１９図）。

帯体１６内で層４０を化学的エツチングにかける。このエツチングは基板１０が 露出されるまで行う、このエツチングの間に、マスキング層４０の縁部２０．２ ２の下で酸化ケイ素が除去される。前記縁部は孔２５の上に突出したままである 。この孔の中では基板が露出している（第２０図）。

形成すべき電極を薄い絶縁層２４で基板から絶縁しなければならない場合には、 この絶縁層を例えば熱酸化によって形成する。

次いで多結晶質ケイ素層２６を、その被覆能力が高まるように且つ該層が突出縁 部２０及び２２の下側を含めて孔２５の内縁部を被覆するように、低温及び低圧 条件でデポジットする。（第２１図）。

デポジットするケイ素の厚さは層４０の厚さのほぼ半分が好ましい０層４０の厚 さは例えば１マイクロメートルであり、従って前記ケイ素の厚さは５０００オン グストロームが適当である。突出部の長さは層４０の厚さにほぼ等しい。

次いで、好ましくは垂直異方性エンチング（プラズマエツチング）により、本質 的に突出部２０及び２２の下に位置する導電帯体２８及び３０のみが残されるよ うに、デポジットしたケイ素層をエツチングする（第２２図）、突出部の下側に 十分な量のケイ素を残すことができれば、化学的エツチングでもよい。プラズマ エツチング又は化学的エツチングの結果は第２２図に示す通りである。

この段階で、第７図に基づいて説明したように基板のドーピング用不純物のイオ ン注入を実施し得る。しかし、ながら、この場合も第８図及び第９図を参照しな がら説明した変形例を適用し得る。また、注入を第２０図（又は第４図）のステ ップの後で実施することも考えられる。

第１８図〜第２２図に示す実施例の利点の１つは、必要であれば、導電帯体２８ 及び３０の各側面に厚い側方絶縁体を具備できることにある。

国際調査報告 ＦＲ９２００６７４ Ｓ＾　６２５４９

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．電荷排出ドレーンを構成すべく基板に形成されたドープされた領域を挟んで 対称的に延び且つ基板に対して絶縁された２つの細い電極を含む電荷転送デバイ ス用ダズル防止システムの製造方法であって、 ａ）基板（１０、１２；１０、４０）の上にマスキング層（１４）をデポジット し、 ｂ）少なくとも１つの保護されていない帯体（１６）を規定するために前記層を エッチングし、 ｃ）前記マスキング層によって保護されていない部分で基板に孔を設け、但しこ の操作は、マスキング層の縁部（２０、２２）が前記孔（２５）の上方に突出し 、前記孔がこれら縁部の下側にも延びるように行い、ｄ）多結晶質ケイ素（２６ ）を基板及び突出縁部の輪郭に沿ってデポジットし、 ｅ）極めて細いケイ素帯体（２８、３０）が本質的に突出縁部の下側にだけ残る ように、マスク無しでエッチングすることによってケイ素を除去する ステップを含むことを特徴とする電荷転送デバイス用ダズル防止システムの製造 方法。
2. ２．前記マスキング層が酸化に対するマスキング層であり、孔の形成が、基板の 保護されていない部分で基板の局部的酸化を深く行うステップと、厚い酸化物を 除去するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. ３．ケイ素層のデポジションの前に、薄い絶縁層（２４）を基板上に形成するこ とを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. ４．基板が細いケイ素帯体（２８、３０）でマスキングされている状態で、ケイ 素のエッチング後に半導体基板に不純物を注入することを特徴とする請求項１か ら３のいずれか一項に記載の方法。
5. ５．感光性影像領域とフレームメモリ領域とを含み、前記影像領域がメモリ領域 の貯蔵領域のそれぞれの列に対して各々が自己整合された感光点の列を含んでい るフレーム転送撮像マトリクスの製造に使用され、前記マスキング層を用いて所 定のパターンに従い厚い酸化ケイ素層を形成するステップを含み、前記パターン が影像領域の隣接し合うピクセル列を分離するダズル防止装置の位置と、メモリ 領域の貯蔵領域の対応する隣接列を分離する厚い酸化物列の位置とを同時に決定 し、この後のダズル防止システム形成ステップが影像領域で実施され、メモリ領 域では実施されないことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方 法。
6. ６．ケイ素のエッチング後に、ケイ素の細い帯体の間の間隙を埋め且つ該間隙の 上にケイ素の肉厚部を形成するのに適した条件で第２の多結晶質ケイ素層（３８ ）をデポジットし、次いで細い帯体（２８、３０）の間にケイ素（４０）を残し ながら、最後にデポジットされた厚さに少なくとも等しい厚さで多結晶質ケイ素 を均一に除去することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法 。
7. ７．基板の孔を、局部的酸化を深く行うステップとその後の脱酸ステップとによ って形成し、厚い酸化物の形成の後で且つ該酸化物の除去の前に、前記厚い酸化 物を不純物注入に対するマスクとして使用しながらマスキング層（１４）を介し て基板に不純物を注入することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記 載の方法。
8. ８．基板（１０、４０）が、厚い絶縁層（４０）で被覆された半導体材料（１０ ）を少なくとも１つ含み、マスキング層が絶縁層のエッチングに対するマスキン グ層であり、基板のエッチングステップが、マスキング層の縁部の下のアンダー エッチングを含む厚い絶縁層のエッチングステップからなることを特徴とする請 求項１から７のいずれか一項に記載の方法。