JPH0650540Y2 - 薄膜成長装置 - Google Patents
薄膜成長装置Info
- Publication number
- JPH0650540Y2 JPH0650540Y2 JP4822490U JP4822490U JPH0650540Y2 JP H0650540 Y2 JPH0650540 Y2 JP H0650540Y2 JP 4822490 U JP4822490 U JP 4822490U JP 4822490 U JP4822490 U JP 4822490U JP H0650540 Y2 JPH0650540 Y2 JP H0650540Y2
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- JP
- Japan
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- thin film
- film growth
- substrate
- ultraviolet light
- light source
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、薄膜成長装置の光導入に適用される基板に効
率よく紫外光を照射する構成に関する。
率よく紫外光を照射する構成に関する。
第２図に、従来のものの構造を示す。１は紫外光源ホル
ダ、２は紫外光源、３は薄膜成長室、４は基板、５は基
板ホルダである。
ダ、２は紫外光源、３は薄膜成長室、４は基板、５は基
板ホルダである。
紫外光源２より出た紫外光が基板５の表面に照射され
る。
る。
従来の光導入法による薄膜成長装置では、紫外光源と基
板の表面までの距離が遠いため、紫外光源を出る紫外光
が離散してしまい、紫外光を基板の表面ほ高率良く照射
することができない。よって原料ガスを基板付近で効率
良く活性化できず、高率のよい薄膜成長が実現できな
い。
板の表面までの距離が遠いため、紫外光源を出る紫外光
が離散してしまい、紫外光を基板の表面ほ高率良く照射
することができない。よって原料ガスを基板付近で効率
良く活性化できず、高率のよい薄膜成長が実現できな
い。
そのため本考案は、紫外光源の出口から基板表面付近ま
で内面を複合電解研磨したアルミ円筒管を配置したこと
を特徴とする。
で内面を複合電解研磨したアルミ円筒管を配置したこと
を特徴とする。
すなわち本考案は、紫外光源が基板の表面より離れてい
ても、外方へ拡散しようとする光を円筒内面で反射させ
て戻すことにより、効率良く光を照射できるようにし、
紫外光により、原料ガスを基板付近で多く活性化し、効
率の良い薄膜成長を実現したものである。
ても、外方へ拡散しようとする光を円筒内面で反射させ
て戻すことにより、効率良く光を照射できるようにし、
紫外光により、原料ガスを基板付近で多く活性化し、効
率の良い薄膜成長を実現したものである。
特にアルミ管は他の材料のように紫外光を吸収しないた
め反射効率を高くすることができる。
め反射効率を高くすることができる。
以下図面に示す実施例により、本考案を詳細に説明す
る。第１図に本考案の１実施例にかかる薄膜成長装置に
おける光導入法の一部破断面図を示す。第１図において
符号１〜２、４〜６は第２図に示す従来のものと同様な
ので、説明を省略する。３は複合電解研磨したアルミ円
筒管（Rmax＝0.10〜0.20〔μｍ〕）である。なおRmaxは
粗さの基準であり、複合研磨の上限値である。反射や凹
凸による不純物付着の防止には内面はできるだけ滑らか
にする必要がある。
る。第１図に本考案の１実施例にかかる薄膜成長装置に
おける光導入法の一部破断面図を示す。第１図において
符号１〜２、４〜６は第２図に示す従来のものと同様な
ので、説明を省略する。３は複合電解研磨したアルミ円
筒管（Rmax＝0.10〜0.20〔μｍ〕）である。なおRmaxは
粗さの基準であり、複合研磨の上限値である。反射や凹
凸による不純物付着の防止には内面はできるだけ滑らか
にする必要がある。
本実施例は、複合電解研磨したアルミ円筒管３により、
紫外光源２が基板５の表面より離れていても効率良く基
板５の表面に紫外光を照射できる。よって基板付近で多
く原料ガスを活性化ての、効率の良い薄膜成長ができ
る。具体例を示すとアルミ管３として長さ450mm、径45m
mφのものが20mmφの窓に対して使用された。この効果
を実証するため、第３図、第４図のような実験系を組
み、光量を測定する。第３図において、符号１〜４、第
４図において符号1,2,4は上述の第１図に示す装置と同
様なので説明を省略する。７は測定点の水平方向移動装
置で、８は電流計、９は光電素子である。
紫外光源２が基板５の表面より離れていても効率良く基
板５の表面に紫外光を照射できる。よって基板付近で多
く原料ガスを活性化ての、効率の良い薄膜成長ができ
る。具体例を示すとアルミ管３として長さ450mm、径45m
mφのものが20mmφの窓に対して使用された。この効果
を実証するため、第３図、第４図のような実験系を組
み、光量を測定する。第３図において、符号１〜４、第
４図において符号1,2,4は上述の第１図に示す装置と同
様なので説明を省略する。７は測定点の水平方向移動装
置で、８は電流計、９は光電素子である。
測定は、第3,4図に示されるa,b,cの高さの位置で水平方
向に測定点水平方向移動装置７で移動し、その移動位置
による光量の変化を光電素子９で電流に変換し、電流計
８で読み取る。
向に測定点水平方向移動装置７で移動し、その移動位置
による光量の変化を光電素子９で電流に変換し、電流計
８で読み取る。
移動位置の零点を装置の中心にとり、向って左を負、右
を正とする。また、a,cの高さは同じであり、ｂの高さ
は紫外光源２に近接するところである。
を正とする。また、a,cの高さは同じであり、ｂの高さ
は紫外光源２に近接するところである。
以上の測定結果を第５図に示す。図の横軸は移動位置
〔mm〕を示し、縦軸は光量を表す電流値〔μＡ〕を示
す。第５図においてａの位置でのグラフは紫外光源２の
出口付近での光量分布を表すグラフであり、このグラフ
を基準にb,cの位置での光量分布を比較すれば、紫外光
源２から基板５までの距離による紫外光の離散が複合電
解研磨したアルミ円筒管により防がれていることがわか
る。このことにより紫外光により原料ガスを基板表面付
近で多く活性化でき効率の良い薄膜成長が可能となる。
〔mm〕を示し、縦軸は光量を表す電流値〔μＡ〕を示
す。第５図においてａの位置でのグラフは紫外光源２の
出口付近での光量分布を表すグラフであり、このグラフ
を基準にb,cの位置での光量分布を比較すれば、紫外光
源２から基板５までの距離による紫外光の離散が複合電
解研磨したアルミ円筒管により防がれていることがわか
る。このことにより紫外光により原料ガスを基板表面付
近で多く活性化でき効率の良い薄膜成長が可能となる。
本考案は、前記構成として以下の効果が得られるので、
原料ガスを基板表面付近で多く活性化し、効率のよい薄
膜成長に好適である。
原料ガスを基板表面付近で多く活性化し、効率のよい薄
膜成長に好適である。
複合電解研磨したアルミ円筒管を紫外光源出口より基板
上面までの間に取り付け、基板と紫外光源の距離による
光の離散を防ぎ原料ガスを基板表面付近で多く活性化で
きる。
上面までの間に取り付け、基板と紫外光源の距離による
光の離散を防ぎ原料ガスを基板表面付近で多く活性化で
きる。
第１図は本考案の１実施例に係る光を用いた薄膜成長装
置の断面図である。 第２図は従来の薄膜成長装置の断面図である。 第３図は本考案による光量分布を測定する実験手法を示
す。 第４図は従来の装置による光量分布を測定する実験手法
を示す。 第５図は実験により得られた光量分布を示すグラフであ
る。 １……紫外光源ホルダー、２……紫外光源、３……複合
電解研磨したアルミ円筒管、４……薄膜成長室、５……
基板、６……基板ホルダー、７……測定点水平方向移動
装置、８……電流計、９……光電素子。
置の断面図である。 第２図は従来の薄膜成長装置の断面図である。 第３図は本考案による光量分布を測定する実験手法を示
す。 第４図は従来の装置による光量分布を測定する実験手法
を示す。 第５図は実験により得られた光量分布を示すグラフであ
る。 １……紫外光源ホルダー、２……紫外光源、３……複合
電解研磨したアルミ円筒管、４……薄膜成長室、５……
基板、６……基板ホルダー、７……測定点水平方向移動
装置、８……電流計、９……光電素子。
Claims (1)
- 【請求項１】原料ガスが導入される薄膜成長室と、動薄
膜成長室内に配置される基板に向けて紫外線を照射する
紫外光源とを有する薄膜成長装置において、上記紫外光
源が基板に至る光路を内面鏡仕上げの円筒アルミ管で囲
繞したことを特徴とする薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4822490U JPH0650540Y2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 薄膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4822490U JPH0650540Y2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 薄膜成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047657U JPH047657U (ja) | 1992-01-23 |
| JPH0650540Y2 true JPH0650540Y2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=31564842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4822490U Expired - Lifetime JPH0650540Y2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 薄膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650540Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108927U (ja) * | 1975-02-25 | 1976-08-31 |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP4822490U patent/JPH0650540Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047657U (ja) | 1992-01-23 |
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