JPH0650654B2 - 同軸コネクタの接続構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、伝送用同軸線路の結合に際しての同軸コネク
タの接続構造に係る。

〈従来の技術〉 従来から、この種の同軸コネクタ接続構造の一例として
は、第６図の側断面図で示すような概略構成を有するも
のが知られている。この同軸コネクタの接続構造２０は
ジャック２１とプラグ２２とからなっており、ジャック
２１の中心導体２３および外部導体２４に対してプラグ
２２の中心導体２５および外部導体２６をそれぞれ嵌入
することによって一体的に結合されるようになってい
る。そして、ジャック２１およびプラグ２２を構成する
中心導体２３，２５と外部導体２４，２６との間には所
定の誘電率を有する絶縁体２７，２８がそれぞれ充填さ
れている。なお、この同軸コネクタの接続構造２０を構
成する各部品の寸法は、その特性インピーダンスが５０
Ωや７５Ωというような所定の一定値となるように設定
されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、前記従来構成の同軸コネクタの接続構造２０
においては、ジャック２１とプラグ２２とを結合した際
に両者の中心導体２３，２５同士が突き合わされて破損
することを防止し、かつ、各部品の寸法誤差などを吸収
するための隙間Ｓを中心導体２３，２５それぞれの端面
２３ａ，２５ａ間に設けておくのが一般的となってい
る。そして、このような隙間Ｓを設けると、ジャック２
１の中心導体２３内に嵌入されたプラグ２２に配設され
た中心導体２５の細径部２５ｂの一部が隙間Ｓ内に露出
してしまうことになる。

その結果、このような隙間Ｓを設けた場合には、露出し
た中心導体２５の細径部２５ｂ周囲に絶縁体２８とは誘
導率の異なる空気が存在するとともに、この中心導体２
５の外径寸法が変化することになるため、ジャック２１
とプラグ２２との結合部分における特性インピーダンス
が変化することになってしまう。そして、特に、１０GH
z以上の高周波数帯域における電圧定在波比（ＶＳＷ
Ｒ）が悪化することになる結果、同軸コネクタ２０にお
ける挿入損失が増大してしまう。

また、同時に、個々の製品ごとにおけるＶＳＷＲや挿入
損失のばらつきが大きくなってしまい、同軸コネクタを
使用する際における設計上の自由度が低下するという不
都合も生じていた。

そこで、これらの不都合を回避すべく、同軸コネクタの
接続構造２０を構成する各部品の加工精度およびこれら
の組立精度を厳しく管理することが考えられる。しか
し、このようにすると、加工および組立コストの大幅な
増加を招くというような別異の不都合が生じてしまう。

本発明はかかる種々の不都合を解消すべく創案されたも
のであって、ジャックおよびプラグのそれぞれに配設さ
れた一対の中心導体の端面間に隙間を設けた際における
特性インピーダンスの変化を抑制し、ＶＳＷＲの悪化を
防止することが可能な同軸コネクタの接続構造の提供を
目的としている。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、外部導体
と中心導体とが絶縁体を介して配置されて構成される同
軸ケーブルそれぞれの端部に形成される同軸コネクタの
接続構造において、少なくとも前記一方の同軸コネクタ
の中心導体が前記同軸コネクタの絶縁体端面より外部に
突出し、かつ、その突出した位置において前記同軸コネ
クタの外周方向に張り出す張り出し部を一体に備え、前
記一方の同軸コネクタと前記他方の同軸コネクタとが接
続された際に、前記一方の同軸コネクタの中心導体の張
り出し部面と前記他方の同軸コネクタの中心導体の端面
とが対向する部分にキャパシタンスを保持するように構
成した。

〈作用〉 上記構成によれば、一方の中心導体の端部に形成された
張り出し部面と、これに対向する他方の中心導体の端面
との間部分におけるキャパシタンス（容量）が増えるこ
とになる。そして、このキャパシタンスによって高周波
に対する抵抗が低減されて特性インピーダンスの変化が
抑制されることになる結果、ＶＳＷＲの悪化が有効に防
止されることになる。

とくに、中心導体の張り出し部が絶縁体の端面より外部
に突出した位置において形成されるので、所定の特性イ
ンピーダンスを得るための絶縁体との相対的な寸法関係
に規制されることなく、張り出し寸法を十分大きく取
れ、より大きなキャパシタンスを得ることができるよう
になる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る同軸コネクタの接続構造の概略構
成を示す側断面図であり、この図における符号１は同軸
コネクタの接続構造を示す。この同軸コネクタの接続構
造１は、ジャック（他方の同軸コネクタ）２と、これに
嵌入して結合されるプラグ（一方の同軸コネクタ）３と
からなっている。そして、ジャック２およびプラグ３の
それぞれは、ステンレス鋼や金属メッキが施された真鍮
などからなる外部導体４，５と、真鍮や熱処理されたベ
リリウム銅などからなる中心銅体６，７と、これらの間
に充填されたテフロン（４弗化樹脂）などのような所定
の誘電率を有する絶縁体８，９とによって構成されてい
る。なお、この同軸コネクタの接続構造１を構成する各
部品の寸法は、その特性インピーダンスが５０Ωや７５
Ωというような所定の一定値となるように設定されてい
ることはいうまでもない。

さらに、この同軸コネクタの接続構造１を構成するジャ
ック２およびプラグ３の中心導体、すなわち、互いに結
合される一対の中心導体６，７それぞれの端部には、互
いに対向し合うとともに、設定された特性インピーダン
スを満足する大径の張り出し部１０，１１が一体的に形
成されている。すなわち、これらの張り出し部１０，１
１の周囲には絶縁体８，９が充填されておらず、空気が
存在しているので、張り出し部１０，１１それぞれの外
径寸法は、空気の有する誘電率に基づき一定値とされた
特性インピーダンスを満足する大径とされている。な
お、このとき、第１図中における仮想線で示すように、
張り出し部１０，１１それぞれの周囲に絶縁体８ａ，９
ａを取りつけてもよいことはいうまでもない。

そして、この同軸コネクタの接続構造１においても、従
来例と同様に、中心導体６，７間に隙間Ｓを設けた状態
でジャック２とプラグ３とが互いに結合されるが、この
同軸コネクタの接続構造１では、ジャック２の中心導体
６に形成された張り出し部１０の端面１０ａと、プラグ
３の中心導体７に形成された張り出し部１１の端面１１
ａとの間に隙間Ｓが設けられることになる。ところが、
これらの張り出し部１０，１１の端面１０ａ，１１ａそ
れぞれの有する面積が従来構造のものよりも大きくなる
結果、これらの端面１０ａ，１１ａ間においてはキャパ
シタンス（容量）が増加することになり、このキャパシ
タンスによって高周波に対する抵抗が低減されて特性イ
ンピーダンスの変化が抑制されることになる。

また、第２図は、上記構成とされた同軸コネクタの接続
構造１における隙間ＳとＶＳＷＲとの１８GHzでの関係
を示す説明図である。そして、この第２図によれば、本
発明品である同軸コネクタの接続構造１の方が、従来品
すなわち前述した同軸コネクタの接続構造２０に比べて
同一性能を得るための寸法上の自由度が４０％以上も広
くなっていることが分かる。なお、この図における横軸
は隙間Ｓの寸法、縦軸はＶＳＷＲをそれぞれ示すもので
あり、また、図中の実線は本発明品、一点鎖線は従来品
をそれぞれ示している。

ところで、以上の説明においては、同軸コネクタの接続
構造１を構成するジャック２およびプラグ３双方のの中
心導体６，７それぞれの端部に張り出し部１０，１１を
一体的に形成するものとしているが、必ずしも中心導体
６，７の双方に張り出し部１０，１１を形成しなければ
ならないものではない。すなわち、例えば、第３図の変
形例で示すように、ジャック２およびプラグ３の中心導
体６，７のうちの少なくとも一方の中心導体７（６）端
部のみに張り出し部１１（１０）を形成した場合にも、
この張り出し部１１（１０）の端面１１ａ（１０ａ）と
他方の中心導体６（７）の端面との間におけるキャパシ
タンスが増えることになる。なお、この第３図において
は、プラグ３の中心導体７のみに張り出し部１１を形成
した例を示しているが、ジャック２の中心導体６のみに
張り出し部１０を形成した場合も同様であることはいう
までもない。そして、この第３図で示す構成を採用する
場合には、従来品との互換性が得られるという利点もあ
る。

さらにまた、上述した構成の同軸コネクタの接続構造１
においては、第１図および第２図から明らかなように、
そのジャック２を構成する中心導体６の端部に中心導体
７の嵌入用孔が形成されているため、この部分における
直径が急変して小さくなる結果、伝送される電波の乱れ
が生じる恐れがある。そこで、例えば、第４図および第
５図で示す同軸コネクタの接続構造１の他の変形例のよ
うに、ジャック２の中心導体６の外周を段付き形状もし
くはテーパ形状として形成したうえ、その周囲に充填さ
れる絶縁体８を中心導体６の外径寸法と対応して特性イ
ンピーダンスが乱れないように形成しておけば、中心導
体６の直径の急激な変化が少なくなる結果、電波の乱れ
が生じる恐れはなくなる。なお、このような中心導体６
端部の外周形状は上記に限定されるものではなく、必要
に応じて任意に変更可能であることはいうまでもない。

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、一方の中心導体
の張り出し部の端面と他方の中心導体の端面との間部分
におけるキャパシタンスが増えることになる。そして、
このキャパシタンスによって高周波に対する抵抗が低減
され、中心導体同士が直接的に結合されたのと同様の効
果が得られることになる。

したがって、特性インピーダンスの変化が抑制されると
ともに、ＶＳＷＲの悪化が有効に防止されることにな
り、その結果として従来例のような挿入損失の増大やそ
れらの製品ごとにおける大きなばらつきというような不
都合を生じることがなくなり、しかも、信頼性の向上お
よびコストの低減が図れることになる。さらにまた、ジ
ャックとプラグとの不十分な嵌合によって生じる隙間で
のＶＳＷＲの劣化なども本発明構造により低減すること
になる。

とくに、中心導体の張り出し部が絶縁体の端面より外部
に突出した位置において形成されるので、張り出し寸法
を十分大きく取れてより大きなキャパシタンスを得るこ
とができ、上記特性インピーダンスの変化の抑制効果が
良好に発揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明の実施例に係り、第１図は
同軸コネクタの接続構造の概略構成を示す側断面図、第
２図は隙間と電圧定在波比（ＶＳＷＲ）との関係を示す
説明図であり、第３図ないし第５図は同軸コネクタの接
続構造の変形例それぞれの概略構成を示す側断面図であ
る。また、第６図は従来例に係り、同軸コネクタの接続
構造の概略構成を示す側断面図である。 図における符号１は同軸コネクタ、６，７は中心導体、
１０，１１は張り出し部である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】外部導体と中心導体とが絶縁体を介して配
   置されて構成される同軸ケーブルそれぞれの端部に形成
   される同軸コネクタの接続構造において、 少なくとも前記一方の同軸コネクタの中心導体が前記同
   軸コネクタの絶縁体端面より外部に突出し、かつ、その
   突出した位置において前記同軸コネクタの外周方向に張
   り出す張り出し部を一体に備え、 前記一方の同軸コネクタと前記他方の同軸コネクタとが
   接続された際に、前記一方の同軸コネクタの中心導体の
   張り出し部面と前記他方の同軸コネクタの中心導体の端
   面とが対向する部分にキャパシタンスを保持するように
   構成してなることを特徴とする同軸コネクタの接続構
   造。