JPH0650919A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH0650919A JPH0650919A JP22486292A JP22486292A JPH0650919A JP H0650919 A JPH0650919 A JP H0650919A JP 22486292 A JP22486292 A JP 22486292A JP 22486292 A JP22486292 A JP 22486292A JP H0650919 A JPH0650919 A JP H0650919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- thickness
- metal oxide
- oxide semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス感応性膜として金属酸化物半導体薄膜を
形成させたガスセンサにおいて、それの耐湿性を向上さ
せる。 【構成】 アルミナなどの絶縁性基板上に形成させた一
組の電極を覆うSnO2などの金属酸化物の半導体薄膜上に
SiO2膜を積層し被覆したガスセンサ。
形成させたガスセンサにおいて、それの耐湿性を向上さ
せる。 【構成】 アルミナなどの絶縁性基板上に形成させた一
組の電極を覆うSnO2などの金属酸化物の半導体薄膜上に
SiO2膜を積層し被覆したガスセンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスセンサに関する。
更に詳しくは、ガス感応性膜として金属酸化物半導体薄
膜を形成させたガスセンサに関する。
更に詳しくは、ガス感応性膜として金属酸化物半導体薄
膜を形成させたガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ガスセンサのガス感応性膜と
して酸化錫膜、酸化亜鉛膜などの金属酸化物半導体の焼
結体物が実際に用いられている。これらのガス感応性膜
にあっては、そこにＶ，Ｆなどの種々の添加物を加え
て、センサ特性の湿度依存性を抑制することが行われて
いる。しかしながら、この方法ではガス感応性膜と水蒸
気との間の接触状態に変化がみられないので、耐湿性を
向上させることとは無関係である。
して酸化錫膜、酸化亜鉛膜などの金属酸化物半導体の焼
結体物が実際に用いられている。これらのガス感応性膜
にあっては、そこにＶ，Ｆなどの種々の添加物を加え
て、センサ特性の湿度依存性を抑制することが行われて
いる。しかしながら、この方法ではガス感応性膜と水蒸
気との間の接触状態に変化がみられないので、耐湿性を
向上させることとは無関係である。
【０００３】一方、ガス感応性膜と水蒸気との間の接触
度合を低下させる目的で、ガスセンサへ導かれる被測定
ガス用のフィルタとこのフィルタの熱を下げる除熱手段
を設け、被測定ガスをフィルタにおいて冷却し、水分を
結露させた後ガスセンサに導くことも提案されているが
(特開昭63-233,359号公報)、この方法ではわざわざフィ
ルタの除熱手段を必要としている。
度合を低下させる目的で、ガスセンサへ導かれる被測定
ガス用のフィルタとこのフィルタの熱を下げる除熱手段
を設け、被測定ガスをフィルタにおいて冷却し、水分を
結露させた後ガスセンサに導くことも提案されているが
(特開昭63-233,359号公報)、この方法ではわざわざフィ
ルタの除熱手段を必要としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ガス
感応性膜として金属酸化物半導体薄膜を形成させたガス
センサにおいて、それの耐湿性を向上させることにあ
る。
感応性膜として金属酸化物半導体薄膜を形成させたガス
センサにおいて、それの耐湿性を向上させることにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
絶縁性基板上に形成させた一組の電極を覆う金属酸化物
半導体薄膜上に、二酸化けい素膜を積層し被覆したガス
センサによって達成される。
絶縁性基板上に形成させた一組の電極を覆う金属酸化物
半導体薄膜上に、二酸化けい素膜を積層し被覆したガス
センサによって達成される。
【０００６】絶縁性基板としては、アルミナ、窒化アル
ミニウムなどが用いられ、これらの基板上には、例えば
金ペーストの厚膜を所定形状に印刷するなどの方法で一
組の電極、一般には対向くし形電極が形成される。
ミニウムなどが用いられ、これらの基板上には、例えば
金ペーストの厚膜を所定形状に印刷するなどの方法で一
組の電極、一般には対向くし形電極が形成される。
【０００７】一組の電極を覆う金属酸化物半導体薄膜と
しては、膜厚が約150〜500nmのSnO2などが用いられる。
半導体薄膜の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などによりSnO2膜などを直接形
成させる方法、金属Sn膜などを形成させた後、熱処理し
て酸化する方法あるいはSnを含む有機金属モノマーをプ
ラズマ重合させてプラズマ重合膜を形成させ、これを熱
処理する方法(特開昭63-261,148号公報)などによって行
われる。
しては、膜厚が約150〜500nmのSnO2などが用いられる。
半導体薄膜の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などによりSnO2膜などを直接形
成させる方法、金属Sn膜などを形成させた後、熱処理し
て酸化する方法あるいはSnを含む有機金属モノマーをプ
ラズマ重合させてプラズマ重合膜を形成させ、これを熱
処理する方法(特開昭63-261,148号公報)などによって行
われる。
【０００８】こうした金属酸化物半導体薄膜上には、こ
の薄膜の膜厚の約2〜5倍に当たる約0.3〜2.5μmの膜厚
を有する二酸化けい素膜が積層され被覆する。二酸化け
い素膜の膜厚がこれ以下では、湿度依存性が依然として
大きく、またこれ以上の膜厚にすると、湿度依存性は小
さいものの、被検ガスに対する感度が低下するようにな
る。このような膜厚の二酸化けい素膜の形成は、ＣＶＤ
法やスクリ−ン印刷法などによって行われる。
の薄膜の膜厚の約2〜5倍に当たる約0.3〜2.5μmの膜厚
を有する二酸化けい素膜が積層され被覆する。二酸化け
い素膜の膜厚がこれ以下では、湿度依存性が依然として
大きく、またこれ以上の膜厚にすると、湿度依存性は小
さいものの、被検ガスに対する感度が低下するようにな
る。このような膜厚の二酸化けい素膜の形成は、ＣＶＤ
法やスクリ−ン印刷法などによって行われる。
【０００９】
【発明の効果】ガス感応性膜としての金属酸化物半導体
薄膜上に、これに密着した形の二酸化けい素膜を積層し
被覆することにより、水蒸気のガス感応性膜への接触度
合いを低下させることで耐湿性の向上が図られており、
これによって水蒸気雰囲気中での経時的抵抗変化率をき
わめて小さなものとすることができる。
薄膜上に、これに密着した形の二酸化けい素膜を積層し
被覆することにより、水蒸気のガス感応性膜への接触度
合いを低下させることで耐湿性の向上が図られており、
これによって水蒸気雰囲気中での経時的抵抗変化率をき
わめて小さなものとすることができる。
【００１０】
【実施例】次に、実施例について本発明を説明する。
【００１１】実施例 アルミナ基板の表面上に、金ペーストの厚膜からなる対
向くし形電極を設け、この電極を覆うように、酸化錫膜
をプラズマＣＶＤ法により約300nmの膜厚で形成させ
た。次いで、この酸化錫膜上に、やはりプラズマＣＶＤ
法により、膜厚約1.5μmの二酸化けい素膜を形成させ
た。
向くし形電極を設け、この電極を覆うように、酸化錫膜
をプラズマＣＶＤ法により約300nmの膜厚で形成させ
た。次いで、この酸化錫膜上に、やはりプラズマＣＶＤ
法により、膜厚約1.5μmの二酸化けい素膜を形成させ
た。
【００１２】このようにして作製されたガスセンサにつ
いて、25℃、45%RHの水蒸気雰囲気中で、400℃の素子温
度での素子抵抗変化率を測定すると、図１に示されるよ
うな結果が得られた。この実施例での○、□、△は各サ
ンプルロットを示し、一方比較例(実施例においてSiO2
膜を設けないガスセンサ)においても同様である。
いて、25℃、45%RHの水蒸気雰囲気中で、400℃の素子温
度での素子抵抗変化率を測定すると、図１に示されるよ
うな結果が得られた。この実施例での○、□、△は各サ
ンプルロットを示し、一方比較例(実施例においてSiO2
膜を設けないガスセンサ)においても同様である。
【図１】実施例および比較例のガスセンサにおける経時
的素子抵抗変化率を示すグラフである。
的素子抵抗変化率を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成させた一組の電極を
覆う金属酸化物半導体薄膜上に、二酸化けい素膜を積層
し被覆してなるガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22486292A JPH0650919A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22486292A JPH0650919A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0650919A true JPH0650919A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16820335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22486292A Pending JPH0650919A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650919A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003060500A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas sensor freshness-keeping device |
| US7276745B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-10-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| US7412871B2 (en) | 2005-02-24 | 2008-08-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxidizing gas sensor and production method thereof |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP22486292A patent/JPH0650919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003060500A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas sensor freshness-keeping device |
| US7276745B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-10-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| US7412871B2 (en) | 2005-02-24 | 2008-08-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxidizing gas sensor and production method thereof |
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