JPH06509558A - 新規な芳香族多環式化合物及びヒト又は動物用医薬及び化粧料におけるそれらの使用 - Google Patents

新規な芳香族多環式化合物及びヒト又は動物用医薬及び化粧料におけるそれらの使用

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JPH06509558A
JPH06509558A JP4509841A JP50984192A JPH06509558A JP H06509558 A JPH06509558 A JP H06509558A JP 4509841 A JP4509841 A JP 4509841A JP 50984192 A JP50984192 A JP 50984192A JP H06509558 A JPH06509558 A JP H06509558A
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カルパンテイエ,ブルノー
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サントル・アンテルナシヨナル・ド・ルシエルシエ・デルマトロジツク・ガルデルマ・(セイエールデ・ガルデルマ)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
新規な芳香族多環式化合物及びヒト又は動物用医薬及び化粧料におけるそれらの 使用技術分野 本発明は新規な芳香族多環式誘導体、それらの製造方法及びヒト及び動物用医薬 及び化粧料におけるそれらの使用を要旨とする。 背景技術 これらの新規化合物は、角化疾患(分化−増殖)に関連した皮膚病状態の局所及 び全身処置に及び炎症及び/又は免疫アレルギー成分を有する皮膚病状態等の局 所及び全身処置に及び結合組織の変性疾患に応用されしかも抗腫瘍活性を有する 。更には、これらの化合物は皮膚又は呼吸性であるかのアトピーの処置に及びリ ウマトイド乾磨の処置に使用される。 これらの化合物はまた眼科分野で特に角膜疾病の処置に応用される。 発明の開示 本発明の化合物は次の一般式(■): (式中R1は(i)水素原子、(i)基−CH3、(i)基−CH2−0−Re (但しR8は水素原子又は低級アルキル基を表わす)、基、モノ−又はポリヒド ロキシアルキル基、随意に置換されたアリール基又はアミノ酸残基又は糖残基を 表わしあるいは別の場合には一緒に結合して複素環を形成する)、(c)基−0 R1+(但しR11は水素原子、1〜20個の炭素原子を存する直鎖又は分枝鎖 アルキル基、モノ−又はポリヒドロキシアルキル基、随意に置換されたアリール 又はアラルキル基又は糖残基又はアミノ酸残基を表わす)を表わす〕、及び(v i)基−5(0)tRs (但しtは0.1又は2であり、R8は前述の如くで ある)を表わし、 R2は水素原子を表わし、 R3は水素原子、アリール基、アラルキル基又はヒト素原子、低級アルキル基、 ヒドロキシル基、低級アルる)を表わす) によって随意に置換された低級アルキル基を表わし、あるいは R2及びR3は一緒に結合してベンゼン核と共にナフタレン核を形成し、R4は 1〜15個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖アルキル基又は脂環式基を表わし 、R6は基−(CHz)n−Rs+、基−CH:CH−(CH2)n−Rt、又 は基−0(CHz)、−Rt4[但しnは0又は1〜6であり、mは1ル基又は ヒドロキシルがメトキシ又はアセトキシ形で随意に保護されたポリヒドロキシア ルキル基、エボキアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わし、R14は m〉2の時はヒドロキシル基、モノヒドロキシポリヒドロキシル化アルケニル基 を表わし、あるいはR2及びR3が一緒に結合しない時はmは0であることがで き及び/又はRt4は水素原子又は低級アルキル基を表わし得る〕を表わし、 R6及びR7は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は基−0R16を表 わし、 R5及びR6は更にR6がベンゼン核の3位に在る時はメチレンジオキシ環を形 成できる)によって表わすことができ、R1又はR13がカルボン酸官能基を表 わす時又はR14がアミン官能基を表わす時の式(1)の化合物の塩及び式(1 )の化合物のキラル同族体及びR2及びR8が一緒に結合されない時の前記化合 物の幾何学的異性体も提供される。 R1又はR13がカルボキシル官能基を表わす本発明の化合物が塩の形で存在す る時は、この場合アルカリ又はアルカリ土類金属の塩又は別の場合には亜鉛又は 有機アミンの塩である。 Rt4がアミン官能基を表わす時、この場合有機又は無機酸特に塩酸、硫酸、酢 酸、クエン酸、フマル酸、ヘミコハク酸、マレイン酸及びマンデル酸の添加によ り形成された製薬上又は化粧料上許容し得る塩である。 低級アルキル基は1〜6個の炭素原子を有するアルキル基を意味すると解され、 メチル、エチル、イソプロピル、ブチル及び第3級ブチル基であるのが好ましν 1゜ 低級アルコキシ基は1〜4個の炭素原子を有するアルコキシ基を意味すると解さ れ、特にメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ又はブトキシ基を意味すると解さ れる。 脂環式基は例えば1−メチルシクロベキシル又はl−アダマンチル基の如き一環 式又は多環式基を意味すると解される。 モノヒドロキシアルキル基は1〜6個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル基 特にヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、3− ヒドロキシプロピル、4−ヒドロキシブチル、5−ヒドロキシペンチル又は6− ヒドロキシヘキシル基を意味すると解される。 ポリヒドロキシアルキル基は3〜6個の炭素原子と2〜5個のヒドロキシ基とを 含有するポリヒドロキシアルキル基例えば2,3−ジヒドロキシプロピル、2, 3.4−トリヒドロキシブチル又は2,3,4.5−テトラヒドロキシペンチル 基又はペンタエリスリトール残基を意味すると解される。 アリール基は少なくとも1個のハロゲン原子、ヒドロキシル又はニトロ官能基に よって随意に置換されたフェニル基を意味すると解される。 アラルキル基は少なくとも1個のハロゲン原子、ヒドロキシル又はニトロ官能基 によって随意に置換されたベンジル又はフェネチル基を意味すると解される。 基R6及びR7がハロゲン原子を表わす時は、塩素、臭素又はフッ素原子である のが好ましい。 アミノ酸残基はリシン、グリシン又はアスパラギン酸から誘導した残基を意味す ると解される。 糖残基は例えばグルコース、ガラクトース又はマンノースから誘導した残基を意 味すると解される。 複素環は前述の如<Cl−C6アルキル基又はモノ−又はポリヒドロキシアルキ ル基によって4位で随意に置換されたピペリジノ、モルホリノ、ピロリジノ又は ピペラジノ基を好ましくは意味すると解される。 前記式(1)の化合物のうち、次の化合物を特に挙げ得る: 1) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピルオキシ)フ ェニル〕−2−ナフトエ酸塩酸塩;2) メチル6−(3−(1−アダマンチル )−4−(2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェニルツー2−ナフトニー ト;3) 6−(3−(1−アダマンチル) −4−(2,3−ジヒドロキシプ ロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエ酸;4) ベンジル6−(3−(1− アダマンチル)−4−メトキシカルボニルメチルオキシフェニル]−2−ナフト ニート;5) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルメチ ルオキシフェニル〕−2−ナフトエ酸;6) 6−(3−(1−アダマンチル) −4−カルボキシメチルオキシフェニル〕−2−ナフトエ酸; 7) メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロピル オキシ)フェニルツー2−ナフトニート;8) 6−[3−(1−アダマンチル )−4−(3−ヒドロキシプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエ酸;9)  メチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−ベンジルオキシカルボニルフェ ニル〕−2−ナフトニート:10)メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4 −カルボキシフェニル〕−2−ナフトニート; 11)メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチルフェニル 〕−2−ナフトニート; 12) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチルフェニル〕− 2−ナフトエ酸; 13) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−アセトキシメチルフェニル〕− 2−ナフトエ酸; 14)メチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニ ル〕−2−ナフトニート;15) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−メト キシカルボニルフェニル〕−2−ナフトエ酸; 16) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシフェニル〕−2−ナ フトエ酸; 17) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−カルボキサミドフェニル〕−2 −ナフトエ酸; 18)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルエチ ニルフェニル〕−2−ナフトニート;19) 6−(3−(1−アダマンチル) −4−(メトキシカルボニルエチル)フェニルツー2−ナフトエ酸;20)ベン ジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−エポキシプロピル)フェ ニル〕−2−ナフトニート;21) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−( 2−ヒドロキシプロピル)フェニルツー2−ナフトエ酸; 22) 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−メトキシ−2−ヒドロキ シプロピル)フェニルツー2−ナフトエ酸;23) 4−[(E)−2−(3− (1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル)4息11F酸; 24)ベンジル4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシ フェニル)プロペニル〕ベンゾエート;25) 4−((E)−2−(3−(1 −アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニル)−1−プロペニル)安息香M;2 6) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕− 2−ナフチルカルボキサミド;27)エチル4−[(E)−2−(3−(1−メ チルシクロヘキシル)−4−ヒドロキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート。 28)エチル4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−メ トキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート;29) 4−((E)−2−(3 −(1−メチルシクロヘキシル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香 酸;30)エチル4−((Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4 −ヒドロキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート:31)エチル4−((Z) −2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)=4−メトキシフェニル)プロペニ ル〕ペンツエート;32) 4−((Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキ シル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香M;33)エチル4−[( Z)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエ ート: 34) 4−[(E)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロ ペニル〕安息香酸。 35) 4−[(E)−2−(3−第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プ ロペニル〕安息香酸; 36) 4−[(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒドロ キシフェニル)エチニル〕安息香酸;37)エチル4−[(E)−2−(3−( 1−メチルシクロヘキシル)−4−(6−第3級ブトキシカルボニルペンチルオ キシ)フェニル)エチニル〕ベンゾエート; 38)エチル4−[(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)=4−( 6−カルボキシペンチルオキシ)フェニル)エチニル〕ベンゾエート; 39) 4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェ ニル)エチニル〕安息香酸; 40)ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(1,2−ジヒドロキシ エチル)フェニル〕−2−ナフトニート;41) 6−[3−(1−アダマンチ ル) −4−(1,2−ジヒドロキシエチル)フェニルツー2−ナフトエ酸; 42)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロピ ル)フェニル〕−2−ナフトニート;43) 6−[3−(1−アダマンチル)  −4−(3−ヒドロキシプロピル)フェニル]−2−ナフトエ酸; 44)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アセトキシプロピ ル)フェニル〕−2−ナフトニート。 45) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アセトキシプロピル)フ ェニルツー2−ナフトエ酸; 46)ベンジルfi−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロキ シプロピル)フェニル〕−2−ナフトニート;47) 6−(3−(1−アダマ ンチル) −4−(2,3−ジヒドロキシプロピル)フェニルツー2−ナフトエ 酸;48)N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−ベンジルオキシカルボニ ルナフチル)−2−(1〜アダマンチル)フェニルカルボキサミド; 49)N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−カルボキシナフチル)−2− (1−アダマンチル)フェニルカルボキサミド; 50) 6−(3−(1−アダマンチル) −4−(N、N−ジメチルカルバモ イル)フェニルツー2−ナフトエ酸;51)ベンジル6−(3−(1−アダマン チル) −4−(2(R)、 3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェニル〕− 2−ナフトニート: 52) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2(R)、 3−ジヒドロキ シプロピルオキシ)フェニルツー2−ナフトエ酸;53) 6−[3−(1−ア ダマンチル)−4,5−メチレンジオキシフェニル〕−2−ナフトエ酸; 54)N−エチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフ ェニル〕−2−ナフチルカルボキサミド;55) N、N−モルホリル6−(3 −(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕−2−ナフチルカ ルボキサミド; 55) 4−[(E)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロ ペニル〕フェニルカルビノール;及ヒ57) 4−[(E)−2−(3−第3級 ブチル−4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンジルアセテート。 本発明の要旨はまた式(1)の化合物の製造方法であR2及びR3が一緒に結合 してベンゼン核と共にナフタレン環を形成する式(1)の化合物はハロゲン化誘 導体(1)と式(2)のハロゲン化誘導体との間の結合反応によって得られる: (X及びYは塩素、臭素又はヨウ素原子を衰わす。)第1の段階においては、ハ ライド(1)をリチウム、マグネシウム又は亜鉛化合物に転化させ1次いでNe gishiらのJ、 Org、 Chem、(1977)42.1821によっ て記載されたビアリール結合条件によりニッケル又はパラジウム触媒の存在下で ハロゲン化誘導体に結合させる。 R2及びR3が一緒に結合していない式(I)の化合物はウイチッヒ(Witt ig)又はホーナーーエモシス(Horner−Emmons )反応を用いて 次の反応図式によって得られる(表I##照)。 これらのオレフィン化反応においては、E配置の幾何学的異性体は紫外線の照射 下に幾何学的Z配置の異性体の転化によってまた得られる。 これらの式において、R1、R4、R6及びR7は一般式について与えたのと同 じ意義を有するか又は結合条件と相溶性であるために部会長くは保護されている それの誘導体である。特に、置換基R5は第3級ブチルジメチルシリルオキシ又 はアルコキシ基の形で保護されたフェノールである。 次いで得られた誘導体は置換基R6の位置でTBDMS又はアルコキシ基の脱保 護によりフェノールに転化され、次いで以下に挙げた2種の方式の1つにより処 理する:i)ハライドと反応させる金属水素化物により、かくして得られたフェ ノールの処理、 i ) S、 CacchiらのTetrahedron Letter、19 116.27゜3931〜3934. W、 J、 5cottらのJ、 Or g、 Chem、、19115゜並、 2302〜2308 によって記載された一般的条件により、かくして得られたフェノールのトリフレ ートへの転化及びパラジウム触媒の存在下での親核置換(表■参照)。 R2及びR3が一緒に結合されていない場合には、表Iに記載されたオレフィン 化反応(ウィチッヒ又はホーナーーエモシス)前にこの親核置換反応を行なうの が好ましい。 本発明の要旨はまた、本発明の化合物の合成における中間生成物として次の化合 物である:6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピルオキシ )フェニル〕−2−ナフトエ酸、 3−(1−アダマンチル)−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン− 4−メチルオキシ)ブロモベンゼン、及びメチル6−(3−(1−アダマンチル )−4−(2,2−ジメチル−1゜3−ジオキソラン−4−メチルオキシ)フェ ニル〕−2−ナフトニート。 本発明の要旨はまた医薬生成物として前述の如き式(1)の化合物である。 本発明の化合物は光線及び酸素に対して良好な安定性を存する。 これらの化合物はマウスの胚奇形ガン腫細胞(R9)の分化の試験(Cance r Re5earch 43. p、5268.1983)に活性を有し及び/ 又はマイスにおけるTPAによる誘発後にオルニチンデカルボキシラーゼの抑制 試験(CancerResearch 38. p793〜801.19711 )に活性を有する。これらの試験はそれぞれ細胞の分化及び増殖領域で該化合物 の活性を示す。 本発明の化合物は次の処置領域で特に適当である:1)分化及び増殖に作用する 角化疾患に関連する皮膚病状態を処置するため、特に尋常性座癒、面飽型座癒、 多形座癒、小節(nodulokystic)座癒、球状座癒、老人性座瘉、二 次挫癒例えば太陽による座癒、薬物性座癒1wt業上の座癒を処置するため。 2)他の型式の角化疾患、特に魚鱗癖、煮鱗簿型の状態、ダリエー病、手掌足底 角化症、白斑及び白斑様状態、皮膚又は粘膜の苔癖を処置するため。 3)炎症性及び/又は免疫アレルギー性成分と共に゛ 角化疾、壱に関連する他 の皮膚病状態を処置するため及び特に皮膚、粘膜又は爪の乾鮮の全ての形態及び 関節症の乾癖さえ又は皮膚のアトピーさえ例えば湿疹又は呼吸性アトピー又は歯 肉の肥大を処置するため;該化合物は角化疾患を示さない成る炎症状態でも使用 できる。 4)良性又は悪性であろうとウィルス性起源のものであろうと全ての皮膚又は表 皮増殖例えば尋當性イボ、扁平イボ及びイボ状表皮異形成、開花性口腔乳頭腫症 及び特に基底及び在線細胞の上皮腫の場合に紫外線によっても誘発され得る増殖 を処置するため。 5)人癌(ballous)皮膚病及び膠原病の如き他の皮膚疾病の処置のため 。 6)成る眼科疾病特に角膜病を処置するため。 7)光線で誘発されるか又は年月によるかの皮膚の老化を回復及び調節するため 又は化学作用の色素沈着及び角化症を減少させるため。 8)局所的又は全身的コルチコステロイドによって誘発される表皮及び/又は皮 膚萎縮の斑点又は何れか別の形態の皮膚萎縮を防止又は治癒するため。 9)III痕化疾患を防止又は処置するため、ビビス(vibices)を防止 且つ回復するため。 10)座癒型過度脂漏又は通常の脂漏の如き皮脂機能の疾患を′r!4節するた め。 11)特に皮膚におけるガン又は前ガン状況の処置に。 12)関節炎の如き炎症状態の処置に。 本発明の要旨はまた前述した如き式(1)の化合物の少なくとも1種又はその塩 の1種を含有する医薬組成物である。 それ故本発明の要旨は、製薬上許容し得る担体中に式(1)の少なくとも1種の 化合物及び/又はその塩の1種を含有することを特徴とする、前記疾病状態の処 置に特に意図した新規な医薬組成物である。 本発明の化合物は1回〜3回の投与で体重1kg当り約0.01mg=100m gの毎日の投薬量で一般に投与される。 投与は経腸的に、非経口的に、局所的に又は眼で行なうことができる。経腸投与 については、医薬組成物は錠剤、硬質ゼラチン、カプセル、糖被覆錠剤、シロッ プ、懸濁物、溶液、粉末、顆粒、乳液又は徐放性とさせ得る脂質又は重合体状の 微小球又は小球又は小胞の形で提供し得る。非経口投与については、医薬組成物 は注輸又は注射用に溶液又は懸濁物の形で提供し得る。 局所投与については、本発明の化合物を基剤とする製薬組成物は皮膚及び粘膜の 処置に意図されしかも軟膏、クリーム、ミルク、ポマード、粉末、含浸パッド、 溶液、ゲル、スプレー、ローション又は懸濁物の形で提供される。該組成物はま た徐放性とさせ得る脂質又は重合体状微小球又は小球又は小胞又は重合体粘剤又 はヒドロゲルの形で提供される。 局所投与用のこれらの組成物は臨床の適用により無水形で又は水性形の何れかで 提供し得る。 眼への投与には、該組成物は主として点眼剤である。 これらの組成物は前述の如き式(1)の化合物の少なくとも1種又はその塩の1 種を、組成物の全重量に関して好ましくは0.001〜5%の濃度で含有する。 本発明の式(I)の化合物はまた化粧料分野で特に人体及び毛髪の手入れに且つ 特に座癒を発生する傾向を有する皮膚の処置に、毛髪の再成長)こ、毛髪減損の 防除に、皮膚又は毛髪の脂肪性外観を調節するのに、太陽の悪影響から保護する のに及び生理的に乾燥した皮膚の処置に応用される。 それ故本発明は化粧料上許容し得る担体中に式(I)の少なくとも1種の化合物 又はその塩の1種を含有する化粧料組成物にも関し、この組成物は特にクリーム 、ミルク、ローション、ゲル又は脂質又は重合体状微小球又は小球又は小胞、石 ケン又はシャンプーの形で提供される。 化粧料組成物中の式(1)の化合物の濃度は0.001〜3重量%であるのが好 ましい。 本発明の製薬組成物及び化粧料組成物は不活性な添加剤又は薬力学的に又は化粧 料的に活性な添加剤さえ又はこれらの添加剤の組合せ体を含有でき、これらの添 加剤には特に次の成分がある。湿潤剤、脱色剤例えばハイドロキノン、アゼライ ン酸、カフェー酸、コウジ酸、軟化剤、調湿剤例えばグリセロール、PEG40 0、チアモルホリノン及びその誘導体又は尿素;抗脂漏剤又は抗座癒剤例えばS −カルボキシメチルシスティン、S−ベンジルシステアミン、それらの塩及びそ れらの誘導体、チオキソロン又はベンゾイルパーオキシド;抗生物質例えばエリ スロマイシン及びそのエステル、ネオマイシン、クリンダマイシン及びそのエス テル、テトラサイクリン;抗カビ剤例えばケトコナゾール又は4.5−ポリメチ レン−3へイソチアゾリノン;毛髪の再成長を促進する薬剤例えば“ミノキシジ ル”(2,4−ジアミノ−6−ビベリジノビリミジン3−オキシド)及びその誘 導体、ジアゾキシド(7−クロロ−3−メチル−1,2,4−ベンゾチアジアジ ン1,1−ジオキシド)及びフェニトイン(5,5−ジフェニル−2,4−イミ ダゾリジンジオン);ステロイド系及び非ステロイド系抗炎症剤;カロチンイド 及び特にβ−カロチン;抗乾鮮剤例えばアンスラリン及びその誘導体及び5,8 ,11.14〜エイコサテトライン酸及び5. it、 11−エイコサトリイ ン酸、それらのエステル及びそれらのアミド又は抗刺激剤例えばα−ヒドロキシ 酸の誘導体及び特にマンデル酸の誘導体。 本発明の組成物はまた芳香増進剤、防腐剤例えばp−ヒドロキシ安息香酸エステ ル、安定化剤、湿分調節剤、pH91節剤、浸透圧改良剤、乳化剤、UV−A及 びUV−B遮光剤、抗酸化剤例えばα−トコフェロール、ブチル化ヒドロキシア ニソール又はブチル化ヒドロキシトルエンを含有できる。 本発明の式(1)の活性化合物の製造の若干の実施例並びに該化合物を含有する 組成物の実施例を例として以下に示し且つ制限を意味するものではない。 スJ虻倒1 : 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピル オキシ)フェニル〕−2〜ナフトエ酸塩酸塩。 a)メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(N−)ジフェニルメチル− 3−アミノプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトニート 360mg(12ミリモル)の水素化ナトリウム(油中の80%)と50mQの DMFとを三ツ首の丸底フラスコに導入した。 75+nQのDMPに溶かした4、1g(10ミリモル)のメチル6−[3−( 1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニルツー2−ナフトニートの溶液を窒 素流下に滴加し、該混合物をガスの発生が止むまで攪拌した。50m12のDM Fに溶かした42g(11ミリモル)のN−トリフェニルメチル−3−ブロモプ ロピルアミンの溶液を次いで滴加し、該混合物を8時間室温で攪拌した。反応媒 質を水にそそぎ、エチルエーテルで抽出し、沈降が生起した後に存機相を分離し 、水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、蒸発させた。 得られた残渣はシリカクロマトグラフィーにより精製し、ジクロロメタンとヘキ サンとの混合物(40/60)で溶離した。溶剤の蒸発後に、4.7g(66% )の予期された生成物を回収し、該生成物は1611〜9℃で溶融した。 b) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(N−hリフェニルメチル−3− アミノプロピルオキシ)フェニルツー2−ナフトエ酸 4゜5g(6,3ミリモ ル)の前記生成物と100mQの2Nメタン−ル性水酸化ナトリウムとを丸底フ ラスコに装入した。 該混合物を4時間還流させ、蒸発乾固させ、残渣を水に溶解させ、濃塩酸でpH =1に酸性化した。沈澱した固体を濾過し、水洗し、次いで20mQのアセトン で洗浄した。五酸化溝の存在下に乾燥後に、243〜4℃の融点の予期した酸4 .1g(93%)を回収した。 c) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピルオキシ)フ ェニル〕−2−ナフトエ酸 2.8g(4ミリモル)の前記酸と200mM(7)酢酸と100mMの6N塩 酸とを丸底フラスコに装入した。該混合物を12時間還流させ、反応混合物を冷 却し、固体を濾過した。 得られた固体を30mQの水に装入し、pHを5に調節し、固体を濾過し、水洗 し、次いで100mMのアセトンで洗浄し、五酸化溝の存在下に乾燥させた。  1.6g(89%)の予期した酸を回収し、これは分解を伴なって294〜7℃ で溶融した。 d) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピルオキシ)フ ェニル〕−2−ナフトエ酸塩酸塩。 455mg(1ミリモル)の前記生成物と100uQのメタノールとを丸底フラ スコに装入した。イソプロピルアルコール中の塩酸(2N)の溶液をpH=1と なるまで滴加し、反応媒質を蒸発乾固させた。残渣を20mΩのアセトン中で慣 砕き、得られた固体を濾過し、50muのエチルエーテルで洗浄させ、真空下に 80℃で乾燥させた。430mg(88%)の予期した塩酸塩を回収し、これは 分解を件なって303〜6で溶融した。 大嵐班旦: メチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロ キシプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトニート a) 3−(1−アダマンチル)−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソ ラン−4−メチルオキシ)ブロモベンゼン11.2g(39ミリモル)の3−ト シルオキシ−1,2−プロパンジオールアセトニドを、4.95g(35,8ミ リモル)の炭酸カリウムを含有する140mMのジメチルホルムアミド中の10 g(32,5ミリモル)の3−(l−アダマンチル)−4−ブロモフェノールの 溶液に攪拌しながら滴加した0反応媒質を100℃で一夜放置させ、次いで氷冷 水にそそぎ、エーテルで抽出した。有機相を洗浄し、乾燥し、蒸発させた後に、 残渣をジクロロメタン/ヘキサン混合物(5゜150)中でシリカ上でクロマト グラフィーにかけると7.5g(55%)の予期した生成物を得、これは90. 6℃で溶融した。 b)メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,2−ジメチル−1,3 −ジオキソラン−4−メチルオキシ)フェニル〕−2−ナフトニート。 50mQのテトラヒドロフランと300mMのジブロモエタンとに入れた7、4 g(17,6ミリモル)の3−(1−アダマンチル)−4−(2,2−ジメチル −1,3−ジオキソラン−4−メチルオキシ)ブロモベンゼンを、100mMの THP中の962mgのマグネシウム含有三ツ首丸底フラスコに窒素下に添加し た。 該混合物を1時間30分還流させ、放冷し、5.09g(37,6ミリモル)の 塩酸亜鉛を添加し、該混合物を1時間攪拌し、50mQのTHF中の9.97g (37,6ミリモル)のメチル6−ブロモ−2−ナフトニート次いで300mg のN1CQ2/DPPE錯体を連続的に添加した。該混合物を室温で8時間攪拌 させ、塩化アンモニウムの飽和水溶液にそそぎ、エーテルで抽出し、有機相を洗 浄し、蒸発させた。残渣をヘキサン/ジクロロメタン混合物(70/30)中で シリカ上でクロマトグラフィーにかけると8℃g(89%)の予期した誘導体を 得、これは116〜118℃で溶融した。 C)メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロキシプロ ピルオキシ)フェニル]−2−ナフトニート。 4.8g(9,15ミリモル)のエステル(2b)を90mQの40%ギ酸水溶 液に懸濁させた。該混合物を48時間100℃で加熱した。反応媒質を水にそそ ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機相を水で洗浄し、乾燥させ、蒸発した後に、残 渣をCH□CL/THF溶離剤(90/10)でシリカ上でクロマトグラフィー にかけると209.6℃で溶融する予期した誘導体3.2g(72%)を得た。 ス](但3 : 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロキ シプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエ酸。 実施例2(c)で得られたエステル3gを1.5gの水酸化ナトリウムの存在下 に60m12のメタノールに懸濁させた。 反応媒質を24時間還流した。メタノールの蒸発後に。 残渣を水に溶解させ、pH=1に酸性化しく濃HCΩ)、酢酸エチルで抽出した 。有機相を洗浄し、乾燥させ、蒸発させると酢酸エチルからの再結晶後に277 .8℃で溶融する予期した誘導体2.67g(92%)を得た。 大息■↓: ベンジル6− [3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボ ニルメチルオキシフェニル〕−2−ナフトニート。 a) ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニル〕− 2−ナフトニート。 400mMのDMF中の39.85g(0,1モル)の6−(3−(1−アダマ ンチル)−4−ヒドロキシフェニル〕−2−ナフトエ酸を窒素下に三ツ首丸底フ ラスコに装入し、油中の8o%NaH3,28を少量ずつ添加した。該混合物を 室温で1時間攪拌放置させ次いで13.2mu(0,11モル)の臭化ベンジル を滴加し、該混合物を室温で一夜攪拌放置した。反応媒質を氷冷水にそそぎ、1 .8Qのエーテルで抽出した。有機相を水洗し、乾燥させ、蒸発させた。残渣を ジクロロメタン/ヘキサン混合物(70/30)でシリカ上でクロマトグラフィ ーにかけて185〜186℃で溶融する予期した誘導体42.2g(79%)を 得た。 b) ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルメチ ルオキシフェニル〕−2−ナフトニート。 油中の80%水素化ナトリウム136mgを、100mΩのDMF中の8g(1 6ミリモル)のベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェ ニルツー2−ナフトニートの溶液に添加した。該混合物を1時間攪拌放置させ、 1.6mQ(16,4ミリモル)のメチルブロモアセテートを添加した。 反応混合物を一夜攪拌放置し次いで氷冷水にそそぎ、濃HCQでpH2に酸性化 した。該固体を濾過し、エーテルから再結晶した。8.52g(95%)の予期 した誘導体を回収し、これは183℃で溶融した。 大嵐且立: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルメチル オキシフェニル〕−2−ナフトエ酸。 ジオキサン/酢酸混合物(99/1)に溶解して実施例4で得られたジエステル 4.24g(7,sgミリモル)を7バールの水素圧で40℃で6時間800m gのPd−C(10%)で処理した。反応媒質を次いでセライト上で濾過し、蒸 発させ、水洗し、アセテート/テトラヒドロフラン混合物から再結晶した。 2 .94g(82%)の固体を単離し、これは283〜285℃で溶融した。 !JLfBi: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシメチルオキ シフェニル〕−2−ナフトエ酸。 実施例5で得たモノエステル1 g(2,1ミリモル)を50mQのn−ブタノ ール中の0.58gのKOHで処理した。該混合物を1時間30分100℃で加 熱し、次いでブタノールを蒸発させ、固体を50mQの水に溶解させ、濃H(4 でp)l=1に酸性化し、濾過した。乾燥し、エーテルで洗浄し、THPから再 結晶した後に、720mgの予期した生成物を単離し、これは332〜335℃ で溶融した。 1亙■L: メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプ ロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトニート。 油中の80%水素化ナトリウム77mg(2,55ミリモル)を、10mQのD MPに溶解したメチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニ ル〕−2−ナフトニートIg(2,42ミリモル)に添加した。1時間30分の 攪拌後に、230mQ(2,42ミリモル)のブロモプロパツールをこの反応媒 質に添加し、これを窒素下に室温で12時間攪拌放置した。 反応媒質を水にそそぎ、濃HCQでpH=1に酸性化し、酢酸エチルで抽出した 。有機相を水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、蒸発させた。残渣 をジクロロメタンでシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ジクロロメタン/ヘ キサン混合物から再結晶させると600mg(53%)の予期した誘導体を得、 これは201.9℃で溶融した。 遺」1偽8 : 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロ ピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエ酸。 30mflのn−ブタノールに懸濁させた実施例7で得られたエステル0.57 g(1,21ミリモル)を400mgの水酸化カリウムで処理した。反応混合物 を100℃で3時間加熱し次いで蒸発乾固させ、50+oQの水に溶解させ、エ ーテルで洗浄した。水性相を濃H(4でpH=1に酸性化し、600mQのエー テルで抽出した。有機相を水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、蒸 発させると0.49g(90%)の予期した酸を得、これは277〜279℃で 溶融した。 ス」1但」−: メチル6− [3−(1−アダマンチル)−4−ベンジルオキ シカルボニルフェニル]−2−ナフトニート。 a) メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−トリフルオロメチルスルホ ニルオキシフェニル〕−2−ナフトニート。 59mgのジメチルアミノピリジンと12mQのピリジンとを200mflのC H2Cf12中の19.8g(48ミリモル)のメチル6−[3−(1−アダマ ンチル)−4−ヒドロキシフェニル〕−2−ナフトニートに添加した。10mQ のcti2ci2中の9.7mQ(0,057ミリモル)のトリフルオロメタン スルホン酸無水物を、−70℃に冷却したこの溶液に窒素下に滴加した。温度を 攪拌しながら一夜室温に昇温させた。反応媒質を氷冷水にそそぎ、1αのエーテ ルで抽出した。有機相を酸溶液(IN HCQ)で洗浄し、次いで水でゆすぎ、 硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、蒸発させた。ジクロロメタン/ヘキサ ン混合物(40/60)でシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、同じ溶剤から 再結晶させた後に、23.5g(90%)の予期した生成物を得、これは185 .5℃で溶融した。 b) メチル6−(3−(1−アダマンチル)−4−ベンジルオキシカルボニル フェニル]−2−ナフトニート。 100mQのDMF、6.70m12(0,048ミリモル)のトリエチルアミ ン、270mg(5モル%)のパラジウムアセテート、1、33g(2,4ミリ モル)のジフェニルホスフィノフェロセン(DPPF)及び25mflのベンジ ルアルコールに入れた前記で得られたトリフレート13.11g(0,024ミ リモル)をオートクレーブ反応器に装入した。反応混合物を3バールの一酸化炭 素下で6時間70℃に加熱した0次いで反応媒質を飽和塩化ナトリウムで希釈し 、1懇のエーテルで抽出し、有機相をIN HCJIIで洗浄し次いで水洗し、 硫酸マグネシウム上で乾燥させ、蒸発させた。CH2CQ2/ヘキサン混合物( 40/60)でシリカ上でクロマトグラフィにかけた後に生成物を単離した。  9.15g(72%)の予期した誘導体を得、これは170℃で溶離した。 、大1目1則:メチル6− [3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシフェ ニルツー2−ナフトニート。 9On+Mのジオキサンと5+++1の酢酸とに入れた実施例9(b)で得られ たジエステル9.02g(17ミリモル)をオートクレーブ反応器に装入した6 次いで900mgのPd−C(10%)を添加し、該混合物を攪拌しながら7バ ールの水素圧で4時間70℃で処理した。触媒の除去後に、濾液を蒸発させ、残 渣を水洗し且つヘキサンで洗浄して6.81g(91%)の予期した誘導体を得 、これは239〜240℃で溶融した。 去11上し メチル6− [3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチル フェニル]−2−ナフトニート。 実施例IOで得られた酸の6.2g(0,014モル)を30mQのTHFに溶 解させ、THF中のBH3(IM) 49mQで処理した0反応媒質を12時間 還流させ次いで蒸発させ、900mQの水に溶解させ、35mQのIHH(4で 処理した。800+nQの酢酸エチルで抽出し、有機相を水洗し、蒸発させた。 残渣をジクロロメタンでシリカ上でクロマトグラフィーにかけると4.45g( 75%)の予期した誘導体を得、これは212℃で溶融した。 :1IUL!!1w: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチ ルフェニル〕−2−ナフトエ酸。 50mQのメタノールに入れた実施例11で得たエステル4、40g(103ミ リモル)を攪拌しながら4gの水酸化ナトリウムで1時間30分処理した。実施 例8と同じ処理をし、エタノール/水混合物から再結晶させた後に、3g(96 %)の予期した生成物を単離し、これは267〜270℃で溶融した。 1亙班旦: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−アセトキシメチルフェニル ]−2−ナフトエ酸。 12mQのピリジンに入れた実施例12で得られたアルコール2.42g(5, 87ミリモル)を0,63mQの塩化アセチルで30分間処理した。反応媒質を 氷冷水にそそぎ、酢酸エチルで抽出した。有機相を水洗し、硫酸マグネシウム上 で乾燥させ、蒸発させると、酢酸エチル/ヘキサン混合物から再結晶した後に1 .67g(63%)の生成物を得、これは251℃で溶融した。 大息班]: メチル5−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニル フェニル〕−2−ナフトニート。 30mQのDMPと1,54allのトリエチルアミンと8mMのメタノールと に入れた実施例9で得られたトリフレート(9a)の3 g(5,sミリモル) を63.8mg(5モル%)のパラジウムアセテート及び304.7mg(10 モル%)のジフェニルホスフィノフェロセンで処理し、次いで30分間70℃で 1バールの一酸化炭素圧にかけた0次いで反応媒質を塩化ナトリウム飽和溶液に そそぎ、エーテルで抽出した。有機相をIN HCl2で洗浄し、次いで水洗し 、乾燥させ、蒸発させた。残渣をシリカ上でクロマトグラフィーにかけると1. 9g(75%)の予期した誘導体を得、これは181〜182℃で溶融した。 、大膚目11: 6−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフ ェニル〕−2−ナフトエ酸。 0、34gの水酸化ナトリウムを、25mflのメタノールに入れた実施例14 のジエステル1.92g (4,22ミリモル)に添加し、該混合物を還流下に 24時間保持した。実施例8と同じ処理を行ない且つイソプロピルエーテル−酢 酸エチル混合物から再結晶させた後に、1.7g(91%)の予期した誘導体を 単離し、これは272〜273℃で溶融した0、寒m : 6−[3−(1−ア ダマンチル)−4−カルボキシフェニル]−2−ナフトエ酸。 2gの水酸化カリウムを、50mMのn−ブタノールに溶かした実施例15のジ エステル1.20g(2,72ミリモル)の溶液に添加し、該混合物を110℃ で24時間加熱した。 実施例8と同じ処理をし且つ酢酸エチル−THP混合物から再結晶させた後に、 6Q5+og(52%)の予期した誘導体を単離し、これは333〜335℃で 溶融した。 −案1目シュ: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−カルボキサミドフェニ ルクー2−ナフトエ酸。 a) メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−カルボキサミドフェニル〕 −2−ナフトニート。 15mQの塩化チオニルを実施例1Oで得られた酸1.91g(4,34ミリモ ル)に添加し、該混合物を40分間還流した。 蒸発乾固させ、固体の20m12のジクロロメタンに溶解させ、アンモニアガス を0℃で泡出させた0反応媒質を一夜室温に戻させ、次いで800mgのジクロ ロメタンを添加し、水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、蒸発させた。ヘキ サン/エーテル(50150)〜エーテル(100%)溶離勾配でシリカ上でク ロマトグラフィーにかけた後に、生成物を単離し、0.94g(49%)の予期 した生成物を得、これは285℃で溶融した。 b) 6−(3−(1−アダマンチル)−4−カルボキサミドフェニル〕−2− ナフトエ酸。 実施例15に記載した方法に従って、935mg (2,1ミリモル)の前記エ ステルをケン化した。得られた固体を無水エタノールから再結晶させた。 4S Omg(50%)の標記誘導体を得、これは322〜325℃で溶融した。 1亘■■: ベンジル6− [3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボ ニルエチニルフェニル〕−2−ナフトニート。 a) ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−1−リフルオロメチルス ルホニルオキシフェニル)−2−ナフトニート。 59mgのジメチルアミノピリジンと12mQのピリジンとを、150nllの CH2Cf12に溶かした実施例4(a)のフェノール23.5g(48ミリモ ル)の溶液に添加し、次し為でこの溶液を一70℃にし、10mMのCH2CQ zに入れた9、70all(57,7ミリモル)のトリフルオロメタンスルホン 酸無水物を添加した。反応媒質を攪拌しながら一夜室温に戻させ。 次いで氷冷水にそそぎ、IQのエーテルで抽出した。 有機相を水洗し、乾燥させ、蒸発させた。残渣をCH2CQ2/ヘキサン混合物 (40/60)でシリカ上でクロマトグラフィーにかけた。ジクロロメタン/ヘ キサンを毘合物から再結晶させた後に、25.86g(87%)の標記誘導体を 単離し、これは132℃で溶融した。 b)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(メトキシカルボニルエチ ニル)フェニル〕−2−ナフトニート。 6.7n+Q(74,3ミリモル)のメチルアクリレートと15.5mMのトリ エチルアミン(0,11ミリモル)と521mgのPd(PPhs)2+4zと を、100mgのDMFに入れたtt−sag(18,58ミリモル)の前記化 合物に添加した。該混合物を5日間90℃に加熱した0反応媒質を氷冷水にそそ ぎ、1.20の酢酸エチルで抽出した。存機相を洗浄し、乾燥させ、蒸発させる と、CH2CQ2/ヘキサン混合物(40/60)でシリカ上でクロマトグラフ ィーにかけた後に6.2 g (62%)の標記誘導体を得、これは159℃で 溶融した。 1LLu: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(メトキシカルボニルエチ ル)フェニル〕−2−ナフトエ酸。 334mgのPd−C(10%)を、50allのジオキサンと1mMの酢酸と に溶かした実施例1g(b)のジエステル2.23g(4ミリモル)の溶液に添 加し、反応混合物を70℃で5時間7バールの水素圧下に攪拌した6反応媒質を セライト上で濾過し、蒸発させた。濾液を水洗し、乾燥させると酢酸エチルから 再結晶させた後に1.65g(82%)の標記誘導体を得、これは259℃で溶 融した。 1息五赳: ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−エポキ シプロビル)フェニル〕−2−ナフトニート。 a)ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−,4−(2−プロペニル)フェ ニル〕−2−ナフトニート。 6、4mQ(0,02モル)のアリルトリブチル錫及び1.70gの塩化リチウ ムを、60mAのDMPに溶かした実施例1g(a)の化合物1.24g(0, 02モル)の溶液に添加し、該混合物を不活性雰囲気下に室温で30分間攪拌放 置した0次いで2110mg(0,4ミリモル)のPdCRz(P(CsHs) 3)2を添加し、該混合物を40分間100℃まで徐々に加熱した1反応媒質を 氷冷水にそそぎ、ICのエーテルで抽出した。有機相を水洗し、乾燥し、蒸発さ せた。残渣をヘキサン/エーテル混合物(9515)でシリカ上でクロマトグラ フィーにかけると115℃で溶融する標記誘導体11.6g(95%)を得た。 b)ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−エポキシプロビ ル)フェニル〕−2−ナフトニート。 25mAのCH2CΩ2に溶かした前記で得られた誘導体2.56g(5ミリモ ル)を0℃で1.52gのメタクロロ過安息香酸で処理した0反応媒質を攪拌し ながら12時間に亘って室温に戻させた6反応媒質をジクロロメタンで希釈し、 亜硫酸水素ナトリウムで洗浄し次いで重炭酸ナトリウムで洗浄した。有機相を乾 燥させ、蒸発させた。得られた残渣をCH2CQ2/ヘキサン混合物(60/4 0)中でシリカ上でクロマトグラフィーにかけると118〜120℃で溶融する 標記誘導体1.91g(72%)を得た。 11■■: 6−[3−(1−アダマンチル>−44<2−ヒドロキシプロピル )フェニル〕−2−ナフトエ酸。 実施例20(b)で得られた誘導体1.40g(2,65ミリモル)を50mQ のジオキサン及び1mfiの酢酸に溶解させ、70℃で7バールの圧力で6時間 2110mgのPd−C(10%)の存在下に水素添加した。パラジウムを濾過 し、蒸発させた後に、残渣をエーテル/ヘキサン混合物(80/20)でクロマ トグラフィーにかけると、ヘキサンから再結晶させた後に、282℃で溶融する 523mg(45%)の標記生成物を得た。 1亙[: 6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−メトキシ−2−ヒドロ キシプロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸。 100+nQのメタノール/THF混合物(1/1)に入れた実施例20(b) のエステルIg(1,89ミリモル)を230mgの水酸化ナトリウムで処理し 、室温で一夜攪拌放置させ次いで3時間還流下に放置した。実施例1zで行なっ たのと同じ処理をし且つ酢酸エチル/ヘキサン混合物から再結晶させた後に、2 40〜242℃で溶融する標記誘導体0、65g(711%)を得た。 叉嵐且23 : 4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキ シフェニル)プロペニル〕安息香酸。 ’ a) 3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニルエタノン 150mgのトルエンに溶かした3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェ ニル安息香酸15.75g(0,055モル)を7.3mMの塩化チオニルで処 理し、100℃で3時間30分加熱した。 反応媒質を蒸発乾固させ、次いで30mQのへキサメチルホスホルアミド、8  mQ (0,0575モル)のテトラメチル錫及び22mgのPhCH2Pd( PPh3)2(4をこの蒸発残渣に窒素下で添加した0反応媒質を30分間65 ℃に加熱し1次いで一夜室温で攪拌しながら放置した。反応媒質を水にそそぎ、 エーテルで抽出した。ジクロロメタン/ヘキサン溶離液(60/40)でシリカ 上でクロマトグラフィーにかけた後に、138〜140℃で溶融する標記誘導体 10.47g(71%)を単離した。 b) 4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル )プロペニル〕安息香酸。 油中の80%水酸化ナトリウム0.90g (0,03モル)を窒素下に250 mQの三ツ首丸底フラスコに装入し、15mQのジメトキシエタンに入れた8、  58g(0,03モル)のジエチル4−メトキシカルボニルベンジルホスホネ ートを滴加した。前記(a)で得られた誘導体8.53g(0,03モル)を次 いで添加し、該混合物を80℃で10時間加熱し、次いで室温で65時間放置し た0反応媒質を次いで水にそそぎ、lQの酢酸エチルで抽出し、pHが中性とな るまで水性相をゆすぎ、蒸発させた。ヘキサン/酢酸エチル混合物(9515) でシリカ上でクロマトグラフィーにかけた後に、3gのメチル4− [(Z)  −2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベン ゾエートと0.45gのメチル4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル) −4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエートとを単離した。 前記で得られた(E)配置のメチルエステル0.45g(1,1モル)を5mQ のメタノール中の0.2gの水酸化ナトリウムで処理し、3時間30分還流させ た。実施例1(b)と同じ処理を行ない且っTHF−エタノール混合物から再結 晶させた後に、307〜308℃で溶融する4−((E)−2−(3−(1−ア ダマンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香酸0.2g(52% )を単離した。 c) 4−[(Z)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル )プロペニル〕安息香酸。 3 g (7,2モル)のメチル4−[:(Z)−2−(3−(1−アダマンチ ル)−4−メトキシフェニル)プロペニル]ベンゾエートを50mQのメタノー ル中の4gの水酸化ナトリウムで処理し、2時間30分還流させた。蒸発後に1 反応媒質を実施例1(b)に記載した条件下で処理した。無水エタノールから再 結晶させた後に、267℃で溶融する2、4g(84%)の4−((Z)−2− (3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香酸を 単離した。 皇皇五■: ベンジル4−((E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メ トキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート。 900+nQのTHFに入れた実施例23(c)で得られた4−[(Z)−2− (3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香酸2 g(5ミリモル)を10時間室温でハノービ7 (HANOVIA)水銀ランプ (550W)によりUV下下前照射てE異性体とZ異性体との1/1混合物を得 た。 THFの蒸発後に、この混合物を油中の80%NaHの190mg(6ミ リモル)及び臭化ベンジル0.83mQ(7ミリモル)で処理した。 実施例1 (a)と同じ処理をし、続いてヘキサンから再結晶すると、230〜 240℃で溶融する0、54gのベンジル4−[(E)−2−(3−(1−アダ マンチル)−4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエートを単離した。 失嵐班並: 4−((E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシ フェニル)−1−プロペニル) 安息香酸。 a) 3−(1−アダマンチル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ フェニルエタノン 150+++Qのエーテルに入れた14.5 g (37,5ミリモル)の3− (1−アダマンチル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ安息香酸を 一20℃で75ミリモルのメチルリチウム(Et20中の1.6M)で処理した 。反応混合物を一夜室温で窒素下に攪拌放置し、次いで氷冷水にそそぎ、500 mgのエーテルで抽出した。Ir機相を水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ 、蒸発させるとエーテル/ヘキサン溶離液(50150)でシリカ上でクロマト グラフィーにかけた後に114.5℃で溶融する標記誘導体IZg(83%)を 得た。 b) 3−(1−アダマンチル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ フェニルエタノール 100mQのTHFに溶解しである実施例25(a)で得られた11.5g(3 0ミリモル)の誘導体を室温で2時間1.1 g (30ミリモル)のNaBH 4で処理した0反応媒質を蒸発させ、to O+oQのエーテルに溶解させ、水 洗し、乾燥させ、蒸発すると71〜72℃で溶融する9g(78%)の標記生成 物を得た。 c) 3−(1−アダマンチル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ エチルホスホニウムブロマイド50mQのメタノールに溶解しである実施例25 (b)で得られた9g(23,3ミリモル)の誘導体を8.2g(23,9ミリ モル)のトリフェニルホスフィンハイドロブロマイドで処理し、室温で一夜窒素 下に攪拌した0反応媒質を蒸発させ次いで残渣をエーテル中で慣り砕いて221 〜222℃で溶融する15.5g(93%)の標記誘導体を得た。 d) メチル4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−tert− ブチルジメチルシリルオキシフェニル)−1−プロペニル)ベンゾエート 50mnのTHPに溶解しである実施例25(c)で得られた3g(4,2ミリ モル)の誘導体を一40℃で2.9mΩのn−ブチルリチウム(ヘキサン中の1 .6M)で処理した0反応媒質を6時間に亘って20℃に戻させ、lOmQのT HF中の690mg(4,2ミリモル)のメチルp−カルボキサルデヒドベンゾ エートを添加し、窒素下に室温で一夜反応させた。実施例1(a)と同じ処理を 行ない、続いてヘプタンから再結晶した後に、144℃で溶融する0、6gの標 記誘導体を単離した。 e) 4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニ ル)−1−7’ロペニル1 安息? 酸5+nQのTHFと5mQのメタノール とに溶解しである実施例25(d)で得られた0、6 g (1,15ミリモル )の誘導体を12mQの2N水酸化ナトリウムで処理した。反応媒質を室温で2 4時間攪拌放置させた。実施例8と同じ処理をし続いてシクロヘキサン/ジイソ プロピルエーテル混合物から再結晶させた後に、245〜246℃で溶融する1 50mg(32%)の標記誘導体を単離した。 !五■並: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニ ル〕−2−ナフチルカルボキサミド。 a) 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕− 2−ナフトエ酸クロライド 60m1lのトルエンに溶かした実施例15で得られた2、1g(4,77ミリ モル)の酸を0.70n+Q(9,65ミリモル)の塩化チオニルで処理した。 反応混合物を110℃で6時間加熱し次いで蒸発乾固させて2.22gの標記酸 クロライドを得た。 b> 6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕− 2−ナフチルカルボキサミド実施例26(a)で得られた0、74g(1,61 ミリモル)の酸クロライドをlOmQ、の水酸化アンモニウム33%水溶液に滴 加した。反応混合物を室温で一夜攪拌し次いで水にそそぎ、酢酸エチルで抽出し た。有機相をpHが中性となるまで水でゆすぎ、硫酸マグネシウム上で乾燥させ 、蒸発させた。ジクロロメタン/メタノール溶離剤(9515)でのシリカ上で クロマトグラフィーにかけた後に、270〜272℃で溶融する347mg(5 0%)の標記誘導体を単離した。 失嵐班H:エチル4−[(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4 −ヒドロキシフェニル)プロペニル]ベンゾエート。 a) 3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−tert−ブチルメチルシリル オキシフェニルエタノン 300mQのエーテル中の28.82 g (0,083モル)の3−(1−メ チルシクロヘキシル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ安息香酸を 窒素下に一20℃で0.166モルのメチルリチウム(エーテル中の1.6M) で処理した0反応溝合物を窒素下に一夜攪拌し次いで実施例25 (a)の如く 処理した。シリカ上で残渣を濾過した後に、22 g (76%)の標記生成物 を黄色油の形で単離した。 NMR(lH): δppm(CDCR3): 0,36(6H,s);1.0 4(9H,s);1.31(3H,s);1,47−1.75(8H,m);2 .19(2H,m)i2.56(3H,s); 6,84(IH,d); 7. 71(IH,d); 7.99(IH,s)。 b)エチル4−(2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−tert−ブ チルジメチルシリルオキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエートのZ及びE異性 体 400mfiのTHFに入れた実施例27(a)で得られた21 g (60ミ リモル)のケトンと21.6g(60ミリモル)のエチル4−エトキシカルボニ ルベンジルホスホネートと2.64gのクラウンエーテル(15−クラウン−5 )とよりなる混合物を、アルゴン下に50mQのTHF中のNaH(油中の80 %)の2.16g(72ミリモル)の懸濁物に滴加した0反応媒質を室温で36 時間窒素下に攪拌した。実施例23 (b)の如く同じ処理(ウィチッヒーホー ナー反応)をした後に、10.5g(35,5%)のZ異性体と2.52g(8 ,5%)のE異性体とを各々帯黄色油の形で単離した。 7、92g(16ミリモル)のZ異性体を実施例24に記載した条件下に24時 間Uv下に照射してZ異性体とE異性体との171混合物を得た。ヘキサン/エ ーテル溶離液(97/3)でシリカ上でクロマトグラフィーにかけた後に、3. 09gのエチル+−[(Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4− tert−’;’チルジメチルシリルオキシフェニル)プロペニル〕−ベンゾエ ートを油状物の形で単離し、2.7gのエチル4−[(E)−2−(3−(1− メチルシクロヘキシル)−4−tert−ブチルジメチルシリルオキシフェニル )プロペニル〕ベンゾエートを油状物の形で単離した。 NMR(IH):左l立僅 δppm(CDCQ3)+ 0.30(6H,s) −0,8g(6H,m); 1(9H,s); 1.18(2H,s);1.2 3(2H,m);1.33(3H,t); 1.99(2H,m); 2.2( 3H,s); 4.30(2H,q);6.41(IH,S); 6.8+1( ill、d); 6,90(IH,d);6.92(IH,5)i6.95(2 H,d); 7,74(2H,d)。 上Ju
【本 δ ppm(CDCQ3) 0.31(68,s);0,85(4 H,m);1(9H,s); 1.24(3H,s); IJI(2H,s);  1.38(3H,t);1.73(2H,m); 2,15(2H,m);  2.26(3H,s);4.36(2H,q);6.76(it(、s); 6 .79(IH,d); 7,23(IH,d); 7.39(2H,d);7. 46(LH,S); 8(2H,d)。 C) エチル4−[(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒ ドロキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート40muのTHFに入れた実施例 27(b)の7.22g(14,6ミリモル)のE異性体を16.5ミリモルの テトラブチルアンモニウムフルオライドで処理した。該混合物を室温で1時間3 0分攪拌放置した。実施例4(a)と同じ処理をし続いてヘキサンから晶出した 後に、131.2℃で溶融する4、 23g(76%)の標記誘導体を単離した 。 大嵐亘■: エチル4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)− 4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート 20mQのジメチルホルムアミド(DMP)に溶解しである実施例27((:) の2.20g(5,84ミリモル)のフェノールを194mg(6゜42ミリモ ル)の水素化ナトリウム(油中の80%)で処理し次いで0.365mQのヨウ 化メチルで処理した。 反応媒質を窒素下に室温で1時間30分間攪拌し、次いで実施例4(a)の如く 処理した。ジクロロメタン/ヘキサン溶離液(60/40)でシリカ上でクロマ トグラフィーにかけ且つヘキサンから再結晶した後に、60〜62℃で溶融する 1、56g(81%)の標記誘導体を得た。 亙亙班用: 4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−メ トキシフェニル)プロペニル〕安息香酸実施例28で得られた1、71 g ( 4,36ミリモル)の誘導体を25mQのメタノール中の2.06gの水酸化ナ トリウムで処理した。反応媒質を室温で24時間攪拌し次いで1時間還流した。 実施例8と同じ処理をした後に、242〜244°Cで溶融する1、20g(7 5%)の標記誘導体を単離した。 大豊血皿: エチル4−((Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)− 4−ヒドロキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート 40mQのTHFに溶解しである実施例27(b)で得られた2、 20g(4 ,46ミリモル)のZ異性体を、実施例27 (c)に記載した条件下で4.9 1ミリモルのテトラブチルアンモニウムフルオライドで処理して、ヘキサンから の晶出後に、123.5℃で溶融する1、25g(74%)の標記誘導体を得た 。 スJ1匹刀エ エチル4−[(Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル) −4−メトキシフェニル)プロペニル〕ベンゾエート+5mQのDMFに溶解し た実施例30の1.23 g (3,25ミリモル)の誘導体を533mgの炭 酸カリウム及び0,75mQのヨウ化メチルで処理した。反応媒質を室温で48 時間攪拌させ次いで24時間50℃に加熱した。実施例2(a)と同じ処理を行 ない。続いてヘキサン/エーテル溶離液(9515)でシリカ上でクロマトグラ フィーにかけた後に、帯黄色油の形で709mg(56%)の標記誘導体を単離 した。 NMR(LH) : δ ppm(CDCR3): 1.1(2H,m); 1 .19(3H,s);1.25(4H,m);1.31(3H,t); 1.3 4(2H,n);1.99(2H,m)i2.22(3H,s); 3.8[3 H,s); 4.31(2H,q); 6.44(IH,s);6.110(I H,d)i 6.9g(4H,m);7,76(2H,d)。 u1ユニ 4−C(Z)−2−<3−<1−メチルシクロヘキシル)−4−メト キシフェニル)プロペニル:l 安息IF 酸15mQのメタノールに入れた実 施例31で得られた0、69g(1,フロミリモル)のエステルを1.58gの 水酸化ナトリウムで処理した。反応混合物を40℃で2時間攪拌した。 実施例8と同じ処理をした後に、175〜176℃で溶融する462mg(72 %)の標記誘導体を単離した。 ffi: エチル4−[(Z)−2−(3−(tert−ブチル−4−メトキシ フェニル)プロペニル]ベンゾエートa) 3−tert−フチルー4−メトキ シフェニルエタノン6、23 g (30ミリモル)の3−tert−ブチル− 4−メトキシフェニル安息香酸を実施例25(a)に記載した条件下に48mQ のメチルリチウム(エーテル中の1.6M)で処理すると帯黄色油の形で6.o lg(97%)の標記誘導体を得た。 NMR(IH): δppm(CDCQ3): 1.39(9H,s); 2. 56(3H,s);3.91(3H,s); 6,89(IH,d);7,82 (IH,d); 7.94(IH,d)。 b) エチル4−[(Z)−2−(3−tert−ブチル−4−メトキシフェニ ル)フロベニル〕ベンゾエート 実施例33(a)で得た6、Olg(29ミリモル)のケトンを実施例27(b )に記載した条件下に10.5g(35ミリモル)のジエチル4−エトキシ力ル ポニルベンジルホスホネートと反応させて帯黄色油の3.86 g (31i% )の標記誘導体と71.5℃で溶融する5、42g(53%)の異性体のエチル 4−[(E)−2−(3−tert−ブチル−4−メトキシフェニル)プロペニ ル〕ベンゾエートとを得た。 NMR(IH): δppm(CDCI23)+ 1.26(9H,S); 1 ,32(3H,t);2.22(3H,s); 3.85(3H,s); 4. 30(2H,q); 6.44(IH,s);6.80(IH,d); 7.0 3(4H,m);7.71!(2H,d)。 1嵐血旦: 4− [(Z)−2−(3−tert−ブチル−4−メトキシフェ ニル)プロペニル) 安息fF M 2Om12のメタノールに入れた実施例33(b)で得られた1、 21g(3 ,43ミリモル)のZ異性体を1.60g(7)水酸化ナトリウムで処理し、1 時間30分還流させた。実施例8と同じ処理をし、続いてエタノール/水混合物 から再結晶させた後に、1112〜184℃で溶融する0、 96 g (87 %)の標記誘導体を単離した。 裏嵐■廷: 4−[(E)−2−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェ ニル)プロペニル) 安息香酸 40mQのDMP中の、実施例33(b)で得られたEエステル2 g (5, ロアミリモル)に1.84gのリチウムメタンチオレートを添加した。反応混合 物を窒素下、120’Cで4時間攪拌した。実施例8と同様の処理を行った後、 エーテル/ヘキサン溶離剤(110/20)を使用してクロマトグラフィーを行 うことにより、4−(2−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル) プロペニル〕安息香酸のE及びZ異性体を83°17の割合で単離した。ヘキサ ン/エーテル混合物からの再結晶により、209℃で溶融する所望の誘導体22 5mgを得た。 大息■用: 4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒ ドロキシフェニル)エチニル〕安息香酸a) 4−tert−ブチルジメチルシ リルオキシ−3−(l−メチルシクロヘキシル)ベンズアルデヒド 1、54gのマグネシウムを5ooraQ三つ口丸底フラスコに装入しついで2 2.09g(57,7ミリモル〉の4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ −3−(1−メチルシクロヘキシル)ブロムベンゼンを含存する溶液を滴下瀘斗 を経て添加した。数滴のジブロムメタンを添加することにより反応を活性化した 。ついで4.45mΩ(57ミリモル)のDMPを添加した後、混合物を室温で 30分間攪拌した0反応媒体を水に注入しついで酢酸エチルで抽出した。有機相 を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、蒸発させついでシリカ上で、ジク ロルメタン/ヘキサン溶離剤(50150)を使用してクロマトグラフィーを行 うことにより、所望の誘導体16g(84%)を得た。 NMR(IH) +δppm(CDCR3) : 0.34(6H,s); 1 .02(9H,s);1.29(3H,s);1.41−1.73(8H,m) ; 2.08(2H,m)I6.811(IH,d)i 7.60(IH,d) ;7.83 (IH,d)。 b) エチル4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−t ert−ブチルジメチルシリルオキシフェニル)エチニル〕ベンゾエート 45mQのTHFに溶解させた、実施例361a)で得られたアルデヒド5gと 4.52g(15,06ミリモル)のジエチルエトキシカルボニルベンジルホス ホネートを、実施例27(b)に記載した条件下で、0.45gの水素化ナトリ ウム(油中80%)と0,05n+Qの15−クラウン−5で処理した。前記と 同一の処理を行い、シリカ上でジクロルメタン/ヘキサン溶離剤(20/80) を使用してクロマトグラフィーを行うことにより88.7℃で溶融する、所望の 誘導体4g(56%)を単離した。 c)エチル4−[(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒド ロキシフェニル)エチニル〕ベンゾエート35+++QのTHFに溶解させた、 実施例36(b)で得られた誘導体3.59g(7,5ミリモル)を実施例27 (c)に記載した条件下で7.5mQのテトラブチルアンモニウムフルオライド で処理した後、前記と同一の処理を行いついでヘキサンで処理して、148.5 ℃で溶融する所望の誘導体2.1g(77%)を得た。 d) 4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒドロキ シフェニル)エチニル〕安息香M 10mΩのメタノール中の、実施例36(c)で得られたエステル508mg( 1,39ミリモル)を1.05gの水酸化ナトリウムで処理した。反応混合物を 45分間還流させついで実施例8に記載のごとく処理した。ジイソプロピルエー テル/ヘキサン混合物から再結晶させて、229℃で溶融する、所望の誘導体2 65mg(57%)を得た。 i エチ# 4−[(E)−2−(3−(1−メ=f−ルツクOヘキシル)−4 −(6−tert−ブトキシカルボニルペンチルオキシ)フェニル)エチニル〕 ベンゾエート 30mQのDMP中の、実施例36(C)で得られたフェノール1.57g(4 ,34ミリモル)を1.3g(5,19ミリモル)のtert−ブチル6−ブロ ムヘキサノエート及び0.717gの炭酸カリウムで処理した。反応混合物を6 0℃で50時間攪拌した。 実施例1(a)と同一の処理を行った後、残渣をエーテル/ヘキサン(1578 5)溶離剤を用いてクロマトグラフィーにかけついでヘキサンから再結晶させて 、90〜91℃で溶融する所望の誘導体1.17g(51%)を得た。 −尖】11v: エチル4−((E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル )−4−(6−カルボキシペンチルオキシ)フェニル)エチニル〕ベンゾエート 30mQの四塩化炭素に溶解させた、実施例37で得られたジエステル0.73 g(1,37ミリモル)を0.23mQ(1,64ミリモル)のトリメチルシリ ルヨーダイトで処理した0反応混合物を窒素下、室温で18時間攪拌した。実施 例1と同一の処理を行った後、シリカ上で、溶離剤をジクロルメタンからジクロ ルメタン/エーテル混合物(9515)に変化させて傾斜溶離クロマトグラフィ ーを行って、112〜114℃で溶融する、所望の誘導体0.47g(72%) を得た。 失亘班用: 4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシ フェニル)エチニル) 安息香M a) 4−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−3−(1−アダマンチル) ベンズアルデヒド 2.6gのマグネシウムと0.05mQのジクロルメタンを300m12のTH F中の33g(78ミリモル)の3−(1−アダマンチル)−4−tert−ブ チルジメチルシリルオキシブロモベンゼンに添加しついで混合物を窒素下、3時 間30分還流させた。混合物を0℃に冷却した後、5.8mAの無水DMPを添 加しついで混合物を室温で1時間攪拌した。蒸発後、残渣を100mAの水に溶 解し、pH5まで酸性化し、エーテルで抽出し、ついで、有機相を水で洗浄しつ いで硫酸マグネシウム上で乾燥させた。121〜122℃で溶融する所望の誘導 体22.3g(77%)が単離された。 1)) エチル4−[(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−tert −ブチルジメチルシリルオキシシフェニル)エチニル]ベンゾエート 3.7g(10ミリモル)の、実施例39(a)で得られたアルデヒド、3gの ジエチル4−エトキシカルボニルベンジルホスホネート及び44mgの15−ク ラウン−5を、50mAのTHF中の290mgの水素化ナトリウム(油中80 %)の懸濁液に添加した。反応媒体を窒素下、室温で一夜攪拌した。 実施例27(b) と同様の処理を行いついでシリカ上で、エーテル/ヘキサン (20/80)溶離剤を使用するクロマトグラフィーにかけることにより、11 2〜113℃で溶融する所望の誘導体2.4g(46%)を単離した。 c) 4−((E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニ ル)エチニル] 安息IM 25n+Qのメタノール中の、実施例39(b)で得られたエステル2.4g( 4,6ミリモル)を1.84gの水酸化ナトリウムで処理した。反応混合物を6 時間還流させ、実施例3と同様に処理した後、シリカ上で、エーテル/ヘキサン (60/40)溶離剤を使用してクロマトグラフィーにかけることにより、27 9〜280℃で溶融する所望の誘導体1.26g(73%)を得た。 1皇14u・ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(1,2−ジヒド ロキシエチル)フェニル〕−2−ナフトニートa) ベンジル6−(3−(1− アダマンチル)−4−エチニルフェニル]−2−ナフトニート 280mQのDMF中の、実施例18(a)で得られた誘導体13.8g(22 ミリモル)を9.4mA(31ミリモル)のアルキルトリブチル錫、2.83g の塩化リチウム及び515mg(0,7ミリモル)のPdCf12(P(CgH s)3)2で処理した0反応混合物を窒素下、80℃で一夜加熱しついで154 mgの触媒と3,9mQのビニルトリブチル錫を添加しついで再び80℃で48 時間加熱した。実施例20(a) と同様に処理した後、シリカ上で、ジクロル メタン/ヘキサン(30/70)溶離剤を使用してクロマトグラフィーにかける ことにより、158〜160℃で溶融する所望の誘導体4.54g(41%)を 得た。 b)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(1,2−ジヒドロキシエ チル)フェニル〕−2−ナフトニート水5mΩ中の、実施例40 (a)で得ら れた誘導体2゜5g(5mQ)、15mQのtert−ブタノール及び0.4m 12のピリジンを、760mg(6,8ミリモル)のトリメチルアミンN−オキ シド及び25mgのオスミウムテトラオキシドで処理した。 反応混合物を6時間還流させついで室温で一夜攪拌した。反応混合物に4mQの 亜硫酸水素ナトリウム(2M)と20mQの水を添加しついで酢酸エチルで抽出 した。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥しついで蒸発させた。シ リカ上で、ジクロルメタン/エーテル(90/10)溶離剤を使用してクロマト グラフィーにかけることにより、193℃で溶融する所望の誘導体1.92g( 72%)を単離した。 !’ 6−[3−(1−7ダーq 7 f /l’)−+−(1,2−ジヒドロ キシエチル)フェニル]−2−ナフトエ酸50mQのジオキサン中の、実施例4 0 (b)で得られたベンジルエステル1.90g(3,57ミリモル)に炭素 上のパラジウム(10%)0.6gを添加した。混合物を7バールの水素圧下、 50℃で4時間攪拌した。実施例5と同様に処理しついでエタノール/水混合物 から再結晶させることにより、239℃で溶融する所望の誘導体1.20g(7 6%)を単離した。 11貫U: ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシ プロピル)フェニル〕−2−ナフトニート20mQのTHFに溶解させた、実施 例20(a)で得られた誘導体5.13g(10ミリモル)を、15ミリモルの 9−ボラビシクロ[3J、1]ノナン(0,5M/THF)を0℃で滴下するこ とにより処理した。反応混合物を窒素下、0℃で1時間ついで室温で1時間攪拌 した。25m12の水酸化ナトリウム(IM)と20mQの過酸化水素(30% )を0℃で添加しついで混合物を0℃で1時間ついで室温で2時間攪拌した。 THFを蒸発させ、ジクロルメタンによる抽出(3X 100mQ)を行った後 、を機相を洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥しついで蒸発させた。シリカ上で 、ジクロルメタン/ヘキサン(80/20)溶離剤を使用してクロマトグラフィ ーにかけることにより、176℃で溶融する所望の誘導体4.67g(88%) を単離した。 1嵐■旦: 6−1:3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロピ ル)フェニル〕−2−ナフトエ酸50mQのジオキサンに溶解させた、実施例4 2で得られたエステル2.57g(5ミリモル)を、炭素上のパラジウム(10 %) 800mgの存在下、7バールの水素圧下、室温で7時間ついで50℃で 1時間攪拌した。実施例5と同様に処理しついでエタノール/水混合物から再結 晶させることにより、262.4℃で溶融する所望の誘導体1.78g(81% )を単離した。 、大mけ° ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(3−アセトキシ プロピル)フェニル〕−2−ナフトニート40mΩのTHFに溶解させた、実施 例42で得られた誘導体2g(3,77ミリモル)を0.8+++Qのトリエチ ルアミン及び0.4mQの塩化アセチルで処理した。反応混合物を室温で一夜攪 拌しついで水に注入し、エーテルで抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗 浄しついで硫酸マグネシウム上で乾燥した。シリカ上でジクロルメタン/ヘキサ ン(60/40)溶離剤を使用してクロマトグラフィーにかけることにより、1 32℃で溶融する所望の誘導体1.78g(112%)を得た。 1亙%: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(3−アセトキシプロピル) フェニル〕−2−ナフトエ酸50mgのジオキサンに溶解させた、実施例44で 得られたジエステル1.77g(3,1ミリモル)を炭素上のパラジウム(10 %) 530mgの存在下に、7バールの水素圧下、50℃で水素化した。実施 例5と同様に処理しついで酢酸エチルから再結晶させることにより、260℃で 溶融する所望の生成物1.13g(83%)を単離した。 災鬼班並: ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒド ロキシプロピル)フェニル〕−2−ナフトニート水9mQ中の、実施例20(a )で得られた誘導体5.13g(10ミリモル)、30mQのtert−ブタノ ール及び0.8mQのピリジンを、1.51g(136ミリモル)のトリメチル アミンN−オキシド及び20mgのオスミウムテトラオキシドで処理した。反応 混合物を24時間還流させた。実施例40(b)と同一の処理を行った後、シリ カ上でジクロルメタン/エーテル混合物を(9:1)から(7:3)に変化させ て傾斜溶離クロマトグラフィーを行うことにより、199.5℃で溶融する所望 の誘導体4g(74%)を得た。 ILLLZ: 6−[3−(1−7ダマンチ#)−4−(2,3−ジヒドロキシ プロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸100mQのジオキサンに溶解させた、 実施例46で得られたエステル4 g(7,32ミリモル)を炭素上のパラジウ ム(10%) 1.20gの存在下に、7バールの水素圧下、50℃で5時間水 素化した。実施例5と同様に処理しついでエタノール/水混合物から再結晶させ ることにより、258℃で溶融する所望の誘導体3g(90%)を単離した。 11亘u:N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−ベンジルオキジカルボニ ルナフチル)−2−(1−アダマンチル)フェニルカルボキサミド ロ0−のDMFに溶解させた、実施例1 B (a)で得られたト’) 7 L / −1−3,14g(5ミ!j モ#)ヲ、2.100mQ(20ミリ−e  k)のトリエチルアミン、57mgの酢酸パラジウム、280mgのDPPF及 び1.27g(10ミリモル)の塩酸塩の形のグリシンメチルエステルで処理し た0反応媒体を3パールの一酸化炭素圧力下、80℃で16時間加熱した。実施 例2゜(a) と同様に処理しついでシリカ上でジクロルメタンを使用してクロ マトグラフィーにかけることにより、116〜117℃で溶融する所望の誘導体 1.25g(43%)を単離した。 ILLLZ : N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−カルボキシナフチ ル)−2−(1−アダマンチル)フェニルカルボキサミド 50mQのジオキサンに溶解させた、実施例48で得られたベンジルエステル1 .25g(2,1ミリモル)を、炭素上のパラジウム(10%) 190mgの 存在下に、7バールの水素圧力下、70℃で12時間水素化した。実施例5と同 様に処理しついで酢酸エチル/ヘキサン混合物から再結晶させることにより、2 72℃で溶融する所望の誘導体742mg (71%)を単離した。 大息p: fi−[3−(1−アダマンチル)−4−(N、N−ジメチルカルバ モイル)フェニル]−2−1−フトエ酸実施例26 (a)に記載したごとき方 法により実施例10で得られた酸クロライド3.40g(7,4ミリモル)を、 10mgのへキサメチルホスホルアミド中に添加し、56mgの(C6H5)C H2Pd(P(C6H,)3)2CQで処理しついで窒素下、65℃で3日間攪 拌した。実施例20(a) と同一の処理を行った後、シリカ上でジクロルメタ ン/ヘキサンを(60/40)から(90/10)に変化させて傾斜溶離クロマ トグラフィーを行うことにより、ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4 −(N、N−ジメチルカルバモイル)フェニル〕−2−ナフトニート誘導体1g (29%)を単離した。 25m12のメタノール中の上記で得たエステル990mg(2,11ミリモル )を2gの水酸化ナトリウムで処理した。 反応混合物を1時間還流させついで実施例3と同様に処理した。無水アルコール から再結晶させることにより318−320℃で溶融する所望の生成物630m g(56%)を単離した。 叉呈■旦°ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2(R) 。 3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェニルツー2−ナフトニート a)ベンジル6−(3−(1−アダマンチル)−4−(2,2−ジメチル−1, 3−ジオキソラン−4(R)メチルオキシ)フェニルツー2−ナフトニート 60n+QのDMF中の、実施例4(a)で得られたフェノール9.76g(2 0ミリモル)を、順次、604mg(20ミリモル)の水素化ナトリウム(油中 80%)及び6.86g(24ミリモル)の(2R)−3−1−シルオキシ−1 ,2−プロパンジオールアセトナイドにより処理した0反応混合物を窒素下、室 温で24時間攪拌した。実施例1(a)と同一の処理を行った後、シリカ上でヘ キサン/アセトン/ジクロルメタンを(75:5:20)から(80:10:1 0)に変化させて傾斜溶離クロマトグラフィーを行うことにより、170〜17 2℃で溶融する所望の誘導体8.35g(69%)を単離した。 b) ベンジル6−[3−(1−アダマンチル) −4−(2(R) 、 3− ジヒドロキシプロとルオキシ)フェニルツー2−ナフトニート 実施例51(a)で得られたアセトナイド4.80g(7,96ミリモル)を1 00mNのギ酸水溶液(40%)に懸濁させた0反応混合物を100℃で5時間 加熱しついで室温で3日間攪拌した。実施例18(b)と同一の処理を行った後 、シリカ上で、ジクロルメタン/酢酸エチルを(90:10)から(80:20 )に変化させて傾斜溶離クロマトグラフィーを行いついでエーテル/ヘキサン混 合物から再結晶させることにより204℃で溶融する所望の誘導体3.46g( 77%)を単離した。 1五■…: 6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2(R)、 3−ジヒド ロキシプロピルオキシ)フェニル]−2−ナフトエ酸50mQのメタノール中の 、実施例51で得られたベンジルエステル3.45g(6ミリモル)を4gの水 酸化ナトリウムで処理した0反応混合物を2時間還流させついで実施例6と同様 に処理した。エタノール/水混合物から再結晶させることにより所望の誘導体2 .28g(87%)を単離した;この生成物は271〜272℃で溶融し、〔α 〕、=41.5@(c=1.DMF)であった。 11血葺: 6−(3−(1−アダマンチル)−4,5−メチレンジオキシフェ ニル〕−2−ナフトエ酸 a) 3−(1−アダマンチル)−4,5−メチレンジオキシブロムベンゼン4 .82g(24,9ミリモル)のアセトキシアダマンクンと0.75mg(13 9ミリモル)の濃硫酸を、35mgのシクロヘキサンと35mgのへブタン中の 3.4−メチレンジオキシブロムベンゼン5g(24,9ミリモル)に添加した 。 反応媒体を室温で一夜攪拌した。反応媒体に250+nQの水を添加し、炭酸水 素ナトリウムで中和し、200mQのジクロルメタンで抽出し、硫酸マグネシウ ム上で乾燥しついで蒸発させて、134℃で溶融する所望の誘導体2.89g( 34,8%)を得た。 b) メチル6−[3−(1−アダマンチル)−4,5−メチレンジオキシフェ ニル〕−2−ナフトニート 10mQのTHP中の、実施例53(a)で得られた誘導体2.75g(8゜2 1ミリモル)を−76℃で3.61mgのn−ブチルリチウム(2,5M/ヘキ サン)で処理した。混合物を0℃の温度に戻し、ついで、0.44g(3,28 ミリモル)の塩化亜鉛を添加した後、混合物を窒素下で15分間攪拌し、ついで 0、53g(1,99ミリモル)のメチル6−ブロム−2−ナフトニートを添加 した。反応混合物を室温で2時間攪拌しついで実施例2(b)と同様に処理した 。シリカ上でヘキサン/酢酸エチル(8515)溶離剤を使用してクロマトグラ フィーを行うことにより、217〜220℃で溶融する所望の誘導体1.25g (311%)を単離した。 c) 、6−[3−(1−アダマンチル)−4,5−メチレンジオキシフェニル ]−2−ナフトエ酸 3m12のn−ブタノール中の、実施例53 (b)で得られたエステル150 mg(0,341ミリモル)を45mgの水酸化カリウムで処理し、80℃で1 時間攪拌した。実施例3と同様に処理した後、残渣をヘキサンと研和した。つい で沈殿を乾燥させて、300〜305℃で溶融する所望の誘導体123.5mg (115%)を得た。 、犬1目引A:N−エチル6−[3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカル ボニルフェニル〕−2−ナフチルカルボキサミド実施例26(a)で調製した酸 クロライド0.74g(1,61ミリモル)をlOmfiの70%エチルアミン 水溶液に添加しついで反応混合物を室温で一夜攪拌した。実施例26(b)と同 様に処理した後、シリカ上でジクロルメタンを使用してクロマトグラフィーを行 うことにより、201.9℃で溶融する所望の誘導体440mg(511%)を 得た。 人11且: N、N−モルホリル6−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキ シカルボニルフェニル〕−2−ナフチルカルボキサミド 0.22m+2のトリエチルアミンを含有する1 0+nQのTHPに0、28 mg(3,22ミリモル)のモルホリンを溶解させた溶液に、酸クロライド26 (a) 0.74g(1,61ミリモル)を添加し、反応混合物を室温で一夜攪 拌した。実施例26(b)と同様に処理した後、シリカ上で、ジクロルメタン/ エーテル混合物(90/lQ)を使用してクロマトグラフィーを行うことにより 、152℃で溶融する所望の誘導体377mg(46%)を得た。 1亙■u: 4−[(E)−2−(3−tert−ブチル−4−メトキシフェニ ル)プロペニル〕フェニルカルビノール実施例29で得られた酸1.41g(4 ,35ミリモル)を330mgの水素化リチウムアルミニウムで処理した0反応 混合物を2時間30分間還流させ、ついで、飽和塩化アンモニウム溶液で処理し た後、300mQのエーテルで抽出した。存機相を乾燥し、蒸発させた後、残渣 をヘキサンから再結晶させて、88〜90℃で溶融する所望の誘導体1.21g (90%)を得た。 1亙■u: 4− [(E)−2−(3−tert−ブチル−4−メトキシフェ ニル)プロペニル〕ベンジルアセテート10mQのピリジンに溶解させた。実施 例56で得られた7 ル:! −ル800mg(2,58ミリモル)を0,28 mgの塩化アセチルで処理し、室温で1時間反応させた。実施例44と同様に処 理した後、シリカ上でジクロルメタン/ヘキサン混合物(50150)を使用し てクロマトグラフィーを行うことにより、所望の誘導体880mg(97%)を 無色油状物の形で単離した。 NMR(LH) : δppm(CDCfi3): 1.41(9H,s);  2.11(3H,s);2.26(3H,s); 3.!16(3H,s)i  5.11(2H,s)i 6.75(IH,s);6.87(IH,d); 7 .35(5H,m); 7.46(IH,d)。 mΩ」」1匹 A、 丑」口重1 (a) 0.2g錠剤 実施例8の化合物 0.001g デンプン 0.114 g 燐酸二カルシウム 0.020 g シリカ 0.020g ラクトース 0.030 g タルク 0.010 g ステアリン酸マグネシウム 0.005 gこの実施例においては、実施例8の 化合物を同量の実施例13の化合物で置換し得る。 (b) 5a+Qアンプル中の、経口投与されるべき懸濁液実施例3の化合物  0.500 g グリセリン 0.500 g ソルビトール70% 0.500 g サッカリン酸ナトリウム 0.010gパラ−ヒドロキシ安息香酸メチル 0. 040 g調味料 必要量 精製水 全体が5mΩになる量 この実施例においては、実施例3の化合物を同量の実施例19の化合物で置換し 得る。 (c) 0.8 g錠剤 実施例22の化合物 0.500 g 予備ゼラチン化(pregelatinized)デンプン0、100 g マイクロクリスタリンワックス 0.115gラクトース 0.075 g ステアリン酸マグネシウム 0.010 gこの実施例においては、実施例22 の化合物を同量の実施例15の化合物で置換し得る。 (d) 10mj!アンプル中の、経口投与されるべき懸濁液実施例5の化合物  0.200 g グリセリン 1,000g ソルビトール70% 1.000 g サッカリン酸ナトリウム 0.010 gバラ−ヒドロキシ安息香酸メチル 0 .080 g調味料 必要量 精製水 全体が10mff1になる量 B6週工没亙 (a)軟膏 実施例8の化合物 0.020 g ミリスチン酸イソプロピル 81.700 g流動性ワセリン油 9.100  g DEGUSSA社から”Aerosil 200”の名称で販売されているシリ カ 9.100 gこの実施例においては、実施例8の化合物を同量の実施例1 3の化合物で置換し得る。 (b)軟膏 実施例3の化合物 0.300 g 薬局方ホワイトワセリン 全体が100gになる量この実施例においては、実施 例3の化合物を同量の実施例19の化合物で置換し得る。 (c)非イオン性油中水型クリーム 実施例22の化合物 0.100 g BDF社から”Eucerine anhydre”の名称で販売されている、 乳化性ラノリンアルコールと精製ワックス及び精製油との混合物 30.900  gパラ−ヒドロキシ安息香酸メチル 0.075 gパラ−ヒドロキシ安息香 酸プロピル 0.075 g殺菌脱イオン水 100gになる量 この実施例においては、実施例22の化合物を同量の実施例15の化合物で置換 し得る。 (d) ローション 実施例5の化合物 0.100 g ポリエチレングリコール(PEG 400) 69.900g95%エタノール  30,000g (e)疎水性軟膏 実施例6の化合物 0.300 g ミリスチン酸イソプロピル 36.400 gRhone Poulenc社か ら”Rhodorsil 47 V 300”の名称で販売されているシリコー ン油 36.400 g密ロウ 13,600g Goldschmidt社からAbil 300.000 cst”の名称で販 売されているシリコーン油 全体が100gになる量 (f)非イオン性水中油型クリーム 実施例18の化合物 1.000 g セチルアルコール 4.000 g グリセリンモノステアレート 2.500 gPEG 50ステアレート 2. 500 g力すテパタ−9,200g プロピレングリコール 2.000 gパラ−ヒドロキシ安息香酸メチル 0. 075 gパラ−ヒドロキシ安息香酸プロピル 0.075g殺菌脱イオン水  全体が100gになる量一麦一」− 手続補正書 平成5年11月19日

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.次の一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼(I){式中R1は(i)水素原子、(ii )基−CH3、(iii)基−CH2−O−R8(但しR8は水素原子又は低級 アルキル基を表わす)、(iv)基−OR8、(v)基▲数式、化学式、表等が あります▼〔但しR10は(a)水素原子、(b)基▲数式、化学式、表等があ ります▼(但しr′及びr′′は水素原子、低級アルキル基、モノ−又はポリヒ ドロキシアルキル基、随意に置換されたアリール基又はアミノ酸残基又は糖残基 を表わしあるいは別の場合には一緒に結合して複素環を形成する)、(c)基− OR11(但しR11は水素原子、1〜20個の炭素原子を有する直鎖又は分枝 鎖アルキル基、モノ−又はポリヒドロキシアルキル基、随意に置換されたアリー ル又はアラルキル基又は糖残基又はアミノ酸残基を表わす)を表わす〕、及び( vi)基−S(O)tR8(但しtは0、1又は2であり、R8は前述の如くで ある)を表わし、 R2は水素原子を表わし、 R3は水素原子、アリール基、アラルキル基又はヒドロキシル、低級アルコキシ 又は基▲数式、化学式、表等があります▼(但しR12は水素原子、低級アルキ ル基、ヒドロキシル基、低級アルコキシ基又は基▲数式、化学式、表等がありま す▼(r′及びr′′は前述の意義を有する)を表わす) によって随意に置換された低級アルキル基を表わし、あるいは R2及びR3は一緒に結合してベンゼン核と共にナフタレン核を形成し、R4は 1〜15個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖アルキル基又は脂環式基を表わし 、R5は基−(CH2)n−R13、基−CH=CH−(CH2)n−R13又 は基−O(CH2)m−R14〔但しnは0又は1〜6であり、mは1〜6であ り、R13は基▲数式、化学式、表等があります▼、モノヒドロキシアルキル基 又はヒドロキシルがメトキシ又はアセトキシ形で随意に保護されたポリヒドロキ シアルキル基、エポキシド化低級アルキル基又は基▲数式、化学式、表等があり ます▼を表わし、R15は基OR16又は基▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし、R16は水素原子、低級アルキル基、アリール基又はアラルキル基を 表わし、R14はm>2の時はヒドロキシル基、モノヒドロキシアルキル基、ポ リヒドロキシアルキル基、基▲数式、化学式、表等があります▼基▲数式、化学 式、表等があります▼又は2〜10個の炭素原子を有するモノ−又はポリヒドロ キシル化アルケニル基を表わし、あるいはR2及びR3が一緒に結合しない時は mは0であることができ及び/又はR14は水素原子又は低級アルキル基を表わ し得る〕を表わし、 R6及びR7は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は基−OR16を表 わし、 R5及びR6は更にR6がベンゼン核の3位に在る時はメチレンジオキシ環を形 成できる}に相当することを特徴とする、芳香族二環式化合物及びR1がカルボ ン酸官能基を表わす時の式(I)の化合物の塩及び式(I)の前記化合物のキラ ル同族体及びR2とR3とが一緒に結合していない時の該化合物の幾何学的異性 体。
  2. 2.アルカリ又はアルカリ土類金属の塩又は別の場合には亜鉛又は有機アミンの 塩の形で存在することを特徴とする請求の範囲1記載の化合物。
  3. 3.塩酸、硫酸、酢酸、クエン酸、フマル酸、ヘミコハク酸、マレイン酸及びマ ンデル酸よりなる群から選んだ無機酸又は有機酸の塩の形で存在することを特徴 とする請求の範囲1記載の化合物。
  4. 4.低級アルキル基は1〜6個の炭素原子を有し、メチル、エチル、イソプロピ ル、ブチル及び第3級ブチル基よりなる群から選ばれることを特徴とする請求の 範囲1記載の化合物。
  5. 5.低級アルコキシ基はメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ又はブトキシ基よ りなる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲1記載の化合物。
  6. 6.脂環式基は1−メチルシクロヘキシル基及び1−アダマンチル基から選ばれ ることを特徴とする請求の範囲1記載の化合物。
  7. 7.モノヒドロキシアルキル基はヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチル、2 −ヒドロキシプロピル、3−ヒドロキシプロピル、4−ヒドロキシブチル、5− ヒドロキシペンチル又は6−ヒドロキシヘキシル基であることを特徴とする請求 の範囲1記載の化合物。
  8. 8.ポリヒドロキシアルキル基は3〜6個の炭素原子と2〜5個のヒドロキシル 基とを含有し、2,3−ジヒドロプロピル、2,3,4−トリヒドロキシブチル 及び2,3,4,5−テトラヒドロキシペンチル基及びペンタエリスリトール残 基よりなる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲1記載の化合物。
  9. 9.アリール基は少なくとも1個のハロゲン原子、ヒドロキシル又はニトロ官能 基によって随意に置換されたフェニル基であることを特徴とする請求の範囲1記 載の化合物。
  10. 10.アラルキル基は少なくとも1個のハロゲン原子、ヒドロキシル又はニトロ 官能基によって随意に置換されたベンジル又はフェネチル基であることを特徴と する請求の範囲1記載の化合物。
  11. 11.複素環は、C1〜C6アルキル基又はモノ−又はポリヒドロキシアルキル 基によって4位で随意に置換された、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジノ又は ピペラジノ基よりなる群から選ばれることを特徴とする請求の範囲1記載の化合 物。
  12. 12.次の化合物: 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−アミノプロピルオキシ)フェニル 〕−2−ナフトエ酸塩酸塩;メチル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−( 2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエート;6−〔 3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェ ニル〕−2−ナフトエ酸;ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メト キシカルボニルメチルオキシフェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1− アダマンチル)−4メトキシカルボニルメチルオキシフェニル〕−2−ナフトエ 酸;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシメチルオキシフェニル〕 −2−ナフトエ酸; メチル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロピルオキ シ)フェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−( 3−ヒドロキシプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエ酸;メチル 6−〔 3−(1−アダマンチル)−4−ベンジルオキシカルボニルフェニル〕−2−ナ フトエート;メチル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシフェニ ル〕−2−ナフトエート; メチル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチルフェニル〕− 2−ナフトエート; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシメチルフェニル〕−2−ナフ トエ酸; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−アセトキシメチルフェニル〕−2−ナフ トエ酸; メチル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕 −2−ナフトエート; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕−2−ナ フトエ酸; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−カルボキシフェニル〕−2−ナフトエ酸 ; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−カルボキサミドフェニル〕−2−ナフト エ酸; ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルエテニルフ ェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(メトキ シカルボニルエチル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; ベンジル 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−エポキシプロピル )フェニル}−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(2 −ヒドロキシプロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−メトキシ−2−ヒドロキシプロピ ル)フェニル〕−2−ナフトエ酸;4−〔(E)−2−(3−(1−アダマンチ ル)−4−メトキシフェニル)プロベニル〕−安息香酸; ベンジル 4−〔(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−メトキシフェ ニル)プロペニル〕ベンゾエート;4−〔(E)−2−(3−(1−アダマンチ ル)−4−ヒドロキシフェニル)−1−プロペニル〕安息香酸; 6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕−2−ナ フチルカルボキサミド;エチル4−〔(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘ キシル)−4−ヒドロキシフェニル)プロベニル〕ベンゾエート;エチル4−〔 (E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−メトキシフェニル)プ ロベニル〕ベンゾエート;4〔(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル )−4−メトキシフェニル)プロペニル〕安息香酸; エチル4−〔(Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒドロキ シフェニル)プロベニル〕ベンゾエート;エチル4−〔(Z)−2−(3−(1 −メチルシクロヘキシル)−4−メトキシフェニル)プロベニル〕ベンゾエート ;4−〔(Z)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−メトキシフェ ニル)プロベニル〕安息香酸; エチル4−〔(Z)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロベ ニル〕ベンゾエート; 4−〔(Z)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロベニル〕 安息香酸; 4−〔(E)−2−(3−第3級ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロベニル 〕安息香酸; 4−〔(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−ヒドロキシフェ ニル)エテニル〕安息香酸; エチル4−〔(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−(6−第 3級ブトキシカルボニルペンチルオキシ)フェニル)エテニル〕ベンゾエート; エチル4−〔(E)−2−(3−(1−メチルシクロヘキシル)−4−(6−カ ルボキシペンチルオキシ)フェニル)エテニル〕ベンゾエート; 4−〔(E)−2−(3−(1−アダマンチル)−4−ヒドロキシフェニル)エ テニル〕安息香酸; ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(1,2−ジヒドロキシエチル )フェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(1 ,2−ジヒドロキシエチル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒドロキシプロピル)フ ェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−ヒ ドロキシプロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−アセトキシプロピル)フ ェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(3−ア セトキシプロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; ベンジル6−[3−(1−アダマンチル)−4−(2,3−ジヒドロキシプロピ ル)フェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチル)−4−( 2,3−ジヒドロキシプロピル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−ベンジルオキシカルボニルナフチル )−2−(1−アダマンチル)フェニルカルボキサミド; N−メトキシカルボニルメチル−4−(6−カルボキシナフチル)−2−(1− アダマンチル)フェニルカルボキサミド;6−〔3−(1−アダマンチル)−4 −(N,N−ジメチルカルバモイル)フェニル〕−2−ナフトエ酸; ベンジル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−(2(R),3−ジヒドロキシ プロピルオキシ)フェニル〕−2−ナフトエート;6−〔3−(1−アダマンチ ル)−4−(2(R),3−ジヒドロキシプロピルオキシ)フェニル〕−2−ナ フトエ酸;6−〔3−(1−アダマンチル)−4,5−メチレンジオキシフェニ ル〕−2−ナフトエ酸; N−エチル6−〔3−(1−アダマンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル 〕−2−ナフチルカルボキサミド;N,N−モルホリル6−〔3−(1−アダマ ンチル)−4−メトキシカルボニルフェニル〕−2−ナフチルカルボキサミド; 4−〔(E)−2−(3−第3級ブチル−4−メトキシフェニル)プロベニル〕 フェニルカルビノール;及び4−〔(E)−2−(3−第3級ブチル−4−メト キシフェニル)プロベニル〕ベンジルアセテート よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求の範囲1〜11の何れかに記載 の化合物。
  13. 13.経腸、非経口、局所又は目への投与に適当な担体中に、請求の範囲1〜1 2の何れかに記載の式(I)の化合物の少なくとも1種を含有することを特徴と する製薬組成物。
  14. 14.0.001〜約5重量%の式(I)の化合物を含有することを特徴とする 請求の範囲13記載の製薬組成物。
  15. 15.皮膚病、リウマチ性、呼吸性並びに眼の疾病状態の処置に意図される製薬 組成物の製造に請求の範囲1〜12の何れかに記載の化合物の使用。
  16. 16.適当な化粧料担体中に、請求の範囲1〜12の何れかに記載の式(I)の 化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする人体及び毛髪の手入れ用の 化粧料組成物。
  17. 17.0.001〜3%の濃度で式(I)の化合物を含有することを特徴とする 請求の範囲16記載の化粧料組成物。
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