JPH06510633A - 半導体装置用急速硬化性接着剤配合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体装置用急速硬化性接着剤配合物 発明の背景 本発明は、急速に硬化し、半導体装置を基体に接合するに適した接着剤配合物に 関する。より詳しくは、本発明は［ダイＪとしても知られている半導体チップを リードフレームに接合するための接着剤配合物に関する。更に詳しくは、本発明 は少量を高速度で充分な体積制御を以て配給でき、これによって、接合された半 導体アセンブリーの製造の連続プロセスにおいて基体上に接着剤を配置すること を可能にする接着剤配合物にに関する。

プラスチックパッケージ中の金属リードフレームにＩＣチップを接合するために 存機接着剤が用いられてきた。この目的のために用いられてきたダイ取り付は接 着剤としては、貴金属を充填したエポキシ及びポリイミド材料がある。しかしな がら、エポキシ及びポリイミドは、種々の欠点がある。

エポキシ接着剤は一般にガラス転移点が低く、即ち液体エポキシについては１５ ０°Ｃ未満てあり、多量のイオン性不純物を有する。

エポキシは急速に硬化するが、低転移温度及びイオン性不純物は材料の信頼性に 悪影響を及ぼす。ポリイミド接着剤は、一般に溶媒を含み、長い硬化時間、しば しば２時間以上、を要する。

ダイか大きくなるに連れて、適当な急速に硬化する接着剤の需要が高まっている 。高い製造速度で連続的方法てダイを基体に接合すると言う高まりつつある需要 に適応させるためには、この接着剤が２００°Ｃを越えるガラス転移点を存し、 溶媒又は希釈剤を殆ど又は全く含まず、イオン性不純物含量が非常に低く、室温 及び１５０″Ｃを越える温度で良好な接着性を示し、そして重要なことであるが 、急速に、即ち２００°Ｃて５分未満、好ましくは２００°Ｃで２分未満に硬化 しうることが望ましい。硬化速度は接合された半導体アセンブリーの製造のため の連続的プロセスにおける接着剤の有用性に影響するから、接着剤の急速に硬化 する能力は特に重要である。

本発明によれば、半導体装置を基体に接合するのに適当な配合物は、シアネート エステル、例えばＨｉ−Ｔｅｋ　ＰｏｌｙｍｅｒｓＩｎｃ、ｏｆ　Ｌｏｕｉｓｖ ｉｌｌｅ、　Ｋｅｎｔｕｃｋｙから入手可能な“ＡＲＯＣＹ　ＬＩＯ”を用いて 作りうる。このシアネートエステルは液体ジシアネートモノマーで、例えばＳｈ 　ｉｍｐの米国特許Ｎｏ、４７８５０７５、Ｃｒａｉｇ、Ｊｒ、の米国特許Ｎｏ 。

４８３９４４２及び３４ｔｈ　Ｉｎｔｅｒ　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓａｍｐｅ　Ｓ ｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｉｎ　Ｒｅｎｏ。

Ｍａｙ　８−１１．１９８１てＳｈｉｍｐ及びＣｌａｉｇ、　Ｊｒ、によって発 表された”ＮｅｗＬｉｑｕｉｄ　Ｄｉｃｙａｎａｔｅ　Ｍｏｎｏｍｅｒ　ｆｏｒ 　Ｒａｐｉｄ　Ｉｍｐｒｅｇｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｒｅ１ｎｆｏｒｃｅｄＦｉｂ ｅｒｓ”に記載されたものである。これら全ての記載を部分的にであれ、集合的 にであれ、特にここに引用して記載に加える。

前記シアネートエステルは反応性シアネート官能基を含むアリールジシアネート モノマー及びそれらの前駆体の一族の樹脂である。

加熱するとこのシアネート官能基は発熱環状三量化反応を起こしてトリアジン環 結合単位を形成してゲル化し、熱硬化性ポリシアヌレートプラスチックを作る。

上記Ｓｈｉｍｐ及びＣｌａｉｇ、　Ｊｒ、の記事に述べられている様に、アルキ ルフェノール、例えばノニルフェノールに溶解した亜鉛、銅、及びコバルトのナ フチネート、アセチルアセトネート又はキレートのような金属触媒が、繊維の含 浸に関してシアネートエステルの硬化時間に影響することは公知である。しかし ながら、半導体装置を基体に接合するための接着性フィルムを作るのに、特に連 続プロセスで作るのにシアネートエステルを実際に使用することは、これまでに 示唆も記載もされなかった。更に、急速な硬化の必要なダイ取り付は接着剤を作 るのにシアネートエステル樹脂を用いることは全く自明ではない。加熱すると、 シアネートエステルは発熱環状三量体化反応を起こして、１グラム当量当たり２ ４にカロリーを放出するが、この熱は、断熱条件下にバッチ温度を３９０°Ｃに 上げるのに充分である。反応エネルギーの全てを短時間、例えば数分以下に放出 するために少量、例えば２００ｇを過熱するか、又は触媒過剰で反応させると断 熱反応が作りだされる。過剰温度は危険な無制御反応及び材料の熱分解を引き起 こす。その結果、推奨される硬化スケジュールは通常非常に長く、硬化温度を注 意深く制御すると数時間かかる。

これらの温度は上記Ｓｈｉｍｐ及びＣｌａｉｇ、　Ｊｒ、の記事に述べられてお り、これは、本発明が適用できる実用的、一般的用途にはシアネートエステルは 不適当であることを示唆しているであろう。

以下に、Ｈｉ−Ｔｅｋ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、Ｉｎｃ、がシアネートエステル樹脂 について推奨する典型的な硬化スケジュールを示す＝１０４℃でゲル化させる分 −１５分 １７７°Ｃて硬化させる時間−１時間 ２１０’Ｃて硬化させる時間−１時間 ２５０°Ｃて硬化させる時間−２時間 これから分かるように、シアネートエステルについてこれ迄に推奨された硬化ス ケジュールは非常に長く、半導体接合プロセス、特に高速度連続製造プロセスに は不適当である。

上述のことにもかかわらず、シアネートエステル樹脂を急速硬化ダイ取り付は接 着剤配合物に用いることは、以下の条件下に可能である。（１）当該接着剤配合 物に高熱伝導性の充填剤を含有させる二と：　（２）接着剤配合物を薄い接合層 、例えば５ミル以下、好ましくは２ミル以下として適用すること；　（３）接合 された半導体アセンブリーの連続製造プロセスの間、１回に少量の接着剤、例え ば２ｍｇを配給すること：　（４）高伝熱性を有する材料、例えばセラミックス 、リードフレーム、銅、合金４２等で出来た表面に接合用接着剤を適用すること 上述の条件が満たされるとき、熱的に及び／又は電気的に伝導性の充填材の充填 された接着剤及び高い熱伝導性を有するダイか接合される表面の高い熱伝導性の 故に、また、特に薄い接合線厚さとなる比較的薄い接着剤フィルムの使用により 、反応熱の全てが除かれるから、シアネートエステル含有接着剤は有害な効果を 生じないで急速に硬化しつる。

発明の要約 本発明の急速硬化接着剤配合物は、シアネートエステル、アルキルフェノール及 びこのアルキルフェノールに溶解された金属硬化触媒を含むシアネートエステル ビヒクルを含む。有利には、このシアネートエステルビヒクルは２５°Ｃでの粘 度約１〜５ボイズの液体シアネートエステル、１００部当たり約２〜６部（ｐＩ ）ｈ）のアルキルフェノール及び約５０〜５００　ｐｐｍの金属触媒を含む。

高速度製造プロセスにおける半導体装置の基体への取り付けに適した、本発明に よる急速硬化性ダイ取り付は接着剤配合物は、１０〜４０ｗｔ％のシアネートエ ステルビヒクル及び６０〜９０ｗｔ％の熱的及び／又は電気的伝導性充填材を含 む。

この接着剤配合物におけるシアネートエステルビヒクル及び充填材の割合は満足 な性質を得るために重要である。もし６０％未満の充填材が用いられると、熱的 及び／又は電気的伝導性及び粘度が低すぎる。もし充填材が６０％より低いか、 又は９０％より高いと、この接着剤配合物の接着強度が悪影響を受ける。充填材 が９０９６を越えると、粘度が高すぎて接合された半導体アセンブリーの製造の 高速度連続プロセスにおけるこの配合物の配給が出来なくなる。

上述のように、このシアネートエステルビヒクルは２５°Ｃでの粘度約１〜５ボ イズの液体シアネートエステル、約２〜６ｐｐｈのアルキルフェノール及び約５ ０〜５００　ｐｐｍの金属触媒を含む。この充填材は粒度７０μｍ未満、好まし くは２０μｍ未満の粒状材料からなり、生じた接着剤配合物は最高硬化速度２０ ０″Ｃで約５分、好ましくは２００°Ｃで約２分である。

又、本発明によれば、上述のように、硬化された接着剤配合物によって基体に接 合された半導体、及び半導体アセンブリー中に半導体装置を高速度で接合する方 法の改善を含む接合された半導体アセンブリーを提供する。

図面の簡単な説明 図１は、銀フレーク含有接着剤配合物の粘度と剪断速度の間の関係を示すグラフ である。

図２は、種々の硬化温度で硬化したニッケル粉末−充填接着剤配合物の剪断力を 示すグラフである。

図３．４及び５は、種々の硬化温度で硬化した銀、ニッケル及びケイ素を充填し た接着剤配合物の剪断力を示すグラフである。

好ましい態様の説明 半導体装置を基体に接合するとき、収縮は最小量であることが重要である。もし 接合される材料の熱伝導性が非常に高いときは、熱は迅速に除去される。従って 、接着剤配合物が半導体アセンブリーの高速度製造に用いるのに適当なレオロジ ーの及び他の配給上の性質を有するならば、急速な硬化時間、例えば２００°Ｃ て５分以下、好ましくは２００°Ｃて２分以下を有する接着剤を使用しうる。

高速度での適当な配給性を発揮するためには、この配合物は配給装置の種類によ って変わりうるしオワジー上の性質をも持たねばならない。この新しい接着剤配 合物に含まれる充填材の範囲を調節することにより、レオロジーを調節すること ができる。しかしながら、充填材の量は、製品の熱的及び電気的伝導性の必要条 件に適合し且つ接着剤配合物を急速に硬化させるものでなければならない。６０ 〜９０ｗｔ％のフィラーが望みの性質の組み合わせを達成することが測定された 。

充填材の粉末及びフレークの両方の形態が接着剤配合物に用いうる。フレークは 、現在のところ、半導体装置にかかる応力がより小さく、且つより良い熱的及び 電気的伝導性を与えるので、半導体装置の接合に適当な接着剤配合物として、粉 末よりも好ましい。半導体装置に掛かる応力の効果は、硬化後のダイの曲率半径 をプロットすることにより見ることが出来る。硬化、即ち接合の間に半導体装置 に掛かる応力の尺度は、ダイの接合及び硬化の後のダイの曲率半径に反映される 。曲率半径が大きい程、ダイ表面は平らであり、従って硬化の間、半導体チップ の上に掛かる応力は小さくなる。

以下の例は、本発明の接着剤配合物は、適当に急速な硬化特性と、接合された半 導体アセンブリーを製造するための高速度連続プロセスにおいて少量を配給する のに適当なレオロジー上の性質とを有することを説明する。

以下の組成物は、銀、ニッケル及びケイ素充填材を用いて調製しており、ｗ　ｔ 　９６で示す。

実施例１ 銀で充填した接着剤ニ ジアネートエステル”Ａｒｏｃｙ　ＬＩＯ”　２４．４８５コバルト（ＩＩ＋） アセチルアセトネート　０．０２５実施例２ ニッケルで充填した接着剤ニ ジアネートエステル“Ａｒｏｃｙ　ＬＩＯ”　３２．２５８ニツケルフレーク　 ６４．０００ ノニルフエノール　０．７０５ コバルト（ｉｌｌ）アセチルアセトネート　０．０３７実施例３ ニッケルで充填した接着剤ニ ジアネートエステル“Ａｒｏｃｙ　ＬＩＯ″　１４．６９１ニツケル粉末　８５ ．０００ ノニルフエノール　０．２９４ コバルト（ＩＩ＋）アセチルアセトネート　０．０＋５実施例４ ケイ素で充填した接着剤ニ ジアネートエステル“Ａｒｏｃｙ　ＬＩＯ”　３５．２５８ケイ素粉末　６４． ０００ ノニルフエノール　０．７０５ コバルト（ｉｌｌ）アセチルアセトネート　０．０３７上記組成物をしオワジー 上の性質について試験した。それは、そのような性質が、高速度連続的製造運転 の間に接着剤を自動的に配給するのに重要であるからである。図１は例Ｉ、銀フ レーク配合物、の粘度を示し、この粘度は剪断速度に対するパスカル秒（ｌパス カル秒＝ＩＯポイズ）を示す。この剪断速度は、材料が剪断される速度である。

これから分かるように、粘度は、剪断速度が増すに連れて減る。

剪断力とニッケル粉末で充填した接着剤配合物の硬化温度との関係を図２に示す 。この図において剪断力は硬化スケジュールに対して比較されている。これから 分かるように、有効な接合強度が２゜ＯｏＣて５分以下の急速な条件で達成され る。

図３．４及び５は、それぞれ銀、ニッケル及びケイ素で充填した接着剤組成物の 剪断力を示す。これらのグラフに要約されたデータは、ワイヤを半導体装置に接 合する間の３００”Ｃでの１５秒の暴露に続く８０秒の硬化を含む、半導体装置 の接合のための典型的な接合プロセスにおいて遭遇する条件をシミュレートする 。

現在のところ、銀及びニッケルで充填した接着剤配合物について好ましい加工条 件は以下のよってある：銀充填物： 温度（°Ｃ）　硬化時間（分） ニッケル充填物： 温度（°Ｃ）　硬化時間（分） １５０　６０．０（不満足） １８０　７．０（不満足） ２００　２．０ 銀及びニッケルはフレーク又は粉末として用いうる。フレークの厚さは通常２μ ｍ未満て、最大寸法は１５〜２０μｍであり、粉末の直径は８〜９μｍである。

銀フレークは、一般に表面積が約０゜２〜１５ｍ２／ｇであり、タップ密度約２ ．５〜４ｇ／ｃｃである。銀充填材の好ましい範囲は接着剤配合物の全重量の約 ７０〜９０　ｗ　ｔ　９．６である。

典型的な好ましい条件は・ シアネートヒヒクル　１００ ノニルフエノール　２ Ｚｎアセチルアセトネート　０．０６ 銀充填ペースト： 銀フレーク　７０〜９０ｗｔ％ シアネートエステルビヒクル　ｌＯ〜３０ｗｔ％他の有用な触媒はナフテン酸亜 鉛、ナフテン酸銅、銅アセチルアセトネート、コバルト（１１）アセチルアセト ネート及びコバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートである。典型的な接着は、 ２５０°Ｃて５０秒硬化した後、３００平方ミル上に平均１２５Ｌｂｓのダイ荷 重を掛けることにより得られる。

池の試験において、種々の金属触媒を接着剤配合物における実用的適格性につい て評価した。ポットライフは重要な実用的要件なので、亜鉛アセチルアセトネー ト、コバルト（１１）アセチルアセトネート及びコバルト（ＩＮ）アセチルアセ トネートを２０°Ｃでポットライフ試験に供した。これら組成物のポットライフ は、それぞれ８．１２及び２０時間であった。ポットライフは、接着剤の粘度の 増加の開始を以て決定する。満足なポットライフ及び適当な急速硬化能力に基づ いて、殆どの用途についてコバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートが好ましい ことが確認された。それは、このものが、適当なポットライフを持ち、且つ急速 な硬化サイクルを生ずるからである。

ニッケル及びケイ素充填材は、銀の低コスト代替物として満足なものであること が証明された。接着剤配合物に用いられる充填材の量は、特定の用途にとって望 ましい熱的及び電気的伝導性並びに硬化時間に従って変化しうる。これらの材料 は、ダイの取り付けの間、生ずるダイ応力か低い。粉末及びフレークの形の充填 材を用いうるか、フレーク含有接着剤配合物は一方向にのみ収縮するので、幾つ かの用途にはフレークの形が好ましい。それらは比較的高い電気的及び熱的伝導 性をも有する。これと対照的に、粉末形状は三次元に収縮する傾向があり、チッ プ及び基体は一般に異なる熱膨張性を有するから、その収縮は、チップ及びチッ プが接合される基体にそれだけの量の応力をもたらす。熱膨張係数の差が大きす ぎると、半導体チップの湾曲が生ずる。いずれにせよ、最小量の収縮が望ましい 。

チップを接合する基体の熱応力が高いときは、熱は急速に除かれ、チップに掛か る熱応力を減らすのも助ける。硬化中に熱を急速に除去することは、接着剤を急 速に硬化させるために非常に望ましい。

即ち、硬化時間が短ければ、チップに掛かる応力を減らし、硬化中のチップの変 形の可能性を減らすであろう。

銀、ニッケル又はケイ素を用いる接着剤組成物に加えて、熱伝導性の良い配合物 としては次のものがある：アルミナ粉末、　６０〜９０ｗｔ％ シアネートエステルビヒクル＝ｌＯ〜４０ｗｔ％及び 窒化アルミニウム粉末：　６０〜９０ｗｔ％シアネートエステルビヒクル＝１０ 〜４０ｗｔ％接着剤配合物は次のようにして作るのが有利である。先ず、アルキ ルフェノール、例えばノニルフェノールの中に粉末状の金属触媒を溶解し、攪拌 、例えば磁気攪拌をしつつ６０°Ｃを越える温度に加熱してアルキルフェノール 中の触媒溶液を作る。次いで、得られた溶液を液体シアネートエステルと混合し て溶液を作り、これに充填材を加える。この充填材及びシアネートエステルビヒ クルを、例えば遊星形ミキサー中で、望ましくは真空下室温で約１／２〜１時間 混合し、均質なペーストを形成する。使用の準備ができる迄、硬化を防ぐ必要が ある間、低い温度、例えば−１Ｏ°Ｃで貯蔵する。この接着剤配合物を、リード フレーム上に、例えば半導体装置を接合するために、配給するときは、これを低 温貯蔵から取り出しチップの接合のために基体に適当に薄いフィルムとして適用 する。次いで、この半導体アセンブリーを制御された温度、通常１８０〜２００ °Ｃに加熱して硬化する。

接合された半導体アセンブリーは一般にバッチプロセスでつくられ、基体、例え ばリードフレームの選定された場所、即ちダイの置かれる場所に接着剤を置く。

次いで半導体ダイを接着剤の部分に置き、その後このダイに圧力を掛けて、ダイ とこれを接合すべき基体の間の表面に接着剤が充分に接触するようにする。その 後、接合すべき半導体アセンブリーのバッチを硬化のために硬化炉に置く。この 硬化には用いられる接着剤に依存して１５０℃〜２５０°Ｃで３０分〜３時間を 要する。半導体の基体への接合を行うための接着剤の硬化に続いて、このアセン ブリーを硬化炉から取り出し、電気的接触のために電線を取り付ける。次いで接 合されたアセンブリーを取り付けと使用の間保護するために、通常、何らかの形 のエポキシで封入する。

従来用いられてきた接着剤配合物の硬化時間は非常に長かったので、半導体アセ ンブリーの接合は連続加工には受け入れられなかった。本発明の接着剤配合物は 急速に、例えば２００°Ｃで５分未満、好ましくは１〜２分未満で硬化するので 、接合された半導体アセンブリーを製造するための連続プロセスが可能になる。

そのような連続プロセスにおいて、接着剤配合物を基体、例えばリードフレーム 又はセラミックもしくは金属の基体の上に間欠的で連続的に所定量を配給し、そ の後半導体ダイをこの接着剤の上に連続的に置き、圧力を掛けて全ダイ表面の下 に拡がることを確保する。その後、半導体装置の付いた基体を連続的に加熱ゾー ンに通して接着剤を硬化させる。この硬化は、ここに述べた接着剤配合物では、 ２００″Ｃで最高硬化速度５分未満、好ましくは１〜２分未満である。次いで、 接合されたアセンブリーは連続的にワイヤーボンディングゾーンに連続的に通す ことができて、その間にワイヤーは半導体ダイに接続される。

上述のことから、本発明の精神から離れることな（種々の変形が可能であること が明らかである。従って、本発明の範囲は特許請求の範囲によってのみ限定され るべきである。

国際調査報告 フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、　ＥＳ、　ＦＲ，ＧＢ、　ＧＲ，ＩＴ、　ＬＵ、　ＮＬ、ＳＥ）、０Ａ（ ＢＦ、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、ＣＩ、ＣＭ、ＧＡ、ＧＮ、ＭＬ、ＭＲ，ＳＮ、ＴＤ、 ＴＧ）、ＡＴ、ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、　ＣＨ，Ｃ３，ＤＥ、　 ＤＫ。

ＥＳ、　ＦＩ、　ＧＢ、　ＨＵ、ＪＰ、　ＫＰ、　ＫＲ，ＬＫ、　ＬＵ、ＭＣ， ＭＧ、ＭＮ、ＭＷ、ＮＬ、Ｎｏ、ＰＬ、ＲＯ、ＳＤ、ＳＥ、　ＳＵ、　ＵＳ

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. １．１０〜４０ｗｔ％のシアネートエステルビヒクル及び６０〜９０ｗｔ％の熱 的に及び／又は電気的に伝導性の充填材を含み、半導体装置を基体に取り付ける のに適した接着剤配合物であって、前記シアネートエステルビヒクルは粘度２５ ℃で約１〜５ポイズの液体シアネートエステル、約２〜６ｐｐｈのアルキルフェ ノール及び約５０〜５００ＰＰｍの金属触媒を含み、前記充填材は７０μｍ未満 の粒状物質を含み、そして前記接着剤は最大硬化速度が２００℃で約５分であり 、即ち前記接着剤は２００℃で約５分以内に硬化しうるもの。
2. ２．前記アルキルフェノールがノニルフェノールである請求の範囲１の接着剤配 合物。
3. ３．前記金属硬化触媒がカルボン酸金属又は金属アセチルアセトネートである請 求の範囲１の接着剤配合物。
4. ４．前記触媒が亜鉛、銅、マンガン及びコバルトからなる群れから選ばれる金属 のカルボン酸塩又はアセチルアセトネートの少なくとも１つであり、前記触媒が 前記アルキルフェノールに溶解されている請求の範囲３の接着剤配合物。
5. ５．前記触媒がコバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート及びコバルト（ＩＩＩ） アセチルアセトネートの内の１つである請求の範囲４の接着剤配合物。
6. ６．前記触媒がコバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートである請求の範囲５の 接着剤配合物。
7. ７．前記充填材が銀、ニッケル、ケイ素、アルミナ及び窒化アルミニウムからな る群れから選ばれる少なくとも１つの物質である請求の範囲１の接着剤配合物。
8. ８．前記充填材が最大粒度２０μｍである請求の範囲１の接着剤配合物。
9. ９．前記液体シアネートエステルが２５℃で粘度１〜５ポイズを有する請求の範 囲１の接着剤配合物。
10. １０．前記接着剤が２５℃で粘度１００〜１０００ポイズを有する配給可能な物 質である請求の範囲１の接着剤配合物。
11. １１．前記接着剤の硬化時間の能力が２００℃で約２分以下である請求の範囲１ の接着剤配合物。
12. １２．前記充填材が銀、ニッケル及びケイ素からなる群れからなる物質であり、 前記触媒が亜鉛及びコバルトからなる群れから選ばれる金属の化合物であり、そ して前記硬化時間の能力が２００℃で２．０分以下である請求の範囲１の接着剤 配合物。
13. １３．前記充填材が銀のフレークであり、前記硬化時間の能力が２００℃で１． ５分未満である請求の範囲１の接着剤配合物。
14. １４．前記充填材が最大粒度約２０μｍのニッケルである請求の範囲１の接着剤 配合物。
15. １５．１０〜４０ｗｔ％のシアネートエステルビヒクル及び６０〜９０ｗｔ％の 熱的及び／又は電気的に伝導性の充填材を含む接着剤配合物で基体に接合された 半導体を含む接合された半導体アセンブリーであって、 前記シアネートエステルビヒクルは粘度２５℃で約１〜５ポイズの液体シアネー トエステル、約２〜６ｐｐｈのアルキルフェノール及び約５０〜５００ｐｐｍの 金属触媒を含み、前記充填材は７０μｍ未満の粒状物質を含み、そして前記接着 剤は最大硬化速度が２００℃で約５分であり、即ち前記接着剤は２００℃で約５ 分以内に硬化しうるもの。
16. １６．前記アルキルフェノールがノニルフェノールであり、前記金属硬化触媒が カルボン酸金属又は金属アセチルアセトネートであり、前記充填材が銀、ニッケ ル、ケイ素、アルミナ及び窒化アルミニウムからなる群れから選ばれる少なくと も１つの物質である請求の範囲１５の接合された半導体アセンブリー。
17. １７．前記接着剤配合物が２５℃で粘度１００〜１０００ポイズを持ち且つ最大 硬化時間能力が２．０分であり、前記充填材が最大粒度２０μｍを持ち且つケイ 素、銀及びニッケルからなる群れから選ばれる１つからなり、そして金属硬化触 媒が亜鉛アセチルアセトネート、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート及びコ バルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートの内の１つである請求の範囲１５の接合 された半導体アセンブリー。
18. １８．所定量の接着剤を間欠的に連続して基体上に配給し、前記基体上の前記接 着剤に接触して半導体装置を置いて未接合半導体アセンブリーを作る接合された 半導体アセンブリーの連続的製造方法における改善であって、最大硬化速度が２ ００℃で約５分、即ち前記接着剤が２００℃で約５分以内に硬化でき、１０〜４ ０ｗｔ％のシアネートエステルビヒクルと６０〜９０ｗｔ％の熱的及び／又は電 気的に伝導性の充填材を含む接着剤配合物を、薄いフィルムとして基体上の局部 に間欠的に連続して配給し、前記シアネートエステルビヒクルは２５℃で粘度が 約１〜５ポイズである液体シアネートエステル、約２〜６ｐｐｈのアルキルフェ ノール及び約５０〜５００ｐｐｍの金属触媒を含み、前記充填材は２０μｍ未満 の粒状物質を含み、前記間欠的フィルム局部上に半導体装置を連続的に置いて前 記基体上に半導体の接合表面を形成して複数の未接合半導体アセンブリーを作り 、そして 前記未接合半導体アセンブリーの前記接着剤配合物を連続的に硬化して前記半導 体アセンブリーの接合を行うこと。
19. １９．前記アルキルフェノールがノニルフェノールであり、前記金属硬化触媒が カルボン酸金属又は金属アセチルアセトネートであり、前記充填材が銀、ニッケ ル、ケイ素、アルミナ及び窒化アルミニウムからなる群れから選ばれる少なくと も１つの物質である請求の範囲１８の改善された方法。
20. ２０．前記接着剤配合物が２５℃で粘度１００〜１０００ポイズを持ち且つ硬化 時間能力が２００℃で２．０分であり、前記充填材が最大粒度２０μｍを持ち且 つケイ素、銀及びニッケルからなる群れから選ばれる１つからなり、そして金属 硬化触媒が亜鉛アセチルアセトネート、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート 及びコバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートからなる群れの内の１つである請 求の範囲１８の改善された方法。
21. ２１．前記接着剤配合物が２ｍｇ以下の量で厚さ５μｍ未満の薄いフィルムとし て配給される請求の範囲１８の改善された方法。
22. ２２．前記接着剤配合物が２μｍ未満の薄いフィルムとして適用される請求の範 囲２１の改善された方法。
23. ２３．前記基体が金属リードフレームである請求の範囲１８の改善された方法。