JPH0651252A - 光変調方法および光強度変調器 - Google Patents
光変調方法および光強度変調器Info
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- JPH0651252A JPH0651252A JP20072792A JP20072792A JPH0651252A JP H0651252 A JPH0651252 A JP H0651252A JP 20072792 A JP20072792 A JP 20072792A JP 20072792 A JP20072792 A JP 20072792A JP H0651252 A JPH0651252 A JP H0651252A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】駆動電圧が低く、また、変調帯域が広い光変調
方法および光強度変調器を提供する。 【構成】入力信号光は、光ファイバ端２１から入力さ
れ、その約５０％が光ファイバ端２３から出射される。
その信号光は、レンズ３によって、半導体光変調素子１
中を伝播した後に高反射面１３で反射される。そして、
再び半導体光変調素子１中を伝播して前述の光路を逆行
した後に、光ファイバ端２２から出力される。また、情
報信号入力端子１１には、情報信号に応じた電圧が印加
される。
方法および光強度変調器を提供する。 【構成】入力信号光は、光ファイバ端２１から入力さ
れ、その約５０％が光ファイバ端２３から出射される。
その信号光は、レンズ３によって、半導体光変調素子１
中を伝播した後に高反射面１３で反射される。そして、
再び半導体光変調素子１中を伝播して前述の光路を逆行
した後に、光ファイバ端２２から出力される。また、情
報信号入力端子１１には、情報信号に応じた電圧が印加
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ通信分野など
で用いられる光変調方法および光強度変調器に関する。
で用いられる光変調方法および光強度変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信は、基幹通信，海底通
信，加入者系通信などの種々の分野で実用化が進められ
る一方、将来の情報量の増大に対応するために、広帯
域，長距離化の研究が活発に行なわれている。
信，加入者系通信などの種々の分野で実用化が進められ
る一方、将来の情報量の増大に対応するために、広帯
域，長距離化の研究が活発に行なわれている。
【０００３】光ファイバ通信システムの伝送速度および
伝送距離は、主として、光ファイバの損失による信号光
パワーの減衰と光ファイバの波長分散による波形歪みの
２要因によって制限されている。これらの要因のうち、
損失の問題については、最近Ｅｒ光ファイバを増幅媒体
とした光増幅器（Ｅｒ添加光ファイバ増幅器）が開発さ
れ、ほぼ解決されつつある。
伝送距離は、主として、光ファイバの損失による信号光
パワーの減衰と光ファイバの波長分散による波形歪みの
２要因によって制限されている。これらの要因のうち、
損失の問題については、最近Ｅｒ光ファイバを増幅媒体
とした光増幅器（Ｅｒ添加光ファイバ増幅器）が開発さ
れ、ほぼ解決されつつある。
【０００４】一方、分散による波形歪みについては、従
来の半導体レーザを直接変調する方式では波長チャーピ
ングが大きな波形劣化を引起こすために、これに代り光
強度変調器として外部強度変調器を用いる方式が検討さ
れ、実用化が進められている。
来の半導体レーザを直接変調する方式では波長チャーピ
ングが大きな波形劣化を引起こすために、これに代り光
強度変調器として外部強度変調器を用いる方式が検討さ
れ、実用化が進められている。
【０００５】ここで、この従来の光強度変調器としての
外部強度変調器は、ＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ型光変
調器や、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰなどの半導体を用いた
電界吸収型半導体光変調器が汎用されている。特に、電
界吸収型半導体光変調器は、ＬｉＮｂＯ3 光変調器に比
較すると、小型で光源との集積化が可能であり、また、
バイアス電圧値のドリフト等の問題がなく安定な動作が
得られるという特徴がある。
外部強度変調器は、ＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ型光変
調器や、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰなどの半導体を用いた
電界吸収型半導体光変調器が汎用されている。特に、電
界吸収型半導体光変調器は、ＬｉＮｂＯ3 光変調器に比
較すると、小型で光源との集積化が可能であり、また、
バイアス電圧値のドリフト等の問題がなく安定な動作が
得られるという特徴がある。
【０００６】この電界吸収型半導体光変調器では、ｐｎ
接合部分に高電界を印加し、この電界印加による禁止帯
間吸収ピーク波長の変化を利用して信号光の変調を行な
う（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖ
ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ誌，第４巻（１９８６年），
１４４５−１４５２ページ）。
接合部分に高電界を印加し、この電界印加による禁止帯
間吸収ピーク波長の変化を利用して信号光の変調を行な
う（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖ
ｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ誌，第４巻（１９８６年），
１４４５−１４５２ページ）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光強度変調
器としての外部強度変調器は高速・長距離光ファイバ通
信に適用する場合、駆動電圧が低く、かつ、変調帯域が
広いことが望ましいが、しかしながら、両者の間にはト
レードオフ関係があり、変調帯域を広くするには、光変
調素子の容量の低減が有効であり、これは、一般には素
子長を短くすることにより実現できるが、しかし、素子
長を短くすると屈折率や吸収変化量が低下するので、消
光比が低下するとともに所要駆動電圧が上昇するという
問題が生じ、一方、素子長を長くすると駆動電圧は低減
できるが、素子容量が大きくなるために変調帯域が狭く
なるという相反した性質を有するという問題点がある。
器としての外部強度変調器は高速・長距離光ファイバ通
信に適用する場合、駆動電圧が低く、かつ、変調帯域が
広いことが望ましいが、しかしながら、両者の間にはト
レードオフ関係があり、変調帯域を広くするには、光変
調素子の容量の低減が有効であり、これは、一般には素
子長を短くすることにより実現できるが、しかし、素子
長を短くすると屈折率や吸収変化量が低下するので、消
光比が低下するとともに所要駆動電圧が上昇するという
問題が生じ、一方、素子長を長くすると駆動電圧は低減
できるが、素子容量が大きくなるために変調帯域が狭く
なるという相反した性質を有するという問題点がある。
【０００８】本発明の目的は、上述の課題を解決し、従
来に比べて駆動電圧が低く、また変調帯域が広い、光変
調方法および光強度変調器を提供することにある。
来に比べて駆動電圧が低く、また変調帯域が広い、光変
調方法および光強度変調器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本第１の発明の光変調方
法は、信号光を光強度変調素子中を伝播させることによ
って強度変調する光変調方法において、前記信号光が前
記光強度変調素子中を複数回伝播するようにしてある。
法は、信号光を光強度変調素子中を伝播させることによ
って強度変調する光変調方法において、前記信号光が前
記光強度変調素子中を複数回伝播するようにしてある。
【００１０】本第２の発明の光強度変調器は、一方の光
学面が低反射面，他方の光学面が高反射面を有する光強
度変調素子と、この光強度変調素子の前記低反射面から
信号光を入射させるための光結合手段と、前記高反射面
で反射された後に前記低反射面から出射される信号光を
取り出すための光分離手段とを備え、又、前記光強度変
調素子が導波路型半導体光変調素子で成っている。
学面が低反射面，他方の光学面が高反射面を有する光強
度変調素子と、この光強度変調素子の前記低反射面から
信号光を入射させるための光結合手段と、前記高反射面
で反射された後に前記低反射面から出射される信号光を
取り出すための光分離手段とを備え、又、前記光強度変
調素子が導波路型半導体光変調素子で成っている。
【００１１】
【作用】一般に光強度変調器としての電界吸収型半導体
光変調器の変調帯域Δｆは、主に変調素子の容量Ｃで決
定され、近似的に次式で与えられる。
光変調器の変調帯域Δｆは、主に変調素子の容量Ｃで決
定され、近似的に次式で与えられる。
【００１２】 Δｆ＝１／（πＣＲ） …（１） ここで、Ｒは負荷抵抗であり、通常は伝送路とのインピ
ーダンスマッチングをとるために５０Ωに設定される。
また、容量Ｃの値は素子構造に依存するが、通常使用さ
れている素子長０．５ｍｍ程度の場合は１−２ｐＦであ
る。ゆえに、一般的な電界吸収型半導体変調素子の変調
帯域は、５ＧＨｚ程度となっている。
ーダンスマッチングをとるために５０Ωに設定される。
また、容量Ｃの値は素子構造に依存するが、通常使用さ
れている素子長０．５ｍｍ程度の場合は１−２ｐＦであ
る。ゆえに、一般的な電界吸収型半導体変調素子の変調
帯域は、５ＧＨｚ程度となっている。
【００１３】一方、半導体光変調素子の容量Ｃは、ｐｎ
界面の接合容量で与えられ、ほぼ素子長に比例する。し
たがって、変調帯域Δｆは、素子長を短くすることによ
り大きくできることが期待される。しかし、実際には、
素子長は駆動電圧，消光比等を考慮して設計されるので
極端には短くはできない。
界面の接合容量で与えられ、ほぼ素子長に比例する。し
たがって、変調帯域Δｆは、素子長を短くすることによ
り大きくできることが期待される。しかし、実際には、
素子長は駆動電圧，消光比等を考慮して設計されるので
極端には短くはできない。
【００１４】これに対して、本発明の光強度変調器で
は、被変調信号光を素子中を複数回伝播させる構成とし
ている。この構成により、信号光は素子内部伝播過程で
複数回変調される結果、素子長を短くした場合にも十分
な変調・消光比が得られるので、変調帯域を従来に比べ
て大きくできる。また、変調帯域を拡大する必要がなく
従来と同一サイズの素子を用いる場合には、複数回変調
されるために変調効率が向上する。この結果、所要駆動
電圧を低減できるという利点が生じる。
は、被変調信号光を素子中を複数回伝播させる構成とし
ている。この構成により、信号光は素子内部伝播過程で
複数回変調される結果、素子長を短くした場合にも十分
な変調・消光比が得られるので、変調帯域を従来に比べ
て大きくできる。また、変調帯域を拡大する必要がなく
従来と同一サイズの素子を用いる場合には、複数回変調
されるために変調効率が向上する。この結果、所要駆動
電圧を低減できるという利点が生じる。
【００１５】本発明の光変調方式においては、複数回の
変調を行なうので、光変調素子に印加される情報信号入
力に対応した変調出力光を得るには、信号光の素子伝播
時間は情報信号周期に比べて十分に小さいことが不可欠
である。しかし、半導体光変調素子の素子長は高々１ｍ
ｍ程度であり、その伝播時間は数ｐｓ以下にできる。し
たがって、このような素子を複数回伝播させる構成とし
ても、信号速度が２０Ｇｂ／ｓ以上においても全く問題
にならない様に設計可能である。
変調を行なうので、光変調素子に印加される情報信号入
力に対応した変調出力光を得るには、信号光の素子伝播
時間は情報信号周期に比べて十分に小さいことが不可欠
である。しかし、半導体光変調素子の素子長は高々１ｍ
ｍ程度であり、その伝播時間は数ｐｓ以下にできる。し
たがって、このような素子を複数回伝播させる構成とし
ても、信号速度が２０Ｇｂ／ｓ以上においても全く問題
にならない様に設計可能である。
【００１６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１７】図１は本第１の発明を適用する本第２の発
明の第１の実施例を示すブロック図、図２は本第１の実
施例で用いた半導体光変調素子の構造を示す図である。
明の第１の実施例を示すブロック図、図２は本第１の実
施例で用いた半導体光変調素子の構造を示す図である。
【００１８】図１において、本第１の実施例の光強度変
調器は一方の光学面が低反射面１２，他方の光学面が高
反射面１３を有する導波路型半導体変調素子１と、この
半導体変調素子１の低反射面１２から入力信号光を入射
させるための光結合手段としてのレンズ３と、高反射面
１３で反射された後に低反射面１２から出射された出力
信号光を取り出すための光分離手段としての光ファイバ
カップラ２とを有して構成している。
調器は一方の光学面が低反射面１２，他方の光学面が高
反射面１３を有する導波路型半導体変調素子１と、この
半導体変調素子１の低反射面１２から入力信号光を入射
させるための光結合手段としてのレンズ３と、高反射面
１３で反射された後に低反射面１２から出射された出力
信号光を取り出すための光分離手段としての光ファイバ
カップラ２とを有して構成している。
【００１９】図２において本第１の実施例における導波
路型の半導体変調素子１はｎ−ＩｎＰ基板１１１上にｎ
−ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層１１２からｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓキャップ層１１６の各層をＭＯＶＰＥ法を用
いて結晶成長した後に、エッチングによってＰＩＮ構造
を有する光導波路をストライプ状に形成し、その両サイ
ドを高抵抗なｉ−ＩｎＰ層１１７で埋め込み、そして、
ＳｉＯ2 層１１８で絶縁した後に、情報信号入力端子１
１およびアース電極１１９を蒸着によって作製してい
る。また、低反射面１２および高反射面１３には、組成
が異なるＳｉＯＮ膜によって、それぞれ、反射率９９％
の高反射面１３と、０．１％以下の低反射面１２が形成
されている。ここで、半導体変調素子１のＩｎＧａＡｓ
Ｐ導波層１１４の層厚は０．４μｍ，幅１，５μｍであ
る。この半導体変調素子１は、信号波長１．５５μｍ帯
で動作させるために、ＩｎＧａＡｓＰ導波層１１４のバ
ンドギャップ波長は約１．４２μｍに設定している。
路型の半導体変調素子１はｎ−ＩｎＰ基板１１１上にｎ
−ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層１１２からｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓキャップ層１１６の各層をＭＯＶＰＥ法を用
いて結晶成長した後に、エッチングによってＰＩＮ構造
を有する光導波路をストライプ状に形成し、その両サイ
ドを高抵抗なｉ−ＩｎＰ層１１７で埋め込み、そして、
ＳｉＯ2 層１１８で絶縁した後に、情報信号入力端子１
１およびアース電極１１９を蒸着によって作製してい
る。また、低反射面１２および高反射面１３には、組成
が異なるＳｉＯＮ膜によって、それぞれ、反射率９９％
の高反射面１３と、０．１％以下の低反射面１２が形成
されている。ここで、半導体変調素子１のＩｎＧａＡｓ
Ｐ導波層１１４の層厚は０．４μｍ，幅１，５μｍであ
る。この半導体変調素子１は、信号波長１．５５μｍ帯
で動作させるために、ＩｎＧａＡｓＰ導波層１１４のバ
ンドギャップ波長は約１．４２μｍに設定している。
【００２０】次に、本第１の実施例の光変調方法の動作
について図１を用いて説明する。
について図１を用いて説明する。
【００２１】入力信号光は、光ファイバ端２１から入力
され、その約５０％が光ファイバ端２３から出射され
る。この入力信号光は、レンズ３によって半導体光変調
素子１に結合され、その中を伝播した後に高反射面１３
で反射される。そして、再び半導体光変調素子１中を伝
播して前述の光路を逆行した後に、光ファイバ端２２か
ら出力される。また、信号入力端子１１には、情報信号
に応じた電圧が印加される。
され、その約５０％が光ファイバ端２３から出射され
る。この入力信号光は、レンズ３によって半導体光変調
素子１に結合され、その中を伝播した後に高反射面１３
で反射される。そして、再び半導体光変調素子１中を伝
播して前述の光路を逆行した後に、光ファイバ端２２か
ら出力される。また、信号入力端子１１には、情報信号
に応じた電圧が印加される。
【００２２】図３は本第１の実施例での周波数特性を示
す図、図４は本第１の実施例での消光比対駆動電圧特性
を示す図である。
す図、図４は本第１の実施例での消光比対駆動電圧特性
を示す図である。
【００２３】この第１の実施例では、光強度変調器とし
て１０ＧＨｚ以上の応答が得られるように、素子容量が
約０．５ｐＦになるように半導体変調素子長を設計した
が、この条件を満たす素子長は本第１の実施例の半導体
変調素子１では３００μｍであった。
て１０ＧＨｚ以上の応答が得られるように、素子容量が
約０．５ｐＦになるように半導体変調素子長を設計した
が、この条件を満たす素子長は本第１の実施例の半導体
変調素子１では３００μｍであった。
【００２４】図３および図４の周波数応答特性および消
光比対駆動電圧特性に示すように、３ｄＢ帯域として１
２ＧＨｚの周波数応答特性が実現でき、また、消光比２
０ｄＢの変調を実現するために必要な駆動電圧は約４Ｖ
であった。
光比対駆動電圧特性に示すように、３ｄＢ帯域として１
２ＧＨｚの周波数応答特性が実現でき、また、消光比２
０ｄＢの変調を実現するために必要な駆動電圧は約４Ｖ
であった。
【００２５】本第１の実施例を従来方式と比較するため
に、素子長５００μｍで両端面に０．１％以下の無反射
コーティングを施した素子を作製し、従来の単一通過構
成でその変調特性を評価した、この評価結果は、図３お
よび図４に本第１の実施例の結果と併記した。この場
合、変調帯域は約７ＧＨｚであり、消光比２０ｄＢの変
調を得るための駆動電圧は約６Ｖであった。また、当然
のことながら、素子長を５００μｍより長くした場合に
は変調帯域が７ＧＨｚ以下になり、一方、５００μｍ以
下にした場合には駆動電圧が６Ｖ以上になり、上述の本
第１の実施例を上回る特性は得られなかった。
に、素子長５００μｍで両端面に０．１％以下の無反射
コーティングを施した素子を作製し、従来の単一通過構
成でその変調特性を評価した、この評価結果は、図３お
よび図４に本第１の実施例の結果と併記した。この場
合、変調帯域は約７ＧＨｚであり、消光比２０ｄＢの変
調を得るための駆動電圧は約６Ｖであった。また、当然
のことながら、素子長を５００μｍより長くした場合に
は変調帯域が７ＧＨｚ以下になり、一方、５００μｍ以
下にした場合には駆動電圧が６Ｖ以上になり、上述の本
第１の実施例を上回る特性は得られなかった。
【００２６】図５は、本第２の発明の第２の実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【００２７】図５において、本第２の実施例は光変調素
子４，レンズ５１，５２，偏光ビームスプリッタ６１，
６２，全反射ミラー７１，７２及び半波長板８を有して
構成している。ここで、光変調素子４としては、上述と
同じ半導体光変調素子１を用いている。
子４，レンズ５１，５２，偏光ビームスプリッタ６１，
６２，全反射ミラー７１，７２及び半波長板８を有して
構成している。ここで、光変調素子４としては、上述と
同じ半導体光変調素子１を用いている。
【００２８】次に、本第２の実施例の光変調方法の動作
について説明する。
について説明する。
【００２９】本第２の実施例では、入力信号光はＴＥ波
として、偏光ビームスプリッタ６１を通過後に光変調素
子４に入射されている。この変調器出力光は、ＴＥ波を
反射する（ＴＭ波を透過する）ように設置された偏光ビ
ームスプリッタ６２によって反射され、さらに半波長板
８によってＴＭ波に変換されて、再び光変調素子４に入
力して変調される。そして、変調信号光は、ＴＭ波とし
て偏光ビームスプリッタ６２から取り出されている。こ
の第２の実施例では、フィードバック光路が数ｃｍであ
るために、変調帯域を４ＧＨｚ以上にすることはできな
いが、消光比２０ｄＢのための駆動電圧は２．５Ｖであ
り、従来の半分以下にすることができた。
として、偏光ビームスプリッタ６１を通過後に光変調素
子４に入射されている。この変調器出力光は、ＴＥ波を
反射する（ＴＭ波を透過する）ように設置された偏光ビ
ームスプリッタ６２によって反射され、さらに半波長板
８によってＴＭ波に変換されて、再び光変調素子４に入
力して変調される。そして、変調信号光は、ＴＭ波とし
て偏光ビームスプリッタ６２から取り出されている。こ
の第２の実施例では、フィードバック光路が数ｃｍであ
るために、変調帯域を４ＧＨｚ以上にすることはできな
いが、消光比２０ｄＢのための駆動電圧は２．５Ｖであ
り、従来の半分以下にすることができた。
【００３０】以上、第１および第２の発明による光変調
方法および光強度変調器について第１及び第２の実施例
を用いて説明したが、本発明はこの実施例に限られるこ
となくいくつかの変形が考えられる。
方法および光強度変調器について第１及び第２の実施例
を用いて説明したが、本発明はこの実施例に限られるこ
となくいくつかの変形が考えられる。
【００３１】例えば、本第１及び第２の実施例では、光
変調素子としてＩｎＧａＡｓＰ半導体素子１を用いた
が、他種の半導体あるいはＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ
型光変調器などであってもよい。また、光変調素子は、
強度変調の他に、位相あるいは周波数を変調するものも
可能で、いかなる素子でも良い。さらに、光変調素子内
伝播回数は第１及び第２の実施例では２回の場合を示し
たが、この第１及び第２の実施例に限定されない。光結
合・分離手段は、光サーキュレータなどを用いてもよ
く、その性能を有する限りいかなる素子・要素であって
もよいことは言うまでもない。また、光結合・分離手段
を半導体基板上などに集積化することも可能である。
変調素子としてＩｎＧａＡｓＰ半導体素子１を用いた
が、他種の半導体あるいはＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ
型光変調器などであってもよい。また、光変調素子は、
強度変調の他に、位相あるいは周波数を変調するものも
可能で、いかなる素子でも良い。さらに、光変調素子内
伝播回数は第１及び第２の実施例では２回の場合を示し
たが、この第１及び第２の実施例に限定されない。光結
合・分離手段は、光サーキュレータなどを用いてもよ
く、その性能を有する限りいかなる素子・要素であって
もよいことは言うまでもない。また、光結合・分離手段
を半導体基板上などに集積化することも可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明では、入力信号
光が光変調素子中を複数回伝播する構成とすることによ
り、信号光は素子内部伝播過程で複数回に渡って変調さ
れるので、素子長を短くした場合にも十分な変調・消光
比が得られ、かつ、素子の短尺化により変調帯域を従来
に比べて大きくできるという効果がある。
光が光変調素子中を複数回伝播する構成とすることによ
り、信号光は素子内部伝播過程で複数回に渡って変調さ
れるので、素子長を短くした場合にも十分な変調・消光
比が得られ、かつ、素子の短尺化により変調帯域を従来
に比べて大きくできるという効果がある。
【００３３】また、変調帯域を必要とせず従来と同一サ
イズでの素子を用いる場合には、複数回変調されるため
に変調効率が向上し、所要駆動電圧を低減できるという
効果がある。
イズでの素子を用いる場合には、複数回変調されるため
に変調効率が向上し、所要駆動電圧を低減できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本第１の発明を適用する本第２の発明の第１の
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
【図２】本第１の実施例で用いた半導体光変調素子の構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図３】本第１の実施例での周波数応答特性を示す図で
ある。
ある。
【図４】本第１の実施例での消光比対駆動電圧特性を示
す図である。
す図である。
【図５】本第１の発明を適用する本第２の発明の第２の
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
１ 半導体変調素子 １１ 情報信号入力端子 １２ 低反射面 １３ 高反射面 ２ 光ファイバカップラ ２１，２２，２３ 光ファイバ端 ３ レンズ １１１ ＩｎＰ基板 １１２ ｎ−ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層 １１３ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １１４ ＩｎＧａＡｓＰ導波層 １１５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １１６ ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層 １１７ ｉ−ＩｎＰ層 １１８ ＳｉＯ2 層 １１９ アース電極
Claims (3)
- 【請求項１】 信号光を光強度変調素子中を伝播させる
ことによって強度変調する光変調方法において、前記信
号光が前記光強度変調素子中を複数回伝播するようにし
たことを特徴とする光変調方法。 - 【請求項２】 一方の光学面が低反射面，他方の光学面
が高反射面を有する光強度変調素子と、この光強度変調
素子の前記低反射面から信号光を入射させるための光結
合手段と、前記高反射面で反射された後に前記低反射面
から出射される信号光を取り出すための光分離手段とを
備えることを特徴とする光強度変調器。 - 【請求項３】 前記光強度変調素子が導波路型半導体光
変調素子で成ることを特徴とする請求項２記載の光強度
変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072792A JPH0651252A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 光変調方法および光強度変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072792A JPH0651252A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 光変調方法および光強度変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651252A true JPH0651252A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16429190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20072792A Pending JPH0651252A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 光変調方法および光強度変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424440B1 (en) | 1997-10-28 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Optical switch, optical amplifier and optical power controller as well as optical add-drop multiplexer |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP20072792A patent/JPH0651252A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424440B1 (en) | 1997-10-28 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Optical switch, optical amplifier and optical power controller as well as optical add-drop multiplexer |
| US6466344B2 (en) | 1997-10-28 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Optical switch, optical amplifier and optical power controller as well as optical add-drop multiplexer |
| US7197246B2 (en) | 1997-10-28 | 2007-03-27 | Nec Corporation | Optical switch, optical amplifier and optical power controller as well as optical add-drop multiplexer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990105 |