JPH0651255A

JPH0651255A - 光アッテネータ

Info

Publication number: JPH0651255A
Application number: JP20504492A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Fukushima; 暢洋福島
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-07-31
Filing date: 1992-07-31
Publication date: 1994-02-25
Anticipated expiration: 2013-10-27
Also published as: JP2815509B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は光アッテネータに関し、機械的可動部
分を用いることなしに所要の減衰率を得ることができる
光アッテネータの提供を目的とする。【構成】磁気光学結晶１と、偏光子２と、互いに異なる
方向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さが所定値を超
えるように磁気光学結晶１に対して印加する磁界印加手
段３と、第１及び第２磁界の強さの少なくとも一方を変
化させる磁界調整手段４とから構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気光学結晶を備えてな
る光アッテネータに関する。光通信システムについて実
験や調整を行う場合に、システムを構成している装置の
いずれかに入力する光の強度レベルを調整するために、
光アッテネータが使用されることがある。従来、光アッ
テネータとしては、減衰率を機械的に変化させるように
したものが知られている。もし、光アッテネータをその
減衰率が制御の対象の一つになるようにシステムに組み
込んで使用するとすれば、システムの信頼性を高めるた
めに、機械的な可動部分がない光アッテネータの実用化
が望まれる。

【０００２】

【従来の技術】従来実用化されている光アッテネータと
しては、機械的な動作によって減衰率を変化させるよう
にしたものがある。例えば、光路中に挿入される減衰膜
の減衰率に分布をもたせておき、この減衰膜を変位させ
ることで減衰率が調整される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
光アッテネータをその減衰率が制御の対象となるような
制御システムに組み込んで使用することが実用上要求さ
れる場合がある。例えば、希土類元素がドープされた光
ファイバに信号光及び励起光を導波させて信号光の増幅
を行うようにした光増幅器において、所要の特性（例え
ばＳ／Ｎ等）を得るために、信号光及び／又は励起光の
パワーをモニタレベルに応じて制御する場合である。

【０００４】このような場合、機械的に減衰率を調整す
る光アイソレータの使用は、制御システムの信頼性を確
保する上で避けるべきである。本発明の主たる目的は、
機械的可動部分を有しない光アッテネータを提供するこ
とである。

【０００５】本発明の他の目的は以下の説明から明らか
になる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の光アッテネータ
は、光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶と、該磁
気光学結晶の上記光の伝搬方向下流側に設けられ、特定
の偏光方向の光を通過させる偏光子と、互いに異なる方
向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さが所定値を超え
るように上記磁気光学結晶に対して印加する磁界印加手
段と、上記第１及び第２磁界の強さの少なくとも一方を
変化させる磁界調整手段とを備える。

【０００７】

【作用】図１は本発明の原理を説明するための図であ
る。図１（Ａ）において符号１乃至４はそれぞれ前述の
磁気光学結晶、偏光子、磁界印加手段及び磁界調整手段
を表しており、図１（Ａ）のブロック図により特定され
る構成は請求項１により特定される光アッテネータに相
当している。

【０００８】一方、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示され
た磁気光学結晶１及び偏光子２を用いて比較的容易に発
想し得る、機械的可動部分を有しない光アッテネータの
構成を示すブロック図である。図１（Ｂ）において、符
号５は磁気光学結晶１に対して光の伝搬方向と同じ方向
に磁界を印加する手段を表しており、符号６はこの磁界
の強さを調整する手段を表している。

【０００９】図１（Ｂ）の光アッテネータが現実に提案
されているか否かは不明ではあるが、図１（Ａ）におけ
る磁界印加手段３及び磁界調整手段４による作用を説明
する上で有用と思われるのでこれを例示した。

【００１０】一般に、磁気光学結晶にある磁界（磁場）
を印加した状態で、つまり磁気光学結晶をある磁界の中
においた状態で、直線偏光が磁気光学結晶内を通過する
と、その偏光方向（直線偏光の電場ベクトルを含む平面
の伝搬方向と垂直な平面への投影）は、伝搬方向にかか
わらず常に一定の回転方向に回転される。

【００１１】この現象はファラデー回転と称され、偏光
方向の回転角の大きさ（ファラデー回転角）は、印加磁
界により生じた磁気光学結晶の磁化の方向及び強さに依
存する。具体的には、ファラデー回転角度は磁気光学結
晶の磁化の強さの光の伝搬方向の成分の大きさによって
決定される。

【００１２】さて、磁気光学結晶と偏光子とを組み合わ
せた構成において、磁気光学結晶におけるファラデー回
転角を調整すると、偏光子から出力される光の振幅をフ
ァラデー回転角に応じて変化させることができるので、
この構成は直線偏光に対する光アッテネータを実現する
上で有用である。

【００１３】図１（Ｂ）の構成によると、手段６により
印加磁界の大きさを調整して、一見すると、磁気光学結
晶１におけるファラデー回転角度を有効に調整すること
ができそうである。しかし、ここで考慮しておくべき点
は、印加磁界の大きさが比較的小さい場合には、印加磁
界による磁気光学結晶１の磁化が飽和状態に達せず、磁
気光学結晶１内に多数の磁区が存在していることであ
る。

【００１４】このような多数の磁区の存在は、光アッテ
ネータにおける減衰率の再現性を悪化させるし、良好な
再現性が確保されているとしても減衰率の連続的な可変
を困難にする。また、磁気光学結晶１に多数の磁区があ
る場合には、各磁区間の界面における光の散乱による減
衰も生じ、実用上の不都合となる。

【００１５】本発明によると、合成磁界の強さが所定値
を超えるように磁界印加手段３が磁気光学結晶１に対し
て第１及び第２磁界を印加するようにしているので、磁
気光学結晶１における磁化の強さを常に飽和させておく
ことができ、多数の磁区の存在による上記不都合を排除
することができる。尚、磁気光学結晶において磁化の強
さが飽和した状態は、磁区が一つになった状態として理
解することができる。

【００１６】また、本発明の構成によると、磁界調整手
段４により第１磁界の強さ及び第２磁界の強さの少なく
とも一方を変化させるようにしているので、これにより
第１及び第２磁界の合成磁界の方向を変えることができ
る。合成磁界の方向が変わると、これに伴い磁気光学結
晶１における磁化の方向も変わり、その結果、磁化の強
さが飽和して一定であるにもかかわらず、磁化の強さの
光伝搬方向の成分が変わり、結局磁気光学結晶１におけ
るファラデー回転角が変化するのである。

【００１７】このように本発明によると、機械的可動部
分がなく、しかも図１（Ｂ）の構成に比べて再現性が良
好で実用性に優れた光アッテネータの提供が可能にな
る。

【００１８】

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図２は本発
明の第１実施例における光アッテネータの構成図であ
る。この光アッテネータは、ファラデー回転子１１と偏
光子１２を備えている。偏光子１２は例えばグラン・ト
ムソンプリズムである。

【００１９】ファラデー回転子１１は、磁気光学結晶１
３と、磁気光学結晶１３に対して互いに直交する方向に
磁界を印加する永久磁石１４及び電磁石１５と、電磁石
１５に駆動電流を与える可変電流源１６とからなる。

【００２０】光ビームが透過するのに十分な程度の厚み
の比較的薄い磁気光学結晶１３を用いることによって、
飽和磁界（磁気光学結晶の磁化を飽和させ或いはファラ
デー回転角を飽和させるのに必要とされる磁界の強さ）
を小さくすることができる。磁気光学結晶１３として
は、薄く切り出したＹＩＧ（イットリウム・鉄ガーネッ
ト）やエピタキシャル結晶成長させた（ＧｄＢｉ）
₃（ＦｅＡｌＧａ）₅Ｏ₁₂等を用いることができる。

【００２１】永久磁石１４により磁気光学結晶１３に印
加される磁界の方向は磁気光学結晶１３における光ビー
ム１７の透過方向と平行であり、電磁石１５により磁気
光学結晶１３に印加される磁界の方向は磁気光学結晶１
３における永久磁石１４による磁界印加方向及び光ビー
ム１７の透過方向に垂直である。

【００２２】磁気光学結晶１３に入射させる光ビーム１
７は直線偏光であり、その偏光方向はファラデー回転子
１１によりファラデー回転させられる。磁気光学結晶１
３を透過した光は、偏光子１２で互いに偏光方向が直交
する２つの偏光成分のうちの一方の偏光成分を取り出さ
れ、これがこの光アッテネータの光出力となる。

【００２３】永久磁石１４及び電磁石１５による合成磁
界の強さは、磁気光学結晶１３における飽和磁界よりも
常に大きくなるように設定される。その理由は前述した
通りである。また、可変電流源１６の可変範囲は、磁気
光学結晶１３から出射する光の偏光方向を、この光アッ
テネータの光出力の偏光方向に一致する方向と該方向に
直交する方向の間で調整し得るような範囲に設定され
る。

【００２４】以下の説明で用いるＸＹＺ直交三次元座標
系において、Ｚ軸は磁気光学結晶１３の透過光の伝搬方
向と平行であり、Ｙ軸は磁気光学結晶１３の厚み方向と
平行である。即ち、この例では、永久磁石１４による印
加磁界の方向はＺ軸に平行であり、電磁石１５による印
加磁界の方向はＸ軸に平行である。

【００２５】図３は、図２に示されたファラデー回転子
１１において磁気光学結晶１３に与えられる磁界及び磁
気光学結晶１３の磁化の方向及び強さ（大きさ）を説明
するための図である。

【００２６】いま、永久磁石１４のみによって磁気光学
結晶１３に符号１０１で示されるように磁界が印加され
ている場合、磁気光学結晶１３の磁化は符号１０２で示
すようにＺ軸と平行になる。このときの印加磁界の強さ
（磁界ベクトル１０１の長さ）は、磁気光学結晶１３の
磁化の強さ（磁化ベクトル１０２の長さ）が飽和するよ
うに設定される。そして、例えば、この状態で光アッテ
ネータの透過率が最大になるようなファラデー回転角が
得られているものとする。

【００２７】電磁石１５による磁界が符号１０３で示さ
れるようにＸ軸に平行に印加されると、合成磁界は符号
１０４で示されるように磁界ベクトル１０１及び１０３
の合成ベクトルとなる。この合成磁界１０４により磁気
光学結晶１３には符号１０５で示されるような磁化が生
じる。磁化ベクトル１０５と磁界ベクトル１０４は平行
であり、磁化ベクトル１０５の長さは磁化ベクトル１０
２の長さに一致する。

【００２８】磁気光学結晶１３の磁化の強さが一定であ
るからといって、磁気光学結晶１３におけるファラデー
回転への寄与度が同じであるとは限らない。ファラデー
回転角が当該磁化の方向と光の伝搬方向の関係にも依存
するからである。

【００２９】即ち、磁化１０２が生じている状態と磁化
１０５が生じている状態を比較すると、磁化１０２のＺ
成分（磁化１０２そのもの）に対して磁化１０５のＺ成
分１０６が減少している分だけ、後者のファラデー回転
角が小さくなるのである。

【００３０】前者の状態において最大透過率が得られる
のであるから、後者の状態において最小透過率が得られ
るようにするためには、つまり後者の状態において光の
全成分が偏光子１２で除去されるようにするためには、
両者の間のファラデー回転角の差をπ／２（９０°）に
設定すればよい。

【００３１】いま、永久磁石１４による磁界１０１と合
成磁界１０４がなす角をθとすると、磁化１０２と磁化
１０５がなす角もθとなり、磁化１０５のＺ成分１０６
と磁化１０２の比は cosθに等しい。

【００３２】例えば、永久磁石１４によってのみ磁界が
印加されているときにおける磁気光学結晶１３のファラ
デー回転角が２πに設定されている場合には、（１− c
osθ）が０．２５になるように可変電流源１６の電流可
変幅を設定しておくことによって、最大透過率から最小
透過率の全範囲を網羅することができる。同ファラデー
回転角が４π及び８πである場合には、それぞれ（１−
cosθ）の値は０．２５／２及び０．２５／４で良いこ
とになる。

【００３３】従って、最大透過率から最小透過率の全範
囲を網羅するための電流可変幅を小さく抑えるために
は、永久磁石１４によってのみ磁界が印加されていると
きのファラデー回転角を２ｎπ（ｎは自然数）とすると
きに、ｎをできるだけ大きくすればよい。尚、説明の便
宜上ｎが自然数であるとしたが、そうでなくても構わな
い。ｎの値は入射光の偏光方向と偏光子１２の固有偏光
の方向の関係に応じて設定することができる。

【００３４】本実施例によると、最大透過率から最小透
過率の全範囲にわたって常に磁気光学結晶１３には飽和
磁界が印加されているので、磁気光学結晶１３に多数の
磁区が形成されることに起因する不都合が生じない。ま
た、最大透過率から最小透過率までの全範囲について電
気的な調整が可能であるので、応答性が良好で且つ信頼
性の高い光アッテネータの提供が可能になる。

【００３５】図４は図２に示されたファラデー回転子の
変形例を示す図である。このファラデー回転子１１′が
図２のファラデー回転子１１と異なる点は、磁気光学結
晶１３の相対する対角に互いに平行な平面２８及び２９
を形成し、光ビーム２７がこれらの面２８及び２９を通
過するようにしている点である。

【００３６】この例では、永久磁石１４による磁界の方
向と電磁石１５による磁界の方向は共に光の伝搬方向に
対して概略４５°傾斜している。この例では、ＸＹＺ直
交三次元座標系においてＹ軸が磁気光学結晶１３の厚み
方向に平行でＺ軸が光の伝搬方向に平行であるとする。

【００３７】図５は図４に示されたファラデー回転子に
おける磁界及び磁化の説明図である。電磁石１５により
印加される磁界は、符号１１１で示される状態から符号
１１２で示される状態の範囲で強さ及び向きを調整可能
である。符号１１３は永久磁石１４による印加磁界を示
している。この場合、合成磁界は符号１１４で表される
状態と符号１１５で表される状態の範囲で強さ及び方向
が変化する。

【００３８】これに伴い、磁気光学結晶１３の磁化も符
号１１６で表される状態から符号１１７で表される状態
の範囲で強さ及び方向が変化する。図から明らかなよう
に、図４のファラデー回転子１１′を用いると、電磁石
１５の駆動電流の可変幅をさほど大きくすることなし
に、前述のθの可変幅を容易に零からπ／２の範囲に設
定することができる。尚、磁化の強さが最小になる符号
１１８で示される状態（電磁石１５による印加磁界が零
の状態）でファラデー回転角が十分に飽和するように、
永久磁石１４による印加磁界が設定される。

【００３９】図６は図２のファラデー回転子の他の変形
例を示す図である。このファラデー回転子１１″が図２
のファラデー回転子１１と異なる点は、図２の永久磁石
１４に代えて電磁石３１を設け、さらに電磁石３１に駆
動電流を与える可変電流源３２を設けている点である。

【００４０】図７は図６のファラデー回転子１１″にお
ける磁界及び磁化の説明図である。図６の構成による
と、電磁石１５及び３１による印加磁界を調整すること
で合成磁界を符号１２１乃至１２４で示すように連続的
に且つ飽和磁界を保ったままで変化させることができ
る。これに伴い、磁気光学結晶１３の磁化は符号１２５
乃至１２８で示すように変化する。

【００４１】このように図６の構成によると、図４のよ
うな複雑な形状の磁気光学結晶を用いることなしに、前
述のθの可変範囲を容易に零乃至π／２に設定すること
ができる。

【００４２】図８は本発明の第２実施例を示す光アッテ
ネータの構成図である。光ファイバ４１と、レンズ４３
と、テーパ状の複屈折結晶４４と、図２のファラデー回
転子１１と、テーパ状の複屈折結晶４５と、レンズ４６
と、光ファイバ４７とが図示しない光源の側からこの順
序で配列されている。

【００４３】複屈折結晶４４及び４５の材質は例えばル
チルであり、これらの形状は同じである。複屈折結晶４
４の頂部及び底部はそれぞれ複屈折結晶４５の底部及び
頂部に対向し且つ対応する面は互いに平行である。ま
た、複屈折結晶４４及び４５の光学軸は紙面に垂直な平
面内にあり、各光学軸の位置関係はアッテネータのゼロ
入力時の損失の設定による。以下の説明ではゼロ入力時
に損失が最小になるように定めることとし、複屈折結晶
４４の光学軸と複屈折結晶４５の光学軸が互いに平行で
あるとする。

【００４４】光ファイバ４１の出射光はレンズ４３によ
りコリメートされて平行光ビームになる。このビームは
ビーム太さを無視して符号１３０で表されている。ビー
ム１３０は複屈折結晶４４においてその常光線に相当す
るビーム１３１と異常光線に相当するビーム１３２に分
離される。ビーム１３１の偏光方向とビーム１３２の偏
光方向は互いに直交している。

【００４５】ビーム１３１及び１３２はファラデー回転
子１１で偏光方向をそれぞれ同じ角度だけ回転されそれ
ぞれビーム１３３及び１３４になる。ビーム１３３は複
屈折結晶４５においてその常光線成分であるビーム１３
５と異常光線成分であるビーム１３６に分離される。ま
た、ビーム１３４は複屈折結晶４５においてその異常光
線成分であるビーム１３７と常光線成分であるビーム１
３８に分離される。

【００４６】ビーム１３５乃至１３８がそれぞれ受けて
きた屈折の履歴と複屈折結晶４４及び４５の形状及び配
置形態とを考慮すると、ビーム１３５及び１３７は互い
に平行であり、ビーム１３６及び１３８は互いに平行で
ない。

【００４７】従って、ビーム１３５乃至１３８のうちビ
ーム１３５及び１３７のみをレンズ４６により絞り込ん
で光ファイバ４７に入射させることができる。さて、ビ
ーム１３５及び１３７のトータルパワーとビーム１３６
及び１３８のトータルパワーの比は、ファラデー回転子
１１におけるファラデー回転角に依存する。一方、ファ
ラデー回転子１１におけるファラデー回転角が一定であ
る状態においては、ビーム１３５及び１３７のトータル
パワーは光ファイバ４１の出射光の偏光状態には依存し
ない。

【００４８】従って、本実施例によると、減衰率を電気
的に且つ連続的に変化させることができしかも入射光の
偏光状態が特定の直線偏光に限定されることのない光ア
ッテネータの提供が可能になる。

【００４９】図９は本発明の第３実施例を示す光アッテ
ネータの構成図である。光ファイバ５１とレンズ５２と
平行平板状の複屈折結晶５３と図２のファラデー回転子
１１と平行平板状の複屈折結晶５４とレンズ５５と光フ
ァイバ５６がこの順序で図示しない光源の側から配置さ
れている。

【００５０】複屈折結晶５３及び５４は例えばルチルか
ら形成され、これらの厚みは等しい。また、複屈折結晶
５３の光学軸と複屈折結晶５４の光学軸は互いに直交
し、且つ、各光学軸はそれぞれ光の進行方向に対して４
５°傾斜している。

【００５１】光ファイバ５１の出射光はレンズ５２によ
り平行光ビームにコリメートされる。このビームはビー
ム太さを無視して符号１４０で表される。ビーム１４０
は複屈折結晶５３においてその常光線に相当するビーム
１４１と異常光線に相当するビーム１４２に分離され
る。ビーム１４１及び１４２は互いに平行であり、ビー
ム１４１の偏光方向とビーム１４２の偏光方向は互いに
直交する。

【００５２】ビーム１４１及び１４２はファラデー回転
子１１で偏光方向を回転されそれぞれビーム１４３及び
１４４になる。ビーム１４３は複屈折結晶５４において
その常光線成分に相当するビーム１４５と異常光線成分
に相当するビーム１４６に分離される。ビーム１４４は
複屈折結晶５４においてその常光線成分に相当するビー
ム１４７と異常光線成分に相当するビーム１４８に分離
される。

【００５３】複屈折結晶５３及び５４は互いに平行であ
りこれらの厚みは等しいので、ビーム１４５はビーム１
４８に一致する。従って、ビーム１４５乃至１４８のう
ちビーム１４５及び１４８のみをレンズ５５により絞り
込んで光ファイバ５６に入射させることができる。

【００５４】さて、ビーム１４５及び１４８のトータル
パワーとビーム１４６及び１４７のトータルパワーの比
は、ファラデー回転子１１におけるファラデー回転角に
依存する。一方、ファラデー回転子１１におけるファラ
デー回転角が一定である状態においては、ビーム１４５
及び１４８のトータルパワーは光ファイバ５１の出射光
の偏光状態には依存しない。

【００５５】従って、本実施例によると、減衰率を電気
的に且つ連続的に変化させることができしかも入射光の
偏光状態が特定の直線偏光に限定されることのない光ア
ッテネータの提供が可能になる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
機械的可動部分を有しない実用性に優れた光アッテネー
タの提供が可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】本発明の第１実施例を示す光アッテネータの構
成図である。

【図３】図２における磁界及び磁化の説明図である。

【図４】図２のファラデー回転子の他の構成例を示す図
である。

【図５】図４における磁界及び磁化の説明図である。

【図６】図２のファラデー回転子のさらに他の構成例を
示す図である。

【図７】図６における磁界及び磁化の説明図である。

【図８】本発明の第２実施例を示す光アッテネータの構
成図である。

【図９】本発明の第３実施例を示す光アッテネータの構
成図である。

【符号の説明】

１，１３磁気光学結晶２，１２偏光子３磁界印加手段４磁界調整手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結
晶(1) と、該磁気光学結晶(1) の上記光の伝搬方向下流側に設けら
れ、特定の偏光方向の光を通過させる偏光子(2) と、互いに異なる方向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さ
が所定値を超えるように上記磁気光学結晶(1) に対して
印加する磁界印加手段(3) と、上記第１及び第２磁界の強さの少なくとも一方を変化さ
せる磁界調整手段(4)とを備えたことを特徴とする光ア
ッテネータ。
【請求項２】上記第１及び第２磁界は上記光の伝搬方
向を含む平面内の互いに直交する方向に印加されること
を特徴とする請求項１に記載の光アッテネータ。
【請求項３】上記磁界印加手段(3) は上記第１及び第
２磁界をそれぞれ印加する電磁石及び永久磁石であり、
上記磁界調整手段(4) は上記電磁石を駆動する電流を調
整することを特徴とする請求項２に記載の光アッテネー
タ。
【請求項４】上記第２磁界は上記光の伝搬方向と平行
に印加されることを特徴とする請求項３に記載の光アッ
テネータ。
【請求項５】上記第１及び第２磁界は上記光の伝搬方
向に対して概略４５°傾斜した方向に印加されることを
特徴とする請求項３に記載の光アッテネータ。
【請求項６】上記磁界印加手段(3) は上記第１及び第
２磁界をそれぞれ印加する第１及び第２の電磁石であ
り、上記磁界調整手段(4) は上記第１及び第２の電磁石を駆
動する電流の少なくとも一方を調整することを特徴とす
る請求項２に記載の光アッテネータ。
【請求項７】上記所定値は上記磁気光学結晶(1) のフ
ァラデー回転角が飽和するのに必要とされる磁界の強さ
であることを特徴とする請求項１に記載の光アッテネー
タ。
【請求項８】上記磁気光学結晶(1) におけるファラデ
ー回転角は２ｎπ（ｎは自然数）よりも大きく設定され
ることを特徴とする請求項１に記載の光アッテネータ。
【請求項９】第１の光ファイバ(41)と、該第１の光フ
ァイバ(41)から出射した光を平行ビームにする第１のレ
ンズ(43)と、該第１のレンズ(43)からの平行ビームを偏
光方向が互いに直交する第１及び第２ビームに分離する
テーパ状の第１の複屈折結晶(44)とをさらに備え、該第１の光ファイバ(41)、第１のレンズ(43)及び第１の
複屈折結晶(44)は該第１の複屈折結晶(44)からの上記第
１及び第２ビームが上記磁気光学結晶に入射するように
配置され、上記偏光子は、上記磁気光学結晶によりファラデー回転された上記第１
及び第２ビームを、それぞれ、偏光方向が互いに直交す
る第３及び第４ビームに分離し並びに偏光方向が互いに
直交する第５及び第６ビームに分離するテーパ状の第２
の複屈折結晶(45)と、第２のレンズ(46)と、第２の光ファイバ(47)とを含み、該第２の複屈折結晶(45)、第２のレンズ(46)及び第２の
光ファイバ(47)は、該第２の複屈折結晶からの上記第３
乃至第６ビームのうちの互いに平行ないずれか２つのビ
ームが上記第２のレンズ(46)により収束されて上記第２
の光ファイバ(47)に入射するように配置されることを特
徴とする請求項１に記載の光アッテネータ。
【請求項１０】上記第１の複屈折結晶(44)の光学軸と
上記第２の複屈折結晶(45)の光学軸は互いに平行である
ことを特徴とする請求項９に記載の光アッテネータ。
【請求項１１】第１の光ファイバ(51)と、該第１の光
ファイバ(51)から出射した光を平行ビームにする第１の
レンズ(52)と、該第１のレンズ(52)からの平行ビームを
互いに平行で且つ偏光方向が互いに直交する第１及び第
２ビームに分離する平行平板状の第１の複屈折結晶(53)
とをさらに備え、該第１の光ファイバ(51)、第１のレンズ(52)及び第１の
複屈折結晶(53)は該第１の複屈折結晶(53)からの上記第
１及び第２ビームが上記磁気光学結晶に入射するように
配置され、上記偏光子は、上記磁気光学結晶によりファラデー回転された上記第１
及び第２ビームを、それぞれ、互いに平行で且つ偏光方
向が互いに直交する第３及び第４ビームに分離し並びに
互いに平行で且つ偏光方向が互いに直交する第５及び第
６ビームに分離する平行平板状の第２の複屈折結晶(54)
と、第２のレンズ(55)と、第２の光ファイバ(56)とを含み、該第２の複屈折結晶(54)、第２のレンズ(55)及び第２の
光ファイバ(56)は、該第２の複屈折結晶(54)からの上記
第３乃至第６ビームのうちの互いに一致するいずれか２
つのビームが上記第２のレンズ(55)により収束されて上
記第２の光ファイバ(56)に入射するように配置されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光アッテネータ。