JPH0653196A - 半導体ウェーハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄方法Info
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- JPH0653196A JPH0653196A JP20074492A JP20074492A JPH0653196A JP H0653196 A JPH0653196 A JP H0653196A JP 20074492 A JP20074492 A JP 20074492A JP 20074492 A JP20074492 A JP 20074492A JP H0653196 A JPH0653196 A JP H0653196A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
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- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 12
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】後工程の薄膜成長時の膜厚異常をもたらす洗浄
むらを無くす。 【構成】ウェーハ７の複数枚を収納する収納治具４に対
して、斜め方向から純水を散水する２に加えて、洗浄槽
３を横切って往復運動しながら下方に散水する移動吹き
出し部１を設け、散水方向を重々させ、ウェーハ７収納
治具４の全体を一様に洗浄する。
むらを無くす。 【構成】ウェーハ７の複数枚を収納する収納治具４に対
して、斜め方向から純水を散水する２に加えて、洗浄槽
３を横切って往復運動しながら下方に散水する移動吹き
出し部１を設け、散水方向を重々させ、ウェーハ７収納
治具４の全体を一様に洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの洗浄
方法に関し、特に半導体ウェーハを半導体ウェーハ用収
納治具に収納し薬液処理を行なった後に洗浄する半導体
ウェーハ洗浄方法に関する。
方法に関し、特に半導体ウェーハを半導体ウェーハ用収
納治具に収納し薬液処理を行なった後に洗浄する半導体
ウェーハ洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体ウ
ェーハの洗浄方法の一例を説明するための洗浄槽を示す
上面図及び断面図である。従来、この種の半導体ウェー
ハの洗浄方法は、図２に示すような洗浄槽３を用いて行
なっていた。
ェーハの洗浄方法の一例を説明するための洗浄槽を示す
上面図及び断面図である。従来、この種の半導体ウェー
ハの洗浄方法は、図２に示すような洗浄槽３を用いて行
なっていた。
【０００３】この半導体ウェーハの洗浄方法は、まず、
薬液処理を行なった後のウェーハ７薬液を洗い落すため
に、複数枚のウェーハ７を収納する収納治具４ごとに洗
浄槽３へ移す。次に、洗浄槽３の薬液により汚れた純水
を排水口６より流し出しその間、洗浄槽３の上部に設け
られた固定吹き出し部２より、純水をシャワー状にして
ウェーハ７に付着した薬液を洗い落す。
薬液処理を行なった後のウェーハ７薬液を洗い落すため
に、複数枚のウェーハ７を収納する収納治具４ごとに洗
浄槽３へ移す。次に、洗浄槽３の薬液により汚れた純水
を排水口６より流し出しその間、洗浄槽３の上部に設け
られた固定吹き出し部２より、純水をシャワー状にして
ウェーハ７に付着した薬液を洗い落す。
【０００４】この洗浄方法は簡便であることから、半導
体基板であるウェーハの薬液処理後の洗浄処理の一方法
として広く利用されるに至った。
体基板であるウェーハの薬液処理後の洗浄処理の一方法
として広く利用されるに至った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ーハの洗浄方法では、純水の吹き出し部が洗浄槽３の上
部に固定されており、排水口６から洗浄水を排水してい
る間は、固定吹き出し部２より一定方向からのシャワー
洗浄を行なっているものの、ウェーハ７および収納治具
４に対し、シャワー水が全体に行き渡らず、洗浄むらが
発生してウェーハ７を効果的に洗浄することができず、
後工程での常圧ＣＶＤ膜を成長させる際に、しばしばウ
ェーハの汚れ部の膜厚が異常となり、膜厚むらを発生さ
せるというような問題を起す。
ーハの洗浄方法では、純水の吹き出し部が洗浄槽３の上
部に固定されており、排水口６から洗浄水を排水してい
る間は、固定吹き出し部２より一定方向からのシャワー
洗浄を行なっているものの、ウェーハ７および収納治具
４に対し、シャワー水が全体に行き渡らず、洗浄むらが
発生してウェーハ７を効果的に洗浄することができず、
後工程での常圧ＣＶＤ膜を成長させる際に、しばしばウ
ェーハの汚れ部の膜厚が異常となり、膜厚むらを発生さ
せるというような問題を起す。
【０００６】本発明の目的は洗浄むらを起すことなく洗
浄出来る半導体ウェーハの洗浄方法を提供することであ
る。
浄出来る半導体ウェーハの洗浄方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
の洗浄方法は、半導体ウェーハの複数枚を立てて並べて
収納する収納治具を洗浄槽に入れて底部に載置し、この
洗浄槽の開口縁部より斜めの方向から前記半導体基板及
び前記収納治具に純水を散水するとともに前記洗浄槽を
横切って移動散水部を往復運動させながら上方から下方
に前記半導体基板及び前記収納治具に純水を散水するこ
とを特徴としている。
の洗浄方法は、半導体ウェーハの複数枚を立てて並べて
収納する収納治具を洗浄槽に入れて底部に載置し、この
洗浄槽の開口縁部より斜めの方向から前記半導体基板及
び前記収納治具に純水を散水するとともに前記洗浄槽を
横切って移動散水部を往復運動させながら上方から下方
に前記半導体基板及び前記収納治具に純水を散水するこ
とを特徴としている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の半導体
ウェーハの洗浄方法一実施例を説明するための洗浄槽を
示す上面図及び断面図である。この半導体ウェーハの洗
浄方法に適用する洗浄槽は、図１に示すように、純水を
散布する固定吹き出し部２以外に洗浄槽３上に移動しな
がら純水を散布する移動吹き出し部１を設けたことであ
る。それ以外は従来と同じである。
ウェーハの洗浄方法一実施例を説明するための洗浄槽を
示す上面図及び断面図である。この半導体ウェーハの洗
浄方法に適用する洗浄槽は、図１に示すように、純水を
散布する固定吹き出し部２以外に洗浄槽３上に移動しな
がら純水を散布する移動吹き出し部１を設けたことであ
る。それ以外は従来と同じである。
【００１０】この移動吹き出し部１は、配管に複数個並
べて吹き出しノズルを取付けたものであり、一端側に左
右往復運動させるための駆動機構（図示せず）が取付け
てある。
べて吹き出しノズルを取付けたものであり、一端側に左
右往復運動させるための駆動機構（図示せず）が取付け
てある。
【００１１】次に、この洗浄槽を使用してウェーハを洗
浄する方法について説明する。まず、従来例と同じよう
に、ウェーハ７の複数枚を収納する収納治具４が洗浄槽
３上に搬送される。まず、収納治具４は洗浄槽３内に挿
入され台座５に載置される。次に、固定吹き出し部２よ
り純水が斜めに散布される。これと同時に洗浄槽３外に
配置される移動吹き出し部１が駆動機構によって洗浄槽
３上を左右往復移動されながら純水を散布する。
浄する方法について説明する。まず、従来例と同じよう
に、ウェーハ７の複数枚を収納する収納治具４が洗浄槽
３上に搬送される。まず、収納治具４は洗浄槽３内に挿
入され台座５に載置される。次に、固定吹き出し部２よ
り純水が斜めに散布される。これと同時に洗浄槽３外に
配置される移動吹き出し部１が駆動機構によって洗浄槽
３上を左右往復移動されながら純水を散布する。
【００１２】このように水平移動する移動吹き出し部１
による散水される範囲を拡張することによって、従来の
固定吹き出し部２によって生じていた散水の死角が無く
なり、ウェーハ７の面を一様に散水させ洗浄することが
出来た。
による散水される範囲を拡張することによって、従来の
固定吹き出し部２によって生じていた散水の死角が無く
なり、ウェーハ７の面を一様に散水させ洗浄することが
出来た。
【００１３】また、図面には示していないが、移動吹き
出し部１を洗浄槽３上を往復運動するとともに所定の角
度だけ往復回転させることによってよりその効果を上げ
ることが出来る。
出し部１を洗浄槽３上を往復運動するとともに所定の角
度だけ往復回転させることによってよりその効果を上げ
ることが出来る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数枚の
ウェーハを収納する収納治具に対して斜めに散水する固
定吹き出し部の他に洗浄槽を横切って往復運動しながら
純水を散布する移動吹き出し部を設け、ウェーハ面に散
水される純水を重々して洗浄することによってウェーハ
面がむら無く一様に洗浄されるという効果がある。
ウェーハを収納する収納治具に対して斜めに散水する固
定吹き出し部の他に洗浄槽を横切って往復運動しながら
純水を散布する移動吹き出し部を設け、ウェーハ面に散
水される純水を重々して洗浄することによってウェーハ
面がむら無く一様に洗浄されるという効果がある。
【図１】本発明の半導体ウェーハの洗浄方法の一実施例
を説明するための洗浄槽を示す上面図及び断面図であ
る。
を説明するための洗浄槽を示す上面図及び断面図であ
る。
【図２】従来の半導体ウェーハの洗浄方法の一例を説明
するための洗浄槽を示す上面図及び断面図である。
するための洗浄槽を示す上面図及び断面図である。
１ 移動吹き出し部 ２ 固定吹き出し部 ３ 洗浄槽 ４ 収納治具 ５ 台座 ６ 排水口 ７ ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの複数枚を立てて並べて
収納する収納治具を洗浄槽に入れて底部に載置し、この
洗浄槽の開口縁部より斜めの方向から前記半導体基板及
び前記収納治具に純水を散水するとともに前記洗浄槽を
横切って移動散水部を往復運動させながら上方から下方
に前記半導体基板及び前記収納治具に純水を散水するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074492A JPH0653196A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074492A JPH0653196A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653196A true JPH0653196A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16429454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20074492A Pending JPH0653196A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653196A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009932A1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Appareil et procede de traitement haute pression |
| JP2012216778A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP20074492A patent/JPH0653196A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009932A1 (fr) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Appareil et procede de traitement haute pression |
| CN100366332C (zh) * | 2001-07-25 | 2008-02-06 | 大日本网目版制造株式会社 | 高压处理装置和高压处理方法 |
| JP2012216778A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9230836B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-01-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990202 |