JPH0653475A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0653475A JPH0653475A JP4203298A JP20329892A JPH0653475A JP H0653475 A JPH0653475 A JP H0653475A JP 4203298 A JP4203298 A JP 4203298A JP 20329892 A JP20329892 A JP 20329892A JP H0653475 A JPH0653475 A JP H0653475A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細加工を進めても読み出し部ポテンシャル
が安定して、飽和信号電圧が安定し、残像がない固体撮
像装置とその製造方法を提供する。 【構成】 電荷転送電極をシリサイド１４と多結晶シリ
コン９との二層構造で形成し、この電荷転送電極をマス
クにしてｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５をイオ
ン注入形成することで構成され、電荷転送電極（シリサ
イド１４と多結晶シリコン９）とｎ型拡散層（フォトダ
イオード部）１５との位置誤差の発生を防止する。
が安定して、飽和信号電圧が安定し、残像がない固体撮
像装置とその製造方法を提供する。 【構成】 電荷転送電極をシリサイド１４と多結晶シリ
コン９との二層構造で形成し、この電荷転送電極をマス
クにしてｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５をイオ
ン注入形成することで構成され、電荷転送電極（シリサ
イド１４と多結晶シリコン９）とｎ型拡散層（フォトダ
イオード部）１５との位置誤差の発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光に応じて信号電
荷を発生する感光画素部と、信号電荷を順次転送するＣ
ＣＤ(Charge Coupled Device) とを有した固体撮像装置
の製造方法に係るもので、特に感光画素部から信号電荷
を読み出すゲートとその下の不純物拡散層の製造方法に
関するものである。
荷を発生する感光画素部と、信号電荷を順次転送するＣ
ＣＤ(Charge Coupled Device) とを有した固体撮像装置
の製造方法に係るもので、特に感光画素部から信号電荷
を読み出すゲートとその下の不純物拡散層の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】カメラ一体型ＶＴＲに搭載されている固
体撮像装置は年々小型化が進められており、画素部のセ
ルサイズが小さくなっている。このため、固体撮像装置
を製造する上では微細加工技術が求められる。これにも
かかわらず、固体撮像装置の特性は従来と同等かそれ以
上のものが求められている。
体撮像装置は年々小型化が進められており、画素部のセ
ルサイズが小さくなっている。このため、固体撮像装置
を製造する上では微細加工技術が求められる。これにも
かかわらず、固体撮像装置の特性は従来と同等かそれ以
上のものが求められている。
【０００３】図３は従来の固体撮像装置の断面図を示し
たものである。１はｎ型半導体基板、２はｐウェル、３
はｎ型拡散層（フォトダイオード部）、４はｎ型拡散層
（垂直電荷転送部）、５は信号電荷読み出し部、６はｐ
+ 型拡散層（分離部）、７は表面ｐ+ 型拡散層、８は酸
化珪素膜、９は多結晶シリコン電荷転送電極、１０は遮
光アルミ、１１は表面保護膜である。
たものである。１はｎ型半導体基板、２はｐウェル、３
はｎ型拡散層（フォトダイオード部）、４はｎ型拡散層
（垂直電荷転送部）、５は信号電荷読み出し部、６はｐ
+ 型拡散層（分離部）、７は表面ｐ+ 型拡散層、８は酸
化珪素膜、９は多結晶シリコン電荷転送電極、１０は遮
光アルミ、１１は表面保護膜である。
【０００４】ここで、図３においてｘで示したのはｎ型
拡散層（フォトダイオード部）３と信号読み出し部５と
の境界と、多結晶シリコン電荷転送電極９の端部との距
離である。また、ｙで示したのは信号読み出し部の幅で
ある。
拡散層（フォトダイオード部）３と信号読み出し部５と
の境界と、多結晶シリコン電荷転送電極９の端部との距
離である。また、ｙで示したのは信号読み出し部の幅で
ある。
【０００５】図４の（ａ）〜（ｃ）は従来の固体撮像装
置の製造方法の一部を示したものである。まず、図４の
（ａ）に示すように、ｎ型半導体基板１上にｐウェル２
を形成し、この上にフォトレジスト１２をパターニング
して、更にリンイオン１３を注入する。次に、図４の
（ｂ）に示すように、レジスト１２を除去して、ｐウェ
ル２の中にｎ型拡散層３を形成する。そして、図４の
（ｃ）に示すように、ｎ型拡散層（垂直電荷転送部）４
とｐ+ 型拡散層（分離部）６を形成し、更に酸化珪素膜
８、多結晶シリコン電荷転送電極９のパターニングを行
う。
置の製造方法の一部を示したものである。まず、図４の
（ａ）に示すように、ｎ型半導体基板１上にｐウェル２
を形成し、この上にフォトレジスト１２をパターニング
して、更にリンイオン１３を注入する。次に、図４の
（ｂ）に示すように、レジスト１２を除去して、ｐウェ
ル２の中にｎ型拡散層３を形成する。そして、図４の
（ｃ）に示すように、ｎ型拡散層（垂直電荷転送部）４
とｐ+ 型拡散層（分離部）６を形成し、更に酸化珪素膜
８、多結晶シリコン電荷転送電極９のパターニングを行
う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４で
示した製造方法で固体撮像素子を製造した場合、図３に
おける、ｎ型拡散層（フォトダイオード部）３と信号読
み出し部５との境界と、多結晶シリコン電荷転送電極９
の端部との距離ｘはパターニングの変動により最大０．
４μｍの誤差が生じる。すなわち、セルサイズの小型化
により図３における信号読み出し部の幅ｙは０．８μｍ
以下にすることが必要になっているにもかかわらず、画
素部のセルサイズを小さくしていく上で上記距離ｘの誤
差が読み出し部ポテンシャルを変動させ、撮像特性、特
に飽和信号電圧、残像に大きく影響を与えて小型化を進
めていく上で大きな障害となっていた。
示した製造方法で固体撮像素子を製造した場合、図３に
おける、ｎ型拡散層（フォトダイオード部）３と信号読
み出し部５との境界と、多結晶シリコン電荷転送電極９
の端部との距離ｘはパターニングの変動により最大０．
４μｍの誤差が生じる。すなわち、セルサイズの小型化
により図３における信号読み出し部の幅ｙは０．８μｍ
以下にすることが必要になっているにもかかわらず、画
素部のセルサイズを小さくしていく上で上記距離ｘの誤
差が読み出し部ポテンシャルを変動させ、撮像特性、特
に飽和信号電圧、残像に大きく影響を与えて小型化を進
めていく上で大きな障害となっていた。
【０００７】本発明は上記問題を解決するもので、微細
加工を進めても読み出し部ポテンシャルが安定して、飽
和信号電圧が安定し、残像がない固体撮像装置の製造方
法を提供することを目的とするものである。
加工を進めても読み出し部ポテンシャルが安定して、飽
和信号電圧が安定し、残像がない固体撮像装置の製造方
法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の固体撮像装置の製造方法は、電荷転送電極を
シリサイドと多結晶シリコンとの二層構造で形成し、こ
の電荷転送電極をマスクにしてフォトダイオード部を形
成するものである。
に本発明の固体撮像装置の製造方法は、電荷転送電極を
シリサイドと多結晶シリコンとの二層構造で形成し、こ
の電荷転送電極をマスクにしてフォトダイオード部を形
成するものである。
【０００９】
【作用】上記構成により、フォトダイオード部の読み出
し部側をシリサイドと多結晶シリコンの二層構造の電荷
転送電極をマスクにして形成するため、電荷転送電極と
フォトダイオード部との位置に誤差を生じることがなく
なり、飽和信号電圧が安定して残像がない固体撮像装置
を提供できる。
し部側をシリサイドと多結晶シリコンの二層構造の電荷
転送電極をマスクにして形成するため、電荷転送電極と
フォトダイオード部との位置に誤差を生じることがなく
なり、飽和信号電圧が安定して残像がない固体撮像装置
を提供できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図２は、本発明の一実施例を示す固体撮像
装置の断面図である。なお、従来例と同機能のものには
同符号を付し、その説明は省略する。
て説明する。図２は、本発明の一実施例を示す固体撮像
装置の断面図である。なお、従来例と同機能のものには
同符号を付し、その説明は省略する。
【００１１】図２に示すように、電荷転送電極は、多結
晶シリコン９上にシリサイド１４を形成した二層構造と
されている。ｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５は
二層構造の電荷転送電極をマスクにしてセルフアライン
で形成されている。
晶シリコン９上にシリサイド１４を形成した二層構造と
されている。ｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５は
二層構造の電荷転送電極をマスクにしてセルフアライン
で形成されている。
【００１２】図１の（ａ）〜（ｃ）はこの固体撮像装置
の製造工程の概略断面図をそれぞれ示すものである。ま
ず、図１の（ａ）に示すように、ｎ型半導体基板１上に
ｐウェル２を形成し、更にｎ型拡散層（垂直電荷転送
部）４、ｐ+ 型拡散層（分離部）６、酸化珪素膜８を形
成する。
の製造工程の概略断面図をそれぞれ示すものである。ま
ず、図１の（ａ）に示すように、ｎ型半導体基板１上に
ｐウェル２を形成し、更にｎ型拡散層（垂直電荷転送
部）４、ｐ+ 型拡散層（分離部）６、酸化珪素膜８を形
成する。
【００１３】次に、図１の（ｂ）に示すように、電荷転
送電極である多結晶シリコン９とシリサイド１４とを形
成し、パターニング後にリンイオン１３を注入する。こ
こで、多結晶シリコン９の膜厚は１００ｎｍ、シリサイ
ド１４としてはＷＳｉ2 を用い、膜厚は２０００ｎｍと
した。
送電極である多結晶シリコン９とシリサイド１４とを形
成し、パターニング後にリンイオン１３を注入する。こ
こで、多結晶シリコン９の膜厚は１００ｎｍ、シリサイ
ド１４としてはＷＳｉ2 を用い、膜厚は２０００ｎｍと
した。
【００１４】そして、図１の（ｃ）に示すように、イオ
ン注入はシリサイド１４によるマスクで阻止されてセル
フアラインでｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５が
形成される。したがって、ｎ型拡散層（フォトダイオー
ド部）１５と信号読み出し部５との境界と、多結晶シリ
コン９およびシリサイド１４の端部との距離ｘは０μｍ
となり、従来のような誤差は生じない。
ン注入はシリサイド１４によるマスクで阻止されてセル
フアラインでｎ型拡散層（フォトダイオード部）１５が
形成される。したがって、ｎ型拡散層（フォトダイオー
ド部）１５と信号読み出し部５との境界と、多結晶シリ
コン９およびシリサイド１４の端部との距離ｘは０μｍ
となり、従来のような誤差は生じない。
【００１５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によると、
光電変換素子をなす不純物拡散層の一端を、シリサイド
と多結晶シリコンの二層構造の電荷転送電極をマスクに
してイオン注入にて形成することにより、電荷転送電極
と不純物拡散層との位置に誤差を生じることがなくな
り、固体撮像装置の画素部セルサイズを小型化したとき
に飽和信号電圧が安定し、残像をなくすことに対して絶
大なる効果がある。
光電変換素子をなす不純物拡散層の一端を、シリサイド
と多結晶シリコンの二層構造の電荷転送電極をマスクに
してイオン注入にて形成することにより、電荷転送電極
と不純物拡散層との位置に誤差を生じることがなくな
り、固体撮像装置の画素部セルサイズを小型化したとき
に飽和信号電圧が安定し、残像をなくすことに対して絶
大なる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示す固体撮像装置の製造工程を示す断面図
示す固体撮像装置の製造工程を示す断面図
【図２】同固体撮像装置の断面図
【図３】従来の固体撮像装置の断面図
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ従来の固体撮像装置
の製造工程を示す断面図
の製造工程を示す断面図
１ ｎ型半導体基板 ２ ｐウェル ４ ｎ型拡散層（垂直電荷転送部） ５ 信号電荷読み出し部 ６ ｐ+ 型拡散層（分離部） ７ 表面ｐ+ 型拡散層 ８ 酸化珪素膜 ９ 多結晶シリコン １４ シリサイド １５ ｎ型拡散層（フォトダイオード部）
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電性半導体基板上に、入射光量に応
じた信号電荷を発生する複数の光電変換素子と、この光
電変換素子で発生した信号電荷を転送する垂直電荷転送
素子と、前記光電変換素子から発生した信号電荷を前記
垂直電荷転送素子に読み出すための読み出しゲートとを
有する固体撮像装置の製造方法であって、前記読み出し
ゲートをシリサイドと多結晶シリコンとの二層構造で形
成し、前記光電変換素子をなす不純物拡散層の一端を前
記読み出しゲートをマスクとしてイオン注入で形成する
固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203298A JPH0653475A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203298A JPH0653475A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653475A true JPH0653475A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16471718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203298A Pending JPH0653475A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306676B1 (en) * | 1996-04-04 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203298A patent/JPH0653475A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306676B1 (en) * | 1996-04-04 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors |
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Legal Events
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070320 |