JPH0653595A - 半導体レーザアレイとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザアレイとその製造方法Info
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- JPH0653595A JPH0653595A JP7268691A JP7268691A JPH0653595A JP H0653595 A JPH0653595 A JP H0653595A JP 7268691 A JP7268691 A JP 7268691A JP 7268691 A JP7268691 A JP 7268691A JP H0653595 A JPH0653595 A JP H0653595A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】同一基板上に発振波長の異なる半導体レーザア
レイを形成する。 【構成】ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ノンドープ量子井戸活
性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、選択的にｐ型
の不純物が拡散された領域を形成し、その領域に含まれ
る量子井戸活性層の禁制帯エネルギ幅を増大させる。さ
らに不純物が拡散された領域と拡散されていない領域に
メサストライプを並列に近接させて形成し、電流ブロッ
ク層で埋め込み、アレイ状の電流狭窄構造および共振器
ストライプを形成する。電極及び電極分離溝を設け、発
振波長の異なる半導体レーザアレイが得られる。
レイを形成する。 【構成】ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ノンドープ量子井戸活
性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、選択的にｐ型
の不純物が拡散された領域を形成し、その領域に含まれ
る量子井戸活性層の禁制帯エネルギ幅を増大させる。さ
らに不純物が拡散された領域と拡散されていない領域に
メサストライプを並列に近接させて形成し、電流ブロッ
ク層で埋め込み、アレイ状の電流狭窄構造および共振器
ストライプを形成する。電極及び電極分離溝を設け、発
振波長の異なる半導体レーザアレイが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に２
波長半導体レーザアレイに関する。
波長半導体レーザアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクへの書き込み処理は、高
出力動作による書き込みと低出力動作による書き込み情
報の確認からなるが、異なる波長を持つ２本のレーザか
らなる２波長半導体レーザアレイを用いれば、第１の波
長のレーザ光により光磁気ディスク上に書き込まれた情
報ビットに、第２の波長のレーザ光を追尾させ、第１の
波長と第２の波長の混在する反射光からフィルタを通し
て第２の波長の反射光信号のみ取り出して書き込み情報
をリアルタイムにモニタすることにより書き込み時間の
短縮を図ることができる。
出力動作による書き込みと低出力動作による書き込み情
報の確認からなるが、異なる波長を持つ２本のレーザか
らなる２波長半導体レーザアレイを用いれば、第１の波
長のレーザ光により光磁気ディスク上に書き込まれた情
報ビットに、第２の波長のレーザ光を追尾させ、第１の
波長と第２の波長の混在する反射光からフィルタを通し
て第２の波長の反射光信号のみ取り出して書き込み情報
をリアルタイムにモニタすることにより書き込み時間の
短縮を図ることができる。
【０００３】従来、波長の異なる半導体レーザを近接さ
せた半導体レーザアレイとして、異なる波長の半導体レ
ーザチップ２個を近接させて電極ブロックに固定させた
ハイブリット型レーザアレイがある。これまで、図３に
示すような構造の半導体レーザとして、１９８８年春季
応用物理関係連合講演会予稿集３０ｐ−ＺＱ−３「近接
２ビーム・ハイブリッド型レーザアレイ」に記載のもの
が知られている。すなわち、低雑音再生用７８０ｎｍレ
ーザ３１と高出力書込み用８３０ｎｍレーザ３２を発光
領域を上にして両者の相対的な位置を合わせて電極ブロ
ック３３，３４に半田で固定されてなる構造を持つ。こ
の構造により、波長が異なり独立駆動可能な２個の半導
体レーザを近接させて得ることができる。
せた半導体レーザアレイとして、異なる波長の半導体レ
ーザチップ２個を近接させて電極ブロックに固定させた
ハイブリット型レーザアレイがある。これまで、図３に
示すような構造の半導体レーザとして、１９８８年春季
応用物理関係連合講演会予稿集３０ｐ−ＺＱ−３「近接
２ビーム・ハイブリッド型レーザアレイ」に記載のもの
が知られている。すなわち、低雑音再生用７８０ｎｍレ
ーザ３１と高出力書込み用８３０ｎｍレーザ３２を発光
領域を上にして両者の相対的な位置を合わせて電極ブロ
ック３３，３４に半田で固定されてなる構造を持つ。こ
の構造により、波長が異なり独立駆動可能な２個の半導
体レーザを近接させて得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近接２ビーム・ハイブ
ッド型半導体レーザアレイにおいては、マウント工程に
おいて、２つのレーザの相対位置を両者の光軸を精度良
く平行に合わせる工程を行なわなければならない。ま
た、２つの半導体レーザを１００μｍ以内に近接させる
ためには、発光領域を上側にしてレーザチップをマウン
トしなければならず、放熱性の上で有利な発光領域を下
側にしたマウント方法を採用することができない。
ッド型半導体レーザアレイにおいては、マウント工程に
おいて、２つのレーザの相対位置を両者の光軸を精度良
く平行に合わせる工程を行なわなければならない。ま
た、２つの半導体レーザを１００μｍ以内に近接させる
ためには、発光領域を上側にしてレーザチップをマウン
トしなければならず、放熱性の上で有利な発光領域を下
側にしたマウント方法を採用することができない。
【０００５】ここで本発明の目的は、これらの従来の欠
点を除去し、製作工程が容易で量産に適した２波長半導
体レーザアレイを提供することにある。
点を除去し、製作工程が容易で量産に適した２波長半導
体レーザアレイを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザア
レイは、同一のＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓまたはＡｌ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａＡｓで
なる量子井戸活性層を前記活性層より禁制帯幅の大きな
ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａＡｓで
なるクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を含む多
層構造でなる第１の半導体レーザと第２の半導体レーザ
が並列に配置されたレーザアレイにおいて、前記２つの
半導体レーザの活性層の組成構造および層厚構造は同一
であり、かつ、第１の半導体レーザの活性層の導電型
は、ノンドープであり、第２の半導体レーザの活性層の
導電型は１×１０18ｃｍ-3以上のｐ型であり、第２の半
導体レーザの活性層の発光エネルギが、第１の半導体の
活性層のエネルギよりも大きいことを特徴としている。
レイは、同一のＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓまたはＡｌ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａＡｓで
なる量子井戸活性層を前記活性層より禁制帯幅の大きな
ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａＡｓで
なるクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を含む多
層構造でなる第１の半導体レーザと第２の半導体レーザ
が並列に配置されたレーザアレイにおいて、前記２つの
半導体レーザの活性層の組成構造および層厚構造は同一
であり、かつ、第１の半導体レーザの活性層の導電型
は、ノンドープであり、第２の半導体レーザの活性層の
導電型は１×１０18ｃｍ-3以上のｐ型であり、第２の半
導体レーザの活性層の発光エネルギが、第１の半導体の
活性層のエネルギよりも大きいことを特徴としている。
【０００７】また、本発明の半導体レーザの製造方法
は、ＧａＡｓ基板上にダブルヘテロ構造を形成した後、
ウェハ面内で選択的にｐ型不純物を拡散させる工程と、
前記工程ののち不純物が拡散されていない領域に上述し
た半導体レーザアレイにおける第１の半導体レーザを、
不純物が拡散されている領域に第２の半導体レーザを形
成する工程を含むことを特徴としている。
は、ＧａＡｓ基板上にダブルヘテロ構造を形成した後、
ウェハ面内で選択的にｐ型不純物を拡散させる工程と、
前記工程ののち不純物が拡散されていない領域に上述し
た半導体レーザアレイにおける第１の半導体レーザを、
不純物が拡散されている領域に第２の半導体レーザを形
成する工程を含むことを特徴としている。
【０００８】
【作用】ノンドープあるいは不純物濃度が１×１０18ｃ
ｍ-3以下の量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造に不
純物が１×１０18ｃｍ-3以上の濃度で拡散されると、活
性層および活性層と活性層を挟む層との間で結晶の組成
の変動が引き起こされ、発光エネルギが不純物の拡散を
行う前と比べて大きくなる場合があることが知られてい
る。この効果に従って、以下に本発明の作用を説明す
る。
ｍ-3以下の量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造に不
純物が１×１０18ｃｍ-3以上の濃度で拡散されると、活
性層および活性層と活性層を挟む層との間で結晶の組成
の変動が引き起こされ、発光エネルギが不純物の拡散を
行う前と比べて大きくなる場合があることが知られてい
る。この効果に従って、以下に本発明の作用を説明す
る。
【０００９】本発明によれば、不純物濃度が１×１０18
ｃｍ-3以下の量子井戸活性層をもつ第１の半導体レーザ
とｐ型不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上の活性層をも
つ第２の半導体レーザが同一基板上に並列に形成されて
いることにより、前記第１の半導体レーザと第２の半導
体レーザの発振波長が異なる２波長レーザアレイを得る
ことができる。
ｃｍ-3以下の量子井戸活性層をもつ第１の半導体レーザ
とｐ型不純物濃度が１×１０18ｃｍ-3以上の活性層をも
つ第２の半導体レーザが同一基板上に並列に形成されて
いることにより、前記第１の半導体レーザと第２の半導
体レーザの発振波長が異なる２波長レーザアレイを得る
ことができる。
【００１０】また、本発明によれば、前記２波長レーザ
アレイの製造工程において、ｐ型不純物の拡散を選択的
に行う工程を含むことにより、同一の半導体基板上に形
成された同一の組成、層厚構造をもつダブルヘテロ構造
を含むウェハ内に、活性層が不純物１×１０18以下の量
子井戸である領域と、活性層がｐ型不純物濃度１×１０
18ｃｍ-3以上の領域とを選択的に形成することができ
る。
アレイの製造工程において、ｐ型不純物の拡散を選択的
に行う工程を含むことにより、同一の半導体基板上に形
成された同一の組成、層厚構造をもつダブルヘテロ構造
を含むウェハ内に、活性層が不純物１×１０18以下の量
子井戸である領域と、活性層がｐ型不純物濃度１×１０
18ｃｍ-3以上の領域とを選択的に形成することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下に第１図を参照して、本発明の半導体レ
ーザアレイの実施例を説明する。本実施例の半導体レー
ザアレイは、図１（ａ）に示すように、まず（１００）
ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラ
ッド層２（Ｓｉドープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）
が１μｍ、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層１２（６０
ｎｍ）、ＧａＡｓ量子井戸層１３（７ｎｍ）、Ａｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓバリア層１４（５ｎｍ）、ＧａＡｓ量子井
戸層１５（７ｎｍ）、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層
１６（６０ｎｍ）からなる２重量子井戸活性層３（図１
（ｂ））、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４（Ｍ
ｇドープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）が１．５μ
ｍ、ｐ+ ＧａＡｓキャップ層５（Ｍｇドープ，不純物濃
度１×１０19ｃｍ-3）が０．５μｍ順次形成されてお
り、さらに両脇をｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８によっ
て埋め込まれたメサストライプ部に形成されたレーザ共
振器が１００μｍ隔てて２本並列に形成されており、前
記２本のメサストライプのうち一方のメサストライプの
直下に、ｐ型キャップ層５からｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層４の途中までＺｎ濃度が１０19ｃｍ-3以上
の領域６、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の途
中から量子井戸活性層３とｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層の界面近傍までＺｎ濃度が１０18〜１０19ｃｍ
-3の領域７が形成されており、これらの構造の両側に電
極９，１０を設け、さらに前記２本のストライプの中間
に電極分離溝１１を設けた構造を持つ。
ーザアレイの実施例を説明する。本実施例の半導体レー
ザアレイは、図１（ａ）に示すように、まず（１００）
ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラ
ッド層２（Ｓｉドープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）
が１μｍ、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層１２（６０
ｎｍ）、ＧａＡｓ量子井戸層１３（７ｎｍ）、Ａｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓバリア層１４（５ｎｍ）、ＧａＡｓ量子井
戸層１５（７ｎｍ）、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層
１６（６０ｎｍ）からなる２重量子井戸活性層３（図１
（ｂ））、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４（Ｍ
ｇドープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）が１．５μ
ｍ、ｐ+ ＧａＡｓキャップ層５（Ｍｇドープ，不純物濃
度１×１０19ｃｍ-3）が０．５μｍ順次形成されてお
り、さらに両脇をｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８によっ
て埋め込まれたメサストライプ部に形成されたレーザ共
振器が１００μｍ隔てて２本並列に形成されており、前
記２本のメサストライプのうち一方のメサストライプの
直下に、ｐ型キャップ層５からｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層４の途中までＺｎ濃度が１０19ｃｍ-3以上
の領域６、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の途
中から量子井戸活性層３とｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層の界面近傍までＺｎ濃度が１０18〜１０19ｃｍ
-3の領域７が形成されており、これらの構造の両側に電
極９，１０を設け、さらに前記２本のストライプの中間
に電極分離溝１１を設けた構造を持つ。
【００１２】図２（ａ）〜（ｅ）を参照して、本発明の
半導体レーザアレイの製造方法の実施例を説明する。本
実施例の半導体レーザアレイの製造方法は、まず（１０
０）ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ結晶成長技術に
より、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２（Ｓｉド
ープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）を１μｍ、Ａｌ
0.3 ＧＡ0.7 Ａｓ光ガイド６０ｎｍ／ＧａＡｓ７ｍｎ／
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓバリア５ｎｍ／ＧａＡｓ７ｎｍ／
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド６０ｎｍからなる２重量
子井戸活性層３（図１（ｂ）参照）、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４（Ｍｇドープ，不純物濃度１×１
０18ｃｍ-3）を１．５μｍ、ｐ+ ＧａＡｓキャップ層５
（Ｍｇドープ，不純物濃度１×１０19ｃｍ-3）を０．５
μｍ順次形成し、さらにスパッタ技術により、エピタキ
シャル成長面上にＳｉＯ2 膜２１を２００ｎｍの厚さに
形成する（図２（ａ））。
半導体レーザアレイの製造方法の実施例を説明する。本
実施例の半導体レーザアレイの製造方法は、まず（１０
０）ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ結晶成長技術に
より、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラッド層２（Ｓｉド
ープ，不純物濃度１×１０18ｃｍ-3）を１μｍ、Ａｌ
0.3 ＧＡ0.7 Ａｓ光ガイド６０ｎｍ／ＧａＡｓ７ｍｎ／
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓバリア５ｎｍ／ＧａＡｓ７ｎｍ／
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド６０ｎｍからなる２重量
子井戸活性層３（図１（ｂ）参照）、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４（Ｍｇドープ，不純物濃度１×１
０18ｃｍ-3）を１．５μｍ、ｐ+ ＧａＡｓキャップ層５
（Ｍｇドープ，不純物濃度１×１０19ｃｍ-3）を０．５
μｍ順次形成し、さらにスパッタ技術により、エピタキ
シャル成長面上にＳｉＯ2 膜２１を２００ｎｍの厚さに
形成する（図２（ａ））。
【００１３】つぎに、フォトリソグラフィ技術により、
ＳｉＯ2 膜２の一部を除去し、ＺｎＡｓ2 封管加熱によ
るＺｎ拡散技術により前記ＳｉＯ2 膜の除去されたエピ
タキシャル層表面からｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッ
ド層４の途中までＺｎ濃度１０19以上の領域６を形成
し、さらに加熱による領域６からのＺｎの２次拡散によ
り量子井戸活性層３を越えてｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ
クラッド層２の界面から０〜０．２μｍの深さまでＺｎ
濃度が１０18〜１０19ｃｍ-3の領域７を形成する（図２
（ｂ））。
ＳｉＯ2 膜２の一部を除去し、ＺｎＡｓ2 封管加熱によ
るＺｎ拡散技術により前記ＳｉＯ2 膜の除去されたエピ
タキシャル層表面からｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッ
ド層４の途中までＺｎ濃度１０19以上の領域６を形成
し、さらに加熱による領域６からのＺｎの２次拡散によ
り量子井戸活性層３を越えてｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ
クラッド層２の界面から０〜０．２μｍの深さまでＺｎ
濃度が１０18〜１０19ｃｍ-3の領域７を形成する（図２
（ｂ））。
【００１４】弗酸系エッチングによりＳｉＯ2 膜２１を
除去したのち、スパッタ技術とフォトグラフィ技術によ
り厚さ２００ｎｍ、幅１０μｍのストライプ上のＳｉＯ
2 膜２２を前記Ｚｎが拡散された領域とされていない領
域に１００μｍの距離だけ隔てて形成し、さらにアンモ
ニア系エッチング技術とリン酸系エッチング技術により
メサストライプを形成する。このとき、エッチング時間
を調整することにより、メサ脇のｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓクラッド層４の厚さが０．１〜０．４μｍとなるよ
うにする（図２（ｃ））。
除去したのち、スパッタ技術とフォトグラフィ技術によ
り厚さ２００ｎｍ、幅１０μｍのストライプ上のＳｉＯ
2 膜２２を前記Ｚｎが拡散された領域とされていない領
域に１００μｍの距離だけ隔てて形成し、さらにアンモ
ニア系エッチング技術とリン酸系エッチング技術により
メサストライプを形成する。このとき、エッチング時間
を調整することにより、メサ脇のｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓクラッド層４の厚さが０．１〜０．４μｍとなるよ
うにする（図２（ｃ））。
【００１５】次に、ＭＯＶＰＥ技術における選択埋め込
み成長技術によりｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８を形成
し、弗酸系エッチングによりＳｉＯ2 膜２２を除去する
（図２（ｄ））。
み成長技術によりｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８を形成
し、弗酸系エッチングによりＳｉＯ2 膜２２を除去する
（図２（ｄ））。
【００１６】さらに、ウェハの両側に電極９，１０を形
成した後、フォトリソグラフィ技術とアルゴンイオンミ
リング技術によりｐ型電極側に電極分離溝１６をｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１に達する深さに設けて、本実施例の製造方
法による半導体レーザアレイが完成する（図２
（ｅ））。
成した後、フォトリソグラフィ技術とアルゴンイオンミ
リング技術によりｐ型電極側に電極分離溝１６をｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１に達する深さに設けて、本実施例の製造方
法による半導体レーザアレイが完成する（図２
（ｅ））。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、同一基板上に並列に近
接して形成された発振波長の異なる半導体レーザアレイ
が得られる。
接して形成された発振波長の異なる半導体レーザアレイ
が得られる。
【００１８】また、同一基板上に形成されたノンドープ
の量子井戸活性層の面内に選択的にｐ型の不純物を含む
領域が形成される工程を含むことにより、発振波長の異
なる半導体レーザアレイの製造方法が得られる。
の量子井戸活性層の面内に選択的にｐ型の不純物を含む
領域が形成される工程を含むことにより、発振波長の異
なる半導体レーザアレイの製造方法が得られる。
【図１】本発明の実施例の半導体レーザアレイの構造を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図２】本発明の半導体レーザの製造方法の実施例を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図３】従来の２波長半導体レーザの斜視図である。
１ （１００）ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ３ 量子井戸活性層 ４ ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 ５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ６ 高濃度Ｚｎ拡散領域（不純物濃度１０19以上） ７ 低濃度Ｚｎ拡散領域（不純物濃度１０18〜１０19
ｃｍ-3） ８ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ９ ｐ電極 １０ ｎ電極 １１ 電極分離溝 １２ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層 １３ ＧａＡｓ量子井戸層 １４ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓバリア層 １５ ＧａＡｓ量子井戸層 １６ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層 ２１，２２，２３ ＳｉＯ2 膜 ３１ 低雑音再生用７８０ｎｍ半導体レーザ ３２ 高出力書込み用８３０ｎｍ半導体レーザ ３３，３４ 電極ブロック
ｃｍ-3） ８ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ９ ｐ電極 １０ ｎ電極 １１ 電極分離溝 １２ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層 １３ ＧａＡｓ量子井戸層 １４ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓバリア層 １５ ＧａＡｓ量子井戸層 １６ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光ガイド層 ２１，２２，２３ ＳｉＯ2 膜 ３１ 低雑音再生用７８０ｎｍ半導体レーザ ３２ 高出力書込み用８３０ｎｍ半導体レーザ ３３，３４ 電極ブロック
Claims (2)
- 【請求項１】 同一のＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓまた
はＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａ
Ａｓでなる量子井戸活性層を前記活性層より禁制帯幅の
大きなＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａ
Ａｓでなるクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を
含む多層構造でなる第１の半導体レーザと第２の半導体
レーザが並列に近接して配置され、前記２つの半導体レ
ーザの活性層の組成構造および層厚構造は同一であり、
かつ、第１の半導体レーザの活性層の導電型は、ノンド
ープであり、第２の半導体レーザの活性層の導電型は１
×１０18ｃｍ-3以上のｐ型であり、第２の半導体レーザ
の活性層の発光エネルギが、第１の半導体の活性層のエ
ネルギよりも大きいことを特徴とする半導体レーザアレ
イ。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ基板上にダブルヘテロ構造を形
成した後、ウェハの面内で選択的にＰ型不純物を拡散さ
せる工程と、前記工程のうち不純物が拡散されていない
領域に請求項１における第１の半導体レーザを、不純物
が拡散されている領域に請求項１における第２の半導体
レーザを形成する工程を含むことを特徴とする半導体レ
ーザアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7268691A JPH0653595A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体レーザアレイとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7268691A JPH0653595A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体レーザアレイとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653595A true JPH0653595A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=13496504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7268691A Pending JPH0653595A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体レーザアレイとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653595A (ja) |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP7268691A patent/JPH0653595A/ja active Pending
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