JPH065385A - Ｅｃｒプラズマイオン発生装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマイオン発生装置Info
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- JPH065385A JPH065385A JP4160594A JP16059492A JPH065385A JP H065385 A JPH065385 A JP H065385A JP 4160594 A JP4160594 A JP 4160594A JP 16059492 A JP16059492 A JP 16059492A JP H065385 A JPH065385 A JP H065385A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁場プロフィールの変動を抑えて常に安定し
たプラズマ状態が得られるＥＣＲプラズマイオン発生装
置。 【構成】 このＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａ′は並
設された少なくとも１対の磁気コイル６，６に電流を流
すことにより発生させる磁場とこの磁場内にマイクロ波
を導入することにより発生させる電場との相互作用によ
り生じる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を用い
て処理ガスをプラズマイオン化するに際し，上記磁場を
磁場センサ８，８により検出し，磁場測定器９，９によ
り測定し，測定された磁場に応じて磁場コントローラ１
０により磁気コイル６，６に流す電流値を変化させて磁
場を制御するように構成されている。上記構成により磁
場プロフィールの変動を抑えて常に安定したプラズマ状
態を得ることができる。
たプラズマ状態が得られるＥＣＲプラズマイオン発生装
置。 【構成】 このＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａ′は並
設された少なくとも１対の磁気コイル６，６に電流を流
すことにより発生させる磁場とこの磁場内にマイクロ波
を導入することにより発生させる電場との相互作用によ
り生じる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を用い
て処理ガスをプラズマイオン化するに際し，上記磁場を
磁場センサ８，８により検出し，磁場測定器９，９によ
り測定し，測定された磁場に応じて磁場コントローラ１
０により磁気コイル６，６に流す電流値を変化させて磁
場を制御するように構成されている。上記構成により磁
場プロフィールの変動を抑えて常に安定したプラズマ状
態を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＥＣＲプラズマイオン発
生装置に係り，詳しくはＬＳＩ等の製造に用いられるＥ
ＣＲプラズマイオン発生装置に関するものである。
生装置に係り，詳しくはＬＳＩ等の製造に用いられるＥ
ＣＲプラズマイオン発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，ＬＳＩ等の製造では，プラズマ反
応によるリソグラフィや薄膜成形技術であるＥＣＲエッ
チング，ＥＣＲスパッタリング，ＥＣＲプラズマＣＶＤ
等の各種処理（以下エッチング処理等と略す）方法が広
く用いられている。エッチング処理等を行うＥＣＲプラ
ズマイオン発生装置は，磁場とマイクロ波により発生す
る電場との相互作用によって生じる電子サイクロトロン
共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）現象を用いて処理ガスをプラズ
マイオン化し，試料基板やターゲット等の被照射物に照
射するものである。図２は従来のＥＣＲプラズマイオン
発生装置Ａの一例における概略構成を示す模式図であ
る。図２に示す如く，従来の装置Ａでは，マイクロ波
は，マイクロ波発振器１からオートチューナ２及び導波
管３を介して石英ガラス板よりなるマイクロ波導入窓４
から処理ガスの入った真空容器内５へ導入される。真空
容器５の回りにこれを取り囲むように配置された磁気コ
イル６，６により真空容器５内に磁場が印加される。マ
イクロ波としては，一般的には工業周波数である２．４
５ＧＨｚのものが利用される。したがって，ＥＣＲ条件
を満たす磁場強度（磁束密度）は８７５Ｇ（ガウス）と
なり，この８７５Ｇの面が最大のプラズマ密度が得られ
るＥＣＲ面となる。このＥＣＲ面から少し離して試料基
板１１等を配置し，プラズマイオン化された処理ガスを
照射することにより，エッチング処理等が行われる。こ
の時，マイクロ波はオートチューナ２を用いることによ
り，常に一定の状態で磁場内に送られる。また，磁気コ
イルは通常いくつかのコイルが組み合わされ，試料基板
１１の最適なエッチング処理等が行えるようにそれぞれ
のコイル電流が調整される（図中，１対の磁気コイル
６，６が並設されている）。即ち，磁場コイル６，６に
流す電流のコイル電源７，７には負荷の抵抗の変動にか
かわらず一定の電流が流れるような電源が使用されてお
り，コイル電流は予め実験を行い最適なエッチング処理
状態等が得られるように設定される。その後はそこで設
定されたコイル電流を使用して運転が行われる。このよ
うにして所定のプラズマ状態を得ることにより，エッチ
ング処理等を行うことができた。
応によるリソグラフィや薄膜成形技術であるＥＣＲエッ
チング，ＥＣＲスパッタリング，ＥＣＲプラズマＣＶＤ
等の各種処理（以下エッチング処理等と略す）方法が広
く用いられている。エッチング処理等を行うＥＣＲプラ
ズマイオン発生装置は，磁場とマイクロ波により発生す
る電場との相互作用によって生じる電子サイクロトロン
共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）現象を用いて処理ガスをプラズ
マイオン化し，試料基板やターゲット等の被照射物に照
射するものである。図２は従来のＥＣＲプラズマイオン
発生装置Ａの一例における概略構成を示す模式図であ
る。図２に示す如く，従来の装置Ａでは，マイクロ波
は，マイクロ波発振器１からオートチューナ２及び導波
管３を介して石英ガラス板よりなるマイクロ波導入窓４
から処理ガスの入った真空容器内５へ導入される。真空
容器５の回りにこれを取り囲むように配置された磁気コ
イル６，６により真空容器５内に磁場が印加される。マ
イクロ波としては，一般的には工業周波数である２．４
５ＧＨｚのものが利用される。したがって，ＥＣＲ条件
を満たす磁場強度（磁束密度）は８７５Ｇ（ガウス）と
なり，この８７５Ｇの面が最大のプラズマ密度が得られ
るＥＣＲ面となる。このＥＣＲ面から少し離して試料基
板１１等を配置し，プラズマイオン化された処理ガスを
照射することにより，エッチング処理等が行われる。こ
の時，マイクロ波はオートチューナ２を用いることによ
り，常に一定の状態で磁場内に送られる。また，磁気コ
イルは通常いくつかのコイルが組み合わされ，試料基板
１１の最適なエッチング処理等が行えるようにそれぞれ
のコイル電流が調整される（図中，１対の磁気コイル
６，６が並設されている）。即ち，磁場コイル６，６に
流す電流のコイル電源７，７には負荷の抵抗の変動にか
かわらず一定の電流が流れるような電源が使用されてお
り，コイル電流は予め実験を行い最適なエッチング処理
状態等が得られるように設定される。その後はそこで設
定されたコイル電流を使用して運転が行われる。このよ
うにして所定のプラズマ状態を得ることにより，エッチ
ング処理等を行うことができた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
ＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａでは，電子サイクロト
ロン共鳴現象を利用しているので，マイクロ波および磁
場プロフィールが所定の値でないとそこで発生するプラ
ズマの状態が大きく異なってしまい，その結果エッチン
グ処理状態等も大きく異なってしまうことがある。この
ため，マイクロ波と磁場とは常に同じ状態になるように
コントロールされる必要がある。マイクロ波の供給にお
いては前述したようにオートチューナ２があり，常にマ
イクロ波の状態を監視しながらプラズマの変動に対応し
ている。即ち，負荷の変動を常にフィードバックした制
御を行っているため，マイクロ波の供給は常に同じ状態
に保つことができる。これに対し磁場の方は，一度設定
したコイル電流は常に一定であり，負荷の変動に対する
フィードバックはされていない。このため，エッチング
付着物等による真空容器５の経時変化によるプラズマ状
態の変化あるいは使用環境の変化により磁場強度が変化
した場合，この強度の変化を修正することができない。
その結果，磁場プロフィールが変動し，これに伴うエッ
チング処理状態等が変化してしまうことがあった。本発
明は，このような従来の技術における課題を解決するた
めに，ＥＣＲプラズマイオン発生装置を改良し，磁場プ
ロフィールの変動を抑えて常に安定したプラズマ状態が
得られるＥＣＲプラズマイオン発生装置を提供すること
を目的とするものである。
ＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａでは，電子サイクロト
ロン共鳴現象を利用しているので，マイクロ波および磁
場プロフィールが所定の値でないとそこで発生するプラ
ズマの状態が大きく異なってしまい，その結果エッチン
グ処理状態等も大きく異なってしまうことがある。この
ため，マイクロ波と磁場とは常に同じ状態になるように
コントロールされる必要がある。マイクロ波の供給にお
いては前述したようにオートチューナ２があり，常にマ
イクロ波の状態を監視しながらプラズマの変動に対応し
ている。即ち，負荷の変動を常にフィードバックした制
御を行っているため，マイクロ波の供給は常に同じ状態
に保つことができる。これに対し磁場の方は，一度設定
したコイル電流は常に一定であり，負荷の変動に対する
フィードバックはされていない。このため，エッチング
付着物等による真空容器５の経時変化によるプラズマ状
態の変化あるいは使用環境の変化により磁場強度が変化
した場合，この強度の変化を修正することができない。
その結果，磁場プロフィールが変動し，これに伴うエッ
チング処理状態等が変化してしまうことがあった。本発
明は，このような従来の技術における課題を解決するた
めに，ＥＣＲプラズマイオン発生装置を改良し，磁場プ
ロフィールの変動を抑えて常に安定したプラズマ状態が
得られるＥＣＲプラズマイオン発生装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は，並設された少なくとも１対の磁気コイル群
に電流を流すことにより磁場を発生させる磁場発生手段
と，上記磁場発生手段により発生させる磁場内にマイク
ロ波を導入して電場を発生させる電場発生手段とを備
え，上記磁場発生手段により発生させる磁場と上記電場
発生手段により発生させる電場との相互作用によって生
じる電子サイクロトロン共鳴現象を用いて処理ガスをプ
ラズマイオン化するＥＣＲプラズマイオン発生装置にお
いて，少なくとも上記磁気コイル群に対応して設けられ
上記磁場発生手段により発生させる磁場を所定場所にて
検出する磁場センサ群と，上記磁場センサ群により検出
される磁場に応じて上記磁気コイル群に流す電流値を変
化させることにより上記磁場発生手段により発生させる
磁場を制御する磁場制御手段とを設けてなることを特徴
とするＥＣＲプラズマイオン発生装置として構成されて
いる。更には，上記所定場所が少なくとも上記マイクロ
波の導入部付近と上記試料付近とであるＥＣＲプラズマ
イオン発生装置である。
に本発明は，並設された少なくとも１対の磁気コイル群
に電流を流すことにより磁場を発生させる磁場発生手段
と，上記磁場発生手段により発生させる磁場内にマイク
ロ波を導入して電場を発生させる電場発生手段とを備
え，上記磁場発生手段により発生させる磁場と上記電場
発生手段により発生させる電場との相互作用によって生
じる電子サイクロトロン共鳴現象を用いて処理ガスをプ
ラズマイオン化するＥＣＲプラズマイオン発生装置にお
いて，少なくとも上記磁気コイル群に対応して設けられ
上記磁場発生手段により発生させる磁場を所定場所にて
検出する磁場センサ群と，上記磁場センサ群により検出
される磁場に応じて上記磁気コイル群に流す電流値を変
化させることにより上記磁場発生手段により発生させる
磁場を制御する磁場制御手段とを設けてなることを特徴
とするＥＣＲプラズマイオン発生装置として構成されて
いる。更には，上記所定場所が少なくとも上記マイクロ
波の導入部付近と上記試料付近とであるＥＣＲプラズマ
イオン発生装置である。
【０００５】
【作用】本発明によれば，少なくとも磁場発生手段を構
成する磁気コイル群に対応して設けられた磁場センサ群
が上記磁場発生手段により発生させる磁場を所定場所に
て検出する。そして，磁場制御手段が上記磁場センサ群
により検出される磁場に応じて上記磁気コイル群に流す
電流値を変化させることにより上記磁場発生手段により
発生させる磁場を制御する。その結果，磁場プロフィー
ルの変動を抑えて常に安定したプラズマ状態を得ること
ができる。更に，上記所定場所を少なくともマイクロ波
の導入部付近と試料付近とすることにより，磁場センサ
群による磁場検出を比較的高精度に行うことができる。
成する磁気コイル群に対応して設けられた磁場センサ群
が上記磁場発生手段により発生させる磁場を所定場所に
て検出する。そして，磁場制御手段が上記磁場センサ群
により検出される磁場に応じて上記磁気コイル群に流す
電流値を変化させることにより上記磁場発生手段により
発生させる磁場を制御する。その結果，磁場プロフィー
ルの変動を抑えて常に安定したプラズマ状態を得ること
ができる。更に，上記所定場所を少なくともマイクロ波
の導入部付近と試料付近とすることにより，磁場センサ
群による磁場検出を比較的高精度に行うことができる。
【０００６】
【実施例】以下，添付図面を参照して本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマイオ
ン発生装置Ａ′の概略構成を示す模式図である。また，
前記図２に示した従来のＥＣＲプラズマイオン発生装置
Ａの一例における概略構成を示す模式図と共通する要素
には同一の符号を使用する。図１に示す如く，本実施例
に係るＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａ′では，電場発
生手段に相当するマイクロ波発振器１，オートチューナ
２，導波管３及びマイクロ波導入窓４と，真空容器５
と，磁場発生手段に相当する磁気コイル６，６及びコイ
ル電源７，７とを備えている点は従来例と同様である。
しかし，本実施例ではマイクロ波導入窓４付近と試料基
板１１付近とに磁気コイル６，６に対応して設けられた
磁場センサ８，８及び磁場サンサ８，８により検出され
る磁場を測定する磁場測定器９，９（磁場センサ８，８
及び磁場測定器９，９が磁場センサ群に相当）と，磁場
測定器９，９により測定された磁場に応じて磁気コイル
６，６に流す電流値を変化させることにより磁場を制御
する磁場コントローラ１０（磁場制御手段に相当）とを
設けた点で従来例と異なる。本実施例では主として従来
例と異なる部分について説明し，従来例と同様の部分に
ついては既述の通りであるのでその詳細な説明は省略す
る。以下，本実施例に係るＥＣＲプラズマイオン発生装
置Ａ′の動作について説明する。まず，磁場センサ８，
８はその設置場所の磁場強度を磁場測定器９，９を介し
て磁場コントローラ１０におくる。磁場コントローラ１
０は所定の磁場強度に必要な電流を流すようにコイル電
源７，７に信号をおくる。コイル電源７，７は磁場コン
トローラ１０から送られてきた信号にしたがって所定の
電流を磁気コイル６，６に流す。磁場プロフィールの制
御に先立って，予め実験等により各磁場センサ８，８の
位置における必要な磁場強度の値を求めておき，この値
を磁場コントローラ１０に設定しておく。磁場コントロ
ーラ１０は運転中の装置Ａ′の磁場センサ８，８の位置
における磁場強度の値を磁場測定器９，９を介して受取
る。この受取値が設定値に対してずれていれば，設定値
に戻るように修正した電流値に相当する信号をコイル電
源７，７におくる。コイル電源７，７は信号に応じてコ
イル電流を変更する。このループにより，設定した磁場
強度が常に一定に保たれる。
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマイオ
ン発生装置Ａ′の概略構成を示す模式図である。また，
前記図２に示した従来のＥＣＲプラズマイオン発生装置
Ａの一例における概略構成を示す模式図と共通する要素
には同一の符号を使用する。図１に示す如く，本実施例
に係るＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａ′では，電場発
生手段に相当するマイクロ波発振器１，オートチューナ
２，導波管３及びマイクロ波導入窓４と，真空容器５
と，磁場発生手段に相当する磁気コイル６，６及びコイ
ル電源７，７とを備えている点は従来例と同様である。
しかし，本実施例ではマイクロ波導入窓４付近と試料基
板１１付近とに磁気コイル６，６に対応して設けられた
磁場センサ８，８及び磁場サンサ８，８により検出され
る磁場を測定する磁場測定器９，９（磁場センサ８，８
及び磁場測定器９，９が磁場センサ群に相当）と，磁場
測定器９，９により測定された磁場に応じて磁気コイル
６，６に流す電流値を変化させることにより磁場を制御
する磁場コントローラ１０（磁場制御手段に相当）とを
設けた点で従来例と異なる。本実施例では主として従来
例と異なる部分について説明し，従来例と同様の部分に
ついては既述の通りであるのでその詳細な説明は省略す
る。以下，本実施例に係るＥＣＲプラズマイオン発生装
置Ａ′の動作について説明する。まず，磁場センサ８，
８はその設置場所の磁場強度を磁場測定器９，９を介し
て磁場コントローラ１０におくる。磁場コントローラ１
０は所定の磁場強度に必要な電流を流すようにコイル電
源７，７に信号をおくる。コイル電源７，７は磁場コン
トローラ１０から送られてきた信号にしたがって所定の
電流を磁気コイル６，６に流す。磁場プロフィールの制
御に先立って，予め実験等により各磁場センサ８，８の
位置における必要な磁場強度の値を求めておき，この値
を磁場コントローラ１０に設定しておく。磁場コントロ
ーラ１０は運転中の装置Ａ′の磁場センサ８，８の位置
における磁場強度の値を磁場測定器９，９を介して受取
る。この受取値が設定値に対してずれていれば，設定値
に戻るように修正した電流値に相当する信号をコイル電
源７，７におくる。コイル電源７，７は信号に応じてコ
イル電流を変更する。このループにより，設定した磁場
強度が常に一定に保たれる。
【０００７】以上のように本実施例の装置Ａ′によれ
ば，磁場のプロフィールの変動を抑えてマイクロ波と磁
場とを同じ状態になるようにコントロールできるため，
常に安定したプラズマ状態が得られる。その結果，試料
基板１１のエッチング，スパッタリング，ＣＶＤ等の処
理状態を適性に保持することができ，装置Ａ′の信頼性
が向上すると共に長期自動連続運転が可能となる。又，
上記実施例の磁場センサ８，８の位置はプラズマ発生エ
リア外の任意の場所に移動することもできるが，上記実
施例のようにマイクロ波導入窓４付近と試料基板１１付
近とすれば磁場強度の分布状態に応じた磁場計測となる
ため，磁場の検出を比較的高精度に行うことができる。
又，上記実施例では磁場センサを磁気コイルと対応させ
ているが，実使用に際しては，磁場センサを追加配備し
ても良い。例えば，磁気コイル６，６に対応して設けら
れた磁場センサ８，８をマイクロ波導入窓４付近と試料
基板１１付近とに設置し，これに加えて磁場センサ
８′，８′…をＥＣＲ面付近の真空容器５まわり等に配
備することにより，磁場強度の分布状態をより正確に計
測可能となり，磁場の検出精度を更に向上させることが
できる。尚，上記実施例ではマイクロ波と磁場とをそれ
ぞれ独立して制御しているが，実使用に際しては両者を
組み合わせた制御（例えばカスケード制御等）を行って
も良い。この場合，マイクロ波と磁場とを同じ状態にな
るようにより正確にコントロールできるため，より安定
したプラズマ状態が得られ，装置Ａ′の信頼性等を更に
向上させることができる。
ば，磁場のプロフィールの変動を抑えてマイクロ波と磁
場とを同じ状態になるようにコントロールできるため，
常に安定したプラズマ状態が得られる。その結果，試料
基板１１のエッチング，スパッタリング，ＣＶＤ等の処
理状態を適性に保持することができ，装置Ａ′の信頼性
が向上すると共に長期自動連続運転が可能となる。又，
上記実施例の磁場センサ８，８の位置はプラズマ発生エ
リア外の任意の場所に移動することもできるが，上記実
施例のようにマイクロ波導入窓４付近と試料基板１１付
近とすれば磁場強度の分布状態に応じた磁場計測となる
ため，磁場の検出を比較的高精度に行うことができる。
又，上記実施例では磁場センサを磁気コイルと対応させ
ているが，実使用に際しては，磁場センサを追加配備し
ても良い。例えば，磁気コイル６，６に対応して設けら
れた磁場センサ８，８をマイクロ波導入窓４付近と試料
基板１１付近とに設置し，これに加えて磁場センサ
８′，８′…をＥＣＲ面付近の真空容器５まわり等に配
備することにより，磁場強度の分布状態をより正確に計
測可能となり，磁場の検出精度を更に向上させることが
できる。尚，上記実施例ではマイクロ波と磁場とをそれ
ぞれ独立して制御しているが，実使用に際しては両者を
組み合わせた制御（例えばカスケード制御等）を行って
も良い。この場合，マイクロ波と磁場とを同じ状態にな
るようにより正確にコントロールできるため，より安定
したプラズマ状態が得られ，装置Ａ′の信頼性等を更に
向上させることができる。
【０００８】
【発明の効果】本発明に係るＥＣＲプラズマイオン発生
装置は，上記したように構成されているため，磁場のプ
ロフィールの変動を抑えてマイクロ波と磁場とを同じ状
態になるようにコントロールでき，常に安定したプラズ
マ状態が得られる。その結果，試料基板のエッチング，
スパッタリング，ＣＶＤ等の処理状態を適正に保持する
ことができ，装置Ａ′の信頼性が向上すると共に長期自
動連続運転が可能となる。又，磁場センサの位置はプラ
ズマ発生エリア外の任意の場所に移動することもできる
が，マイクロ波導入窓付近と試料基板付近とすれば磁場
強度の分布状態に応じた磁場計測となるため，磁場の検
出を比較的高精度に行うことができる。更に，磁気セン
サを追加配備することにより，磁場の検出精度を向上さ
せることもできる。
装置は，上記したように構成されているため，磁場のプ
ロフィールの変動を抑えてマイクロ波と磁場とを同じ状
態になるようにコントロールでき，常に安定したプラズ
マ状態が得られる。その結果，試料基板のエッチング，
スパッタリング，ＣＶＤ等の処理状態を適正に保持する
ことができ，装置Ａ′の信頼性が向上すると共に長期自
動連続運転が可能となる。又，磁場センサの位置はプラ
ズマ発生エリア外の任意の場所に移動することもできる
が，マイクロ波導入窓付近と試料基板付近とすれば磁場
強度の分布状態に応じた磁場計測となるため，磁場の検
出を比較的高精度に行うことができる。更に，磁気セン
サを追加配備することにより，磁場の検出精度を向上さ
せることもできる。
【図１】 本発明の一実施例に係るＥＣＲプラズマイオ
ン発生装置Ａ′の概略構成を示す模式図。
ン発生装置Ａ′の概略構成を示す模式図。
【図２】 従来のＥＣＲプラズマイオン発生装置Ａの一
例における概略構成を示す模式図。
例における概略構成を示す模式図。
Ａ′…ＥＣＲプラズマイオン発生装置 ６…磁気コイル（磁場発生手段に相当） ８…磁場センサ（磁場センサ群に相当） ９…磁場測定器（磁場センサ群に相当） １０…磁場コントローラ（磁場制御手段に相当）
Claims (2)
- 【請求項１】 並設された少なくとも１対の磁気コイル
群に電流を流すことにより磁場を発生させる磁場発生手
段と，上記磁場発生手段により発生させる磁場内にマイ
クロ波を導入して電場を発生させる電場発生手段とを備
え，上記磁場発生手段により発生させる磁場と上記電場
発生手段により発生させる電場との相互作用によって生
じる電子サイクロトロン共鳴現象を用いて処理ガスをプ
ラズマイオン化するＥＣＲプラズマイオン発生装置にお
いて，少なくとも上記磁気コイル群に対応して設けられ
上記磁場発生手段により発生させる磁場を所定場所にて
検出する磁場センサ群と，上記磁場センサ群により検出
される磁場に応じて上記磁気コイル群に流す電流値を変
化させることにより上記磁場発生手段により発生させる
磁場を制御する磁場制御手段とを設けてなることを特徴
とするＥＣＲプラズマイオン発生装置。 - 【請求項２】 上記所定場所が少なくとも上記マイクロ
波の導入部付近と上記試料付近とである請求項１記載の
ＥＣＲプラズマイオン発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160594A JPH065385A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Ｅｃｒプラズマイオン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160594A JPH065385A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Ｅｃｒプラズマイオン発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065385A true JPH065385A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15718332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160594A Pending JPH065385A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Ｅｃｒプラズマイオン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065385A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11288799A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-10-19 | Commiss Energ Atom | 永久磁石を用いた線形マイクロ波プラズマ発生装置 |
| WO2018061235A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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