JPH0653922A - 位相差吸収回路 - Google Patents
位相差吸収回路Info
- Publication number
- JPH0653922A JPH0653922A JP4201692A JP20169292A JPH0653922A JP H0653922 A JPH0653922 A JP H0653922A JP 4201692 A JP4201692 A JP 4201692A JP 20169292 A JP20169292 A JP 20169292A JP H0653922 A JPH0653922 A JP H0653922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame pulse
- circuit
- output
- pulse
- phase difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Time-Division Multiplex Systems (AREA)
- Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】読出フレームパルスの遅延量をその時の2つの
入力データ信号あるいは書込フレームパルス信号の位相
差から決定することにより書込みから読出しまでの遅延
量を最小にする。 【構成】書込フレームパルス信号103,106の位相
差を検出し何れか遅れた方の書込フレームパルス信号1
13を出力する単安定マルチバイブレータ3,4とAN
D回路5,6とOR回路7とから構成される回路と、こ
の書込フレームパルス信号113をエラスティックスト
アメモリにおける書込み読出し間の個有遅延量に等しい
遅延時間だけ遅延させる遅延回路8とを備え、この遅延
回路8の出力信号114を読出フレームパルス信号とし
て各エラスティックストアメモリに入力する。このエラ
スティックストアメモリの遅延量は書込フレームパルス
信号103,106の位相差とエラスティックストアメ
モリ個有の遅延時間とで決定される。
入力データ信号あるいは書込フレームパルス信号の位相
差から決定することにより書込みから読出しまでの遅延
量を最小にする。 【構成】書込フレームパルス信号103,106の位相
差を検出し何れか遅れた方の書込フレームパルス信号1
13を出力する単安定マルチバイブレータ3,4とAN
D回路5,6とOR回路7とから構成される回路と、こ
の書込フレームパルス信号113をエラスティックスト
アメモリにおける書込み読出し間の個有遅延量に等しい
遅延時間だけ遅延させる遅延回路8とを備え、この遅延
回路8の出力信号114を読出フレームパルス信号とし
て各エラスティックストアメモリに入力する。このエラ
スティックストアメモリの遅延量は書込フレームパルス
信号103,106の位相差とエラスティックストアメ
モリ個有の遅延時間とで決定される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、位相差吸収回路に関
し、特に時分割多重装置の位相同期回路に用いられる2
つの信号間の位相差を吸収する位相差吸収回路に関す
る。
し、特に時分割多重装置の位相同期回路に用いられる2
つの信号間の位相差を吸収する位相差吸収回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の位相差吸収回路として、エラステ
ィックストアメモリを用いた位相差吸収回路がある。図
4は従来例のブロック図,図5は図4の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
ィックストアメモリを用いた位相差吸収回路がある。図
4は従来例のブロック図,図5は図4の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
【0003】以下、図4,図5について従来例の動作を
説明する。エラスティックストアメモリ21及びエラス
ティックストアメモリ22にそれぞれ書込フレームパル
ス信号203、書込フレームパルス信号206をトリガ
として、入力データ201、入力データ204の書き込
みを行い、読出フレームパルス信号214をトリガとし
て、エラスティックストアメモリ21及びエラスティッ
クストアメモリ22よりデータの読出を行い、出力デー
タ202及び、出力データ205として出力している。
説明する。エラスティックストアメモリ21及びエラス
ティックストアメモリ22にそれぞれ書込フレームパル
ス信号203、書込フレームパルス信号206をトリガ
として、入力データ201、入力データ204の書き込
みを行い、読出フレームパルス信号214をトリガとし
て、エラスティックストアメモリ21及びエラスティッ
クストアメモリ22よりデータの読出を行い、出力デー
タ202及び、出力データ205として出力している。
【0004】この時読出フレームパルスのタイミング
は、入力データ201及び入力データ204の位相差に
対して、十分なマージンを持たせて、エラスティックス
トアメモリよりデータの読出しを行う構成となってい
る。
は、入力データ201及び入力データ204の位相差に
対して、十分なマージンを持たせて、エラスティックス
トアメモリよりデータの読出しを行う構成となってい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の位相
差吸収回路では、書込み内容の読出欠落や二度読み等を
防ぐため、エラスティックストアメモリからの読出しの
タイミングは十分なマージンを持たせているため、必要
以上に遅延時間がかかるという問題がある。
差吸収回路では、書込み内容の読出欠落や二度読み等を
防ぐため、エラスティックストアメモリからの読出しの
タイミングは十分なマージンを持たせているため、必要
以上に遅延時間がかかるという問題がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の位相差吸収回路
は、第1の入力データを第1の書込フレームパルスによ
り書込み読出フレームパルスにより読出し第1の出力デ
ータとして出力する第1のエラスティクストアメモリ
と、第2の入力データを第2の書込フレームパルスによ
り書込み前記読出フレームパルスにより読出し第2の出
力データとして出力する第2のエラスティクストアメモ
リと、前記第1の書込フレームパルスを入力し所定の時
間幅T1のパルスを出力する第1の単安定マルチバイブ
レータと、前記第2の書込フレームパルスを入力し前記
時間幅T1のパルスを出力する第2の単安定マルチバイ
ブレータと、前記第1の書込フレームパルスと前記第1
および前記第2の単安定マルチバイブレータの出力パル
スとを入力する第1のAND回路と、前記第2の書込フ
レームパルスと前記第1および前記第2の単安定マルチ
バイブレータの出力パルスとを入力する第2のAND回
路と、前記第1および第2のAND回路の出力パルスを
入力するOR回路と、前記OR回路の出力パルスを所定
の時間幅T2だけ遅延させ前記読出フレームパルスとし
て出力する遅延回路とを備えている。
は、第1の入力データを第1の書込フレームパルスによ
り書込み読出フレームパルスにより読出し第1の出力デ
ータとして出力する第1のエラスティクストアメモリ
と、第2の入力データを第2の書込フレームパルスによ
り書込み前記読出フレームパルスにより読出し第2の出
力データとして出力する第2のエラスティクストアメモ
リと、前記第1の書込フレームパルスを入力し所定の時
間幅T1のパルスを出力する第1の単安定マルチバイブ
レータと、前記第2の書込フレームパルスを入力し前記
時間幅T1のパルスを出力する第2の単安定マルチバイ
ブレータと、前記第1の書込フレームパルスと前記第1
および前記第2の単安定マルチバイブレータの出力パル
スとを入力する第1のAND回路と、前記第2の書込フ
レームパルスと前記第1および前記第2の単安定マルチ
バイブレータの出力パルスとを入力する第2のAND回
路と、前記第1および第2のAND回路の出力パルスを
入力するOR回路と、前記OR回路の出力パルスを所定
の時間幅T2だけ遅延させ前記読出フレームパルスとし
て出力する遅延回路とを備えている。
【0007】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図を参照し
て説明する。図1は本実施例のブロック図で、図2,図
3は、図1の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
て説明する。図1は本実施例のブロック図で、図2,図
3は、図1の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
【0008】エラスティックストアメモリ1は、書込フ
レームパルス信号103をトリガとして入力データ10
1の書き込みを行い、エラスティックストアメモリ2
は、書込フレームパルス信号106をトリガとして入力
データ104の書き込みを行う。
レームパルス信号103をトリガとして入力データ10
1の書き込みを行い、エラスティックストアメモリ2
は、書込フレームパルス信号106をトリガとして入力
データ104の書き込みを行う。
【0009】単安定マルチバイブレータ3は、書込フレ
ームパルス信号103を入力して、一定時間幅(T1)
のパルス信号109を出力する。この場合の一定時間幅
(T1)とは書込フレームパルス信号103,106間
の予想される最大限の位相差(T3)と書込フレームパ
ルス信号のパルス幅(T4)とを加えた時間とする。ま
た、単安定マルチバイブレータ4は、書込フレームパル
ス信号106を入力して、一定時間幅(T1)のパルス
信号110を出力する。
ームパルス信号103を入力して、一定時間幅(T1)
のパルス信号109を出力する。この場合の一定時間幅
(T1)とは書込フレームパルス信号103,106間
の予想される最大限の位相差(T3)と書込フレームパ
ルス信号のパルス幅(T4)とを加えた時間とする。ま
た、単安定マルチバイブレータ4は、書込フレームパル
ス信号106を入力して、一定時間幅(T1)のパルス
信号110を出力する。
【0010】AND回路5は出力信号109及び出力信
号110と、書込フレームパルス信号103との論理積
をとるAND回路で、AND回路6は出力信号109及
び出力信号110と、書込フレームパルス信号106と
の論理積をとる。ここで図2(a)に示すように、書込
フレームパルス信号109が書込フレームパルス信号1
10に対して遅延量が多い場合には、AND回路6は出
力信号112として書込フレームパルス信号106を出
力し、(出力信号111は“L”レベルのまま)、逆に
書込フレームパルス信号103が書込フレームパルス信
号106に対して遅延量が多い場合には、出力信号11
1に書込フレームパルス信号103が出力される(出力
信号112は“L”レベルのまま)。
号110と、書込フレームパルス信号103との論理積
をとるAND回路で、AND回路6は出力信号109及
び出力信号110と、書込フレームパルス信号106と
の論理積をとる。ここで図2(a)に示すように、書込
フレームパルス信号109が書込フレームパルス信号1
10に対して遅延量が多い場合には、AND回路6は出
力信号112として書込フレームパルス信号106を出
力し、(出力信号111は“L”レベルのまま)、逆に
書込フレームパルス信号103が書込フレームパルス信
号106に対して遅延量が多い場合には、出力信号11
1に書込フレームパルス信号103が出力される(出力
信号112は“L”レベルのまま)。
【0011】また図3に示すように書込フレームパルス
信号103と書込フレームパルス信号106とが同じ遅
延量の場合には、出力信号111には書込フレームパル
ス信号103が、出力信号112には書込フレームパル
ス信号106がそれぞれ出力される。OR回路7は出力
信号111,112の論理和をとるOR回路で、信号1
13を出力し、遅延回路8は信号113に対して、エラ
スティックストアメモリ1あるいは2にデータを書き込
んでから、そのデータを読み出すまでの最小限必要な時
間(T2)の遅延を与えて出力する。
信号103と書込フレームパルス信号106とが同じ遅
延量の場合には、出力信号111には書込フレームパル
ス信号103が、出力信号112には書込フレームパル
ス信号106がそれぞれ出力される。OR回路7は出力
信号111,112の論理和をとるOR回路で、信号1
13を出力し、遅延回路8は信号113に対して、エラ
スティックストアメモリ1あるいは2にデータを書き込
んでから、そのデータを読み出すまでの最小限必要な時
間(T2)の遅延を与えて出力する。
【0012】エラスティックストアメモリ1及び2は、
遅延回路8からの出力信号114を読出フレームパルス
信号としてデータの読出を行い同位相の出力データ10
2及び105をそれぞれ出力する。
遅延回路8からの出力信号114を読出フレームパルス
信号としてデータの読出を行い同位相の出力データ10
2及び105をそれぞれ出力する。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、位相差の
ある2つの入力データの書込みから読出しまでの遅延時
間をその時の2つの書込フレームパルスの位相差とエラ
スティックストアメモリ固有の遅延量、すなわち書込み
から読出しまで必要最少限の時間とを加えたものとして
いるので、あらかじめマージンを見込んだ一定の遅延時
間を与える従来例に比べて遅延量を必要最少限に少なく
する効果がある。
ある2つの入力データの書込みから読出しまでの遅延時
間をその時の2つの書込フレームパルスの位相差とエラ
スティックストアメモリ固有の遅延量、すなわち書込み
から読出しまで必要最少限の時間とを加えたものとして
いるので、あらかじめマージンを見込んだ一定の遅延時
間を与える従来例に比べて遅延量を必要最少限に少なく
する効果がある。
【図1】本発明による一実施例のブロック図である。
【図2】図1における(a)入力信号に位相差のある場
合のタイミングチャート、(b)位相差がない場合のタ
イミングチャートである。
合のタイミングチャート、(b)位相差がない場合のタ
イミングチャートである。
【図3】図1における入出力信号のタイミングチャート
である。
である。
【図4】従来例のブロック図である。
【図5】図4における入出力信号のタイミングチャート
である。
である。
1 エラスティックストアメモリ 2 単安定マルチバイブレータ 3 単安定マルチバイブレータ 4 AND回路 5 OR回路 6 遅延回路 7 AND回路 8 エラスティックストアメモリB 101 入力データ 104 入力データ 103 書込フレームパルス信号 106 書込フレームパルス信号 107 書込クロック 102 出力データ 109 単安定マルチバイブレータ3の出力信号 110 単安定マルチバイブレータ4の出力信号 111 AND回路5の出力信号 112 AND回路6の出力信号 113 OR回路7の出力信号 114 読出フレームパルス信号 105 出力データ 108 読出クロック
Claims (2)
- 【請求項1】 第1の入力データを第1の書込フレーム
パルスにより書込み読出フレームパルスにより読出し第
1の出力データとして出力する第1のエラスティクスト
アメモリと、第2の入力データを第2の書込フレームパ
ルスにより書込み前記読出フレームパルスにより読出し
第2の出力データとして出力する第2のエラスティクス
トアメモリと、前記第1の書込フレームパルスを入力し
所定の時間幅T1のパルスを出力する第1の単安定マル
チバイブレータと、前記第2の書込フレームパルスを入
力し前記時間幅T1のパルスを出力する第2の単安定マ
ルチバイブレータと、前記第1の書込フレームパルスと
前記第1および前記第2の単安定マルチバイブレータの
出力パルスとを入力する第1のAND回路と、前記第2
の書込フレームパルスと前記第1および前記第2の単安
定マルチバイブレータの出力パルスとを入力する第2の
AND回路と、前記第1および第2のAND回路の出力
パルスを入力するOR回路と、前記OR回路の出力パル
スを所定の時間幅T2だけ遅延させ前記読出フレームパ
ルスとして出力する遅延回路とを備えることを特徴とす
る位相差吸収回路。 - 【請求項2】 前記時間幅T1は前記第1の書込フレー
ムパルスと前記第2の書込フレームパルスとの予想され
る位相差と前記第1あるいは前記第2の書込フレームパ
ルスのパル幅とを加えた時間とし、前記時間幅T2は前
記第1あるいは前記第2のエラスティクストアメモリが
データを書込んでから読出すまでの必要最少限の時間と
することを特徴とする請求項1記載の位相差吸収回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201692A JPH0653922A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 位相差吸収回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201692A JPH0653922A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 位相差吸収回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653922A true JPH0653922A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16445329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4201692A Withdrawn JPH0653922A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 位相差吸収回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653922A (ja) |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP4201692A patent/JPH0653922A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3013714B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US7561477B2 (en) | Data strobe synchronization circuit and method for double data rate, multi-bit writes | |
| JP5044849B2 (ja) | 遅延線同期装置および方法 | |
| US4685088A (en) | High performance memory system utilizing pipelining techniques | |
| US6982924B2 (en) | Data output control circuit | |
| JPH08102188A (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
| JPS61148692A (ja) | 記憶装置 | |
| JP3102398B2 (ja) | タイミング信号生成回路 | |
| JP2701030B2 (ja) | 高速記憶装置の書込制御回路 | |
| JPH0259521B2 (ja) | ||
| JPH0653922A (ja) | 位相差吸収回路 | |
| US6804166B2 (en) | Method and apparatus for operating a semiconductor memory at double data transfer rate | |
| JP2002117683A (ja) | クロック切り換え回路およびこれを有する記憶装置 | |
| JP2625908B2 (ja) | 非同期エラスティックストアドメモリのジッタ吸収量選択方式 | |
| JPH09139730A (ja) | エラステックストア | |
| JP2818563B2 (ja) | 同期式メモリ | |
| KR0148182B1 (ko) | 쿼드러플뱅크 메모리 제어장치 | |
| KR0162456B1 (ko) | 블록코드 처리계의 메모리 제어방법 | |
| JP2591304B2 (ja) | メモリ監視回路 | |
| JPS60197093A (ja) | エラステイツクバツフア兼用時間スイツチ | |
| JPS61137294A (ja) | メモリ集積回路 | |
| JPH0256047A (ja) | ダイレクト・メモリ・アクセス制御装置 | |
| JPS5856196B2 (ja) | 記憶装置のタイミング制御方式 | |
| JPH03144995A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH022236B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |