JPH0653925B2 - 化学気相成長方法 - Google Patents
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- JPH0653925B2 JPH0653925B2 JP21649086A JP21649086A JPH0653925B2 JP H0653925 B2 JPH0653925 B2 JP H0653925B2 JP 21649086 A JP21649086 A JP 21649086A JP 21649086 A JP21649086 A JP 21649086A JP H0653925 B2 JPH0653925 B2 JP H0653925B2
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高い誘電率を有し、かつリーク電流の少ない
高品質の絶縁体薄膜の形成方法に関する。
高品質の絶縁体薄膜の形成方法に関する。
近年、微小な面積に大きな容量を形成する要求が高まっ
ている。例えば、ダイナミックＲＡＭ（Random Access
Memory）のごとく構成要素として容量を具備した半導体
装置では、微細寸法の容量を実現することが高集積化の
必須条件である。また、大容量の単体容量を必要とする
回路を組込んだ半導体装置では、半導体チップ中に占め
る容量の面積を極力小さくすることが高密度化を計る上
で重要である。
ている。例えば、ダイナミックＲＡＭ（Random Access
Memory）のごとく構成要素として容量を具備した半導体
装置では、微細寸法の容量を実現することが高集積化の
必須条件である。また、大容量の単体容量を必要とする
回路を組込んだ半導体装置では、半導体チップ中に占め
る容量の面積を極力小さくすることが高密度化を計る上
で重要である。
大きな容量値を小さな面積で実現するために、従来は誘
電体としての比誘電率の大きなＴａ酸化物、Ｔｉ酸化
物、Ｚｒ酸化物、Ｈｆ酸化物、さらにはＢａＴｉＯ３の
如き強誘電体などを用いることが試みられている。通常
これら絶縁膜はＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの金属材料
をターゲットとしてスパッタ蒸着法により基板表面に金
属膜を形成した後にこれを酸化処理する手法、あるいは
スパッタ蒸着を酸素雰囲気中で行うことにより基板上に
金属酸化物として堆積する手法などを用いて形成されて
いた。
電体としての比誘電率の大きなＴａ酸化物、Ｔｉ酸化
物、Ｚｒ酸化物、Ｈｆ酸化物、さらにはＢａＴｉＯ３の
如き強誘電体などを用いることが試みられている。通常
これら絶縁膜はＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの金属材料
をターゲットとしてスパッタ蒸着法により基板表面に金
属膜を形成した後にこれを酸化処理する手法、あるいは
スパッタ蒸着を酸素雰囲気中で行うことにより基板上に
金属酸化物として堆積する手法などを用いて形成されて
いた。
ところが、これらの製法により形成された酸化物からな
る絶縁膜は洩れ電流が極めて大きく、半導体装置の高密
度化を計る目的からは有望視されながらも実用に供する
ことは困難である。この原因としては、スタッパ蒸着法
がターゲット材を微小な端子となし基板上に堆積させる
ことで膜を形成するものであり、膜組成が不均一である
ことあるいは膜構造が緻密でないことによると推定され
る。
る絶縁膜は洩れ電流が極めて大きく、半導体装置の高密
度化を計る目的からは有望視されながらも実用に供する
ことは困難である。この原因としては、スタッパ蒸着法
がターゲット材を微小な端子となし基板上に堆積させる
ことで膜を形成するものであり、膜組成が不均一である
ことあるいは膜構造が緻密でないことによると推定され
る。
このような観点から、均一な組成膜あるいは緻密な膜を
形成する手法としてＣＶＤ法が検討されている。ＣＶＤ
法によりＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの酸化物を形成す
る場合、原料としてＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの原素
を一部に含む化合物をガス状態となし反応炉に輸送する
ことが必要であるが、これら原料はほとんどの場合常温
で固体又は液体である。さらに、これら原料は蒸気圧が
低いために通常はこれら原料を加熱せしめて昇華又は蒸
発の手段でキャリアガス中に混入し、反応炉に導入する
ことが行われている。
形成する手法としてＣＶＤ法が検討されている。ＣＶＤ
法によりＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの酸化物を形成す
る場合、原料としてＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの原素
を一部に含む化合物をガス状態となし反応炉に輸送する
ことが必要であるが、これら原料はほとんどの場合常温
で固体又は液体である。さらに、これら原料は蒸気圧が
低いために通常はこれら原料を加熱せしめて昇華又は蒸
発の手段でキャリアガス中に混入し、反応炉に導入する
ことが行われている。
第２図は、液体原料を用いた従来の減圧ＣＶＤ装置の概
略構成を示す図である。図において、１は反応炉、２は
真空排気ポンプ、３はサセプタ又はボート、４は基板、
５１は原料の入ったボンベ、５２は原料の入らない空の
ボンベ、６は恒温槽、７０〜７２はガス導入配管、８は
ガス配管を加熱するヒーター、９は基板４を加熱する加
熱源、１０はバルブをそれぞれ示す。この減圧ＣＶＤ装
置により、絶縁膜としてＴａ２Ｏ５を形成する場合を例
にとり説明する。
略構成を示す図である。図において、１は反応炉、２は
真空排気ポンプ、３はサセプタ又はボート、４は基板、
５１は原料の入ったボンベ、５２は原料の入らない空の
ボンベ、６は恒温槽、７０〜７２はガス導入配管、８は
ガス配管を加熱するヒーター、９は基板４を加熱する加
熱源、１０はバルブをそれぞれ示す。この減圧ＣＶＤ装
置により、絶縁膜としてＴａ２Ｏ５を形成する場合を例
にとり説明する。
原料タンク５１には、Ｔａを含む有機化合物、例えばタ
ンタルのアルコラートであるＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５（タ
ンタルエチレート）を充填する。このタンタルエチレー
ト等の原料は蒸気圧が低いことから、ガス化を促進する
ためにボンベ５１を恒温槽６内に収納し、１５０〜１８
０℃に加熱する。さらに、輸送される原料ガスが配管内
壁に凝結するのを防止するために、ボンベ５１と反応炉
１とを結ぶガス配管部分はヒーター８により、恒温槽６
の設定温度と同じかあるいは５〜１０℃高い温度に加熱
される。なお、空のボンベ５２は、ボンベ５１中の液体
原料が配管７２に逆流するのを防止するために設けられ
ている。
ンタルのアルコラートであるＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５（タ
ンタルエチレート）を充填する。このタンタルエチレー
ト等の原料は蒸気圧が低いことから、ガス化を促進する
ためにボンベ５１を恒温槽６内に収納し、１５０〜１８
０℃に加熱する。さらに、輸送される原料ガスが配管内
壁に凝結するのを防止するために、ボンベ５１と反応炉
１とを結ぶガス配管部分はヒーター８により、恒温槽６
の設定温度と同じかあるいは５〜１０℃高い温度に加熱
される。なお、空のボンベ５２は、ボンベ５１中の液体
原料が配管７２に逆流するのを防止するために設けられ
ている。
このＣＶＤ装置による膜形成の手順は、例えば次のよう
にして行われる。まず、サセプタ又はボート３上に並べ
られた基板４が反応炉１内に置かれた後に、真空排気ポ
ンプ２が動作し、反応炉１内が真空に排気される。次
に、加熱源９により基板４が所望の温度に加熱される。
続いて、ガス配管７０を通じて、Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅなど
のベースガスが導入され、反応炉１内の真空度が所望の
真空度に設定される。また、ガス配管７１を通じてＯ２
が反応炉１内に導入される。次にガス配管７２を通じて
Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅなどのキャリアガスが導入され、ボン
ベ５２を経由した後にボンベ５１に導かれ、ボンベ５１
内の液体原料がバブリングされることによりガス化した
原料が反応炉１内に輸送され、基板４表面にＴａ２Ｏ５
膜が形成される。
にして行われる。まず、サセプタ又はボート３上に並べ
られた基板４が反応炉１内に置かれた後に、真空排気ポ
ンプ２が動作し、反応炉１内が真空に排気される。次
に、加熱源９により基板４が所望の温度に加熱される。
続いて、ガス配管７０を通じて、Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅなど
のベースガスが導入され、反応炉１内の真空度が所望の
真空度に設定される。また、ガス配管７１を通じてＯ２
が反応炉１内に導入される。次にガス配管７２を通じて
Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅなどのキャリアガスが導入され、ボン
ベ５２を経由した後にボンベ５１に導かれ、ボンベ５１
内の液体原料がバブリングされることによりガス化した
原料が反応炉１内に輸送され、基板４表面にＴａ２Ｏ５
膜が形成される。
上述した従来の減圧ＣＶＤ法により形成された膜は、膜
のリーク電流が極めて多く、絶縁膜として実用に供する
のは極めて難しい。この原因を調べるために、膜構造を
透過型電子顕微鏡で観察した。第３図は膜構造を模式的
に示しており、図に於いてイは島状に形成された膜を、
ロは島状に形成された膜間のすき間を示している。即
ち、ＣＶＤ法により形成された膜は島状に膜堆積されて
おり、島と島との間にすき間が生じている。従来膜でリ
ーク電流が多い原因はこの膜のすき間を通して電流が流
れるためと推定される。従って、島状構造のない均−な
膜堆積が行えればリーク電流が低減できると考えられ
る。
のリーク電流が極めて多く、絶縁膜として実用に供する
のは極めて難しい。この原因を調べるために、膜構造を
透過型電子顕微鏡で観察した。第３図は膜構造を模式的
に示しており、図に於いてイは島状に形成された膜を、
ロは島状に形成された膜間のすき間を示している。即
ち、ＣＶＤ法により形成された膜は島状に膜堆積されて
おり、島と島との間にすき間が生じている。従来膜でリ
ーク電流が多い原因はこの膜のすき間を通して電流が流
れるためと推定される。従って、島状構造のない均−な
膜堆積が行えればリーク電流が低減できると考えられ
る。
従来のＴａ２Ｏ５膜堆積において、膜が島状に形成され
る理由を考えてみよう。第４図は原料の１種であるＴａ
（ＯＣ２Ｈ５）５の示差熱分析の結果を示す。この示差
熱分析法は、原料であるＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５を加熱し
た時に、分解が何度で生ずるかを調べるものであり、横
軸は原料を入れる容器を一定速度で加熱上昇させた時の
時間を、縦軸はこの時の原料を入れた容器および比較用
容器の温度を示している。
る理由を考えてみよう。第４図は原料の１種であるＴａ
（ＯＣ２Ｈ５）５の示差熱分析の結果を示す。この示差
熱分析法は、原料であるＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５を加熱し
た時に、分解が何度で生ずるかを調べるものであり、横
軸は原料を入れる容器を一定速度で加熱上昇させた時の
時間を、縦軸はこの時の原料を入れた容器および比較用
容器の温度を示している。
原料が熱分解を始めると、分解に要する吸熱反応のため
に液温が低下し原料容器の温度が低下することから原料
の分解温度を知ることが出来る。さらに、原料の液温の
変化の急峻さから、分解が急激に生ずるかあるいはゆる
やかに生ずるかも推定できる。第４図から、Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５は３００℃付近で分解が急激に生じているこ
とが判る。
に液温が低下し原料容器の温度が低下することから原料
の分解温度を知ることが出来る。さらに、原料の液温の
変化の急峻さから、分解が急激に生ずるかあるいはゆる
やかに生ずるかも推定できる。第４図から、Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５は３００℃付近で分解が急激に生じているこ
とが判る。
次に、ＣＶＤによるＴａ２Ｏ５膜の膜形成過程を考える
と、Ｔａ２Ｏ５の形成は液体原料のバブリングにより気
化したＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５が基板表面に付着し、これ
が熱分解することにより行われる。Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）
５は基板表面にゲル状態で付着し、熱分解すると考えら
れることから、この時に体積収縮を生ずると推定され
る。この体積収縮は、原料ガスの分解が急激に行われる
ほど著しいと考えられ、先に第３図に示したＴａ２Ｏ５
膜の島状膜堆積は上記した熱分解時の体積収縮に起因す
ると推定される。
と、Ｔａ２Ｏ５の形成は液体原料のバブリングにより気
化したＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５が基板表面に付着し、これ
が熱分解することにより行われる。Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）
５は基板表面にゲル状態で付着し、熱分解すると考えら
れることから、この時に体積収縮を生ずると推定され
る。この体積収縮は、原料ガスの分解が急激に行われる
ほど著しいと考えられ、先に第３図に示したＴａ２Ｏ５
膜の島状膜堆積は上記した熱分解時の体積収縮に起因す
ると推定される。
以上の考察から、反応時の体積収縮を防止する手段とし
て、熱分解をゆるやかに生ぜしめれば良いと言える。こ
の条件を実現するには、膜堆積速度を遅くし堆積に要す
る時間を長くすれば良いと考えられるが、現実的ではな
い。従って、これに代る手法として、本発明者は熱分解
温度の異る複数の種類の原料を同時に反応炉に導入する
ことにより、ゆるやかに熱分解を生ぜしめることが出来
ると考えた。
て、熱分解をゆるやかに生ぜしめれば良いと言える。こ
の条件を実現するには、膜堆積速度を遅くし堆積に要す
る時間を長くすれば良いと考えられるが、現実的ではな
い。従って、これに代る手法として、本発明者は熱分解
温度の異る複数の種類の原料を同時に反応炉に導入する
ことにより、ゆるやかに熱分解を生ぜしめることが出来
ると考えた。
以下、本発明を図面を用いてより詳細に説明する。
本発明の第１の実施例では、装置は従来の減圧ＣＶＤ装
置と同じものを用いることから、前記した第２図に示す
装置系統図を用いて説明する。本実施例で、従来法と異
る点は、タンク５１に結合基の異る有機化合物を複数種
混合し充填することである。例えば、Ｔａ２Ｏ５膜を形
成することとして説明すると、原料となるＴａのアルコ
ラートとしてはＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５，Ｔａ（ＯＣ
Ｈ３）５などアルキル基と呼ばれる、Ｃ−Ｈ結合の結合
数の異る物質が知られており、これらアルキル基の異る
Ｔａ化合物を複数種タンク５１に充填し、従来法と同様
にバブリングによりこれら原料をガス化して反応炉に輸
送する。
置と同じものを用いることから、前記した第２図に示す
装置系統図を用いて説明する。本実施例で、従来法と異
る点は、タンク５１に結合基の異る有機化合物を複数種
混合し充填することである。例えば、Ｔａ２Ｏ５膜を形
成することとして説明すると、原料となるＴａのアルコ
ラートとしてはＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５，Ｔａ（ＯＣ
Ｈ３）５などアルキル基と呼ばれる、Ｃ−Ｈ結合の結合
数の異る物質が知られており、これらアルキル基の異る
Ｔａ化合物を複数種タンク５１に充填し、従来法と同様
にバブリングによりこれら原料をガス化して反応炉に輸
送する。
反応炉内に導入されたこれらアルキル基の異るＴａ化合
物は、反応炉内の基板表面で熱分解を生ずるが、示差熱
分析の結果からはこれら材料が分解する温度はＴａ（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）５が３００℃付近、Ｔａ（ＯＣＨ３）５が２
５０℃付近であるため、分解速度は前者が遅く、後者が
早い。従って、結果として、Ｔａ２Ｏ５膜がゆるやかに
基板上に形成される。この時、基板温度は上記した原料
の熱分解温度よりも少し高く設定しておく必要があり、
３５０〜５００℃が好ましい。
物は、反応炉内の基板表面で熱分解を生ずるが、示差熱
分析の結果からはこれら材料が分解する温度はＴａ（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）５が３００℃付近、Ｔａ（ＯＣＨ３）５が２
５０℃付近であるため、分解速度は前者が遅く、後者が
早い。従って、結果として、Ｔａ２Ｏ５膜がゆるやかに
基板上に形成される。この時、基板温度は上記した原料
の熱分解温度よりも少し高く設定しておく必要があり、
３５０〜５００℃が好ましい。
このように、本発明の第１の実施例によれば、基板表面
にはＴａ２Ｏ５膜がゆるやかに形成されることから、従
来の成膜で問題であった島状の膜堆積が防止でき、電気
的絶縁性の優れた膜が実現できる。
にはＴａ２Ｏ５膜がゆるやかに形成されることから、従
来の成膜で問題であった島状の膜堆積が防止でき、電気
的絶縁性の優れた膜が実現できる。
本発明の第２の実施例として、結合基の異る有機化合物
を３種用いた場合について説明する。用いる装置は従来
と同じ減圧ＣＶＤ装置を用いる。本実施例では、例えば
Ｔａ２Ｏ５膜を形成することとして説明すると、原料と
なるＴａのアルコラートとしては、Ｔａ（ＯＣ
Ｈ３）５，Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５，Ｔａ（ＯＣ４Ｈ９）
５などアルキル基の異る物質をタンク５１に混合して充
填する。気相成長の手順は従来法と同様であり、バブリ
ングによりこれら混合された原料をガス化して反応炉に
輸送しＴａ２Ｏ５膜を堆積する。
を３種用いた場合について説明する。用いる装置は従来
と同じ減圧ＣＶＤ装置を用いる。本実施例では、例えば
Ｔａ２Ｏ５膜を形成することとして説明すると、原料と
なるＴａのアルコラートとしては、Ｔａ（ＯＣ
Ｈ３）５，Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５，Ｔａ（ＯＣ４Ｈ９）
５などアルキル基の異る物質をタンク５１に混合して充
填する。気相成長の手順は従来法と同様であり、バブリ
ングによりこれら混合された原料をガス化して反応炉に
輸送しＴａ２Ｏ５膜を堆積する。
これらＴａ化合物の熱分解温度は、示差熱分析の結果か
らは、Ｔａ（ＯＣＨ３）５が２５０℃付近、Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５が３００℃付近、Ｔａ（ＯＣ４Ｈ９）５が２
００℃付近であるため、反応炉内の基板上ではゆるやか
に熱分解が生じ、結果としてＴａ２Ｏ５が極めてゆるや
かに形成される。従って、従来の成膜で問題であった島
状の膜堆積が防止でき、電気的絶縁性の優れた膜が形成
できる。
らは、Ｔａ（ＯＣＨ３）５が２５０℃付近、Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５が３００℃付近、Ｔａ（ＯＣ４Ｈ９）５が２
００℃付近であるため、反応炉内の基板上ではゆるやか
に熱分解が生じ、結果としてＴａ２Ｏ５が極めてゆるや
かに形成される。従って、従来の成膜で問題であった島
状の膜堆積が防止でき、電気的絶縁性の優れた膜が形成
できる。
以上に示した第１および第２の実施例では、同一タンク
５１内に複数の原料を混合して入れることが特徴である
が、反応炉に輸送される各々の原料の輸送量比の制御が
難しい欠点がある。即ち、各原料ごとに蒸気圧が異るた
め、複数の原料を同一タンクに充填しバブリングした時
に、蒸気圧の高い材料が多く輸送される結果、ＣＶＤを
多数回繰返すとタンク内の原料の混合比率が時間と共に
変化してしまう。従って、膜堆積の組成が変化してしま
うことがある。
５１内に複数の原料を混合して入れることが特徴である
が、反応炉に輸送される各々の原料の輸送量比の制御が
難しい欠点がある。即ち、各原料ごとに蒸気圧が異るた
め、複数の原料を同一タンクに充填しバブリングした時
に、蒸気圧の高い材料が多く輸送される結果、ＣＶＤを
多数回繰返すとタンク内の原料の混合比率が時間と共に
変化してしまう。従って、膜堆積の組成が変化してしま
うことがある。
本発明の第３の実施例はかかる欠点を改善するものであ
り、第１図はこれに用いる減圧ＣＶＤ装置の系統図を示
す。同図に於いて第２図と同記号は同一機能を有する物
を示し、６０，６１は恒温槽、５３は原料の入ったボン
ベ、５４は原料の入らない空のボンベ、８０，８１はガ
ス配管を加熱するヒーターをそれぞれ示す。
り、第１図はこれに用いる減圧ＣＶＤ装置の系統図を示
す。同図に於いて第２図と同記号は同一機能を有する物
を示し、６０，６１は恒温槽、５３は原料の入ったボン
ベ、５４は原料の入らない空のボンベ、８０，８１はガ
ス配管を加熱するヒーターをそれぞれ示す。
本第３の実施例に用いる装置が従来法と異る点は、反応
炉１に原料を輸送する系統が複数にされたことにある。
即ち、タンク５１，５３に別々に原料であるＴａ（ＯＣ
２Ｈ５）５とＴａ（ＯＣＨ３）５とを充填し、ガス導入
管７２，７３に各々キヤリアガスを導入しバブリングす
ることにより上記原料を反応炉１に個別に輸送するもの
である。
炉１に原料を輸送する系統が複数にされたことにある。
即ち、タンク５１，５３に別々に原料であるＴａ（ＯＣ
２Ｈ５）５とＴａ（ＯＣＨ３）５とを充填し、ガス導入
管７２，７３に各々キヤリアガスを導入しバブリングす
ることにより上記原料を反応炉１に個別に輸送するもの
である。
このように第３の実施例によれば、第１および第２の実
施例に関連して述べた欠点、即ち反応炉に輸送される原
料の混合比率が時間と共に変化するという欠点を改善で
きるため、安定な膜形成が可能である。
施例に関連して述べた欠点、即ち反応炉に輸送される原
料の混合比率が時間と共に変化するという欠点を改善で
きるため、安定な膜形成が可能である。
以上説明したように、本発明は従来のＣＶＤ法で形成し
た高誘電率膜が島状に堆積され、すき間が発生すること
から電気的絶縁性が悪いという欠点を改善するものであ
り、本発明を適用することにより均一な膜の堆積ができ
ることから電気特性を大幅に改善できる効果を有する。
た高誘電率膜が島状に堆積され、すき間が発生すること
から電気的絶縁性が悪いという欠点を改善するものであ
り、本発明を適用することにより均一な膜の堆積ができ
ることから電気特性を大幅に改善できる効果を有する。
上記した具体的実施例の説明では、Ｔａ２Ｏ５の場合を
例にとり上げたが、本発明は他の絶縁膜、即ちＴｉ酸化
物、Ｚｒ酸化物、Ｈｆ酸化物、さらにはＢａＴｉＯ３の
如き強誘電体膜を形成する場合にも適用できることは明
らかである。
例にとり上げたが、本発明は他の絶縁膜、即ちＴｉ酸化
物、Ｚｒ酸化物、Ｈｆ酸化物、さらにはＢａＴｉＯ３の
如き強誘電体膜を形成する場合にも適用できることは明
らかである。
第１図は本発明の第３の実施例に用いる減圧ＣＶＤ装置
の概略構成図、第２図は従来の製法および本発明の第１
並びに第２の実施例に用いる減圧ＣＶＤ装置の概略構成
図、第３図は従来の堆積膜の構造を示す図、第４図は示
差熱分析の結果を示すグラフである。 １……反応炉，２……真空ポンプ，３……ボート，４…
…基板，51，53……原料を入れたタンク，６，60，61…
…恒温槽，70〜73……ガス導入管，８，80，81……ガス
導入管を加熱するヒーター，９……基板４を加熱するヒ
ーター。
の概略構成図、第２図は従来の製法および本発明の第１
並びに第２の実施例に用いる減圧ＣＶＤ装置の概略構成
図、第３図は従来の堆積膜の構造を示す図、第４図は示
差熱分析の結果を示すグラフである。 １……反応炉，２……真空ポンプ，３……ボート，４…
…基板，51，53……原料を入れたタンク，６，60，61…
…恒温槽，70〜73……ガス導入管，８，80，81……ガス
導入管を加熱するヒーター，９……基板４を加熱するヒ
ーター。
Claims (1)
- 【請求項１】金属原素をＭ、酸素原素をＯ、アルキル基
をＲとし、Ｍ（ＯＲ）ｘで記述される有機化合物を原料
に用いた金属酸化膜の化学気相成長方法に於いて、異る
アルキル基からなる有機化合物を複数種混合し、これを
反応炉内で熱分解することにより金属酸化膜を形成する
ことを特徴とした化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21649086A JPH0653925B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21649086A JPH0653925B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372883A JPS6372883A (ja) | 1988-04-02 |
| JPH0653925B2 true JPH0653925B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=16689247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21649086A Expired - Fee Related JPH0653925B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 化学気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653925B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2938461B2 (ja) * | 1988-11-08 | 1999-08-23 | 株式会社東芝 | Ｃｖｄ装置への液化性原料導入法 |
| JPH05247650A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-24 | Nikko Kyodo Co Ltd | 化学気相蒸着用金属アルコキシド組成物及びそれを用いた絶縁膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP21649086A patent/JPH0653925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6372883A (ja) | 1988-04-02 |
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