JPH0654648B2 - パタン寸法測定方法 - Google Patents
パタン寸法測定方法Info
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- JPH0654648B2 JPH0654648B2 JP60136147A JP13614785A JPH0654648B2 JP H0654648 B2 JPH0654648 B2 JP H0654648B2 JP 60136147 A JP60136147 A JP 60136147A JP 13614785 A JP13614785 A JP 13614785A JP H0654648 B2 JPH0654648 B2 JP H0654648B2
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- wiring
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- electron
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主として製造途中のＶＬＳＩなどの電子デバ
イスの微細なパタン寸法を、荷電ビームを用いて測定す
る寸法測定装置に関するものである。
イスの微細なパタン寸法を、荷電ビームを用いて測定す
る寸法測定装置に関するものである。
ＶＬＳＩの製造工程ではレジストあるいは配線等の寸法
の管理が重要であり、パタンが微細になるとともに走査
形電子顕微鏡を用いてパタン寸法を測定する装置が用い
られるようになってきた。このような装置としては、特
公昭59−761に示された装置がある。この装置はＣＲＴ
画面上で試料の走査像あるいは二次電子信号波形に重ね
て、２つの可動位置マーカを表示させ、上記マーカの間
隔から試料寸法等の距離を算出するものである。上記方
式では、まず走査像を見ながら測定者が測定したい目的
のパタンを選び出し、電子ビームをライン走査モードに
切替える。それにより得られる二次電子信号波形に重な
って２本のマーカが画面に表示される。上記マーカが測
定したい位置にくるように測定者がマーカの位置を調節
した後、上記マーカの間隔と倍率とから距離を算出する
構成になっている。従って各測定点ごとに、測定者が測
定場所を指定しなければならず、連続して多数点を自動
測定することができなかった。
の管理が重要であり、パタンが微細になるとともに走査
形電子顕微鏡を用いてパタン寸法を測定する装置が用い
られるようになってきた。このような装置としては、特
公昭59−761に示された装置がある。この装置はＣＲＴ
画面上で試料の走査像あるいは二次電子信号波形に重ね
て、２つの可動位置マーカを表示させ、上記マーカの間
隔から試料寸法等の距離を算出するものである。上記方
式では、まず走査像を見ながら測定者が測定したい目的
のパタンを選び出し、電子ビームをライン走査モードに
切替える。それにより得られる二次電子信号波形に重な
って２本のマーカが画面に表示される。上記マーカが測
定したい位置にくるように測定者がマーカの位置を調節
した後、上記マーカの間隔と倍率とから距離を算出する
構成になっている。従って各測定点ごとに、測定者が測
定場所を指定しなければならず、連続して多数点を自動
測定することができなかった。
自動でスライスレベルを設定して配線幅を測定するに
は、二次電子信号度をデジタル値に変換し、配線部分を
選び出して測定する。従来から特開昭58−214259に示さ
れたように、外部から接触式手段によって電圧を加え、
電極配線から出る二次電子の量が電位によって異なるこ
とを利用し、電極配線の電位の高低に対応して２値化す
る方式がある。この場合には論理試験等の目的で０Ｖの
配線と５Ｖの配線とを識別するというように、電位が異
なる配線や、電位が変化した配線を像観察するのが目的
である。従って外部から電圧を印加して測定するため
に、デジタル化する際にチャージアップなどによるノイ
ズが生じにくい。しかし寸法測定を行う場合には、二次
電子放出量の材質による違いを、外部から電圧を印加せ
ずに測定するので、材質や照射条件によっては、配線部
分の二次電子信号量が下地材料の二次電子信号量にほぼ
等しい第５図に示すような波形が得られることがある。
第５図はＳiＯ2上のpoｌy-Ｓi配線を測定した例であ
る。この場合には配線とＳiＯ2との区別ができない。従
って本来はＬが配線でｌがＳiＯ2であるが、ｌが配線で
あると誤認識してしまうことがおこる。
は、二次電子信号度をデジタル値に変換し、配線部分を
選び出して測定する。従来から特開昭58−214259に示さ
れたように、外部から接触式手段によって電圧を加え、
電極配線から出る二次電子の量が電位によって異なるこ
とを利用し、電極配線の電位の高低に対応して２値化す
る方式がある。この場合には論理試験等の目的で０Ｖの
配線と５Ｖの配線とを識別するというように、電位が異
なる配線や、電位が変化した配線を像観察するのが目的
である。従って外部から電圧を印加して測定するため
に、デジタル化する際にチャージアップなどによるノイ
ズが生じにくい。しかし寸法測定を行う場合には、二次
電子放出量の材質による違いを、外部から電圧を印加せ
ずに測定するので、材質や照射条件によっては、配線部
分の二次電子信号量が下地材料の二次電子信号量にほぼ
等しい第５図に示すような波形が得られることがある。
第５図はＳiＯ2上のpoｌy-Ｓi配線を測定した例であ
る。この場合には配線とＳiＯ2との区別ができない。従
って本来はＬが配線でｌがＳiＯ2であるが、ｌが配線で
あると誤認識してしまうことがおこる。
上記のようにＳiＯ2上にpoｌy-Ｓi配線を行った場合は
配線とSiO2との区別ができず、測定結果からＳiＯ2と配
線とをそれぞれ誤認することが生じる。またこの信号に
スライスレベルを越えるノイズが加わると、どこが測定
したい部分か判らなくなり、測定したい個所とは異なる
間隔を測定してしまうという欠点があった。
配線とSiO2との区別ができず、測定結果からＳiＯ2と配
線とをそれぞれ誤認することが生じる。またこの信号に
スライスレベルを越えるノイズが加わると、どこが測定
したい部分か判らなくなり、測定したい個所とは異なる
間隔を測定してしまうという欠点があった。
さらに、従来から完成した電子デバイスの配線に外部か
ら電圧を加えて走査形電子顕微鏡像を観察し、電圧コン
トラストにより動作試験を行うストロボ走査形電子顕微
鏡がある。しかしこの方法は外部から接触式手段によっ
て電圧を印加しなければならないという欠点があり、製
造途中のデバイスの試験には用いることができなかっ
た。
ら電圧を加えて走査形電子顕微鏡像を観察し、電圧コン
トラストにより動作試験を行うストロボ走査形電子顕微
鏡がある。しかしこの方法は外部から接触式手段によっ
て電圧を印加しなければならないという欠点があり、製
造途中のデバイスの試験には用いることができなかっ
た。
本発明は、材質によるコントラストの差が少ない場合
に、第２のビームを照射することにより、上記コントラ
ストを強調してパタン寸法を測定し、また外部から接触
式の手段によって電圧を印加することなく、配線間の断
線、リーク、ショートを非接触で検出するものである。
に、第２のビームを照射することにより、上記コントラ
ストを強調してパタン寸法を測定し、また外部から接触
式の手段によって電圧を印加することなく、配線間の断
線、リーク、ショートを非接触で検出するものである。
本発明は、ＬＳＩ等の微細なパタンの寸法を測定すると
き、信号のコントラストが得られない材料の組み合わせ
の場合に、材料の違いを明確にして寸法の測定精度を上
げるため、通常の寸法測定を行う電子ビームを発生する
電子光学鏡筒の他に別の電子光学鏡筒を用意し、被測定
パタンを２次電子放出比δ＜１の加速電圧である第１電
子ビームで照射してチャージアップさせ（負の電位を与
え）、信号コントラストを高め、通常の２次電子放出比
δ≒１のチャージアップしない加速電圧の第２電子ビー
ムを、上記被測定パタンに垂直に走査しながら照射して
発生する２次電子を検出し、得た２次電子信号の変化か
ら上記被測定パタンの寸法を測定するが、上記第１電子
ビームと第２電子ビームとの二重照射によって、被測定
パタンと他のパタンとの信号強度の比が大きくなり、ノ
イズの影響を受けにくく測定精度が向上する。
き、信号のコントラストが得られない材料の組み合わせ
の場合に、材料の違いを明確にして寸法の測定精度を上
げるため、通常の寸法測定を行う電子ビームを発生する
電子光学鏡筒の他に別の電子光学鏡筒を用意し、被測定
パタンを２次電子放出比δ＜１の加速電圧である第１電
子ビームで照射してチャージアップさせ（負の電位を与
え）、信号コントラストを高め、通常の２次電子放出比
δ≒１のチャージアップしない加速電圧の第２電子ビー
ムを、上記被測定パタンに垂直に走査しながら照射して
発生する２次電子を検出し、得た２次電子信号の変化か
ら上記被測定パタンの寸法を測定するが、上記第１電子
ビームと第２電子ビームとの二重照射によって、被測定
パタンと他のパタンとの信号強度の比が大きくなり、ノ
イズの影響を受けにくく測定精度が向上する。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。第１図
は本発明のパタン寸法測定方法の一実施例に用いる荷電
ビーム照射装置を示す構成図、第２図は上記実施例の測
定原理の説明図で、（ａ）は測定パタンを示す図、
（ｂ）は第１の電子ビームを照射したときの二次電子信
号量の変化を示す図、（ｃ）は第２の電子ビームを照射
したときの二次電子信号量の変化を示す図、第３図は本
発明の測定方法を用いて電子デバイスの試験を行う手順
の説明図、第４図は上記試験の測定原理を示す図、
（ａ）は線間にショート、リークがない場合の二次電子
信号量の変化、（ｂ）はショートがある場合の二次電子
信号量の変化を示す図である。第１図においては第１の
電子ビーム１の鏡筒につき説明するが、第２の電子ビー
ム２の鏡筒も同様の構造を備えている。３は電子ビーム
を偏向させるための偏向電極、４は偏向電源、５は二次
電子検出器、６はアンプ、７はＣＲＴである。８は電子
デバイス（ウェハ）、９は電子デバイスを搭載するステ
ージ、10はビームの焦点を合わせるための対物レンズ、
11は対物レンズ電源、13はビームを加速する加速電源で
ある。14はビームのオン・オフを行うためのブランカ、
15はブランキング電源、12はブランキングアパーチャー
である。16は静電レンズ、17は静電レンズ電源である。
上記装置を動作させるには、まず測定したい配線に第２
の電子ビーム２を偏向して照射する。この電子ビームの
加速電圧は、二次電子放出比δが１よりも小さい加速電
圧に設定することにより負にチャージアップさせる。こ
れによって他の場所よりも二次電子放出量を多くする。
つぎに第１の電子ビーム１を、偏向電極３に鋸歯状波ま
たは三角波の電圧を加えてライン走査する。第１の電子
ビームの加速電圧はδ＝１に近い加速電圧を用いる。こ
の時発生する二次電子を二次電子検出器５で検出し、第
１の電子ビーム１のライン走査に対する二次電子信号の
変化としてＣＲＴ７に表示する構成になっている。この
とき、第２の電子ビーム２の照射によっても二次電子が
発生するが、同一配線を照射している場合には第２の電
子ビーム２の照射による二次電子信号は一定であるの
で、バックグランドレベルとして一定の信号量が得られ
ることになる。第１の電子ビーム１の照射（ライン走
査）による二次電子信号だけを求めるには、第１の電子
ビーム１を照射しない場合の第２の電子ビーム２を照射
したときのバックグラントレベルを求めておき、この信
号量を差引くか、または第１と第２の電子ビーム１、２
をパルスにして交互に照射し、第１の電子ビーム１を照
射するタイミングに合わせて二次電子を検出すればよ
い。パタン寸法の測定方法は従来のものと同じである。
すなわち、第１の電子ビーム１のライン走査に対する二
次電子信号量の変化から配線のエッジを検出し、そのパ
ルス幅と倍率から配線の寸法を算出する。パルス幅を求
めるには、スライスレベルを設定して二次電子信号を２
値化して行う方法の他に、２本のスライスレベルを設定
して２次電子信号を３値化したのち、該３値化信号の並
び方で異物の付着、ノイズ等による信号と、エッジ部分
の信号を区別し補正してパルス幅を測定する先行出願に
述べた方法がある。
は本発明のパタン寸法測定方法の一実施例に用いる荷電
ビーム照射装置を示す構成図、第２図は上記実施例の測
定原理の説明図で、（ａ）は測定パタンを示す図、
（ｂ）は第１の電子ビームを照射したときの二次電子信
号量の変化を示す図、（ｃ）は第２の電子ビームを照射
したときの二次電子信号量の変化を示す図、第３図は本
発明の測定方法を用いて電子デバイスの試験を行う手順
の説明図、第４図は上記試験の測定原理を示す図、
（ａ）は線間にショート、リークがない場合の二次電子
信号量の変化、（ｂ）はショートがある場合の二次電子
信号量の変化を示す図である。第１図においては第１の
電子ビーム１の鏡筒につき説明するが、第２の電子ビー
ム２の鏡筒も同様の構造を備えている。３は電子ビーム
を偏向させるための偏向電極、４は偏向電源、５は二次
電子検出器、６はアンプ、７はＣＲＴである。８は電子
デバイス（ウェハ）、９は電子デバイスを搭載するステ
ージ、10はビームの焦点を合わせるための対物レンズ、
11は対物レンズ電源、13はビームを加速する加速電源で
ある。14はビームのオン・オフを行うためのブランカ、
15はブランキング電源、12はブランキングアパーチャー
である。16は静電レンズ、17は静電レンズ電源である。
上記装置を動作させるには、まず測定したい配線に第２
の電子ビーム２を偏向して照射する。この電子ビームの
加速電圧は、二次電子放出比δが１よりも小さい加速電
圧に設定することにより負にチャージアップさせる。こ
れによって他の場所よりも二次電子放出量を多くする。
つぎに第１の電子ビーム１を、偏向電極３に鋸歯状波ま
たは三角波の電圧を加えてライン走査する。第１の電子
ビームの加速電圧はδ＝１に近い加速電圧を用いる。こ
の時発生する二次電子を二次電子検出器５で検出し、第
１の電子ビーム１のライン走査に対する二次電子信号の
変化としてＣＲＴ７に表示する構成になっている。この
とき、第２の電子ビーム２の照射によっても二次電子が
発生するが、同一配線を照射している場合には第２の電
子ビーム２の照射による二次電子信号は一定であるの
で、バックグランドレベルとして一定の信号量が得られ
ることになる。第１の電子ビーム１の照射（ライン走
査）による二次電子信号だけを求めるには、第１の電子
ビーム１を照射しない場合の第２の電子ビーム２を照射
したときのバックグラントレベルを求めておき、この信
号量を差引くか、または第１と第２の電子ビーム１、２
をパルスにして交互に照射し、第１の電子ビーム１を照
射するタイミングに合わせて二次電子を検出すればよ
い。パタン寸法の測定方法は従来のものと同じである。
すなわち、第１の電子ビーム１のライン走査に対する二
次電子信号量の変化から配線のエッジを検出し、そのパ
ルス幅と倍率から配線の寸法を算出する。パルス幅を求
めるには、スライスレベルを設定して二次電子信号を２
値化して行う方法の他に、２本のスライスレベルを設定
して２次電子信号を３値化したのち、該３値化信号の並
び方で異物の付着、ノイズ等による信号と、エッジ部分
の信号を区別し補正してパルス幅を測定する先行出願に
述べた方法がある。
つぎに上記実施例の測定原理を説明する。二次電子放出
比δは一般に加速電圧が数百Ｖ程度のところでピークを
もち、それ以上の加速電圧領域では加速電圧の増加とと
もに減少する。δ＞１ならば入射電子よりも多くの二次
電子が放出されるので、照射された物質は正に、δ＜１
ならば負にチャージアップする。δ＝１ならばチャージ
アップは生じない。試料全体の像観察のためには、通常
チャージアップしない加速電圧を選んで走査形電子顕微
鏡観察等を行っている。加速電圧や材質によっては、配
線と下地材料の二次電子放出量に差が生じないために、
配線と下地材料との区別がつかず配線幅の測定ができな
いことがある。この場合に第２のビームを照射して測定
する。第２図は上記原理を説明するための図である。
（ａ）は測定パタンを示した図であり、点描部分が配線
を示している。（ｂ）および（ｃ）は第１の電子ビーム
の測定パタンに垂直なライン走査に対する二次電子信号
量の変化を示している。（ｂ）は第１の電子ビームだけ
を照射した場合であり、配線と下地材料の二次電子放出
量に差が生じていない。この状態で（ａ）に示したパタ
ンのＡ点に第２の電子ビームを照射する。ここで寸法を
測定する第１のビームは低加速電圧であり、第２のビー
ムの加速電圧は負にチャージアップする高加速電圧とす
る。第２のビーム照射によってＡ点を含む配線は負にチ
ャージアップし、二次電子を多く発生するために（ｃ）
に示すような第１の電子ビームのライン走査に対する二
次電子信号量の変化が得られる。従って配線と下地材料
との区別が容易になる。
比δは一般に加速電圧が数百Ｖ程度のところでピークを
もち、それ以上の加速電圧領域では加速電圧の増加とと
もに減少する。δ＞１ならば入射電子よりも多くの二次
電子が放出されるので、照射された物質は正に、δ＜１
ならば負にチャージアップする。δ＝１ならばチャージ
アップは生じない。試料全体の像観察のためには、通常
チャージアップしない加速電圧を選んで走査形電子顕微
鏡観察等を行っている。加速電圧や材質によっては、配
線と下地材料の二次電子放出量に差が生じないために、
配線と下地材料との区別がつかず配線幅の測定ができな
いことがある。この場合に第２のビームを照射して測定
する。第２図は上記原理を説明するための図である。
（ａ）は測定パタンを示した図であり、点描部分が配線
を示している。（ｂ）および（ｃ）は第１の電子ビーム
の測定パタンに垂直なライン走査に対する二次電子信号
量の変化を示している。（ｂ）は第１の電子ビームだけ
を照射した場合であり、配線と下地材料の二次電子放出
量に差が生じていない。この状態で（ａ）に示したパタ
ンのＡ点に第２の電子ビームを照射する。ここで寸法を
測定する第１のビームは低加速電圧であり、第２のビー
ムの加速電圧は負にチャージアップする高加速電圧とす
る。第２のビーム照射によってＡ点を含む配線は負にチ
ャージアップし、二次電子を多く発生するために（ｃ）
に示すような第１の電子ビームのライン走査に対する二
次電子信号量の変化が得られる。従って配線と下地材料
との区別が容易になる。
上記装置では配線部分を第２のビームで照射すると同時
に第１のビームでライン走査を行っており、第１および
第２の２本のビームを同一個所に照射する必要がある。
その技術は特願昭59−8614〜６に開示されている。ここ
で第２のビームを照射してチャージアップさせた後に、
このビーム照射を停止し、第１のビームをライン走査し
て寸法測定を行ってもよい。なお、上記測定と同一目的
を達成するために、単一の鏡筒で加速電圧を切換えて照
射することも考えられる。加速電圧を変える方法では照
射位置やレンズの調整具合が加速電圧によって変るの
で、あらかじめ最適値を求めておき、加速電圧を切換え
ると同時に切換える。また試料として下地材料の上に金
属配線がある試料を例に説明したが、絶縁膜の上のレジ
スト、金属膜の上のレジスト等のパタンであってもよい
し、完成品でなく製造途中のウェハであってもよい。ま
た、ここでは第１および第２のビームに電子ビームを用
いているが、第２のビームは負にチャージアップさせる
ためのビームであり、負に帯電した荷電ビームであれば
よい。第１のビームは検出用であり、ビーム照射によっ
てチャージアップが生じにくいようなビーム電流が小さ
い荷電ビームを用いてもよい。なおチャージアップ用ビ
ームの照射はスポットに限らず、配線に沿ったライン走
査、平面走査であってもよい。
に第１のビームでライン走査を行っており、第１および
第２の２本のビームを同一個所に照射する必要がある。
その技術は特願昭59−8614〜６に開示されている。ここ
で第２のビームを照射してチャージアップさせた後に、
このビーム照射を停止し、第１のビームをライン走査し
て寸法測定を行ってもよい。なお、上記測定と同一目的
を達成するために、単一の鏡筒で加速電圧を切換えて照
射することも考えられる。加速電圧を変える方法では照
射位置やレンズの調整具合が加速電圧によって変るの
で、あらかじめ最適値を求めておき、加速電圧を切換え
ると同時に切換える。また試料として下地材料の上に金
属配線がある試料を例に説明したが、絶縁膜の上のレジ
スト、金属膜の上のレジスト等のパタンであってもよい
し、完成品でなく製造途中のウェハであってもよい。ま
た、ここでは第１および第２のビームに電子ビームを用
いているが、第２のビームは負にチャージアップさせる
ためのビームであり、負に帯電した荷電ビームであれば
よい。第１のビームは検出用であり、ビーム照射によっ
てチャージアップが生じにくいようなビーム電流が小さ
い荷電ビームを用いてもよい。なおチャージアップ用ビ
ームの照射はスポットに限らず、配線に沿ったライン走
査、平面走査であってもよい。
第３図は本発明の装置を用いて電子デバイスの試験を行
う手順を説明するための図であり、点描部分は絶縁膜の
上の配線を示している。本例は線間のショートやリーク
を測定する方法であり、まず第２のビーム２を配線のＡ
点に照射する。ついで上記Ａ点を含む配線およびその隣
の配線を第１のビーム１でＬ1のように上記配線パタン
と垂直に走査する。第２のビーム２の加速電圧は負にチ
ャージアップが生じる高加速電圧であり、第１のビーム
１はチャージアップを生じない加速電圧である。第２の
ビームによってＡ点を含む配線は負にチャージアップし
ており、もしも、線間のショートやリークがなければ、
Ａ点の方が隣のＢ点よりも電位が低くなり二次電子の放
出量は多くなる。しかしショートがあるとＡとＢとはほ
ぼ同じ電位になり、二次電子放出量もほぼ等しくなる。
従って、線間のショートやリークがなければ第４図
（ａ）のような二次電子信号量の変化が得られ、ショー
トがあると第４図（ｂ）に示すような第１の電子ビーム
のライン走査に対する二次電子信号量の変化が得られ
る。僅かなリークがある場合には、上記Ａ、Ｂの電位は
等しくならないが、その差は上記（ａ）に示すショート
やリークがないものよりは小さくなる。この違いを検出
するには、第２のビーム照射がオンの時とオフの時の差
を求めることにより、ショートやリークを強調した信号
を得ればよい。ここで第１のビームの走査位置はＡ点の
上を通る必要がなく、第３図のＬ2のようにＡ点からず
れていてもよい。
う手順を説明するための図であり、点描部分は絶縁膜の
上の配線を示している。本例は線間のショートやリーク
を測定する方法であり、まず第２のビーム２を配線のＡ
点に照射する。ついで上記Ａ点を含む配線およびその隣
の配線を第１のビーム１でＬ1のように上記配線パタン
と垂直に走査する。第２のビーム２の加速電圧は負にチ
ャージアップが生じる高加速電圧であり、第１のビーム
１はチャージアップを生じない加速電圧である。第２の
ビームによってＡ点を含む配線は負にチャージアップし
ており、もしも、線間のショートやリークがなければ、
Ａ点の方が隣のＢ点よりも電位が低くなり二次電子の放
出量は多くなる。しかしショートがあるとＡとＢとはほ
ぼ同じ電位になり、二次電子放出量もほぼ等しくなる。
従って、線間のショートやリークがなければ第４図
（ａ）のような二次電子信号量の変化が得られ、ショー
トがあると第４図（ｂ）に示すような第１の電子ビーム
のライン走査に対する二次電子信号量の変化が得られ
る。僅かなリークがある場合には、上記Ａ、Ｂの電位は
等しくならないが、その差は上記（ａ）に示すショート
やリークがないものよりは小さくなる。この違いを検出
するには、第２のビーム照射がオンの時とオフの時の差
を求めることにより、ショートやリークを強調した信号
を得ればよい。ここで第１のビームの走査位置はＡ点の
上を通る必要がなく、第３図のＬ2のようにＡ点からず
れていてもよい。
上記のように本発明によるパタン寸法測定方法は、２次
電子放出比が１より小さい加速電圧の第１電子ビームを
被測定パタンに照射して、上記被測定パタンを負の電圧
に帯電させると同時に、２次電子放出比がほぼ１となる
加速電圧の第２電子ビームを、照射しながら上記被測定
パタンに垂直に走査し、上記第２電子ビームの照射によ
り発生する２次電子を、上記第２電子ビームの走査に同
期して検出し、検出された２次電子信号の変化から、上
記被測定パタンの寸法を測定することにより、配線部分
とスペース部分のコントラスト差が少ないパタンの寸法
測定、および非接触手段による線間リークやショート等
の検出を行うことができる。
電子放出比が１より小さい加速電圧の第１電子ビームを
被測定パタンに照射して、上記被測定パタンを負の電圧
に帯電させると同時に、２次電子放出比がほぼ１となる
加速電圧の第２電子ビームを、照射しながら上記被測定
パタンに垂直に走査し、上記第２電子ビームの照射によ
り発生する２次電子を、上記第２電子ビームの走査に同
期して検出し、検出された２次電子信号の変化から、上
記被測定パタンの寸法を測定することにより、配線部分
とスペース部分のコントラスト差が少ないパタンの寸法
測定、および非接触手段による線間リークやショート等
の検出を行うことができる。
第１図は本発明によるパタン寸法測定方法の一実施例に
用いる荷電ビーム照射装置を示す構成図、第２図は上記
実施例の測定原理の説明図で、（ａ）は測定パタンを示
す図、（ｂ）は第１の電子ビーム照射時の二次電子信号
量の変化を示す図、（ｃ）は第２の電子ビーム照射時の
二次電子信号量の変化を示す図、第３図は本実施例を用
いて電子デバイスの試験を行う手順の説明図、第４図は
上記試験の測定原理を示す図で、（ａ）は線間にショー
ト、リークがない場合の二次電子信号量の変化、（ｂ）
はショートがある場合の二次電子信号量の変化を示す
図、第５図は従来技術の欠点を説明するための図であ
る。 １……荷電ビーム、２……荷電ビーム ３……偏向電極、５……二次電子検出器 ７……陰極線管表示装置、８……電子デバイス
用いる荷電ビーム照射装置を示す構成図、第２図は上記
実施例の測定原理の説明図で、（ａ）は測定パタンを示
す図、（ｂ）は第１の電子ビーム照射時の二次電子信号
量の変化を示す図、（ｃ）は第２の電子ビーム照射時の
二次電子信号量の変化を示す図、第３図は本実施例を用
いて電子デバイスの試験を行う手順の説明図、第４図は
上記試験の測定原理を示す図で、（ａ）は線間にショー
ト、リークがない場合の二次電子信号量の変化、（ｂ）
はショートがある場合の二次電子信号量の変化を示す
図、第５図は従来技術の欠点を説明するための図であ
る。 １……荷電ビーム、２……荷電ビーム ３……偏向電極、５……二次電子検出器 ７……陰極線管表示装置、８……電子デバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤波 明平 神奈川県厚木市森の里若宮３番１号 日本 電信電話株式会社厚木電気通信研究所内 (72)発明者 島津 信生 神奈川県厚木市森の里若宮３番１号 日本 電信電話株式会社厚木電気通信研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−201240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−169133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−180133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−147857（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】２次電子放出比が１より小さい加速電圧の
第１電子ビームを被測定パタンに照射して、上記被測定
パタンを負の電圧に帯電させると同時に、２次電子放出
比がほぼ１となる加速電圧の第２電子ビームを、照射し
ながら上記被測定パタンに垂直に走査し、上記第２電子
ビームの照射により発生する２次電子を、上記第２電子
ビームの走査に同期して検出し、検出された２次電子信
号の変化から、上記被測定パタンの寸法を測定するパタ
ン寸法測定方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136147A JPH0654648B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタン寸法測定方法 |
| US06/878,015 US5006795A (en) | 1985-06-24 | 1986-06-24 | Charged beam radiation apparatus |
| DE19863621045 DE3621045A1 (de) | 1985-06-24 | 1986-06-24 | Strahlerzeugende vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136147A JPH0654648B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタン寸法測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294749A JPS61294749A (ja) | 1986-12-25 |
| JPH0654648B2 true JPH0654648B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=15168406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136147A Expired - Lifetime JPH0654648B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタン寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654648B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006127903A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Applied Materials Inc | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426583A (en) * | 1982-05-10 | 1984-01-17 | International Business Machines Corporation | Electron beam potential switching apparatus |
| JPS59169133A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-25 | Hitachi Ltd | パタ−ン修正装置 |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60136147A patent/JPH0654648B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61294749A (ja) | 1986-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |