JPH0654760B2 - 第▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族半導体材料の低温金属有機物質化学蒸着 - Google Patents

第▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族半導体材料の低温金属有機物質化学蒸着

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JPH0654760B2
JPH0654760B2 JP62153222A JP15322287A JPH0654760B2 JP H0654760 B2 JPH0654760 B2 JP H0654760B2 JP 62153222 A JP62153222 A JP 62153222A JP 15322287 A JP15322287 A JP 15322287A JP H0654760 B2 JPH0654760 B2 JP H0654760B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、広くはエピタキシー成長法に、さらに詳しく
は第II−VI族半導体結晶材料の成長に関する。
当業界で知られているように、第II−VI族半導体エピタ
キシー材料、たとえばカドミウムテルル化物および水銀
カドミウムテルル化物は、約０．８μｍ〜３０μｍのス
ペクトル範囲における電磁エネルギーの検出のための光
検知器部材としての重要な用途を有する。ＣdおよびＨg
の合金組成を調整することによつて、０．８μｍ〜３０
μｍ波長バンドの選択された波長範囲をカバーする、水
銀カドミウムテルル化物よりなる光検知器部材を製造し
うる。短い波長、すなわち０．８μｍに近いこれらの波
長に対しては、カドミウムテルル化物（CdTe）が一般に
使用される。約０．８μｍより上の長い波長に対して
は、水銀カドミウムテルル化物(Hg1-XCdXTe)（式中、Ｘ
はカドミウム−テルルの合金組成である）が使用され
る。合金組成を調整することによつて、０．８μｍ〜３
０μｍを越える全スペクトル範囲の選択された部分に感
知するエピタキシー材料が得られる。すなわち、赤外電
磁エネルギー特定の波長バンに感応する光検知器部材を
製造しうる。
光検知器に使用するのに適したカドミウムテルル化物お
よぶ水銀カドミウムテルル化物のエピタキシー層を得る
ためのいくつかの異なる方法が提案されてきた。
HgCdTeおよびCdTeのエピタキシー層の成長を示唆する一
つの方法は、金属有機物質蒸気相エピタキシー（MOVP
E）であり、金属有機物質化学蒸着（MOCVD）とも呼ばれ
ている。MOCVD法は、第II族および第VI族元素の第一ア
ルキル類の蒸気を反応器へ送り、そして金属有機物質を
化学的に反応させて、エピタキシー第II−VI族材料を得
るものである。Journal of Vaccum Science Technolog
y．第２１巻，第１号，１９７２年５月〜６月〔１〕の
J.B.Mullin等による、“The Growte of CdXHg1-XTe Usi
ng Organometallics”と題する論文に記載されているよ
うに、およびJournal of Applied Physics．第１４巻．
１９８１年．第Ｌ１４９〜１５１頁〔２〕のJ.B.Mullin
等による、“Vapor Phase Epitaxy of CdXHg1-XTe Usin
g Organometallics”と題する論文に記載されているよ
うに、同時に、これらの論文にあるように、これまで水
銀カドミウムテルル化物エピタキシーフイルムのエピタ
キシー成長が示されてきたが、エピタキシーフイルム成
長の品質な光検知器に使用するのに不適である。そのよ
うな材料は、キヤリヤー濃度が比較的高く、材料の電子
移動度が比較的低いので、適してない。光検知器部材
は、入射赤外線エネルギーに感応して変化する、一対の
接点間で予じめ決められた導電度を有する赤外線に敏感
な抵抗体として働くので、これらの二つの性質は光検知
器に重要な性質である。キヤリヤー濃度が高すぎると、
あるいは電子移動度が低すぎると、入射赤外線に感応し
て生じたキヤリヤーは、端子間を切換えるデバイスの導
電性無しに再結合させるであろう。
第II−VI族材料、たとえばHgCdTeのMOCVD成長には、カ
ドミウムおよびテルルの第一アルキル類、たとえばジメ
チルカドミウム、ジエチルテルル化物、および水銀源
を、これらの材料を反応させそしてHgCdTeを形成する反
応器へ送る工程が含まれる。Ｈｇ源は、ジメチル水銀、
ジエチル水銀のような金属有機Ｈｇ化合物によつてまた
は元素Ｈｇによつて得られる。元素Ｈｇは一般に、どの
金属有機物質源よりも純粋でありそして一般により安価
であるので、好ましいＨｇ源である。さらに、元素Ｈｇ
は、公知の金属有機Ｈｇ源の蒸気圧よりも約10４倍低い
蒸気分圧を有するので、元素Ｈｇは公知の金属有機物質
源よりも毒性が少ない。
HgCdTeエピタキシー層の成長の間に出てくる一つの問題
は、比較的高い成長温度が必要であることおよび今まで
得られてきたのは比較的遅い成長速度であることであ
る。Journal of Crystal Growth.第５５巻（１９８
１）．第１０７〜１１５頁のJ.C.Irvine等による“The
Growth By MOVPE And Characterization of CdXHg1-XT
e”〔３〕と題する第３の論文には、HgCdTeエピタキシ
ー層の成長の間、400゜〜500゜の範囲の高温における成
長領域上のＨｇ分圧のコントロールは非常に難しいと記
載されている。平衡Ｈｇ分圧は、キヤリヤーをもたらす
エピタキシー層中のＨｇ空位の濃度であるので、平衡Ｈ
ｇ分圧のコントロールは非常に重要であり、そしてそれ
故、材料の電気特性をコントロールする。さらに参考文
献〔３〕には、HgCdTeを製造する反応を効率よく進める
ために、Ｈｇ分圧はＴe分圧よりも少なくとも二桁大き
くすべきであると報告されている。400℃において、HgC
dTeの成長のための最小Hg分圧は０．０１大気圧であ
る。一般にＨｇのこの分圧は、Ｈｇの元素液体源を加熱
し、そしてキヤリヤーガスをＨｇを通り抜けてＨｇ蒸気
流とすることにより得られる。
Ｈｇコントロールをもたらす一つの方法は、William E.
Hoke.Richard TraczewskiおよびPeter J.Lemoniasによ
る１９８４年９月１２日付の米国特許第４，５６８，３
７９号に記載されている。そこではＨg分圧、それ故HgC
dTeエピタキシー層の電気特性は、反応器の壁を少なく
とも240℃の温度に加熱することにより、入つてくる蒸
気流中のＨｇの温度を維持することによつてコントロー
ルした。このような方法は、蒸気流からのHgの反応器壁
上への早期の凝縮を妨げることによつて、成長領域上の
Ｈｇ分圧のコントロールを考慮するものであるが、この
温度では、反応体の予備反応が生じうることも観察され
た。予備反応がエピタキシー層の品質に何らかの影響を
及ぼすどうかは断定されなかつたが、予備反応が蒸気流
中の反応体の濃度を減少させ、従つてその後の成長速度
を減じることはやはり明らかである。
また、MOCVDによるHgCdTe成長の温度限界が低いこと
は、ＣdおよびＴe源をもたらす有機反応体ジメチルカド
ミウム（DMCd）およびジエチルテルル化物（DETe）の安
定性が高いあるいは分解効率が低いことであると参考文
献〔３〕に記載されている。また、DETeは二つの中でよ
り安定な化合物であり、そしてＴｅの収量はDETeが解離
する温度によつて大いに変わることもわかつた。約400
℃の温度では、DETeから遊離したＴeの量は比較的少な
かつた。従つて、４００℃でのHgCdTeの成長速度は非常
に遅い。
また、HgCdTeのMOCVD成長についてさらにいくつかの問
題が示されてきた。HgCdTeの適当な成長速度を得るに
は、反応体が高濃度であることが必要とされる。反応体
の分解効率が低いので、多量の反応体がむだになる。し
かしながら、反応体、特にＣｄおよびＴｅの金属有機物
質源は非常に高価である。
従つて、多量の反応体のむだは、そのような層のエピタ
キシー成長を比較的高価なものにする。さらに、廃棄物
は高度に毒性であり、従つて、一般的な従来法で製造さ
れた多量の廃棄反応体は、毒性廃棄物の安全な処分の点
において重要な問題を有する。
さらに、400℃の成長温度では、有意な相互拡散があ
り、そして異なるエピタキシー材料の隣接層を損う。こ
の問題は、十分に限定された異種構造体の成長および急
断される電気的Ｐ−Ｎ接合を複雑なものにする。
本発明では、第II−VI族結晶層を結晶質基板上に施す。
第II族金属よりなる第一の流れは、基板に向けて送る。
第VI族元素の有機物質の第二の流れも、基板に向けて送
る。第VI族有機物質は、第VI族元素からのラジカルの解
離中、遊離ラジカルを形成するために、第VI族元素の第
一アルキルの活性化エネルギーに較べて比較的低い活性
化エネルギーを有する有機基を有する。より低い活性化
エネルギーは、ラジカル分子上の不対電子電荷の非局在
化による。この配置では、そのような有機基は、第VI族
元素の第一アルキル類と較べて、全分子上の電子電荷の
非局在化が増し、従つて、第VI族有機化合物は第VI族元
素の公知の第一アルキル類よりも、活性化エネルギーが
低くなり、あるいは安定性が低くなり、そしてその結
果、特定の温度での分解効率がより高くなる。このより
低い安定性は第VI族有機物質の分解効率を高め、そして
第VI族エピタキシー材料の成長を、従来法よりも低い成
長温度および高い成長速度で生じさせる。効率が高いの
で、同時に第VI族材料のエピタキシー成長中に生じる廃
棄物の容積も減少し、そしてさらに、第VI族元素の有機
物質は比較的高価なので、未反応生成物の廃棄物の減少
およびこれに伴う成長速度効率の増加は、第II−VI族材
料のエピタキシー層を成長させる全コストを下げる。
また別の本発明の態様では、第II−VI族結晶層は、多数
の蒸気流を基板に送ることによつて、基板上に成長させ
る。蒸気流は第II族金属有機物質、第VI族元素に結合し
たアリル基、ベンジル基およびシクロアリル基よりなる
群から選択した少なくとも一つの有機基よりなる第VI族
有機物質蒸気、および第II族金属蒸気である。第II族金
属源は100℃〜250℃の範囲、好ましくは150℃−180℃の
範囲の温度に加熱し、一方、輻射エネルギーを反応器へ
輻射して、第II族金属源と基板との間の反応器の壁を10
0℃〜250℃の範囲、好ましくは150℃〜180℃の範囲、の
温度に加熱する。基板上の帯域は少なくとも120℃、好
ましくは120℃〜400℃の範囲、さらに好ましくは150℃
〜300℃の範囲、最も好ましくは160℃〜220℃の範囲の
温度に加熱する。次に、第II族金属有機物質蒸気、第VI
族有機物質蒸気および第II族金属蒸気の流れを化学的に
反応させて、第II−VI族層を形成する。この取合わせ
で、アリル基、ベンジル基およびシクロアリル基よりな
る群から選択した有機基を有する第VI族有機物質から、
第VI族元素を得ることによつて、非局在化遊離電子電荷
が全炭素鎖上に分布される。
アリル基の場合、分子は下に示すような等構造で表わす
ことができる。
CH2＝CH−CH2・・CH2−CH＝CH2 このため、不対電子は分子全体に非局在化して、安定化
部分二重結合を形成する。アリルまたはシクロアリル基
を有する分子からの遊離ラジカルの形状のための活性化
エネルギーは、第一アルキルを有する分子の活性化エネ
ルギーよりも低い。
同様に、ベンジル基では、炭素鎖全体の非局在化電子電
荷が、ベンジル基を有する親の炭化水素分子から遊離ラ
ジカルを形成するための活性化エネルギーを減少させ
る。
ベンジルラジカルは以下のような四つの等構造で表わさ
れる： ベンジルラジカルの別の表示は以下の通りである： ベンゼン環と二重結合特性は、ベンゼン環上の不対電子
電荷を非局在化させる。より低い安定性、すなわちより
低い活性化エネルギー、を有する第VI族分子をもたらす
基の第三の例は、シクロアリル基である。シクロアリル
基を結合している分子は、アリル基の存在によつて不安
定化し、並びに環の歪によつて不安定化する。
シクロアリル環分子は以下に示すような一般構造を有す
る： （式中、Ｙは水素またはいかなる有機基でもよい） 従つて、エピタキシー第II−VI族材料の成長は、従来法
よりも低い成長温度で生じうる。より低い成長温度は隣
接の異なるエピタキシー層間の相互拡散を減じ、そして
相互拡散が減少した状態では、よりシヤープなおよびよ
り限定された異種構造体およびp-n接合が得られる。
本発明のさらに別の態様では、第VI族元素の有機物質源
はメチル−ベンジルテルル化物、ジベンジルテルル化
物、ジ（２−プロペン−１−イル）テルル化物、メチル
−（２−プロペン−１−イル）テルル化物、ジ（２−シ
クロプロペン−１−イル）テルル化物およびメチル−
（２−シクロプロペン−１−イル）テルル化物よりなる
群から選択する。第II族元素の金属有機物質源はジメチ
ルカドミウムであり、そして第II族元素源は元素水銀で
ある。直径が５０mm、全キヤリヤー流が２．０／分の
反応器における成長に対しては、反応体の次の一般的な
モル分率範囲が適していると考えられる。ジメチルカド
ミウムは一般にモル分率が５×１０-5〜５×１０-4であ
る。第VI族有機物質はモル分率が５×１０-4〜５×１０
-3の範囲であり、水銀蒸気はモル分率が一般に１×１０
-3〜１×１０-2の範囲である。水銀源は100℃〜250℃の
範囲の温度に加熱し、金属源と基板との間の反応帯域は
100℃〜250℃の温度に加熱する。選択された第VI族有機
物質、ジメチルカドミウムおよび水銀の流れを、少なく
とも120℃の温度である領域に置いた基板に向けて送
る。第VI族有機物質、ジメチルカドミウムおよび水銀は
反応してエピタキシーHgCdTe層となる。この特定の取合
わせて、キヤリヤー濃度が比較的低くそして電子移動度
が比較的高い、水銀カドミウムテルル化物の結晶層を成
長させうる。成長が生じる温度は従来法におけるよりも
低い温度であるので、異なる材料のエピタキシー層間の
相互拡散はより少ない。従つて、CdTe.HgTeおよびHgCdT
eが交互になつている層のような異種構造体は、有意に
相互拡散したりあるいは合金することなく成長しうる。
さらに、層が成長してＰＮ接合が得られると、相互拡散
はかなり少ないであろう；それ故、よりシヤープでより
急断された接合が得られる。さらにまた、より低い成長
温度において、平衡Ｈｇ分圧はより低く、そしてそれ
故、必要とされるＨｇはより少なくなる。平衡Ｈｇ分圧
は成長温度が低くなるに従つて低くなり、Ｈg空位濃度
（それ故キヤリヤー濃度）はコントロールするのがより
容易である。
本発明の前記の特徴並びに本発明自体は、図面について
以下の詳しい説明からさらに十分に理解されるであろ
う。
第１図は、光検知部材、ここでは第II−VI族半導体材料
の結晶層を含む光電部材、の平面図であり、 第２図は、第１図のライン２−２に添つた横断面図であ
り、 第３図は、第３Ａおよび３Ｂ図間の関係を示す図であ
り、そして 第３Ａ，３Ｂ図は、第１図に示すエピタキシー層を成長
させるのに使用するための成長装置の略図である。
第１および２図をまず参照すると、光電導アレー（図示
せず）に使用するのに適した、一般的な光電導部材１０
が示されており、ここではカドミウムテルル化物（CdT
e）またはガリウム砒素化物（GaAs）、インジウムアン
チモン化物（InSb）、他の適した第II−VI族または第II
I−Ｖ族基板材料またはサフアイア（Al2O3）の基板１１
が含まれている。基板上に置かれたものは、第II−VI族
エピタキシーバツフアー層１２ａ、ここではカドミウム
テルル化物（CdTe）の層、およびカドミウムテルル化物
（CdTe）または水銀カドミウムテルル化物（HgCdTe）ま
たは他の適した第II族−第VI族材料のエピタキシー層１
２ｂである。エピタキシー層１２ｂの部分上に置かれた
ものは、一対の電気オーム型接点１３であり、各々、パ
ターン化された複合層から得られ、これらの層はその後
引続いて付着させた各々厚み10,000Åのインジウム（I
n）、500Åのクロム（Cr）および5,000Åの金（Au）の
層１３ａ，１３ｂおよび１３ｃよりな。各々１．５μｍ
の厚みの金のパツド１４を接点１３上に置いて、外部部
材への結合点とする。
オーム接点１３の間の溝部分１５に置かれたものは、こ
こでは800Åの厚みのHgCdTe層１２ｂ部分から形成され
たその場で陽極性の酸化物の不活性化（passivation）
層１６ａ、および反射防止被覆層１６ｂである。層１６
ａ，１６ｂは溝部分１５の保護に、そして一般に約０．
８μｍ〜３０μｍの波長範囲の電磁エネルギーを透過す
る複合層の窓１６とするのに用いる。
一般に０．８μｍ〜３０μｍの範囲の入射電磁線１７は
窓１６に向ける。このような入射線１７に応答して、エ
ピタキシー層１２ｂの導電度が変化し、従つて、光電導
部材１０が入射電磁線１７の存在を検知することにな
る。さらに、明らかなように、Cd対Teの比は調整でき、
約０．８μｍ〜３０μｍのバンド内の異なる範囲を選択
的にカバーする。
第３，３Ａおよび３Ｂ図を参照すると、上記の第１およ
び２図に関連して記載したような、カドミウムテルル化
物または水銀カドミウムテルル化物のエピタキシー層１
２ａ，１２ｂを成長させるために使用する蒸気相エピタ
キシー装置２０（第３図）の図には、マスフローコント
ローラー26ａ〜26ｇを備えたマニホールド２６およびバ
ブラー装置３９および５５を有する蒸気装置２０ａ（第
３Ａ図）がある。操作中、水素をＨ２精製器２２および
バルブ２４を経てマニホールド２６へ供給し、一方、装
置２０が働いておらず空気にさらされているとき、ヘリ
ウムを装置２０中に供給する。蒸気相装置２０にはま
た、図に示すように、ここでは開放石英反応管６０を含
む蒸気相エピタキシー反応器２０ｂ（第３Ｂ図）があ
る。ここではグラフアイトサセプター６３を石英反応管
６０内に置き、そしてサセプターをＲＦコイル６２で誘
導加熱することで十分である。ＲＦコイル６２は石英反
応管６０の周囲に配置し、そして活性化してサセプター
６３、サセプター６３上に置いた基板１１、および基板
のまわりに近い領域６１の温度を予じめ決められた温度
に上げる。サセプター６３の温度は、サセプター６３に
はめ込んだサーモカツプル（図示せず）によつてモニタ
ーする。しかしながら、サセプター６３および基板１１
を加熱する前に、ヘリウム、次いで水素を炉管６０の内
部および蒸気装置２０ａへ導入することによつて、シス
テムの大気ガスをパージする。次に、ライン２７ｅ〜２
７ｇ、３１ｃおよび４７ｃからの蒸気を管へ供給し、そ
こでそれらを反応させてエピタキシー層１２ａ，１２ｂ
を得る。石英反応管６０はまたライン２７ｅ〜２７ｇ，
３１ｃおよび４７ｃと反対の端にキヤツプ７２を含む。
キヤツプ７２は石英排気ライン７４に接続し、このライ
ンは管６０からガスを排出しそしてそのようなガスを分
解炉（図示せず）に送るのに使う。
第３Ａ図を詳しく見ると、蒸気装置２０ａは管３１ｃ，
４７ｃおよび２７ｅ〜２７ｇを有し、これらは蒸気を石
英反応管６０（第３Ｂ図）へ供給する。
管３１ｃ、ジメチルカドミウム＋H2（DMCd+H2）管は接
続部材３２から供給する。接続部材３２は一対のその口
へ送られてきた二つのガス源からの流れを混合し、そし
てこの混合ガス流を、石英管３１ｃに接続しているその
第三の口へ向かわせるのに使用する。接続部３２の第一
の口へは、バブラー装置３９から供給される。バブラー
装置３９には一対のソレノイド制御バルブ２８，３０が
ある。これらのソレノイド制御バルブの第一のバルブ、
ここではソレノイド制御バルブ２８、は管２７ａを経て
第一のマスフローコントローラー２６ａへ接続している
第一の口を有し、そして管２９ａを経てバブラー３６へ
接続している第二の口を有する。ここでは、バブラー３
６にはジメチルカドミウム（DMCd）３７が入つている。
バブラー３６は、バブラー３６のまわりに冷却液の一定
の流れを供給して、バブラー３６内に含まれるジメチル
カドミウム３７をここでは１８．５℃の予じめ決められ
た温度に保つ、再循環温度コントロール浴４０内に用意
する。第二の管２９ｃをバブラー３６に配置するが、ジ
メチルカドミウム液面上に配置し、そしてソレノイド制
御バルブ３０の口に接続する。第三の管２９ｂはソレノ
イド制御バルブ２８と３０の残りの口の間を接続する。
ソレノイド制御バルブ２８および３０の通常の非活性化
状態では、水素ガスは水素源、ここではマスフローコン
トローラー２６ａ、から管２７ａを経て管２９ｂへ、そ
して管３１ｃを通つて、上記のように反応器の大気ガス
をパージする。基板上のカドミウムテルル化物または水
銀カドミウムテルル化物のエピタキシー成長の間、バル
ブ２８および３０を活性化状態にして、水素ガスを管２
９ａを通じて、ジメチルカドミウム液３７を含有するバ
ブラー３６へ送る。水素ガスはジメチルカドミウム液３
６を通り抜けて泡立ち、そしてジメチルカドミウム３７
の分子を拾い上げる。従つて、ジメチルカドミウムおよ
び水素（DMCd+H2）の混合物は、バブラー３６からライ
ン２９ｃを経て出、そしてソレノイド制御バルブ３０に
よつてライン３１ａへ送られる。第二のマスフローコン
トローラー２６ｂは活性化されて、キヤリヤーガス、こ
こでは水素、の予じめ決められた流れとなり、バルブ３
４を通りそしてライン３１ｂを経て接続部材３２へ行
く。従つて、ライン３１ｃから出ていくものは、ジメチ
ルカドミウムの希釈された蒸気流およびキヤリヤーガ
ス、ここでは水素である。
管４７ｃ、“Te−有機物質管”へは接続部材４８から送
られてくる。接続部材４８は三つのガス源からの流れを
混合するのに使用され、この混合ガス流を管４７ｃ接続
された第三の口へ送る。接続部４８の第一の口へはバル
バー装置５５から送られてくる。バブラー装置５５には
一対のソレノイド制御バルブ４４，４６がある。このソ
レノイド制御バルブの第一のもの、ここではソレノイド
制御バルブ４４、管２７ｃを経て第三のマスフローコン
トローラー２６ｃへ接続し、そして管４５ａを経てバブ
ラー５２に接続した第二の口を有する。ここではバブラ
ー５２は、以下に記載するように、その中にTe−有機物
質５３を有する。第VI族有機物質、ここではTe−有機物
質、はテルルの第一アルキル類の解離中の活性化エネル
ギーよりも低い、Te−有機物質の解離中のラジカル形成
活性化エネルギーを有していれば、ここでは十分であ
る。バブラー５２は、バブラー５２のまわりに液体の一
定の流れを供給して、バブラー５２中のテルル有機物質
５３を適当な蒸気圧を得るのに十分な予じめ決められた
温度に維持する、再循環温度コントロール浴５６中に用
意する。この範囲は必ずしも限定されないが、−２０℃
〜＋100℃の範囲である。第二の管４５ｃはバブラー５
２に、しかしテルル有機物質の表面上に、配置し、そし
てソレノイド制御バルブ４６の口につなぐ。第三の管４
５ｂはソレノイド制御バルブ４４および４６の残りの口
の間を接続する。
ソレノイド制御バルブ４４および４６の通常の非活性化
状態では、水素ガスは水素源、ここではマスフローコン
トローラー２６ｃ、から管２７ｃを経て管４５ｂへ、そ
して管４７ｃを通つて、上記のように反応器の大気ガス
をパージする。基板１１上のカドミウムテルル化物およ
び水銀カドミウムテルル化物のエピタキシー成長の間、
バルブ４４および４６を活性化状態にして、水素ガスを
管４５ａを通じて、テルル有機物質を含むバブラー５２
へ送る。水素ガスはテルル有機物質５３を通り抜けて泡
立ち、そしてテルル有機物質５３の分子を拾い上げる。
従つて、テルル有機物質および水素（Te−有機物質＋
H2）の混合物は、テルル有機物質５３からライン４５ｃ
を経て出、そしてソレノイド制御バルブ４６によつてラ
イン４７ａへ送られる。第四のマスフローコントローラ
ー２６ｄは活性化されて、キヤリヤーガス、ここでは水
素、の予じめ決められた流れとなり、バルブ５０を通り
そしてライン４７ｂを経て接続部材４８へ行く。従つ
て、ライン４７ｃから出ていくものは、キヤリヤーガ
ス、ここでは水素、の濃度に関連したテルル有機物椎の
希釈蒸気流である。
管２７ｃは第五のマスフローコントローラー２６ｅから
送られてきて、液体水銀を含有する石英溜め６６（第３
Ｂ図）へ行く。水素ガスは液体水銀の表面上に送り、そ
して液体水銀表面上の水銀の蒸気分子を水素ガス流によ
つて拾い上げて、水銀および水素の蒸気流（Hg＋H2）を
得る。蒸気流は石英接続部材７０（第３Ｂ図）へ供給す
る。石英接続部材７０の第二の入口へは石英管７１ａを
経て送られてき、これはバルブ７２および管２７ｆを経
て第六のマスフローコントローラー２６ｆに接続してい
る。接続部材７０から７１ｂを経て管６０へ出ていくも
のは、従つて、水銀蒸気および水素の希釈流である。
第３Ｂ図を詳しく見ると、前に述べたように、サセプタ
ー６３は石英反応管６０のまわりに配置した高周波コイ
ルによつて加熱する。
液体元素水銀を含む石英溜め６６およびこの隣接領域
は、図示するように抵抗加熱源６８によつて、少なくと
も１００℃、しかし一般に２５０℃より下、好ましくは
１５０℃〜１８０℃の範囲の温度に抵抗加熱する。次
に、石英溜め６６の直後および基板１１を通り過ぎた帯
域を赤外ランプ６４の列によつて１００℃〜２５０℃、
好ましくは150℃〜１８０℃の範囲の温度に加熱する。
壁を加熱することによつて、水銀の蒸気流からの早期の
凝縮が妨げられる。しかしながら、好ましい温度範囲の
加熱は、DMCd、テルル有機物質およびＨｇが反応する温
度より下であり、従つて、成長領域上の反応体の濃度損
失が制御される。また、Ｈ２キヤリヤーガス中のテルル
有機物質、DMCdおよびＨｇの希釈流はさらに、水銀およ
びテルル有機物質そしてテルル有機物質およびジメチル
カドミウム間の早期反応を減じるので、高品質のエピタ
キシーフイルムが得られる。
基板１１の外方にさらされた表面は適当な溶剤を使つて
脱脂および洗浄し、次に基板材料を腐食する適当な物質
を使つてみがく。種々のエピタキシー層の成長の前に、
たとえば臭素メタノール溶液を使つてCdTeまたはGaAsを
化学的にみがく。次いで、基板１１をサセプター６３上
に置き、次にこれを石英反応管６０内に置く。
操作中、フアーネス管６０は、上記のように、ヘリウム
そして次に水素ガスを導入することによつて、大気ガス
をパージする。次いで、サセプター６３を高周波コイル
６２によつて誘導加熱し、石英溜め６６を抵抗加熱部材
によつてそして反応管６０を赤外ランプ６４によつて加
熱する。次に、各々を成長温度に到達させる。装置２０
ｂが成長温度に達したら、バルブ28，30，34，44，46，
50および７２を活性化して、水素ガス＋ジメチルカドミ
ウム、水素ガス＋テルル有機物質、および水素ガス＋水
銀の希釈混合物を基板１１を上流の管31ｃ，47ｃおよび
71ｂから各々出す。水素および金属有機物質蒸気は、所
望の操作温度で、基板11および基板１１のまわりの領域
６１を均等に加熱することによつて得る。蒸気は次の化
学反応に従つて、ガス状炭化水素、元素カドミウムおよ
びテルルに分解する： (CH3)2Cd→(CH3)2Cd＋Cd＋炭化水素 テルル有機物質→テルル有機物質＋Te＋炭化水素 次いで、元素水素、カドミウムおよびテルルは反応して
以下のものを形成する： (1-x)Hg＋(x)Cd＋Te→Hg1-XCdxTe 組成ｘはＨ2のＨg溜めへの流れ、Ｈｇ溜めの温度そして
DMCdおよびテルル有機物質の濃度を調整することによつ
てコントロールする。
モル分率（すなわち、DMCd，Te有機物質およびＨgの濃
度）は以下の式によつて得られる： 基板１１上へ送る金属有機物質蒸気部分だけは実際に反
応する。しかしながら、DETeと較べてＴｅ有機物質が分
解される効率が比較的高いため、未反応Ｃd，Ｔeおよび
Ｈg、並びに蒸気流中に存在するＣdおよびＴeの金属有
機物蒸気の量は、DETeをＴe源として使用する時の量よ
りもかなり少ない。従つて、未反応金属有機物質蒸気は
排気ライン７４を経て反応器管６０から排気し、そして
８００℃〜９００℃の範囲の温度で操作する排気分解炉
（図示せず）に送る。この炉は、残りの金属有機物質ガ
スを元素に分解するのに使い、実質的に水素および種々
の炭化水素よりなるガス流を生じる。
共に本出願人に譲渡された、W.E.HokおよびP.L.Lemonia
sの1985年６月28日付特許出願第７４９，８５１号（放
棄された）の継続出願である1986年３月７日付特許出願
第８３８，１９２号、およびW.E.HokeおよびP.L.Lemoni
sの1986年３月26日付特許出願第８４４，４８９号に記
載されているように、MOCVD法でジイソプロピルテルル
化物または第四ブチルテルル化物を使つて、HgCdTeまた
は他の第II−VI材料の速い成長速度を得ている。ジイソ
プロピルテルル化物の一般式は以下の通りである： 従つて、ジイソプロピルテルル化物は一般式R2−Ｘ−R2
〔式中、二つのR2アルキル基は同じでも異なつていても
よく、R2基の少なくも一つは一般式（r2CH-）（式中、r
2はCH-基の炭素原子に結合した二つの炭素原子を含む）
を有する第二アルキル基である〕の構造を持つ。ジイソ
プロピルテルル化物はより低い安定度を有し、それ故、
DETeの分解効率に較べると、分解効率が高くなる。DIPT
eは第VI族元素テルルの第二アルキルの好ましい例であ
る。これは、Ｔe原子に結合する各CH−基における炭素
が、二つの他の炭素原子に順繰りに結合しているからで
ある。そのような炭素原子およびテルル原子間の結合を
切るのに必要なエネルギーはより少なく、従つて、DIPT
eは従来公知のDETeよりも分解効率はより高い。
ジエチルテルル化物（DETe）の一般化学式は以下の通り
である： CH3−CH2−Te−CH2−CH3 テルル原子に結合する各CH2基の炭素原子は、ただ一つ
の別の炭素原子に順繰りに結合している。従つて、この
化合物は安定性が高く、そして規定の温度で、DIPTeよ
りも低い有効速度で分解するであろう。
MOCVD法においてジ第三ブチルテルル化物を使うことに
よつて、水銀カドミウムテルル化物または他の第II−VI
族材料の成長速度がより速くなる。ジ第三ブチルテルル
化物の一般化学式または以下の通りである： 従つて、ジ第三ブチルテルル化物は一般式R3−Ｘ−R
3〔式中、二つのＲ3アルキル基は同じでも異なつていて
もよく、R3基の少なくとも一つは一般式（r3C-）（式
中、r3はＣ−炭素原子に結合した三つの炭素原子を含
む）を有する第三アルキル基である〕の構造を持つ。ジ
第三ブチルテルル化物は安定性がより低く、それ故、ジ
エチルテルル化物またはジイソプロピルテルル化物の分
解効率と較べると、分解効率は高くなる。これは、Ｔｅ
原子に結合するＣ−炭素原子が三つの別の炭素原子に順
繰りに結合しているからである。従つて、この炭素原子
とテルル原子との間の結合を切るのに必要なエネルギー
はより少なく、従つて、DTBTeは規定の温度で従来公知
のDETeまたは上記のDIPTeよりも効率的に分解される。
ジ第三ブチルテルル化物は、第VI族元素テルルの第三ア
ルキルの好ましい例である。
遊離ラジカルを形成するための活性化エネルギーを減少
させるメカニズムは、不対電子電荷の非局在化である。
遊離ラジカル分子上のこの電荷の非局在化を強める有機
基は、遊離ラジカルのエネルギーを減じ、そしてその結
果、活性化エネルギーを減少させる。上記のアルキルテ
ルル化物については、不対電子電荷の非局在化は、不対
電子のｐ軌跡と、テルルに結合した炭素原子に結合して
いるアルキル基のシグマ軌跡とのオーバーラツプから生
じる。従つて、アルキル基のテルルに結合した炭素原子
への攻撃によつて非局在化は高まり、そしてその結果、
遊離ラジカルを形成するための活性化エネルギーは減少
する。
炭素テルル原子は、これに結合するアルキル基の数によ
つて分類される。従つて、非局在化メカニズムから安定
度の順はDMTe０゜＞DETe１゜＞DIPTe ２゜＞DTBTe ３゜
と説明される。
本発明の別の態様では、不対電子のｐ軌跡と単結合に代
わる二重結合とのオーバーラツプを使つて、非局在化を
より大きく、そしてその結果、活性エネルギーをより低
くしている。アリルラジカル（CH2＝CH2−CH2・）およ
びベンジルラジカル（C6H5−CH2・）は全炭素鎖上の遊
離電子を非局在化する。アリルラジカルの場合、ラジカ
ルは以下のような等構造体で表わしうる： CH2＝CH-CH2・・CH2−CH＝CH2 それ故、アリルラジカルの別の表示は以下の通りであ
る： 上記の表示における点線は、不対電子がラジカル上で非
局在化して、部分二重結合を形成することを示す。
第VI（Te）アリル有機物質は以下のような一般構造を有
する： Ｘ−Ｔｅ−Ｘ （式中、Ｘは上記のようなアリル基であり、Ｙは水素、
またはアリル基であつてもあるいはそうでなくてもよい
有機基である） ベンジルラジカルに関する状態はアリルラジカルと同様
であり、ベンゼン環の二重結合特性によつて、全ベンゼ
ン環上で不対電子が非局在化する。
ベンジルラジカルは以下のような等構造で示しうる： それ故、ベンジルラジカルの別の表示は次の通りであ
る： 第VI族（Te）ベンジルは次のような一般構造を有する： Ｘ−Ｔｅ−Ｙ （式中、Ｘはベンジル基であり、Ｙは水素、またはベン
ジル基であつてもあるいはそうでなくてもよい有機基で
ある） より低い安定性、すなわちより低い活性化エネルギー、
を有する第VI族分子をもたらす第三の例は、シクロアリ
ル基である。シクロアリル基を結合する分子は、アリル
基の存在によつて、並びに環の歪によつて不安定化す
る。
シクロアリル環分子は以下に示すような一般構造を有す
る。
（式中、Ｙは水素または他の有機基である） 活性化エネルギーが低い有機テルル化合物の例を表に示
す。一般式の説明で述べたように、有機テルル化合物中
にただ一つの不安定化遊離ラジカル基を持つていさえす
ればよい。従つて、有機テルル化合物メチル−ベンジル
テルル化物(CH2)Te(CH2)C6H5はジベンジルテルル化物と
ほぼ同じ安定度、そしてそれ故、同様の活性化エネルギ
ーを有する。別の考えからも、特定のこれらの材料を使
用することが示される。たとえば、メチル−ベンジルテ
ルル化物はジベンジルテルル化物よりも高い蒸気圧を有
するであろう。
従つて、第二および第三アルキル、アリルラジカル、シ
クロアリルラジカルおよびベンジルラジカルよりなる群
から選択した少なくとも一つの有機基を持つ有機化合物
である第VI族材料源を選択することによつて、より低い
反応温度での第VI族有機物質の分解効率が高められる。
さらに、第VI族有機物質の分解効率が高まるので、反応
体がより効果的に使用されるため、第II−VI族材料の成
長速度をより低い温度で成長させることができるので、
たとえば、HgTe またはHgCdTe の成長中に使用されるＨ
ｇの量は減少する。これによつて、Ｈｇ空位濃度そして
それ故孔の濃度の抑制および減少が可能になる。これは
また、成長中に生じるＨｇ毒性廃棄物の量を減じる。
本発明の好ましい具体例を記載してきたが、これらの考
えを組入れた他の具体例を用いることは、当業技術者に
は明らかであろう。従つて、これらの具体例は記載され
た具体例に限定されるべきではなく、むしろ本発明の精
神および特許請求の範囲にのみ限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、光検知部材、ここでは第II−VI族半導体材料
の結晶層を含む光電導部材、の平面図であり、第２図
は、第１図のライン２−２に添つた横断面図であり、第
３図は、第３Ａおよび３Ｂ図の関係を示す図であり、第
３Ａ，３Ｂ図は、第１図に示すエピタキシー層を成長さ
せる成長装置の略図である。 １０……光電導部材、１１……基板、１２ａ……エピタ
キシーバツフア層、１２ｂ……エピタキシー層、１５…
…溝、１７……入射電磁線、２６……マニホールド、３
９，５５……バブラー装置、６０……石英反応管、６４
……赤外ランプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/365

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第II族−第VI族材料を含む層を基板上に施
    す方法であって、 少なくとも１種の第II族成分を含む流れを基板に送り； 第VI族有機物質の流れを基板に送る；工程を含み、有機
    物質は、第VI族元素の飽和アルキルの活性化エネルギー
    よりも低い、有機基を第VI族元素から分解する際におけ
    る遊離ラジカル形成のための活性化エネルギーを有する
    少なくとも１つの有機基を有することを特徴とする方
    法。
  2. 【請求項２】有機基は、第VI族元素に結合した、アリ
    ル、ベンジル及びシクロアリル基からなる群から選択さ
    れる少なくとも１つの基を有する特許請求の範囲第１項
    に記載の方法。
  3. 【請求項３】第VI族元素がテルルである特許請求の範囲
    第２項に記載の方法。
  4. 【請求項４】少なくとも１種の第II族成分を含む流れを
    基板に送り、少なくとも１種の第II族成分の基板に送ら
    れた流れと第VI族有機物質の流れとを反応させて層を形
    成する工程を含む特許請求の範囲第３項に記載の方法。
  5. 【請求項５】第II族成分が金属有機物質の蒸気を含む特
    許請求の範囲第４項に記載の方法。
  6. 【請求項６】第VI族有機物質が、Ｘ−ベンジルテルル化
    物、Ｘ−（２−プロペン−１−イル）テルル化物、Ｘ−
    （２−シクロプロペン−１−イル）テルル化物からなる
    群から選択され、ここでＸは水素又はＴｅ原子に結合し
    た選択された有機基と同一であってもよく又は同一でな
    くてもよい有機基である特許請求の範囲第５項に記載の
    方法。
  7. 【請求項７】第II族金属の流れを基材に送る工程を含
    み、反応工程が、第II族金属と、第II族金属有機物質及
    び第VI族有機物質との反応を含む特許請求の範囲第６項
    に記載の方法。
  8. 【請求項８】第II族金属有機物質蒸気がジメチルカドミ
    ウムを含み、第VI族有機物質がＸ−ベンジルテルル化
    物、Ｘ−（２−プロペン−１−イル）テルル化物、Ｘ−
    （２−シクロプロペン−１−イル）テルル化物を含み、
    ここでＸは水素又はＴｅ原子に結合した選択された有機
    基と同一であってもよく又は同一でなくてもよく、第II
    族金属蒸気が水銀を含む特許請求の範囲第７項に記載の
    方法。
  9. 【請求項９】第VI族有機物質がジベンジルテルル化物で
    ある特許請求の範囲第８項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】第VI族有機物質がジ（２−プロペン−１
    −イル）テルル化物である特許請求の範囲第８項に記載
    の方法。
  11. 【請求項１１】第VI族有機物質がジ（２−シクロプロペ
    ン−１−イル）テルル化物である特許請求の範囲第８項
    に記載の方法。
  12. 【請求項１２】基材が、第II族−第IV族材料、第III族
    −第Ｖ族材料又はＡl2Ｏ3からなる群から選択される材
    料を含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】有機基が、第VI族元素に結合した、アリ
    ル、ベンジル及びシクロアリル基からなる群から選択さ
    れる少なくとも１つの基を有する特許請求の範囲第１２
    項に記載の方法。
  14. 【請求項１４】第VI族元素がテルルである特許請求の範
    囲第１３項に記載の方法。
  15. 【請求項１５】少なくとも１つの第II族成分を含む流れ
    を基材に送り、少なくとも１つの第II族成分の送られた
    流れと第VI族有機物質の流れとを反応させて層を形成す
    る工程を含む特許請求の範囲第１４項に記載の方法。
  16. 【請求項１６】第II族成分が金属有機物質蒸気を含む特
    許請求の範囲第１５項に記載の方法。
JP62153222A 1986-06-20 1987-06-19 第▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族半導体材料の低温金属有機物質化学蒸着 Expired - Lifetime JPH0654760B2 (ja)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1319587C (en) * 1986-12-18 1993-06-29 William Hoke Metalorganic chemical vapor depositing growth of group ii-vi semiconductor materials having improved compositional uniformity
US5483919A (en) * 1990-08-31 1996-01-16 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Atomic layer epitaxy method and apparatus
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
US5202283A (en) * 1991-02-19 1993-04-13 Rockwell International Corporation Technique for doping MOCVD grown crystalline materials using free radical transport of the dopant species
JPH05267186A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Fujitsu Ltd 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法
US5382542A (en) * 1993-07-26 1995-01-17 Hughes Aircraft Company Method of growth of II-VI materials on silicon using As passivation
AU1745695A (en) * 1994-06-03 1996-01-04 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5975912A (en) * 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5972790A (en) * 1995-06-09 1999-10-26 Tokyo Electron Limited Method for forming salicides
US7182812B2 (en) * 2002-09-16 2007-02-27 University Of Louisville Direct synthesis of oxide nanostructures of low-melting metals
US6806228B2 (en) 2000-06-29 2004-10-19 University Of Louisville Low temperature synthesis of semiconductor fibers
US7252811B2 (en) * 2000-06-29 2007-08-07 University Of Louisville Low temperature synthesis of silicon fibers
US7713352B2 (en) * 2001-06-29 2010-05-11 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Synthesis of fibers of inorganic materials using low-melting metals
US7771689B2 (en) * 2002-11-08 2010-08-10 University Of Louisville Research Foundation, Inc Bulk synthesis of metal and metal based dielectric nanowires

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE551488A (ja) * 1955-10-05
BE620887A (ja) * 1959-06-18
US3083550A (en) * 1961-02-23 1963-04-02 Alloyd Corp Process of coating vitreous filaments
US3218203A (en) * 1961-10-09 1965-11-16 Monsanto Co Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap
NL6505307A (ja) * 1964-06-25 1965-12-27
GB1246456A (en) * 1967-11-22 1971-09-15 Matsushita Electronics Corp Semiconductor device and method of manufacturing same
US3619282A (en) * 1968-09-27 1971-11-09 Ibm Method for vapor growing ternary compounds
CA935336A (en) * 1970-05-29 1973-10-16 V. Melnikov Valery Method of depositing inorganic coatings from vapour phase
GB1595660A (en) * 1978-05-25 1981-08-12 Standard Telephones Cables Ltd Corrosion protection of metal surfaces
US4214971A (en) * 1978-08-14 1980-07-29 The Dow Chemical Company Electrode coating process
GB2041983B (en) * 1978-11-09 1982-12-01 Standard Telephones Cables Ltd Metallising semiconductor devices
GB2067540A (en) * 1980-01-16 1981-07-30 American Glass Res Improved method for applying an inorganic titanium coating to a glass surface
US4321073A (en) * 1980-10-15 1982-03-23 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for forming metal coating on glass fiber
US4439267A (en) * 1982-09-29 1984-03-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Vapor-phase method for growing mercury cadmium telluride
EP0106537B1 (en) * 1982-10-19 1989-01-25 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Organometallic chemical vapour deposition of films
US4524090A (en) * 1984-04-30 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Deposition of compounds from multi-component organo-metals
US4568397A (en) * 1984-09-12 1986-02-04 Raytheon Company Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials
US4920068A (en) * 1986-04-02 1990-04-24 American Cyanamid Company Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials
US4828938A (en) * 1986-04-11 1989-05-09 Hughes Aircraft Company Method for depositing materials containing tellurium and product

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