JPH0654848B2 - 超再生検波器 - Google Patents
超再生検波器Info
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- JPH0654848B2 JPH0654848B2 JP62304646A JP30464687A JPH0654848B2 JP H0654848 B2 JPH0654848 B2 JP H0654848B2 JP 62304646 A JP62304646 A JP 62304646A JP 30464687 A JP30464687 A JP 30464687A JP H0654848 B2 JPH0654848 B2 JP H0654848B2
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D11/00—Super-regenerative demodulator circuits
- H03D11/02—Super-regenerative demodulator circuits for amplitude-modulated oscillations
- H03D11/04—Super-regenerative demodulator circuits for amplitude-modulated oscillations by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/323—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator having more than two terminals
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- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
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- H03D11/08—Super-regenerative demodulator circuits for angle-modulated oscillations by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0094—Measures to address temperature induced variations of demodulation
- H03D2200/0096—Measures to address temperature induced variations of demodulation by stabilising the temperature
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- Power Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はガレージドアオプナの受信機、ポータブル電話
機、その他小型、低価格の機器の受信機に用いる超再生
検波器に関するものである。
機、その他小型、低価格の機器の受信機に用いる超再生
検波器に関するものである。
(従来の技術) 超再生検波器は、受信する被変調RF信号の搬送波に近
い周波数で発振する再生検波器を、周波数の低い無線周
波数によって周期的に発振状態と被発振状態とし、前記
被変調RF信号の変調波を取出す検波器である。この切
替周波数をクエンチング周波数といい、一般に搬送波を
変調する周波数が高いときはクエンチング周波数を高く
する。この検波回路を適当に調整すると、クエンチング
周波数の各サイクルの電圧の正のピークの近くで発振が
立上り、クエンチング電圧が負の方向に向い、発振条件
を満さなくなると発振は停止する。
い周波数で発振する再生検波器を、周波数の低い無線周
波数によって周期的に発振状態と被発振状態とし、前記
被変調RF信号の変調波を取出す検波器である。この切
替周波数をクエンチング周波数といい、一般に搬送波を
変調する周波数が高いときはクエンチング周波数を高く
する。この検波回路を適当に調整すると、クエンチング
周波数の各サイクルの電圧の正のピークの近くで発振が
立上り、クエンチング電圧が負の方向に向い、発振条件
を満さなくなると発振は停止する。
検波される被変調RF信号電圧は、発振を起すトランジ
スタ増幅器のフィードバックループへ接続されている
が、RF信号入力がないときには、クエンチング周波数
の各サイクルの正の電圧で立上る発振は入力回路に生ず
る雑音電圧によって決定される初期振幅でスタートし、
発振器が平衡状態になる最終値に到達する。この発振は
クエンチング電圧がピーク値から低下して行き、発振条
件を満さなくなると消滅する。
スタ増幅器のフィードバックループへ接続されている
が、RF信号入力がないときには、クエンチング周波数
の各サイクルの正の電圧で立上る発振は入力回路に生ず
る雑音電圧によって決定される初期振幅でスタートし、
発振器が平衡状態になる最終値に到達する。この発振は
クエンチング電圧がピーク値から低下して行き、発振条
件を満さなくなると消滅する。
若しも、RF搬送波がこのシステム重畳され、RF搬送
波の振幅が入力同調回路の熱擾乱雑音よりも大きいと、
発振が立上り始める初期振幅は重畳されたRF信号の振
幅に一致する。従って発振は初期振幅が大ききのでより
早く平衡状態に到達する。クエンチング周波数は、検波
用トランジスタのベースに接続されたRF回路の値を変
えることによって簡単に調整することができる。RF搬
送波が要求する情報信号で振幅変調されていると、その
情報は、RF搬送波とクエンチング周波数を除去するロ
ーパスフィルタ(以下L.P.F.という)を接続した検波器
の出力に取出すことができる。
波の振幅が入力同調回路の熱擾乱雑音よりも大きいと、
発振が立上り始める初期振幅は重畳されたRF信号の振
幅に一致する。従って発振は初期振幅が大ききのでより
早く平衡状態に到達する。クエンチング周波数は、検波
用トランジスタのベースに接続されたRF回路の値を変
えることによって簡単に調整することができる。RF搬
送波が要求する情報信号で振幅変調されていると、その
情報は、RF搬送波とクエンチング周波数を除去するロ
ーパスフィルタ(以下L.P.F.という)を接続した検波器
の出力に取出すことができる。
このような回路は、構成が簡単で経済的であり、超再生
により、パルス性ノイズを抑圧するので短時間に信号を
送受するシステムにおいて敏感に動作する貴重な回路で
ある。
により、パルス性ノイズを抑圧するので短時間に信号を
送受するシステムにおいて敏感に動作する貴重な回路で
ある。
第2図は従来の技術による超再生受信機の一例を回路図
である。第2図においてC11〜C19はキャパシタ、
L11及びL12はインダクタ、R11〜R14及びR
16は抵抗、10は電源ライン、12はアンテナ、14
はL.P.F.、16は出力ラインである。この回路の基本構
成部品はトランジスタQ11で、抵抗R12とL11,
C11よりなるタンク回路を通して電源ライン10から
+B電圧を受けている。トランジスタが不動作となるベ
ース電圧は抵抗R14と抵抗R16によって決定され、
出力コレクタからエミッタを通して入力へフィードバッ
クする回路はキャパシタC13とC14,C16とC17
から成立っている。キャパシタC15はクエンチング周
波数の割合を決定するとともに発振器に要求されるクエ
ンチング周波数を決めるためにその値が選別される。
である。第2図においてC11〜C19はキャパシタ、
L11及びL12はインダクタ、R11〜R14及びR
16は抵抗、10は電源ライン、12はアンテナ、14
はL.P.F.、16は出力ラインである。この回路の基本構
成部品はトランジスタQ11で、抵抗R12とL11,
C11よりなるタンク回路を通して電源ライン10から
+B電圧を受けている。トランジスタが不動作となるベ
ース電圧は抵抗R14と抵抗R16によって決定され、
出力コレクタからエミッタを通して入力へフィードバッ
クする回路はキャパシタC13とC14,C16とC17
から成立っている。キャパシタC15はクエンチング周
波数の割合を決定するとともに発振器に要求されるクエ
ンチング周波数を決めるためにその値が選別される。
被変調RF信号がアンテナ12により受信されると、そ
のRF信号は、抵抗R11とキャパシタC12を通して
L11とC11よりなるタンク回路とトランジスタQ1
1のコレクタへ結合される。この被変調RF信号電圧は
このシステウムに重畳され、又、C13とC14よりな
るフィードバックループを通してトランジスタQ11の
エミッタへ結合され、立上りを開始して発振を起す。ク
エンチ電圧によりトランジスタQ11が導通する時間ご
とに、被変調RF信号電圧はトランジスタQ11に重畳さ
れ、タンク回路L11,C11を通して搬送波とクエン
チ周波数を除去するL.P.F.へ結合され、変調信号は、後
処理のための付加回路へライン16を通して送出され
る。
のRF信号は、抵抗R11とキャパシタC12を通して
L11とC11よりなるタンク回路とトランジスタQ1
1のコレクタへ結合される。この被変調RF信号電圧は
このシステウムに重畳され、又、C13とC14よりな
るフィードバックループを通してトランジスタQ11の
エミッタへ結合され、立上りを開始して発振を起す。ク
エンチ電圧によりトランジスタQ11が導通する時間ご
とに、被変調RF信号電圧はトランジスタQ11に重畳さ
れ、タンク回路L11,C11を通して搬送波とクエン
チ周波数を除去するL.P.F.へ結合され、変調信号は、後
処理のための付加回路へライン16を通して送出され
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら従来の技術による超再生検波受信機は前記
のように1個のトランジスタと10数個の部品しか使用
しないので構造が簡単で経済的であるが、一般的には共
振回路やフィードバック回路にインダクタ(L)とキャ
パシタ(C)を利用しているので、発振器は不安定であ
る。特にL,C素子は温度に敏感であり、温度変化によ
って動作周波数が変化し、又、LC同調回路はQが低い
ので受信周波数帯域幅が広くなるという欠点があった。
のように1個のトランジスタと10数個の部品しか使用
しないので構造が簡単で経済的であるが、一般的には共
振回路やフィードバック回路にインダクタ(L)とキャ
パシタ(C)を利用しているので、発振器は不安定であ
る。特にL,C素子は温度に敏感であり、温度変化によ
って動作周波数が変化し、又、LC同調回路はQが低い
ので受信周波数帯域幅が広くなるという欠点があった。
第5図は第2図に示す従来の技術による超再生検波器の
一例の周波数応答特性図である。第5図において、中心
周波数は約370MHz 、水平軸は離調周波数を示し、1
分割当り約20MHz 、垂直軸はdBで表わした信号レベル
で1分割当り10dBである。この特性カーブの3dB低下
点の帯域幅は約30MHz あり、このことはいうまでもな
く、受信機としては、約30MHz の範囲内のあらゆる信
号にも感度を有することを意味する。従って従来の技術
による超再生検波受信機は、不要信号後えば隣接信号、
空電、雑音等によって、妨害を受けやすいという問題点
があった。
一例の周波数応答特性図である。第5図において、中心
周波数は約370MHz 、水平軸は離調周波数を示し、1
分割当り約20MHz 、垂直軸はdBで表わした信号レベル
で1分割当り10dBである。この特性カーブの3dB低下
点の帯域幅は約30MHz あり、このことはいうまでもな
く、受信機としては、約30MHz の範囲内のあらゆる信
号にも感度を有することを意味する。従って従来の技術
による超再生検波受信機は、不要信号後えば隣接信号、
空電、雑音等によって、妨害を受けやすいという問題点
があった。
前記の問題点を克服するためには温度に対して安定であ
り、超再生検波器が発振を起すために必要な出力から入
力への位相偏移を与える低損失のフィードバック回路を
形成する必要がある。
り、超再生検波器が発振を起すために必要な出力から入
力への位相偏移を与える低損失のフィードバック回路を
形成する必要がある。
弾性表面被(以下SAWという)遅延線デバイスは温度に
対して非常に安定であるので、位相偏移素子としてフィ
ードバック回路に配置することは理想的であるが、従来
の技術によるSAW遅延線は単一トランジスタによる発振
器において充分なフィードバックを生ずることができな
い程の高い挿入損失を有するという欠点がある。
対して非常に安定であるので、位相偏移素子としてフィ
ードバック回路に配置することは理想的であるが、従来
の技術によるSAW遅延線は単一トランジスタによる発振
器において充分なフィードバックを生ずることができな
い程の高い挿入損失を有するという欠点がある。
従来の技術によるSAW共振器は挿入損失は少いがQが非
常に高いので、クエンチ回路が適切に作用することが出
来ない。
常に高いので、クエンチ回路が適切に作用することが出
来ない。
このように従来の技術のSAWデバイスを使ったのでは単
一トランジスタによる超再生検波器を構成する上で妨げ
となり、別のクエンチング発振器等、他の付加回路を使
用するので複雑となり構造の簡易化、低価格化を困難に
するという問題点があった。
一トランジスタによる超再生検波器を構成する上で妨げ
となり、別のクエンチング発振器等、他の付加回路を使
用するので複雑となり構造の簡易化、低価格化を困難に
するという問題点があった。
本発明は前記従来技術が持っていた問題点のうち、温度
変化による動作周波数の安定化と受信帯域幅の狭帯域化
によって、不要信号による妨害の少い簡易、低価格の超
再生検波受信機を提供することを目的とする。
変化による動作周波数の安定化と受信帯域幅の狭帯域化
によって、不要信号による妨害の少い簡易、低価格の超
再生検波受信機を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決するために、超再生検波受信
機の検波器のフィードバック回路に、低損失で位相偏移
が得られるSAWデバイスを利用したものである。このよ
うなSAWデバイスを利用することによって単一トランジ
スタの超再生検波器を構成することができ、これは温度
的に安定で、発振周波数漂動が極めて少く、受信バンド
が非常に狭くなるので、検波器の動作周波数に近接した
不要信号や、空電、雑音等の受信を排除することができ
る。
機の検波器のフィードバック回路に、低損失で位相偏移
が得られるSAWデバイスを利用したものである。このよ
うなSAWデバイスを利用することによって単一トランジ
スタの超再生検波器を構成することができ、これは温度
的に安定で、発振周波数漂動が極めて少く、受信バンド
が非常に狭くなるので、検波器の動作周波数に近接した
不要信号や、空電、雑音等の受信を排除することができ
る。
前記のフィードバック回路に使用される理想的なSAWデ
バイスは、1/4波長幅の電極と、間隔を持った単相一方
向性トランスジューサとして形成したもので、非常に高
い周波数において検波器を動作させることができる。本
発明は、出力と入力を有する発振器において、発振を起
こさせるため出力を入力へ結合するフィードバック回路
にSAWデバイスを使用して形成し、入力に被変調RF信
号を重畳してクエンチング信号により超再生検波を行
い、発振器の出力に接続されたL.P.F.を通しで変調信号
を取出すようにしたものである。
バイスは、1/4波長幅の電極と、間隔を持った単相一方
向性トランスジューサとして形成したもので、非常に高
い周波数において検波器を動作させることができる。本
発明は、出力と入力を有する発振器において、発振を起
こさせるため出力を入力へ結合するフィードバック回路
にSAWデバイスを使用して形成し、入力に被変調RF信
号を重畳してクエンチング信号により超再生検波を行
い、発振器の出力に接続されたL.P.F.を通しで変調信号
を取出すようにしたものである。
(作 用) 本発明によれば、前記のように超再生検波器を構成した
もので発振器のフィードバック回路に遅延素子として挿
入されるSAWデバイスの良好な温度安定性によって発振
周波数の漂動を極めて少くすることができる。更に遅延
素子の遅延量を適切に設定することによって、送信機の
周波数変動を考慮して構成されたシステムに適合する選
択性を得ることができる。これによって受信希望信号に
近接して到来する不要信号を排除するとともに雑音を抑
圧するので微弱な希望信号を良好なS/Nで受信すること
ができ、前記の問題点を除去できるのである。
もので発振器のフィードバック回路に遅延素子として挿
入されるSAWデバイスの良好な温度安定性によって発振
周波数の漂動を極めて少くすることができる。更に遅延
素子の遅延量を適切に設定することによって、送信機の
周波数変動を考慮して構成されたシステムに適合する選
択性を得ることができる。これによって受信希望信号に
近接して到来する不要信号を排除するとともに雑音を抑
圧するので微弱な希望信号を良好なS/Nで受信すること
ができ、前記の問題点を除去できるのである。
(実施例) 本発明の一実施例の回路を第1図に示す。
第1図において、C1〜C7はキャパシタ、L1,L2
はインダクタ、Q1はトランジスタ、R1〜R5は抵
抗、18は電源ライン、20はRF入力端子、22はSA
Wデバイス、24はL.P.F.、26は検波出力ラインであ
る。
はインダクタ、Q1はトランジスタ、R1〜R5は抵
抗、18は電源ライン、20はRF入力端子、22はSA
Wデバイス、24はL.P.F.、26は検波出力ラインであ
る。
第1図に示す実施例では1個のトランジスタQ1をこの回
路の中心として構成されている。電源ライン18よりの
直流電圧は、トランジスタQ1のコレクタへ抵抗R1と
インダクタL1を介して供給される。キャパシタC7は
トランジスタQ1のエミッタとベースとの間を結び、L
3とともにこの回路のクエンチング周波数を決定する。
路の中心として構成されている。電源ライン18よりの
直流電圧は、トランジスタQ1のコレクタへ抵抗R1と
インダクタL1を介して供給される。キャパシタC7は
トランジスタQ1のエミッタとベースとの間を結び、L
3とともにこの回路のクエンチング周波数を決定する。
RF入力端子20からの被変調RF入力信号はキャパシ
タC5を通してトランジスタQ1のコレクタとSAWデバ
イス22の一端に結合される。このSAWデバイスの他端
はL2を通してトランジスタQ1のベースに接続されフ
ィードバックループを形成している。このフィードバッ
クループを通し結合された信号によってキャパシタC7
上のクエンチング電圧の上昇とともに、トランジスタQ
1のベースにおける信号電圧レベルが上昇し、無信号時
よりも早く発振状態になる。SAWデバイス22はこの回
路内において損失が少く、Qが低くければフィードバッ
クデバイスとして適切に作用する。単相一方向性トラン
スジューサは前記のフィードバック回路におけるSAWデ
バイスとして使える適当な特性を持っている。この種の
トランスジューサは、USAにおいて1984年12月3
日付の出願番号677,513 号で出願した“単相一方向性SA
Wトランスジューサ”に開示されている。
タC5を通してトランジスタQ1のコレクタとSAWデバ
イス22の一端に結合される。このSAWデバイスの他端
はL2を通してトランジスタQ1のベースに接続されフ
ィードバックループを形成している。このフィードバッ
クループを通し結合された信号によってキャパシタC7
上のクエンチング電圧の上昇とともに、トランジスタQ
1のベースにおける信号電圧レベルが上昇し、無信号時
よりも早く発振状態になる。SAWデバイス22はこの回
路内において損失が少く、Qが低くければフィードバッ
クデバイスとして適切に作用する。単相一方向性トラン
スジューサは前記のフィードバック回路におけるSAWデ
バイスとして使える適当な特性を持っている。この種の
トランスジューサは、USAにおいて1984年12月3
日付の出願番号677,513 号で出願した“単相一方向性SA
Wトランスジューサ”に開示されている。
第3図は単相一方向性トランスジューサの平面図であ
る。第3図において27及び29は1/4波長電極であ
る。前記出願番号677,513 号の中に述べられているよう
に、トランスジューサの一方向性は特定の基板内におい
て希望する方向へのSAW伝搬を生ずるように定められた
結晶方位を有する前記基板材料上にトランスジューサを
設ける位置を選ぶことによって得られる。
る。第3図において27及び29は1/4波長電極であ
る。前記出願番号677,513 号の中に述べられているよう
に、トランスジューサの一方向性は特定の基板内におい
て希望する方向へのSAW伝搬を生ずるように定められた
結晶方位を有する前記基板材料上にトランスジューサを
設ける位置を選ぶことによって得られる。
又、1986年7月29日付のUSA出願番号891,237
号で出願した表題“無反射トランスジューサ”に開示し
たような無反射トランスジューサは低損失であるので前
記フィードバックループに使える筈である。
号で出願した表題“無反射トランスジューサ”に開示し
たような無反射トランスジューサは低損失であるので前
記フィードバックループに使える筈である。
第4図はこの無反射トランスジューサの平面図である。
このトランスジューサは向い合った導電パッド40及び
42から延長された導体に少くも2群のインターデジタ
ル電極30,32,34及び36から接続されており電
極の各グループ間はλ/4の間隔44を持ち、隣接グル
ープ間はλ/2の間隔28を持っているので、隣接グル
ープは相互に反射を打消す。前記電極群に交互に負荷す
ることによって、基板内において実質的に一方向性の波
の伝搬が得られる。すなわち、電極グループ30と3
2,32と34及び34と36間にλ/2の間隔域はキ
ャビィティ28を有し、電極群30,32,34及び3
6は電極間にλ/4の間隔44を有する。1/4波長電極
を有する構造にするとSAWデバイスの現状の技術で達接
しうる最大周波数で使用することができる。その上、こ
のデバイスは低損失デバイスである。
このトランスジューサは向い合った導電パッド40及び
42から延長された導体に少くも2群のインターデジタ
ル電極30,32,34及び36から接続されており電
極の各グループ間はλ/4の間隔44を持ち、隣接グル
ープ間はλ/2の間隔28を持っているので、隣接グル
ープは相互に反射を打消す。前記電極群に交互に負荷す
ることによって、基板内において実質的に一方向性の波
の伝搬が得られる。すなわち、電極グループ30と3
2,32と34及び34と36間にλ/2の間隔域はキ
ャビィティ28を有し、電極群30,32,34及び3
6は電極間にλ/4の間隔44を有する。1/4波長電極
を有する構造にするとSAWデバイスの現状の技術で達接
しうる最大周波数で使用することができる。その上、こ
のデバイスは低損失デバイスである。
トランジスタQ1の出力は、変調信号を取出すためにイ
ンダクタL1とキャパシタC3を通してL.P.F.24へ結
合される。LPF24の出力は、増幅器等の必要とする付
加回路飯へのライン26に結合される。
ンダクタL1とキャパシタC3を通してL.P.F.24へ結
合される。LPF24の出力は、増幅器等の必要とする付
加回路飯へのライン26に結合される。
インダクタL1及びL2は第1図に示す独自の回路に対
して直径約2mmの巻枠上に28番線を使って巻いた空芯
コイルである。インダクタL1は、L2が一定値のとき
SAWデバイス22によって一次的に決定される発振中心
周波数の微細調整用である。インダクタL2は僅かに中
心周波数に影響を与えるが、真の目的はフィードバック
比に影響を与える発振器へのSAWデバイスのインピーダ
ンス整合によって、発振器の電力レベルを調整すること
にある。
して直径約2mmの巻枠上に28番線を使って巻いた空芯
コイルである。インダクタL1は、L2が一定値のとき
SAWデバイス22によって一次的に決定される発振中心
周波数の微細調整用である。インダクタL2は僅かに中
心周波数に影響を与えるが、真の目的はフィードバック
比に影響を与える発振器へのSAWデバイスのインピーダ
ンス整合によって、発振器の電力レベルを調整すること
にある。
インダクタL1はトランジスタQ1とSAWデバイス22
との整合用である。前述のようにキャパシタC7の値は
クエンチング周波数を調整するため選択される。
との整合用である。前述のようにキャパシタC7の値は
クエンチング周波数を調整するため選択される。
第6図は第1図に示す本発明の一実施例の狭帯域周波数
応答特性図で水平軸は周波数を1分割当りMHz で表わ
し、垂直時は信号レベルを1分解当り10dBで表わして
いる。これは第5図に示した特性図の水平軸スケールを
20倍に拡大して表わしたもので3dB帯域幅は約20kH
z である。
応答特性図で水平軸は周波数を1分割当りMHz で表わ
し、垂直時は信号レベルを1分解当り10dBで表わして
いる。これは第5図に示した特性図の水平軸スケールを
20倍に拡大して表わしたもので3dB帯域幅は約20kH
z である。
この特性から明らかなように第1図に示した一実施例は
選択性が非常に良く、この独得の回路によって約200
kHz 帯域幅内の信号以外のすべての不要信号を排除する
ことができる。
選択性が非常に良く、この独得の回路によって約200
kHz 帯域幅内の信号以外のすべての不要信号を排除する
ことができる。
第7図は本発明の一実施例の広帯域周波数応答特性図で
第5図と同一の水平軸スケール(1分割当り20MHz )
にして表わしたものである。第7図に示した本発明の鋭
い周波数応答特性と第5図に示した従来の技術による超
再生検波器の周波数応答特性とを比較すると3dB低下点
における200 kHz 帯域幅の両側に近接した不要信号並び
に外来ノイズが実質的に排除されることがよくわかる。
それ故に本発明は発振を起すフィードバックループにSA
Wデバイスを利用して超再生受信機を提供することがで
きる。このSAWデバイスは単相一方向性トランスジュー
サで形成された低損失遅延線である。SAWデバイスの遅
延が大きい程発振器はより安定であり、SAWデバイスを
通り信号の位相は急傾斜を示すので、それによって、他
の回路素子による発振器の中心周波数の位相ズレの影響
を最小にすることになる。
第5図と同一の水平軸スケール(1分割当り20MHz )
にして表わしたものである。第7図に示した本発明の鋭
い周波数応答特性と第5図に示した従来の技術による超
再生検波器の周波数応答特性とを比較すると3dB低下点
における200 kHz 帯域幅の両側に近接した不要信号並び
に外来ノイズが実質的に排除されることがよくわかる。
それ故に本発明は発振を起すフィードバックループにSA
Wデバイスを利用して超再生受信機を提供することがで
きる。このSAWデバイスは単相一方向性トランスジュー
サで形成された低損失遅延線である。SAWデバイスの遅
延が大きい程発振器はより安定であり、SAWデバイスを
通り信号の位相は急傾斜を示すので、それによって、他
の回路素子による発振器の中心周波数の位相ズレの影響
を最小にすることになる。
しかしながら、遅延は又、最大クエンチ率に影響するの
で遅延量は使用を希望するクエンチ率によって制限され
る。遅延は又、受信機の帯域幅に影響を与え、帯域幅を
決定する。遅延が多いとQが高くなり、帯域幅が狭くな
る。それ故に遅延量をどの位にするかは送信機の安定度
によって制限される。
で遅延量は使用を希望するクエンチ率によって制限され
る。遅延は又、受信機の帯域幅に影響を与え、帯域幅を
決定する。遅延が多いとQが高くなり、帯域幅が狭くな
る。それ故に遅延量をどの位にするかは送信機の安定度
によって制限される。
此の回路は又、温度特性が非常に良いSAWデバイスによ
って一次的に制御されているので非常に良い温度特性を
持っている。このことは、大幅な温度変化があっても周
波数応答特性が変化しないことを意味する。勿論、SAW
デバイスの温度特性は技術的に良く知られているように
基板を通して伝送される波の方向と同様にトランスジュ
ーサが置かれる基板材料の種類によって変る。できれば
基板は水晶であることが好ましいが、例えばリチュウム
・ニオベート或はリチューム・タタレートのような他の
種類の基板を使うこともできるが温度係数が水晶ほど良
くない。
って一次的に制御されているので非常に良い温度特性を
持っている。このことは、大幅な温度変化があっても周
波数応答特性が変化しないことを意味する。勿論、SAW
デバイスの温度特性は技術的に良く知られているように
基板を通して伝送される波の方向と同様にトランスジュ
ーサが置かれる基板材料の種類によって変る。できれば
基板は水晶であることが好ましいが、例えばリチュウム
・ニオベート或はリチューム・タタレートのような他の
種類の基板を使うこともできるが温度係数が水晶ほど良
くない。
この新らしい検波器は第7図に見られるように比較的狭
帯域であるので非常に感度がよく、雑音レベルに近い信
号を難なく取出すことができ、S/Nは従来の技術による
ものより遥かに大きくとれる。
帯域であるので非常に感度がよく、雑音レベルに近い信
号を難なく取出すことができ、S/Nは従来の技術による
ものより遥かに大きくとれる。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように本発明によれば検波器を発
振させるため、出力から入力へのフィードバックループ
に挿入損失の少ない弾性表面波遅延線を利用したので、
温度変化による発振器の周波数漂動が極めて少くなり、
更に受信機としての選択性が向上して、狭帯域化が可能
となった。これによって希望信号に近接した不要信号に
よる妨害を排除することができるとともに雑音を抑圧す
るので微弱な希望信号を良好なS/Nで受信することがで
きるという効果が期待でき、更に構成部品の点数が非常
に少なくてすむので、小型、低価格の機器に利用できる
という効果がある。
振させるため、出力から入力へのフィードバックループ
に挿入損失の少ない弾性表面波遅延線を利用したので、
温度変化による発振器の周波数漂動が極めて少くなり、
更に受信機としての選択性が向上して、狭帯域化が可能
となった。これによって希望信号に近接した不要信号に
よる妨害を排除することができるとともに雑音を抑圧す
るので微弱な希望信号を良好なS/Nで受信することがで
きるという効果が期待でき、更に構成部品の点数が非常
に少なくてすむので、小型、低価格の機器に利用できる
という効果がある。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の超
再生検波器の一例の回路図、第3図は本発明の実施例に
用いうる単相一方向性トランジューサの平面図、第4図
は本発明の実施例に用いる無反射トランスジューサの平
面図、第5図は従来の技術による超再生検波器の一例の
周波数応答特性図、第6図は本発明の一実施例の狭帯域
周波数応答特性図、第7図は本発明の一実施例の広帯域
周波数応答特性図である。 10,18……電源ライン、12……アンテナ、14,
24……L.P.F.、16,26……出力ライン、20……
FR入力端子、22……SAWデバイス、27,29……1
/4波長電極、30,32,34,36……インターデ
ジタル電極、28……λ/2の間隔、44……λ/4の間
隔、40,42……導電パッド。
再生検波器の一例の回路図、第3図は本発明の実施例に
用いうる単相一方向性トランジューサの平面図、第4図
は本発明の実施例に用いる無反射トランスジューサの平
面図、第5図は従来の技術による超再生検波器の一例の
周波数応答特性図、第6図は本発明の一実施例の狭帯域
周波数応答特性図、第7図は本発明の一実施例の広帯域
周波数応答特性図である。 10,18……電源ライン、12……アンテナ、14,
24……L.P.F.、16,26……出力ライン、20……
FR入力端子、22……SAWデバイス、27,29……1
/4波長電極、30,32,34,36……インターデ
ジタル電極、28……λ/2の間隔、44……λ/4の間
隔、40,42……導電パッド。
Claims (2)
- 【請求項1】再生検波器の動作状態をクエンチング周波
数によって周期的に発振状態と非発振状態とし、該再生
検波器に入力される被変調RF信号の変調波成分を取出
す超再生検波器において、 1つのトランジスタと、 該トランジスタのコレクタに接続され、被変調RF信号
を入力するRF入力端子と、 該トランジスタのコレクタとベースとの間にインダクタ
を介して挿入され、再生検波器のフィードバックループ
を形成する表面弾性波デバイスと、 該トランジスタのエミッタとベースとの間に形成された
クエンチング周波数発振器と、 該トランジスタのコレクタと電源ラインとの間に挿入さ
れたインダクタと抵抗との接続点より、前記RF入力端
子に入力される被変調RF信号の変調被成分を取出すロ
ーパスフィルタとにより構成されることを特徴とする超
再生検波器。 - 【請求項2】前記弾性表面波デバイスは、水晶結晶体を
含む圧電基板上に1/4波長の電極を形成した単相一方
向性トランスジューサであり、該トランスジューサは低
損失かつ、所定の位相偏位と所定の帯域幅を有する遅延
線であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
超再生検波器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US939,527 | 1986-12-08 | ||
| US06/939,527 US4749964A (en) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | Superregenerative detector having a saw device in the feedback circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198404A JPS63198404A (ja) | 1988-08-17 |
| JPH0654848B2 true JPH0654848B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=25473325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304646A Expired - Lifetime JPH0654848B2 (ja) | 1986-12-08 | 1987-12-03 | 超再生検波器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4749964A (ja) |
| EP (1) | EP0271190B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0654848B2 (ja) |
| DE (1) | DE3789206T2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146613A (en) * | 1990-11-16 | 1992-09-08 | Delco Electronics Corporation | Low power uhf data transceiver |
| US5379456A (en) * | 1991-02-05 | 1995-01-03 | Whistler Corporation | Multiplying saw phase shift envelope detector |
| US5146227A (en) * | 1991-05-03 | 1992-09-08 | Whistler Corporation | Sweeping receiver |
| US5105162A (en) * | 1991-06-20 | 1992-04-14 | United Technologies Automotive | Electrically tuned RF receiver, apparatus and method therefor |
| DE4330438B4 (de) * | 1992-09-09 | 2010-07-01 | Hitachi, Ltd. | Oberflächenakustikwelleneinrichtung |
| US5287035A (en) * | 1992-10-05 | 1994-02-15 | United Technologies Corporation | SAW detector |
| FR2720879B1 (fr) * | 1994-06-03 | 1996-08-14 | Gilles Morey | Oscillateur et récepteur comprenant cet oscillateur. |
| US5757305A (en) * | 1994-07-29 | 1998-05-26 | Dimango Products | Transmitter for wireless audible indication system |
| US5630216A (en) * | 1994-09-06 | 1997-05-13 | The Regents Of The University Of California | Micropower RF transponder with superregenerative receiver and RF receiver with sampling mixer |
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| FR2791196B1 (fr) * | 1999-03-18 | 2001-06-08 | Valeo Electronique | Perfectionnements aux oscillateurs et aux recepteurs radio-frequence |
| US6421535B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-07-16 | Xetron Corporation | Superregenerative circuit |
| EP1269643A1 (en) * | 2000-03-01 | 2003-01-02 | Geir Monsen Vavik | Transponder and transponder system |
| US6462698B2 (en) * | 2000-06-02 | 2002-10-08 | Research In Motion Limited | Wireless communication system using surface acoustic wave (SAW) single-phase unidirectional transducer (SPUDT) techniques |
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| US7043223B2 (en) * | 2003-05-14 | 2006-05-09 | Winbond Electronics Corp. | Super-regenerative radio frequency receiver and its data receiving method |
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| FR2898224A1 (fr) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de reception ultra-large bande utilisant un detecteur a super-regeneration |
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| DE102015206665B4 (de) | 2015-04-14 | 2017-03-30 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik | SAW-SRR-Aufweckempfänger, HF-Schaltung für einen Aufweckempfänger, Sendeempfänger-System und Sensorknoten |
| NL2021416B1 (en) | 2018-08-01 | 2020-02-12 | Fnv Ip Bv | Receiver for Providing an Activation Signal to a Device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3119065A (en) * | 1961-11-22 | 1964-01-21 | Hood Gust & Irish | Super-regenerative radio receiver |
| US3405364A (en) * | 1965-06-30 | 1968-10-08 | Collins Radio Co | Reflex quenched superregenerative detector |
| US3868595A (en) * | 1972-10-30 | 1975-02-25 | Texas Instruments Inc | Rf oscillator frequency control utilizing surface wave delay lines |
| US4143324A (en) * | 1976-05-20 | 1979-03-06 | Transcience Industries, Inc. | Transistorized superregenerative radio frequency detector |
| JPS56141626A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Super-regeneration type front end of wireless receiver |
| JPS572105A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-07 | Toshiba Corp | Elastic surface wave oscillator |
| US4910839A (en) * | 1984-12-03 | 1990-03-27 | R.F. Monolithics, Inc. | Method of making a single phase unidirectional surface acoustic wave transducer |
-
1986
- 1986-12-08 US US06/939,527 patent/US4749964A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-08 EP EP87308927A patent/EP0271190B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-08 DE DE3789206T patent/DE3789206T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-03 JP JP62304646A patent/JPH0654848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3789206T2 (de) | 1994-06-01 |
| EP0271190B1 (en) | 1994-03-02 |
| EP0271190A2 (en) | 1988-06-15 |
| EP0271190A3 (en) | 1989-05-31 |
| DE3789206D1 (de) | 1994-04-07 |
| US4749964A (en) | 1988-06-07 |
| JPS63198404A (ja) | 1988-08-17 |
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