JPH065535A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH065535A JPH065535A JP18447292A JP18447292A JPH065535A JP H065535 A JPH065535 A JP H065535A JP 18447292 A JP18447292 A JP 18447292A JP 18447292 A JP18447292 A JP 18447292A JP H065535 A JPH065535 A JP H065535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction container
- gas injection
- raw material
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応容器内に噴射される原料ガスを半導体ウ
エハ等の試料に均一に供給することができる熱処理炉を
提供する。 【構成】 ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、
ガス導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは略半
円筒状に形成され、その外表面を反応容器１２の内側面
と同一の形状に形成している。ガス噴射部１４ａは反応
容器１２の内面に密着される。反応容器１２内には、半
導体ウエハ２がその表面が水平となるように一定の間隔
を保って石英ボート２４に収納されている。原料ガス
は、ガス噴射部１４ａの内表面に設けられた多数の噴射
孔４４から反応容器１２内に噴射される。
エハ等の試料に均一に供給することができる熱処理炉を
提供する。 【構成】 ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、
ガス導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは略半
円筒状に形成され、その外表面を反応容器１２の内側面
と同一の形状に形成している。ガス噴射部１４ａは反応
容器１２の内面に密着される。反応容器１２内には、半
導体ウエハ２がその表面が水平となるように一定の間隔
を保って石英ボート２４に収納されている。原料ガス
は、ガス噴射部１４ａの内表面に設けられた多数の噴射
孔４４から反応容器１２内に噴射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
において半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理及び
ＣＶＤ法による処理等を行う際に使用される熱処理炉に
関するものである。
において半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理及び
ＣＶＤ法による処理等を行う際に使用される熱処理炉に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の縦型の熱処理炉の概略断面
図を示す。同図において、半導体ウエハ５２は、石英ボ
ート６２に一定の間隔を保って多数収納されている。石
英ボート６２は、反応容器６４の内部に載置される。こ
の反応容器６４は上部が半球形とされた筒状で、その下
端には開放口が設けられている。反応容器６４の周囲に
はヒータ６６が設けられ、このヒータ６６によって半導
体ウエハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
図を示す。同図において、半導体ウエハ５２は、石英ボ
ート６２に一定の間隔を保って多数収納されている。石
英ボート６２は、反応容器６４の内部に載置される。こ
の反応容器６４は上部が半球形とされた筒状で、その下
端には開放口が設けられている。反応容器６４の周囲に
はヒータ６６が設けられ、このヒータ６６によって半導
体ウエハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
【０００３】マニホールド６８は、反応容器６４の下部
に取り付けられ、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するためのガス排出口７２が設けてある。また、マニ
ホールド６８においては、原料ガスを反応容器６４内に
供給するためのガス導入管７６をＯリング７４により気
密・支持している。ガス導入管７６は単一の石英管より
なり、反応容器６４の内面に沿って上方に延びる垂直部
分と、水平部分とからなる。ガス導入管７６の垂直部分
には、外部から送られてきた原料ガスが反応容器６４内
の半導体ウエハ５２に向かって水平に噴射されるよう、
多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で設けてある。ガ
ス導入管７６は、反応容器６４の内面上部に設けられた
サポートリング７８によって反応容器６４の内面と一定
の距離を保つようにして支持される。
に取り付けられ、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するためのガス排出口７２が設けてある。また、マニ
ホールド６８においては、原料ガスを反応容器６４内に
供給するためのガス導入管７６をＯリング７４により気
密・支持している。ガス導入管７６は単一の石英管より
なり、反応容器６４の内面に沿って上方に延びる垂直部
分と、水平部分とからなる。ガス導入管７６の垂直部分
には、外部から送られてきた原料ガスが反応容器６４内
の半導体ウエハ５２に向かって水平に噴射されるよう、
多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で設けてある。ガ
ス導入管７６は、反応容器６４の内面上部に設けられた
サポートリング７８によって反応容器６４の内面と一定
の距離を保つようにして支持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応容器６
４の内部では、ガス導入管７６は反応容器６４の内面上
部に設けられたサポートリング７８のみによって支持さ
れている。このため、ガス導入管７６を容易に挿入でき
るよう、また石英管を破損させないように余裕をもって
サポートリング７８を製造しなければならない。すなわ
ち、ガス導入管７６は完全には固定されておらず、遊び
を有する。したがって、ガス導入管７６の垂直部分が傾
き、原料ガスの水平な噴射が妨げられることがあった。
４の内部では、ガス導入管７６は反応容器６４の内面上
部に設けられたサポートリング７８のみによって支持さ
れている。このため、ガス導入管７６を容易に挿入でき
るよう、また石英管を破損させないように余裕をもって
サポートリング７８を製造しなければならない。すなわ
ち、ガス導入管７６は完全には固定されておらず、遊び
を有する。したがって、ガス導入管７６の垂直部分が傾
き、原料ガスの水平な噴射が妨げられることがあった。
【０００５】このように原料ガスが水平に噴射されない
と、半導体ウエハの表面に平行な原料ガスの流れが得ら
れず、噴射される原料ガスが半導体ウエハに均一に当た
らなくなる。このため、従来の装置では、同じウエハで
もガス導入管に近い部分と遠い部分とでは原料ガスの供
給のされ方が不均一となり、半導体ウエハに所定の処理
結果が得られないという問題があった。
と、半導体ウエハの表面に平行な原料ガスの流れが得ら
れず、噴射される原料ガスが半導体ウエハに均一に当た
らなくなる。このため、従来の装置では、同じウエハで
もガス導入管に近い部分と遠い部分とでは原料ガスの供
給のされ方が不均一となり、半導体ウエハに所定の処理
結果が得られないという問題があった。
【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、反応容器内に噴射される原料ガスを半導体ウエ
ハ等の試料に均一に供給することができる熱処理炉を提
供することを目的とするものである。
であり、反応容器内に噴射される原料ガスを半導体ウエ
ハ等の試料に均一に供給することができる熱処理炉を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、反応容器と、略半円筒状に形成され、凹
面状の内表面には原料ガスを前記反応容器内に噴射する
多数の開口部が形成され、凸面状の外表面は前記反応容
器の内面に密接するように形成され且つ前記外表面が前
記反応容器に密接するように前記反応容器内に設けられ
たガス噴射手段と、前記反応容器内の原料ガスを外部に
排出する排出手段とを具備したことを特徴とするもので
ある。
めの本発明は、反応容器と、略半円筒状に形成され、凹
面状の内表面には原料ガスを前記反応容器内に噴射する
多数の開口部が形成され、凸面状の外表面は前記反応容
器の内面に密接するように形成され且つ前記外表面が前
記反応容器に密接するように前記反応容器内に設けられ
たガス噴射手段と、前記反応容器内の原料ガスを外部に
排出する排出手段とを具備したことを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】本発明は前記の構成によって、ガス噴射手段は
その外表面が反応容器の内表面に密接するようにして設
けられているので、ガス噴射手段の開口部が常に所定の
方向に対して平行な状態となるように保持できる。これ
により、原料ガスを反応容器内に載置した試料の表面に
対して平行に噴出することができる。
その外表面が反応容器の内表面に密接するようにして設
けられているので、ガス噴射手段の開口部が常に所定の
方向に対して平行な状態となるように保持できる。これ
により、原料ガスを反応容器内に載置した試料の表面に
対して平行に噴出することができる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例である熱
処理炉を上から見た概略断面図、図１（ｂ）はその熱処
理炉を横から見た概略断面図である。
して説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例である熱
処理炉を上から見た概略断面図、図１（ｂ）はその熱処
理炉を横から見た概略断面図である。
【００１０】図１に示す熱処理炉は、反応容器１２と、
ガス噴射手段１４と、マニホールド１６と、炉蓋１８
と、保温筒２２と、石英ボート２４と、ヒータ２６とを
備えるものである。尚、ここでは、反応容器１２及びヒ
ータ２６を縦に配置した縦型構造の熱処理炉を用いてい
る。
ガス噴射手段１４と、マニホールド１６と、炉蓋１８
と、保温筒２２と、石英ボート２４と、ヒータ２６とを
備えるものである。尚、ここでは、反応容器１２及びヒ
ータ２６を縦に配置した縦型構造の熱処理炉を用いてい
る。
【００１１】反応容器１２は、上部が半球形とされた筒
状で、その下端は開放口とされている。反応容器１２
は、マニホールド１６上に高い精度で垂直に立てられて
いる。ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、ガス
導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは略半円筒
状に形成され、その外表面を反応容器１２の内側面と同
一の形状に形成している。また、ガス噴射部１４ａの内
表面には、多数の噴射孔４４が一定の間隔で格子状に多
数形成されている。かかるガス噴射部１４ａは反応容器
１２の内面に密着される。
状で、その下端は開放口とされている。反応容器１２
は、マニホールド１６上に高い精度で垂直に立てられて
いる。ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、ガス
導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは略半円筒
状に形成され、その外表面を反応容器１２の内側面と同
一の形状に形成している。また、ガス噴射部１４ａの内
表面には、多数の噴射孔４４が一定の間隔で格子状に多
数形成されている。かかるガス噴射部１４ａは反応容器
１２の内面に密着される。
【００１２】マニホールド１６は反応容器１２の下面に
取り付けられた取付台である。マニホールド１６には、
反応に使用された原料ガスを外部に排出するためのガス
排出口３２が設けてある。また、マニホールド１６にお
いては、ガス導入管１４ｂがＯリング３４により気密・
支持されている。
取り付けられた取付台である。マニホールド１６には、
反応に使用された原料ガスを外部に排出するためのガス
排出口３２が設けてある。また、マニホールド１６にお
いては、ガス導入管１４ｂがＯリング３４により気密・
支持されている。
【００１３】マニホールド１６の底部は炉蓋１８により
密封される。炉蓋１８の上に保温筒２２が載置され、さ
らに保温筒２２の上に、半導体ウエハ２が収容された石
英ボート２４が載置される。半導体ウエハ２はその表面
が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４
に収納される。尚、保温筒２２は回転可能に構成されて
いる。
密封される。炉蓋１８の上に保温筒２２が載置され、さ
らに保温筒２２の上に、半導体ウエハ２が収容された石
英ボート２４が載置される。半導体ウエハ２はその表面
が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４
に収納される。尚、保温筒２２は回転可能に構成されて
いる。
【００１４】ヒータ２６は、反応容器１２の周囲に設け
られ、これによって半導体ウエハ２と反応容器１２内に
噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行われる。
られ、これによって半導体ウエハ２と反応容器１２内に
噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行われる。
【００１５】次に、本実施例の熱処理炉の動作について
説明する。まず、半導体ウエハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１６の底部から取り外された炉蓋１８
の上に、保温筒２２及び半導体ウエハ２を収容した石英
ボート２４を載置する。この状態で炉蓋１８を昇降装置
（不図示）により持ち上げ、石英ボート２４を反応容器
１２の内部に挿入し、炉蓋１８をマニホールド１６に固
定する。
説明する。まず、半導体ウエハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１６の底部から取り外された炉蓋１８
の上に、保温筒２２及び半導体ウエハ２を収容した石英
ボート２４を載置する。この状態で炉蓋１８を昇降装置
（不図示）により持ち上げ、石英ボート２４を反応容器
１２の内部に挿入し、炉蓋１８をマニホールド１６に固
定する。
【００１６】次に、半導体ウエハ２に所定の熱処理を施
すには、まず、保温筒２２を回転させ、ヒータ２６を動
作させる。原料ガスをガス導入管１４ｂから供給する
と、原料ガスはガス噴射部１４ａの内面に形成された噴
射孔４４を通じて反応容器１２内に噴射される。この噴
射孔４４から噴射された原料ガスは半導体ウエハ２の表
面に水平に且つ均一に供給され、高温雰囲気中で半導体
ウエハ２と原料ガスとが反応して、半導体ウエハ２は所
定の処理がなされる。
すには、まず、保温筒２２を回転させ、ヒータ２６を動
作させる。原料ガスをガス導入管１４ｂから供給する
と、原料ガスはガス噴射部１４ａの内面に形成された噴
射孔４４を通じて反応容器１２内に噴射される。この噴
射孔４４から噴射された原料ガスは半導体ウエハ２の表
面に水平に且つ均一に供給され、高温雰囲気中で半導体
ウエハ２と原料ガスとが反応して、半導体ウエハ２は所
定の処理がなされる。
【００１７】本実施例の熱処理炉では、ガス噴射部の外
表面を反応容器の内側面と同一の形状に形成し、ガス噴
射部を反応容器の内面に密着させたことにより、ガス噴
射部を反応容器の内面に固定することができるので、ガ
ス噴射部の噴射孔を水平な状態に保持できる。特に、本
実施例では、ガス噴射部を半円筒状に形成したため、ガ
ス噴射部が図１（ｂ）の左右方向に動くことはなく、ガ
ス噴射部のずれを防止できる。したがって、原料ガスを
半導体ウエハの表面に水平に噴射することができるの
で、反応容器の内部の石英ボートに収納された多数の半
導体ウエハに対して均一に原料ガスを供給することがで
きる。この結果、半導体ウエハの全体を一様に処理する
ことができ、半導体製造工程のスループットを向上させ
ることができる。
表面を反応容器の内側面と同一の形状に形成し、ガス噴
射部を反応容器の内面に密着させたことにより、ガス噴
射部を反応容器の内面に固定することができるので、ガ
ス噴射部の噴射孔を水平な状態に保持できる。特に、本
実施例では、ガス噴射部を半円筒状に形成したため、ガ
ス噴射部が図１（ｂ）の左右方向に動くことはなく、ガ
ス噴射部のずれを防止できる。したがって、原料ガスを
半導体ウエハの表面に水平に噴射することができるの
で、反応容器の内部の石英ボートに収納された多数の半
導体ウエハに対して均一に原料ガスを供給することがで
きる。この結果、半導体ウエハの全体を一様に処理する
ことができ、半導体製造工程のスループットを向上させ
ることができる。
【００１８】尚、本発明は、上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ガス噴射部
の内面に噴射孔を一定の間隔で格子状に多数形成した場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、噴射孔は少なくも上下方向に一列形成すれば
よい。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ガス噴射部
の内面に噴射孔を一定の間隔で格子状に多数形成した場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、噴射孔は少なくも上下方向に一列形成すれば
よい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス噴射手段の外表面と反応容器の内面とを同一形状に形
成し、ガス噴射手段を反応容器の内面に密接させたこと
により、ガス噴射手段を反応容器の内面に固定すること
ができるため、ガス噴射手段の開口部を所定の方向に対
して常に平行な状態で保持でき、したがって例えば半導
体製造工程において半導体ウエハの表面全体を一様に処
理することができ、スループットを向上させることがで
きる熱処理炉を提供することができる。
ス噴射手段の外表面と反応容器の内面とを同一形状に形
成し、ガス噴射手段を反応容器の内面に密接させたこと
により、ガス噴射手段を反応容器の内面に固定すること
ができるため、ガス噴射手段の開口部を所定の方向に対
して常に平行な状態で保持でき、したがって例えば半導
体製造工程において半導体ウエハの表面全体を一様に処
理することができ、スループットを向上させることがで
きる熱処理炉を提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例である熱処理炉を上
から見た概略断面図、（ｂ）はその熱処理炉を横から見
た概略断面図である。
から見た概略断面図、（ｂ）はその熱処理炉を横から見
た概略断面図である。
【図２】従来の熱処理炉の概略断面図である。
２ 半導体ウエハ １２ 反応容器 １４ ガス噴射手段 １４ａ ガス噴射部 １４ｂ ガス導入管 １６ マニホールド １８ 炉蓋 ２２ 保温筒 ２４ 石英ボート ２６ ヒータ ３２ ガス排気口 ３４ Ｏリング ４４ 噴射孔
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、略半円筒状に形成され、凹
面状の内表面には原料ガスを前記反応容器内に噴射する
多数の開口部が形成され、凸面状の外表面は前記反応容
器の内面に密接するように形成され且つ前記外表面が前
記反応容器に密接するように前記反応容器内に設けられ
たガス噴射手段と、前記反応容器内の原料ガスを外部に
排出する排出手段とを具備したことを特徴とする熱処理
炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18447292A JPH065535A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18447292A JPH065535A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065535A true JPH065535A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16153765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18447292A Withdrawn JPH065535A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065535A (ja) |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP18447292A patent/JPH065535A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |