JPH0655768A - 静電潜像書き込み用ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 イオンの制御性を損なうことなく、上記イオ
ン流制御通路の幅の制限内においてイオン流出量の確保
を可能とした静電潜像書き込み用ヘッドを提供すること
を目的とする。 【構成】 イオン流制御通路の長さを上記イオン流制御
通路の幅の２倍以下に設定するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プリンタ、複写機、
ファクシミリ等の画像記録装置であって、静電潜像担持
体上に静電潜像を形成し、前記静電潜像を現像すること
により可視像を得、前記可視像を記録部材に転写・定着
する記録装置に使用される静電潜像書き込み用ヘッドに
関し、更に詳細には流体ジェットによってイオン流を放
出して静電潜像を形成する静電潜像書き込み用ヘッドの
改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の静電潜像担持体上に静電
潜像を形成するための静電潜像書き込み用ヘッドとして
は、例えば、特開昭５９−１９０８５４号公報や特開昭
６２−１３８２５０号公報等に開示されたものがある。
この静電潜像書き込み用ヘッド１００は、図７に示すよ
うに、空気導入路１０１とイオン排出路１０２が連通状
態に形成された空洞部１０３内に、イオン発生手段であ
る放電ワイヤ１０４を張設するとともに、前記イオン排
出路１０２にスリット状のイオン流制御通路１０５を連
通するように形成し、当該イオン流制御通路１０５にイ
オン流制御電極１０６、１０６…を所定の記録密度に応
じて配列するように構成したものである。そして、上記
静電潜像書き込み用ヘッド１００は、前記イオン流制御
通路１０５の開口部が静電潜像担持体１０７の表面と対
向するように、当該静電潜像担持体１０７の近傍に配置
される。

【０００３】このように構成される静電潜像書き込み用
ヘッド１００においては、空洞部１０３内に張設された
放電ワイヤ１０４に、図示しないワイヤ電源から高電圧
を印加することによってコロナ放電を発生させ、このコ
ロナ放電によって生成されるイオンを、空洞部１０３内
に空気導入路１０１から導入される圧縮空気により、当
該空洞部１０３に連通したイオン排出路１０２及びイオ
ン流制御通路１０５からイオン流として静電潜像担持体
１０７上へと排出する。その際、前記イオン流制御通路
１０５に配列されたイオン流制御電極１０６、１０６…
に、画像情報に応じて電圧を印加して、イオン流の放出
を電界によってオンオフ制御することにより、静電潜像
担持体１０７上に所定の静電潜像を形成するようになっ
ている。

【０００４】ところで、上記静電潜像書き込み用ヘッド
１００は、イオン流制御通路１０５の幅とイオン流制御
電極１０６、１０６…との関係については何ら規定され
ていないため、静電潜像の電位分布が不安定となり、画
質の低下をきたすという虞れがあった。したがって、静
電潜像の電位分布を安定にするために制御特性を改善す
る必要があった。

【０００５】そこで、本出願人は、イオン流制御通路１
０５の幅とイオン流制御電極１０６、１０６…のピッチ
との関係に着目して制御特性の改善を図ることを目的と
し、特開平２−１５８３５８号公報に開示された静電潜
像書き込み用ヘッドを既に提案している。

【０００６】この静電潜像書き込み用ヘッドは、空気導
入路とイオン排出路とに連通する空洞部内にイオン発生
手段を配設し、上記イオン排出路に連通するイオン流制
御通路を形成するとともに、上記イオン流制御通路にイ
オン流制御用電極を配設し、上記イオン流制御用電極に
よって制御されたイオン流で静電潜像担持体に所定の静
電潜像を形成するようにした静電潜像書き込み用ヘッド
において、上記イオン流制御通路の幅を上記イオン流制
御用電極の電極ピッチの２倍以下に形成して成るように
構成したものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記提案に係る静電潜像書き込み用ヘッドの場合に
は、イオン流制御通路の幅とイオン流制御用電極の電極
ピッチについての規定が行われ、制御性の改善と画質の
安定性が図られている。この提案に係る静電潜像書き込
み用ヘッドによれば、イオンの制御性を十分確保しよう
とした場合には、イオン流制御通路の幅を自由に設定す
ることはできず、電極ピッチの２倍以下とする必要があ
る。

【０００８】ところが、上記静電潜像書き込み用ヘッド
のイオン流出量は、イオン流制御通路の幅によって大き
く変化し、イオン流制御通路の幅が広い方が多くのイオ
ン量を取り出すことができ、静電潜像担持体の表面を短
時間に所定の電位に帯電させることができるので、記録
速度の高速化が可能となる。しかし、イオンの制御性を
考慮してイオン流制御通路の幅を上記イオン流制御用電
極の電極ピッチの２倍以下に形成した場合には、イオン
流制御通路の幅が狭くなる分だけイオン流の取り出し量
が減少し、記録速度の低下を招くという問題点を有して
いる。

【０００９】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、イオンの制御性を損なうことなく、上記イオン
流制御通路の幅の制限内においてイオン流出量の確保を
可能とした静電潜像書き込み用ヘッドを提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、空気導入路とイオン排出路とに連通す
る空洞部内にイオン発生手段を配設し、上記イオン排出
路に連通するイオン流制御通路を形成するとともに、上
記イオン流制御通路にイオン流制御用電極を配設し、上
記イオン流制御用電極によって制御されたイオン流で静
電潜像担持体に所定の静電潜像を形成するようにした静
電潜像書き込み用ヘッドにおいて、上記イオン流制御通
路の長さを上記イオン流制御通路の幅の２倍以下に設定
するように構成したものである。

【００１１】

【作用】上記のように、イオン流制御通路の長さとイオ
ン流制御通路の幅の比とイオン流出量との関係を種々検
討した結果、イオン流制御通路の長さを上記イオン流制
御通路の幅の２倍以下に設定することにより、イオンの
制御性を損なうことなくイオン流出量を確保することが
できる。

【００１２】

【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。

【００１３】図２はこの発明に係る静電潜像書き込み用
ヘッドを適用し得る静電記録装置の一実施例を示すもの
である。

【００１４】図２において、１は静電潜像担持体として
の誘電体ドラムであり、この誘電体ドラム１としては、
例えば、アルミニウムロールを基材１ａとし、その表面
に陽極酸化処理および封孔、研磨処理を施して誘電体層
１ｂを形成したものが用いられる。

【００１５】上記誘電体ドラム１の表面には、静電潜像
書き込み用ヘッドとしてのイオン流制御型記録ヘッド２
によって、画像情報に応じて静電潜像が形成される。こ
の誘電体ドラム１の表面に形成された静電潜像は、現像
器３によって圧力定着性のトナー等を用いて現像され、
トナー像Ｔとなる。そして、上記誘電体ドラム１の表面
に形成されたトナー像Ｔは、当該誘電体ドラム１の回転
と同期して給紙カセット４から供給され、誘電体ドラム
１とこのドラムに圧接される転写ドラム５とのニップ部
を通過する転写用紙６上に、圧力によって転写同時定着
され、このトナー像Ｔが転写定着された転写用紙６は、
装置外部の排出トレイ７上に排出される。なお、トナー
像の転写工程が終了した後の誘電体ドラム１の表面は、
クリーニング装置８のブレード８ａによって残留トナー
等が除去されると共に、除電器９によって残留電荷が消
去され又は所定の電位に帯電され、次の画像記録工程に
備える。

【００１６】ところで、上記静電記録装置に使用される
イオン流制御型記録ヘッドは、次のように構成されてい
る。

【００１７】すなわち、この記録ヘッド２は、図３に示
すように、ステンレス等の導電性材料からなるヘッド本
体１１を備えており、このヘッド本体１１の上部には、
圧縮空気を供給するための大きな供給室１２が、外部に
開口するように形成されている。上記圧縮空気の供給室
１２は、ヘッド本体１１に取付けられた断面円弧状の供
給室カバー１３によって閉塞されており、この供給室カ
バー１３は、供給室１２の一部を形成するとともに、当
該供給室１２内に図示しない圧縮空気の供給源から圧縮
空気を導入するための通路をも構成している。

【００１８】また、上記ヘッド本体１１の下端部には、
図４（ａ）に示すように、下面が開口した空洞部１４が
形成されている。この空洞部１４は、スリット状の空気
導入路１５を介して圧縮空気供給室１２と連通してお
り、圧縮空気供給室１２内の圧縮空気が、空気導入路１
５を介して空洞部１４内に供給されるようになってい
る。上記空洞部１４は、断面略矩形状に形成されてお
り、空気導入路１５よりも大きな開口幅Ｗを隔てて両側
壁１６、１６が互いに平行に対向しているとともに、当
該両側壁１６、１６の上端部分が円弧状の湾曲部１６
ａ、１６ａを介して空気導入路１５に接続されている。

【００１９】さらに、上記空洞部１４の下端は、ヘッド
本体１１に取付けられた絶縁性の基板１７によってイオ
ン排出路１８及びイオン流制御通路１９を残して閉塞さ
れている。上記基板１７上には、図４（ｃ）に示すよう
に、制御電極２０、２０…が所定のピッチで配列されて
おり、これらの制御電極２０、２０…は、図示しない制
御回路に接続されている。そして、上記制御電極２０、
２０…には、図示しない制御回路によって画像情報に応
じて電圧が印加されるようになっている。

【００２０】上記の如く制御電極２０、２０…が形成さ
れた基板１７は、図４（ａ）に示すように、制御電極２
０、２０…上に積層された絶縁層２１と、この絶縁層２
１上に積層された導電性材料からなる平板２２とを介し
て、ヘッド本体１１に取付けられている。上記絶縁層２
１は、導電性平板２２と同じ領域にのみ積層されてい
る。

【００２１】そして、上記導電性平板２２の先端と空洞
部１４の側壁１６との間には、図１及び図４（ｂ）に示
すように、イオン排出路１８が形成されているととも
に、制御電極２０、２０…が露出した基板１７の先端部
とヘッド本体１１の下端面との間には、イオン排出路１
８と連続したイオン流制御通路１９が細いスリット状に
形成されている。これらのイオン排出路１８とイオン流
制御通路１９は、空洞部１４から断面Ｌ字形状に連通し
た通路を形成しており、イオン流制御通路１９の先端
は、外部に開口している。そして、イオン流制御通路１
９の開口が誘電体ドラム１の表面と対向するようになっ
ている。また、上記ヘッド本体１１及び基板１７の先端
部は、その端面が誘電体ドラム１の表面と略平行に対向
するように切除されている。

【００２２】上記記録ヘッド２と対向する誘電体ドラム
１の基材１ａには、図示しないバイアス電源によって所
定のバイアス電圧が印加されており、記録ヘッド２から
放出されるイオン流を、静電界の力によって誘電体ドラ
ム１上に担持させるようになっている。なお、誘電体ド
ラム１の基材１ａに所定のバイアス電圧を印加する以外
にも、誘電体ドラム１の誘電体層１ｂを図示しない前帯
電装置によって一様に前帯電することによって、記録ヘ
ッド２から放出されるイオン流を、前帯電された電荷が
形成する静電界の力によって誘電体ドラム１上に担持さ
せるようにしても良い。

【００２３】また、上記空洞部１４内には、イオン発生
手段としての放電ワイヤ２３が、イオン排出路１８の近
傍に偏って張設されている。この放電ワイヤ２３には、
図示しない高圧電源によって所定の直流の高電圧が印加
されるようになっている。なお、上記記録ヘッド２にお
ける概略のパラメータは、空洞部１４の幅Ｗが２乃至５
ｍｍ、放電ワイヤ２３から導電性平板２２及び側壁１６
への距離が０．５乃至１．５ｍｍ、導電性平板２２の厚
さが０．０５乃至０．２ｍｍ、導電性平板２２の先端と
側壁１６の距離Ｚが０．１乃至０．５ｍｍ、絶縁層２１
の厚さが０．０１乃至０．２ｍｍである。また、基板１
７上の制御電極２０のピッチは、０．０４２ｍｍ（２４
本／ｍｍ）乃至０．１２５ｍｍ（８本／ｍｍ）である。

【００２４】このように構成される記録ヘッド２におい
ては、次のようにして静電潜像の書き込みが行われる。

【００２５】すなわち、上記記録ヘッド２の空洞部１４
内に張設された放電ワイヤ２３に、図示しないワイヤ電
源から高電圧を印加することによってコロナ放電を発生
させ、このコロナ放電によって生成されるイオンを、空
洞部１４内に圧縮空気供給室１２から空気導入路１５を
介して導入される圧縮空気により、当該空洞部１４に連
通したイオン排出路１８及びイオン流制御通路１９から
イオン流として誘電体ドラム１上へと排出する。その
際、前記イオン流制御通路１９に面して配列されたイオ
ン流制御電極２０、２０…に、画像情報に応じて電圧を
印加して、イオン流の放出を制御電極２０、２０…が形
成する電界によってオンオフ制御することにより、誘電
体ドラム１上に画像情報に応じた静電潜像を形成するよ
うになっている。

【００２６】ところで、本発明者らは、上記記録ヘッド
２において、特開平２−１５８３５８号公報に開示され
ているように、イオンの制御性を十分確保しようとした
場合には、イオン流制御通路の幅を自由に設定すること
はできず、制御電極ピッチの２倍以下とする必要がある
ことに鑑み、このように、イオン流制御通路の幅がある
程度制限される場合でも、イオン流の流出量を確保する
ために、イオン流制御通路の形状等に関して種々の研究
を行った。

【００２７】そこで、本発明者らは、イオン流制御通路
の幅と長さとの関係に着目して、イオン流制御通路の幅
と長さとの比を種々変化させた記録ヘッドを試作し、記
録ヘッドのイオン流出量を測定する実験を行った。な
お、ここで、イオン流制御通路の長さとは、図４（ｂ）
に示すように、空洞部１４の側壁１６から制御電極２０
の先端までの長さｘを示している。

【００２８】まず、上記記録ヘッド２としては、図４に
示すものを試作し、空洞部１４の幅Ｗは３ｍｍ、放電ワ
イヤ２３から導電性平板２２及び側壁１６への距離は１
ｍｍ、導電性平板２２の厚さは０．１ｍｍ、導電性平板
２２の先端と側壁１６の距離Ｚは０．４ｍｍ、絶縁層２
１の厚さは０．１ｍｍに、それぞれ設定した。また、イ
オン流制御通路１９の幅は、制御電極２０のピッチに対
し、２倍以下に設定されている。さらに、放電ワイヤ２
３には＋３ＫＶの高電圧を印加するとともに、誘電体ド
ラム１の基材１ａには−１ＫＶのバイアス電圧を印加し
た。

【００２９】そして、上記記録ヘッド２において、空気
導入路１５からの空気流入圧力に対するイオン流出量を
イオン流制御通路１９の長さｘをパラメータとして測定
したところ、図５に示すような結果が得られた。

【００３０】この結果から明らかなように、イオン流制
御通路１９の長さｘに対しイオン流制御通路１９の幅が
１．５倍以下では、空気流がなくとも、すなわち空気圧
が０であってもイオン流が得られたが、イオン流制御通
路１９の長さｘに対しイオン流制御通路の幅が２．０倍
では、空気圧が０であるとイオン流は検出されず、しか
も空気圧を上げても増加量は少なかった。しかし、イオ
ン流制御通路１９の長さｘに対しイオン流制御通路の幅
が２．５倍以上では、空気圧をある程度かけてもイオン
流は検出されず、しかも空気圧を上げても増加量は少な
かった。

【００３１】これに対し、イオン流制御通路１９の長さ
ｘに対しイオン流制御通路１９の幅が１．５倍の場合に
は、空気流がなくとも、すなわち空気圧が０であっても
イオン流をある程度得ることができ、空気圧を上げると
イオン流出量は、大幅に増加した。さらに、イオン流制
御通路１９の長さｘに対しイオン流制御通路１９の幅が
１．０倍及び０．５倍の場合には、空気圧が０における
イオン流出量もかなり多く、又空気圧を上げるとイオン
流出量は、大幅に増加した。

【００３２】更に、放電ワイヤ２３の印加電圧、イオン
流制御通路１９の幅を変えて同様の測定を行ったが、い
ずれの場合においてもイオン量に差はあったが、図５に
示す結果と同様の傾向が見られた。

【００３３】したがって、イオン流制御通路１９の長さ
ｘと幅の比が２．０倍以下であれば、基本的に空気流が
なくとも、すなわち空気圧が０であってもイオン流を得
ることができ、空気圧を上昇させることによって、イオ
ン流出量は、それに伴って増加するため、イオン流制御
通路１９の幅をある程度制限した場合でも、イオン流出
量を確保することができることがわかった。さらに望ま
しくは、イオン流制御通路１９の長さｘと幅の比が１．
５倍以下であれば、空気圧が０であってもある程度のイ
オン流を確保することができ、空気圧を上昇させること
によって、イオン流出量は、それに伴って大幅に増加す
るため、良好であることがわかった。

【００３４】一方、イオン流制御通路１９の長さｘと幅
の比が２．０倍以上であると、空気圧が０であるとイオ
ン流は全く検出されず、しかも空気圧を上げても増加量
は極端に少なく、十分なイオン量を確保することができ
ないことがわかった。よって、イオン流制御通路１９の
長さｘと幅の比が２．５倍以上であると、空気圧をかな
り高く設定しても十分なイオン流出量を確保することが
できない。

【００３５】さらに、本発明者らは、イオン流制御通路
の幅と長さとの比がイオン流出量にどのように影響する
かを調べるため、次に示すような理論的解析を行った。

【００３６】図６はイオン流制御通路付近の電界分布を
有限要素法を用いたコンピュータ・シミュレーションで
求めた例を示すものである。

【００３７】図６（ａ）はイオン流制御通路１９の長さ
と幅の比が２より大きい場合、図６（ｂ）はイオン流制
御通路１９の長さと幅の比が２より小さい場合（約１．
０）の例である。空洞部１５内部では、イオンは放電電
界によりその一部がイオン流制御通路方向に加速される
とともに、ヘッド本体の外側では図示しない誘電体ドラ
ム１のバイアス電圧によるイオン収束電界により、誘電
体ドラム１に向かって加速される。図６（ａ）において
は、イオン流制御通路１９の長さと幅の比が大きいた
め、上記放電電界とイオン収束電界がイオン流制御通路
１９内でつながらず、イオン流制御通路１９内において
電界が上下の壁の方向に向いているため、流入したイオ
ン流は、壁の方向に移動し衝突して電荷を失い、イオン
流制御通路１９内でのイオンの搬送効率が低くなってい
ると考えられる。そのため、空気圧の影響を考慮せず、
イオン流制御通路付近の電界分布によるイオン流の流出
状態のみをみた場合、イオン流制御通路１９の長さと幅
の比が２より大きい場合には、イオン流制御通路１９に
流入したイオン流は、通路１９の壁の方向に移動し衝突
して電荷を失い、イオン流制御通路１９内でのイオンの
搬送効率が低くなっている。そのため、空気圧を上げて
もイオン流の増加量は極端に少なく、イオン流制御通路
１９から流出するイオン量は、基本的にイオン流制御通
路付近の電界分布を決定するイオン流制御通路１９の長
さと幅の比によってほぼ決まることがわかる。

【００３８】一方、図６（ｂ）の場合においては、誘電
体ドラム１のバイアスによる収束電界が空洞部の内部ま
で張り出し、イオン排出路付近のイオンをイオン流制御
通路１９方向に集めるとともに、イオン流制御通路１９
内においても電界はイオンが壁から遠ざかるように働い
ているので、イオンの搬送効率も高くなっていると考え
られる。そのため、空気圧を印加しなくともある程度の
イオン流出量を確保することができ、空気圧を印加する
ことによってイオン流は大幅に増加することがわかる。

【００３９】図５に示したイオン流出量の測定結果は以
上述べた理由により、イオン流制御通路１９の長さｘに
よって誘電体ドラム１のバイアスによって形成された収
束電界によるイオン搬送効率が変化するためであり、特
にイオン流制御通路１９の長さｘと幅の比が２倍以上に
おいて誘電体ドラム１のバイアスによる収束電界のイオ
ン搬送に対する寄与が無くなるためと考えられる。

【００４０】以上のように、イオン流を効率よく取り出
すには、イオン流制御通路１９の長さｘと幅の比は２倍
以下、望ましくは１．５倍以下に設定する必要がある。
一方、イオン流制御通路１９の長さｘを短くすること
は、制御電圧の上昇を招くため、長さは必要なイオン量
と許容される制御電圧の両者を勘案して決定される。

【００４１】

【発明の効果】この発明は、以上の構成及び作用よりな
るもので、イオンの制御性を損なうことなく、上記イオ
ン流制御通路の幅の制限内においてイオン流出量の確保
を可能とした静電潜像書き込み用ヘッドを提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドの一実施例を示す断面構成図である。

【図２】 図２はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドを適用し得る静電記録装置を示す構成図である。

【図３】 図３はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドの一実施例を示す断面図である。

【図４】 図４（ａ）（ｂ）（ｃ）は同静電潜像書き込
み用ヘッドの要部をそれぞれ示す断面図及び制御電極を
示す斜視図である。

【図５】 図５は空気圧とイオン量との関係を示すグラ
フである。

【図６】 図６（ａ）（ｂ）は静電潜像書き込み用ヘッ
ドにおける電界の作用を示す模式図である。

【図７】 図７は従来の静電潜像書き込み用ヘッドを示
す断面図である。

【符号の説明】

２ 記録ヘッド、１１ ヘッド本体、１４ 空洞部、１
５ 空気導入路、１８イオン排出路、１９ イオン流制
御通路、２０ 制御電極、２３ 放電ワイヤ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年４月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の静電潜像担持体上に静電
潜像を形成するための静電潜像書き込み用ヘッドとして
は、例えば、特開昭５９−１９０８５４号公報や特開昭
６２−１３８２５０号公報等に開示されたものがある。
この静電潜像書き込み用ヘッド１００は、図９に示すよ
うに、空気導入路１０１とイオン排出路１０２が連通状
態に形成された空洞部１０３内に、イオン発生手段であ
る放電ワイヤ１０４を張設するとともに、前記イオン排
出路１０２にスリット状のイオン流制御通路１０５を連
通するように形成し、当該イオン流制御通路１０５にイ
オン流制御電極１０６、１０６…を所定の記録密度に応
じて配列するように構成したものである。そして、上記
静電潜像書き込み用ヘッド１００は、前記イオン流制御
通路１０５の開口部が静電潜像担持体１０７の表面と対
向すうように、当該静電潜像担持体１０７の近傍に配置
される。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】さらに、上記空洞部１４の下端は、ヘッド
本体１１に取付けられた絶縁性の基板１７によってイオ
ン排出路１８及びイオン流制御通路１９を残して閉塞さ
れている。上記基板１７上には、図５に示すように、制
御電極２０、２０…が所定のピッチで配列されており、
これらの制御電極２０、２０…は、図示しない制御回路
に接続されている。そして、上記制御電極２０、２０…
には、図示しない制御回路によって画像情報に応じて電
圧が印加されるようになっている。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】更に、放電ワイヤ２３の印加電圧、イオン
流制御通路１９の幅を変えて同様の測定を行ったが、い
ずれの場合においてもイオン量に差はあったが、図６に
示す結果と同様の傾向が見られた。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３６】図７及び図８はイオン流制御通路付近の電
界分布を有限要素法を用いたコンピュータ・シミュレー
ションで求めた例を示すものである。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３７】図７はイオン流制御通路１９の長さと幅の
比が２よりも大きい場合、図８はイオン流制御通路１９
の長さと幅の比が２よりも小さい場合（約１．０）の例
である。空洞部１５内部では、イオンは放電電界により
その一部がイオン流制御通路方向に加速されるととも
に、ヘッド本体の外側では図示しない誘電体ドラム１の
バイアス電圧によるイオン収束電界により、誘電体ドラ
ム１に向かって加速される。図７においては、イオン流
制御通路１９の長さと幅の比が大きいため、上記放電電
界とイオン収束電界がイオン流制御通路１９内でつなが
らず、イオン流制御通路１９内において電界が上下の壁
の方向に向いているため、流入したイオン流は、壁の方
向に移動し衝突して電荷を失い、イオン流制御通路１９
内でのイオンの搬送効率が低くなっていると考えられ
る。そのため、空気圧の影響を考慮せず、イオン流制御
通路付近の電界分布によるイオン流の流出状態のみをみ
た場合、イオン流制御通路１９の長さと幅の比が２より
も大きい場合には、イオン流制御通路１９に流入したイ
オン流は、通路１９の壁の方向に移動し衝突して電荷を
失い、イオン流制御通路１９内でのイオンの搬送効率が
低くなっている。そのため、空気圧を上げてもイオン流
の増加量は極端に少なく、イオン流制御通路１９から流
出するイオン量は、基本的にイオン流制御通路付近の電
界分布を決定するイオン流制御通路１９の長さと幅の比
によってほぼ決まることがわかる。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】一方、図８の場合においては、誘電体ドラ
ム１のバイアスによる収束電界が空洞部の内部まで張り
出し、イオン排出路付近のイオンをイオン流制御通路１
９方向に集めるとともに、イオン流制御通路１９内にお
いても電界はイオンが壁から遠ざかるように働いている
ので、イオンの搬送効率も高くなっていると考えられ
る。そのため、空気圧を印加しなくともある程度のイオ
ン流出量を確保することができ、空気圧を印加すること
によってイオン流は大幅に増加することがわかる。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３９】図６に示したイオン流出量の測定結果は以
上述べた理由により、イオン流制御通路１９の長さｘに
よって誘電体ドラム１のバイアスによって形成された収
束電界によるイオン搬送効率が変化するためであり、特
にイオン流制御通路１９の長さｘと幅の比が２倍以上に
おいて誘電体ドラム１のバイアスによる収束電界のイオ
ン搬送に対する寄与が無くなるためと考えられる。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドの一実施例を示す断面構成図である。

【図２】 図２はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドを適用し得る静電記録装置を示す構成図である。

【図３】 図３はこの発明に係る静電潜像書き込み用ヘ
ッドの一実施例を示す断面図である。

【図４】 図４（ａ）（ｂ）は同静電潜像書き込み用ヘ
ッドの要部をそれぞれ示す断面図である。

【図５】 図５は同静電潜像書き込み用ヘッドの制御電
極を示す斜視図である。

【図６】 図６は空気圧とイオン量との関係を示すグラ
フである。

【図７】 図７は静電潜像書き込み用ヘッドにおける電
界の作用を示す模式図である。

【図８】 図８は静電潜像書き込み用ヘッドにおける電
界の作用を示す模式図である。

【図９】 図９は従来の静電潜像書き込み用ヘッドを示
す断面図である。

【手続補正９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 空気導入路とイオン排出路とに連通する
   空洞部内にイオン発生手段を配設し、上記イオン排出路
   に連通するイオン流制御通路を形成するとともに、上記
   イオン流制御通路にイオン流制御用電極を配設し、上記
   イオン流制御用電極によって制御されたイオン流で静電
   潜像担持体に所定の静電潜像を形成するようにした静電
   潜像書き込み用ヘッドにおいて、上記イオン流制御通路
   の長さを上記イオン流制御通路の幅の２倍以下に設定し
   たことを特徴とする静電潜像書き込み用ヘッド。