JPH065581A - 化合物半導体のエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体のエッチング方法Info
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- JPH065581A JPH065581A JP16239492A JP16239492A JPH065581A JP H065581 A JPH065581 A JP H065581A JP 16239492 A JP16239492 A JP 16239492A JP 16239492 A JP16239492 A JP 16239492A JP H065581 A JPH065581 A JP H065581A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＩｎＡｓＰ半導体結晶薄膜をマスクとし
てＡｌＧａＡｓ半導体結晶を選択的に湿式エッチングす
ることにより、サイドエッチングを抑制し、加工制御性
に優れたＡｌＧａＡｓ半導体結晶のエッチングを行う。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長した
ＡｌＧａＡｓ半導体結晶２表面に該半導体に格子整合す
る組成のＧａＩｎＡｓＰ半導体薄膜結晶３をエピタキシ
ャル成長した後、該薄膜結晶の一部をレジストパターン
にしたがってエッチング除去し、これをエッチングマス
クとして該ＡｌＧａＡｓ半導体結晶を選択的に湿式エッ
チングする。 【効果】 ＡｌＧａＡｓ結晶内部に無用の歪みや損傷を
与える事なくサイドエッチングを抑制した湿式エッチン
グを行うことができる。
てＡｌＧａＡｓ半導体結晶を選択的に湿式エッチングす
ることにより、サイドエッチングを抑制し、加工制御性
に優れたＡｌＧａＡｓ半導体結晶のエッチングを行う。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長した
ＡｌＧａＡｓ半導体結晶２表面に該半導体に格子整合す
る組成のＧａＩｎＡｓＰ半導体薄膜結晶３をエピタキシ
ャル成長した後、該薄膜結晶の一部をレジストパターン
にしたがってエッチング除去し、これをエッチングマス
クとして該ＡｌＧａＡｓ半導体結晶を選択的に湿式エッ
チングする。 【効果】 ＡｌＧａＡｓ結晶内部に無用の歪みや損傷を
与える事なくサイドエッチングを抑制した湿式エッチン
グを行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体の湿式エッ
チング方法に係る。
チング方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶の加工技術として、結晶を腐
食性の液体（エッチング液）に浸すことによりエッチン
グを行う湿式エッチングがある。この方法においては、
エッチング液に耐性のあるレジストを半導体表面に塗布
し、該レジストをフォトリソグラフィーあるいは電子線
リソグラフィーの方法により、部分的に除去することに
よってレジストパターンを形成し、半導体結晶をエッチ
ング液に浸すことによって、半導体結晶の必要な部分の
みを残してエッチングをする方法が半導体素子構造の形
成に応用されている。
食性の液体（エッチング液）に浸すことによりエッチン
グを行う湿式エッチングがある。この方法においては、
エッチング液に耐性のあるレジストを半導体表面に塗布
し、該レジストをフォトリソグラフィーあるいは電子線
リソグラフィーの方法により、部分的に除去することに
よってレジストパターンを形成し、半導体結晶をエッチ
ング液に浸すことによって、半導体結晶の必要な部分の
みを残してエッチングをする方法が半導体素子構造の形
成に応用されている。
【０００３】湿式エッチング技術は他のエッチング技術
と比べて、装置設備が簡便で半導体結晶に与える損傷が
小さいといった特徴を有するので、特に半導体発光素子
のように結晶中の欠陥が素子特性に大きい影響を与える
場合に多用されている。
と比べて、装置設備が簡便で半導体結晶に与える損傷が
小さいといった特徴を有するので、特に半導体発光素子
のように結晶中の欠陥が素子特性に大きい影響を与える
場合に多用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、湿式エ
ッチングには以下の問題がある。すなわち、マスクとし
て用いるレジストと下地結晶間の密着性が悪いために、
エッチング液は両層間に入り込み、サイドエッチングが
入る。しかも前記の密着性を厳密に制御することが困難
であるために、サイドエッチング量の制御性が悪く、加
工寸法のばらつきが大きくなる。したがって、湿式エッ
チング法で作成される半導体デバイスの特性が一定せ
ず、製造歩留まりが悪いという問題があった。
ッチングには以下の問題がある。すなわち、マスクとし
て用いるレジストと下地結晶間の密着性が悪いために、
エッチング液は両層間に入り込み、サイドエッチングが
入る。しかも前記の密着性を厳密に制御することが困難
であるために、サイドエッチング量の制御性が悪く、加
工寸法のばらつきが大きくなる。したがって、湿式エッ
チング法で作成される半導体デバイスの特性が一定せ
ず、製造歩留まりが悪いという問題があった。
【０００５】そのため、ＳｉＮｘ等の誘電体をＣＶＤ法
等によって薄膜形成し、下地結晶との密着性を改善した
マスクとして用いる方法も行われているが、この方法は
デバイス製造工程が複雑になるうえに、下地結晶に好ま
しくない歪みや損傷を与えてしまうといった問題があ
る。
等によって薄膜形成し、下地結晶との密着性を改善した
マスクとして用いる方法も行われているが、この方法は
デバイス製造工程が複雑になるうえに、下地結晶に好ま
しくない歪みや損傷を与えてしまうといった問題があ
る。
【０００６】そこで、従来の密着性の問題を解消するた
めに、ＡｌＧａＡｓ結晶のような半導体結晶において
は、混晶組成比によってエッチング速度が異なることを
利用して、エピタキシャル成長薄膜をマスク層とする方
法が用いられている。例えば、図４に従来例の断面図を
示す。図４（ａ）に示すごとくＧａＡｓ基板１表面にエ
ピタキシャル成長形成したＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓｌｌ表面
上に、マスク層として、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ薄膜結晶１
２をエピタキシャル成長形成し、レジストパターン形成
後、図４（ｂ）に示すごとくフッ酸によってＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓマスク層１２結晶の一部を除去する。
めに、ＡｌＧａＡｓ結晶のような半導体結晶において
は、混晶組成比によってエッチング速度が異なることを
利用して、エピタキシャル成長薄膜をマスク層とする方
法が用いられている。例えば、図４に従来例の断面図を
示す。図４（ａ）に示すごとくＧａＡｓ基板１表面にエ
ピタキシャル成長形成したＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓｌｌ表面
上に、マスク層として、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ薄膜結晶１
２をエピタキシャル成長形成し、レジストパターン形成
後、図４（ｂ）に示すごとくフッ酸によってＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓマスク層１２結晶の一部を除去する。
【０００７】続いて、図４（ｃ）に示すごとく、Ａｌ0.
6Ｇａ0.4Ａｓマスク層１２をＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ結晶の
エッチングマスクとして用いて、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓを
腐食しない配合としたアンモニア、過酸化水素水、水の混
合溶液でＡｌ0.1Ｇａ0・9Ａｓ結晶１２のみを選択的にエ
ッチングする。エッチングマスクとして用いたＡｌ0・6
Ｇａ0・4Ａｓ結晶は、下地であるＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ結
晶にエピタキシャル成長形成されたものであるため、下
地との密着性は極めて良好である。
6Ｇａ0.4Ａｓマスク層１２をＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ結晶の
エッチングマスクとして用いて、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓを
腐食しない配合としたアンモニア、過酸化水素水、水の混
合溶液でＡｌ0.1Ｇａ0・9Ａｓ結晶１２のみを選択的にエ
ッチングする。エッチングマスクとして用いたＡｌ0・6
Ｇａ0・4Ａｓ結晶は、下地であるＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ結
晶にエピタキシャル成長形成されたものであるため、下
地との密着性は極めて良好である。
【０００８】しかしながら、この場合、マスク層として
用いたＡｌ0,6Ｇａ0.4Ａｓ結晶の混晶比が０．６と大き
いために表面が酸化されやすく、レジストとの密着が不
良で、レジストパターンどおりのエッチングはできな
い。このように、混晶比の差によるエッチング速度の違
いを利用してエピタキシャル成長薄膜をマスクとして用
いようとすると、エッチングしたい下地結晶とエッチン
グマスクとして用いる結晶の混晶比の差を大きく取る必
要があり、特に下地結晶を多層構造としたい場合の構造
上の自由度が制限される。
用いたＡｌ0,6Ｇａ0.4Ａｓ結晶の混晶比が０．６と大き
いために表面が酸化されやすく、レジストとの密着が不
良で、レジストパターンどおりのエッチングはできな
い。このように、混晶比の差によるエッチング速度の違
いを利用してエピタキシャル成長薄膜をマスクとして用
いようとすると、エッチングしたい下地結晶とエッチン
グマスクとして用いる結晶の混晶比の差を大きく取る必
要があり、特に下地結晶を多層構造としたい場合の構造
上の自由度が制限される。
【０００９】また、上記のように結晶表面の酸化の問題
もあるので、実素子構造の作製には不適当である。
もあるので、実素子構造の作製には不適当である。
【００１０】本発明は上記問題を解決するためになされ
たものでレジストパターンどおりにＡｌＧａＡｓ半導体
結晶をエッチングすることを目的とする。
たものでレジストパターンどおりにＡｌＧａＡｓ半導体
結晶をエッチングすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の湿式エッチング
方法は、ＡｌＧａＡｓ半導体結晶表面に格子整合する組
成のＧａＩｎＡｓＰ薄膜結晶をエピタキシャル形成し、
該ＧａＩｎＡｓＰ結晶をエッチングマスクとして選択エ
ッチングの方法により該ＡｌＧａＡｓ半導体結晶をエッ
チングする。
方法は、ＡｌＧａＡｓ半導体結晶表面に格子整合する組
成のＧａＩｎＡｓＰ薄膜結晶をエピタキシャル形成し、
該ＧａＩｎＡｓＰ結晶をエッチングマスクとして選択エ
ッチングの方法により該ＡｌＧａＡｓ半導体結晶をエッ
チングする。
【００１２】
【作用】本発明におけるＧａＩｎＡｓＰ薄膜結晶マスク
は、下地のＡｌＧａＡｓ半導体結晶に格子整合するよう
にエピタキシャル成長法により作製したので、素子の特
性に悪影響を及ぼす無用の歪みや損傷を与えることなく
密着性を改善する。
は、下地のＡｌＧａＡｓ半導体結晶に格子整合するよう
にエピタキシャル成長法により作製したので、素子の特
性に悪影響を及ぼす無用の歪みや損傷を与えることなく
密着性を改善する。
【００１３】また、下地結晶と異なる材料からなるので
エッチングの選択比が大きく、素子構造の自由度が高
く、加工の制御性に優れた湿式エッチングを可能にす
る。
エッチングの選択比が大きく、素子構造の自由度が高
く、加工の制御性に優れた湿式エッチングを可能にす
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による湿式エッチング方法を実
施例に基づいて詳細に説明する。
施例に基づいて詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の第１の実施例のエッチン
グ方法を示す断面図である。まず、図１（ａ）に示すご
とく、ＧａＡｓ基板１表面にエピタキシャル結晶成長形
成したＡｌＧａＡｓ層２上に、該ＡｌＧａＡｓ結晶に格
子整合する組成のＧａＩｎＡｓＰ薄膜結晶をマスク層３
としてエピタキシャル成長形成する。ここで、ＧａＩｎ
ＡｓＰ薄膜結晶３の厚さはサイドエッチングを抑制する
ために１００ｎｍ以下であることが望ましい。ＧａＩｎ
ＡｓＰ結晶はＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合しているの
で、ＡｌＧａＡｓ層２内部に無用の歪みを生じせしめる
ことなくＧａＩｎＡｓＰマスク層３を形成することがで
きる。続いて、ＧａＩｎＡｓＰマスク層３表面に、フォ
トリソグラフィー法もしくは電子線リソグラフィー法に
よってパターン形成したレジスト４を作製する。
グ方法を示す断面図である。まず、図１（ａ）に示すご
とく、ＧａＡｓ基板１表面にエピタキシャル結晶成長形
成したＡｌＧａＡｓ層２上に、該ＡｌＧａＡｓ結晶に格
子整合する組成のＧａＩｎＡｓＰ薄膜結晶をマスク層３
としてエピタキシャル成長形成する。ここで、ＧａＩｎ
ＡｓＰ薄膜結晶３の厚さはサイドエッチングを抑制する
ために１００ｎｍ以下であることが望ましい。ＧａＩｎ
ＡｓＰ結晶はＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合しているの
で、ＡｌＧａＡｓ層２内部に無用の歪みを生じせしめる
ことなくＧａＩｎＡｓＰマスク層３を形成することがで
きる。続いて、ＧａＩｎＡｓＰマスク層３表面に、フォ
トリソグラフィー法もしくは電子線リソグラフィー法に
よってパターン形成したレジスト４を作製する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すごとく、ＧａＩｎ
ＡｓＰ結晶を腐食する溶液、例えば飽和臭素酸：リン
酸：水＝２：１：１５の混合液を用い、レジストパター
ンにしたがってＧａＩｎＡｓＰマスク層３を除去する。
この際、ＧａＩｎＡｓＰマスク層３は充分薄いために、
横方向のエッチングを無視できる。よってレジストパタ
ーンを忠実にＧａＩｎＡｓＰマスク層３に転写すること
ができる。
ＡｓＰ結晶を腐食する溶液、例えば飽和臭素酸：リン
酸：水＝２：１：１５の混合液を用い、レジストパター
ンにしたがってＧａＩｎＡｓＰマスク層３を除去する。
この際、ＧａＩｎＡｓＰマスク層３は充分薄いために、
横方向のエッチングを無視できる。よってレジストパタ
ーンを忠実にＧａＩｎＡｓＰマスク層３に転写すること
ができる。
【００１７】しかる後に、図１（ｃ）に示すごとく、Ａ
ｌＧａＡｓ結晶のみを腐食する溶液、例えば、硫酸：過
酸化水素水：水＝１：２：２０の混合液を用いて湿式エ
ッチングの方法により、ＡｌＧａＡｓ層２内部に溝を形
成する。ＧａＩｎＡｓＰマスク層３は下地であるＡｌＧ
ａＡｓ層２上に格子整合するようにエピタキシャル成長
形成されたものであるため、下地との密着性が極めて良
好で、マスク層下部へのエッチング液の回り込みはな
い。また、ＧａＩｎＡｓＰ結晶を腐食しないエッチング
液を用いているために、サイドエッチングなくＡｌＧａ
Ａｓ層２内部に溝を形成することが可能である。したが
って、レジストパターンと同一幅をもった溝をＡｌＧａ
Ａｓ層２内部に形成することができる。
ｌＧａＡｓ結晶のみを腐食する溶液、例えば、硫酸：過
酸化水素水：水＝１：２：２０の混合液を用いて湿式エ
ッチングの方法により、ＡｌＧａＡｓ層２内部に溝を形
成する。ＧａＩｎＡｓＰマスク層３は下地であるＡｌＧ
ａＡｓ層２上に格子整合するようにエピタキシャル成長
形成されたものであるため、下地との密着性が極めて良
好で、マスク層下部へのエッチング液の回り込みはな
い。また、ＧａＩｎＡｓＰ結晶を腐食しないエッチング
液を用いているために、サイドエッチングなくＡｌＧａ
Ａｓ層２内部に溝を形成することが可能である。したが
って、レジストパターンと同一幅をもった溝をＡｌＧａ
Ａｓ層２内部に形成することができる。
【００１８】図２は本発明の第２の実施例に係わる内部
ストライプ型半導体レーザの断面図である。図２で示す
半導体レーザは、第１の導電型を持つＧａＡｓ基板１表
面への、それぞれＡｌＧａＡｓ結晶からなっている、第
１の導電型を持つ第１クラッド層５（Ｘ５）、活性層６
（Ｘ６）、第２の導電型を持つ第２クラッド層７（Ｘ
７）、第１の導電型を持つ電流阻止層８（Ｘ８）、第２
の導電型を持つ第３クラッド層９（Ｘ９）、および第２
の導電型を持つコンタクト層１０の積層構造からなる。
ここで、（）内はＡｌＧａＡｓ結晶のＡｌＡｓモル分率
を示す０以上１以下の数値であり、Ｘ６＜Ｘ５、Ｘ６＜
Ｘ７、Ｘ８≦Ｘ６、Ｘ６＜Ｘ９の関係式を満たす。
ストライプ型半導体レーザの断面図である。図２で示す
半導体レーザは、第１の導電型を持つＧａＡｓ基板１表
面への、それぞれＡｌＧａＡｓ結晶からなっている、第
１の導電型を持つ第１クラッド層５（Ｘ５）、活性層６
（Ｘ６）、第２の導電型を持つ第２クラッド層７（Ｘ
７）、第１の導電型を持つ電流阻止層８（Ｘ８）、第２
の導電型を持つ第３クラッド層９（Ｘ９）、および第２
の導電型を持つコンタクト層１０の積層構造からなる。
ここで、（）内はＡｌＧａＡｓ結晶のＡｌＡｓモル分率
を示す０以上１以下の数値であり、Ｘ６＜Ｘ５、Ｘ６＜
Ｘ７、Ｘ８≦Ｘ６、Ｘ６＜Ｘ９の関係式を満たす。
【００１９】次に図２で示す半導体レーザ構造の作成方
法を示す。ＧａＡｓ基板１表面上に第１クラッド層５か
ら電流阻止層８までをエピタキシャル成長形成し、続い
て図には示さないＧａＩｎＡｓＰマスク層をエピタキシ
ャル成長形成する。次に、電流阻止層８内部にストライ
プ溝を第１の実施例と同様の方法で形成し、ＧａＩｎＡ
ｓＰマスク層を取り除いた後に、第３クラッド層および
コンタクト層１０を成長形成する。
法を示す。ＧａＡｓ基板１表面上に第１クラッド層５か
ら電流阻止層８までをエピタキシャル成長形成し、続い
て図には示さないＧａＩｎＡｓＰマスク層をエピタキシ
ャル成長形成する。次に、電流阻止層８内部にストライ
プ溝を第１の実施例と同様の方法で形成し、ＧａＩｎＡ
ｓＰマスク層を取り除いた後に、第３クラッド層および
コンタクト層１０を成長形成する。
【００２０】本実施例では内部ストライプ構造を形成す
るのに下地ＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合するＧａＩｎＡ
ｓＰ薄膜結晶をエッチングマスクとして用いているの
で、レーザ内部に無用の歪みや損傷を生じさせることな
く、ストライプ幅の均一性のよい半導体レーザを容易に
作製できる。本実施例では、ＧａＩｎＡｓＰマスク層を
ストライプ溝を形成した後に取り除いたが、取り除かず
に半導体レーザ内部に埋め込んでもよい。
るのに下地ＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合するＧａＩｎＡ
ｓＰ薄膜結晶をエッチングマスクとして用いているの
で、レーザ内部に無用の歪みや損傷を生じさせることな
く、ストライプ幅の均一性のよい半導体レーザを容易に
作製できる。本実施例では、ＧａＩｎＡｓＰマスク層を
ストライプ溝を形成した後に取り除いたが、取り除かず
に半導体レーザ内部に埋め込んでもよい。
【００２１】図３は本発明の第３の実施例に係わる内部
ストライプ型半導体レーザの断面図である。図３で示す
レーザは、第１の導電型を持つＧａＡｓ基板１表面上へ
の、それぞれＡｌＧａＡｓ結晶からなっている、第２の
導電型を持つ電流阻止層８（Ｘ８）、第１の導電型を持
つ第１クラッド層５（Ｘ５）、活性層６（Ｘ６）、第２
の導電型を持つ第２クラッド層７（Ｘ７）、および第２
の導電型を持つコンタクト層１０の積層構造からなり、
Ｘ６＜Ｘ５、Ｘ６＜Ｘ７、Ｘ８≦Ｘ６の関係式を満た
す。本構造の作成方法は第２の実施例と同様とする。
尚、第２，３の実施例ではエッチングマスクであるＧａ
ＩｎＡｓＰマスクを除去したが残したままでも良い。
ストライプ型半導体レーザの断面図である。図３で示す
レーザは、第１の導電型を持つＧａＡｓ基板１表面上へ
の、それぞれＡｌＧａＡｓ結晶からなっている、第２の
導電型を持つ電流阻止層８（Ｘ８）、第１の導電型を持
つ第１クラッド層５（Ｘ５）、活性層６（Ｘ６）、第２
の導電型を持つ第２クラッド層７（Ｘ７）、および第２
の導電型を持つコンタクト層１０の積層構造からなり、
Ｘ６＜Ｘ５、Ｘ６＜Ｘ７、Ｘ８≦Ｘ６の関係式を満た
す。本構造の作成方法は第２の実施例と同様とする。
尚、第２，３の実施例ではエッチングマスクであるＧａ
ＩｎＡｓＰマスクを除去したが残したままでも良い。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ＡｌＧａＡｓ半導体結
晶の表面に成長形成した該ＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合
する組成のＧａＩｎＡｓＰ結晶薄膜をマスクとして湿式
エッチングを行うことにより、該ＡｌＧａＡｓ結晶内部
に無用の歪みや損傷を与える事なく、良好な精度で、容
易にＡｌＧａＡｓ結晶を加工することができる。
晶の表面に成長形成した該ＡｌＧａＡｓ結晶に格子整合
する組成のＧａＩｎＡｓＰ結晶薄膜をマスクとして湿式
エッチングを行うことにより、該ＡｌＧａＡｓ結晶内部
に無用の歪みや損傷を与える事なく、良好な精度で、容
易にＡｌＧａＡｓ結晶を加工することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのエッチ
ング工程を示す断面図である。
ング工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための内部ス
トライプ型半導体レーザの断面図である。
トライプ型半導体レーザの断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を説明するための内部ス
トライプ型半導体レーザの断面図である。
トライプ型半導体レーザの断面図である。
【図４】従来例を説明するためのエッチング工程を示す
断面図である。
断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＡｌＧａＡｓ結晶 ３ ＧａＩｎＡｓＰマスク層 ４ レジスト ５ 第１クラッド層 ６ 活性層 ７ 第２クラッド層 ８ 電流阻止層 ９ 第３クラッド層 １０ コンタクト層 １１ Ａｌ0・1Ｇａ0.9Ａｓ層 １２ Ａｌ0・6Ｇａ0.4Ａｓマスク層
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌXＧａ1-XＡｓ（０≦ｘ≦１）半導体
結晶表面に、該半導体結晶に格子整合する組成のＧａＩ
ｎＡｓＰ半導体結晶を直接にエピタキシャル成長形成
し、該ＧａＩｎＡｓＰ半導体結晶をマスクとして前記の
ＡｌXＧａ1-XＡｓ半導体結晶を選択的にエッチングする
ことを特徴とする、ＡｌXＧａ1-XＡｓ半導体の湿式エッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239492A JP3215504B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体発光装置の製造方法、及び半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239492A JP3215504B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体発光装置の製造方法、及び半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065581A true JPH065581A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3215504B2 JP3215504B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=15753758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16239492A Expired - Fee Related JP3215504B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体発光装置の製造方法、及び半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215504B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16239492A patent/JP3215504B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3215504B2 (ja) | 2001-10-09 |
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