JPH065588A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置において、素子形成領域を狭めるこ
となく、しかもシリコン基板の欠陥の少ないチャネルス
トッパー及びフィールド酸化膜の形成方法を提供する。 【構成】素子分離のためのフィールド酸化膜を形成する
領域以外の領域に、薄い酸化膜２、及び耐酸化と不純物
導入のマスクのための厚い耐酸化膜３を形成し、素子分
離法によりフィールド酸化膜を形成した後、該フィール
ド酸化膜下にチャネルストッパーを形成する半導体装置
の製造方法において、上記厚い耐酸化膜３の側壁に上記
フィールド酸化膜５と選択エッチング可能なサイドウォ
ール６ａを形成する工程と、上記厚い耐酸化膜３及びサ
イドウォール６ａをマスクとして、不純物を導入して上
記フィールド酸化膜５下にのみ上記チャネルストッパー
４ａを形成する工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に半導体装置におけるフィールド酸化膜およ
びフィールド酸化膜下のチャネルストッパーの形成方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置における、素子間分離のため
のフィールド酸化膜及びフィールド酸化膜下のチャネル
ストッパーは半導体装置のサイズ及び特性に影響を与
え、重要である。

【０００３】まず、従来のチャネルストッパー形成方法
について述べる。

【０００４】図６は第１の従来例によるチャネルストッ
パー形成工程における断面図である。

【０００５】この第１の従来例では、まずシリコン基板
１を熱酸化した後に、ＣＶＤ（化学気相成長）法により
耐酸化膜としてのＳｉＮをシリコン基板１の上方全面に
形成する。次にフィールド酸化膜を形成する領域以外の
領域にレジストパターン（図示せず）を形成した後に、
このレジストパターンをマスクとしてＳｉＮ及び熱酸化
を除去し、図６（ａ）に示す様に耐酸化膜１３ａ及びパ
ッド酸化膜２を形成する。

【０００６】次に、耐酸化膜１３ａをマスクとして不純
物をシリコン基板１にイオン注入し、図６（ａ）に示す
様に不純物拡散層１４ａを形成する。

【０００７】次に耐酸化膜１３ａを酸化マスクとして、
素子分離法（ＬＯＣＯＳ）により図６（ｂ）に示すよう
にフィールド酸化膜１５ａを形成する。この時、不純物
拡散層１４ａは、拡散しフィールド酸化膜１５ａの下に
チャネルストッパー１４ｂを形成する。

【０００８】次に、図７は第２の従来例によるチャネル
ストッパー形成工程断面図である。

【０００９】この第２の従来例では、まず図７（ａ）に
示す様にシリコン基板１上にフィールド酸化膜を形成す
る領域以外の領域にパッド酸化膜２及び耐酸化膜１３ｂ
を形成する。

【００１０】次に図７（ｂ）に示す様に、ＬＯＣＯＳ法
によりフィールド酸化膜１５ｂを形成し、その後図７
（ｃ）に示す様に不純物をイオン注入しフィールド酸化
膜１５ｂの下にチャネルストッパー１４ｃを形成する。

【００１１】図８は第３の従来例によるチャネルストッ
パー形成工程における断面図である。

【００１２】この第３の従来例では、まず図８（ａ）に
示す様にシリコン基板１上にフィールド酸化膜を形成す
る領域以外の領域にパッド酸化膜２及び厚い耐酸化膜１
３ｃを形成する。

【００１３】次に図８（ｂ）に示す様に、ＬＯＣＯＳ法
によりフィールド酸化膜１５ｃを形成する。次に耐酸化
膜１３ｃをマスクとして、不純物イオンを注入すると、
フィールド酸化膜１５ｃの下にチャネルストッパー１４
ｄが形成される。

【００１４】次に、従来のフィールド酸化膜形成方法に
ついて述べる。

【００１５】図９は、第１従来例によるフィールド酸化
膜形成工程における断面図である。

【００１６】この第１の従来例では、まず図９（ａ）に
示す様にフィールド酸化膜を形成する領域以外にパッド
酸化膜２及び耐酸化膜（ＳｉＮ）２３ａを形成する。

【００１７】次に、図９（ｂ）に示すようにＬＯＣＯＳ
法により耐酸化膜２３ａを酸化マスクとしてシリコン基
板１上にフィールド酸化膜２５ａを形成する。

【００１８】図１０は、第２の従来例によるフィールド
酸化膜形成工程における断面図である。

【００１９】この第２の従来例では、まず図１０（ａ）
に示す様にフィールド酸化膜を形成する領域以外の領域
に、パッド酸化膜２及び耐酸化膜（ＳｉＮ）２３ｃを形
成する。

【００２０】次に図１０（ｂ）に示す様に、シリコン基
板１の上方全面にＣＶＤ法により耐酸化膜（ＳｉＮ）２
３ｃを形成した後、この耐酸化膜２３ｃをＲＩＥにより
エッチバックし、耐酸化膜２３ｃの側壁に耐酸化サイド
ウォール１７を形成する。

【００２１】次に、耐酸化膜２３ｃ及び耐酸化サイドウ
ォール１７を酸化マスクとしてＬＯＣＯＳ法によりフィ
ールド酸化膜２５ｂを形成する。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】上記、従来のチャネル
ストッパー及びフィールド酸化膜の形成方法いずれも以
下の様な課題がある。

【００２３】まず、従来のチャネルストッパーの形成方
法において、図６に示した、フィールド酸化膜１５を形
成する前に不純物をイオン注入する第１の従来例では、
図６（ｂ）に示した様にフィールド酸化膜１５ａを形成
する際に、不純物拡散層１４ａがフィールド酸化膜１５
ａに隣接する素子形成領域にまで拡散してしまい、その
為素子形成領域を狭くし、しかも素子形成領域周辺での
リーク電流増加の原因となり問題である。

【００２４】また、図７に示した、フィールド酸化膜１
５ｂを形成し、耐酸化膜１３ｂを除去した後に、不純物
をイオン注入する第２の従来例ではチャネルストッパー
１４ｃが、素子形成領域の下部に形成されてしまい、そ
の為にこの上方に形成される素子の特性に影響を与え、
問題である。

【００２５】また、図８に示した、フィールド酸化膜１
５ｃを形成後、耐酸化膜１３ｃをマスクとして不純物を
イオン注入する第３の従来例では耐酸化膜１３ｃの側壁
の下方においてチャネルストッパー１４ｄが形成されて
しまい、このため素子形成領域が狭くなり、リーク電流
が大きくなり問題である。

【００２６】また、従来のフィールド酸化膜形成方法に
おいても以下の様な課題がある。

【００２７】まず、図９に示した第１の従来例では、図
９（ｂ）に示した様に耐酸化膜２３ａの下部まで酸化さ
れてしまい、フィールド酸化膜２５ａの先端がバーズビ
ーク（鳥のくちばし）として長く伸びてしまう。しか
し、この耐酸化膜２３ａの下部は素子形成領域であり、
このバーズビークとしてフィールド酸化膜２５ａが成長
した分だけ、素子形成領域を狭くし問題である。そこ
で、バーズビークの成長を抑えるため、耐酸化膜２３ａ
を厚くしパッド酸化膜２に圧力を与えると、この耐酸化
膜２３ａのシリコン基板１へのストレスにより、フィー
ルド酸化膜２５ａの周辺に欠陥が多く発生し、リーク電
流が多くなり問題である。

【００２８】また、図１０に示した第２の従来例では耐
酸化膜２３ｂの側壁に耐酸化サイドウォール１７を形成
し、この耐酸化サイドウォール１７が酸化マスクとして
作用するのでこの分耐酸化膜２３ｂ下のバーズビークを
小さく抑えることが出来るが、耐酸化サイドウォール１
７によるシリコン基板１へのストレスにより、図１０
（ｄ）に示す様に耐酸化サイドウォール１７下に欠陥が
発生し、リーク電流が多くなり問題である。

【００２９】そこで本発明は半導体装置において、素子
形成領域を狭めることなく、しかもシリコン基板の欠陥
の少ないチャネルストッパー及びフィールド酸化膜の形
成方法を提供することを目的とする。

【００３０】

【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、素子分離のためのフィールド酸化膜を形成する領域
以外の領域に、薄い酸化膜、及び耐酸化と不純物導入の
マスクのための厚い耐酸化膜を形成し、素子分離法によ
りフィールド酸化膜を形成した後、該フィールド酸化膜
下にチャネルストッパーを形成する半導体装置の製造方
法において、前記厚い耐酸化膜の側壁に前記フィールド
酸化膜と選択エッチング可能なサイドウォールを形成す
る工程と、前記厚い耐酸化膜及びサイドウォールをマス
クとして、不純物を導入して前記フィールド酸化膜下に
のみ前記チャネルストッパーを形成する工程を含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され
る。

【００３１】また上記課題は本発明によれば、素子分離
のためのフィールド酸化膜と、このフィールド酸化膜下
にチャネルストッパーを有する半導体装置の製造方法に
おいて、前記フィールド酸化膜を形成する領域以外の領
域に、薄い酸化膜、第１耐酸化膜、ポリシリコン膜、第
２耐酸化膜を順次形成する工程と、前記薄い酸化膜、第
１耐酸化膜、ポリシリコン膜、第２耐酸化膜の側壁に耐
酸化サイドウォールを形成する工程と、素子分離法によ
り前記フィールド酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化
サイドウォールの側壁に前記フィールド酸化膜と選択エ
ッチング可能なサイドウォールを形成する工程と、前記
第１耐酸化膜及びポリシリコン膜及び第２耐酸化膜及び
サイドウォールをマスクとして、不純物を導入し前記フ
ィールド酸化膜の下にのみ前記チャネルストッパーを形
成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法によって解決される。

【００３２】上記課題は本発明によれば、素子分離のた
めのフィールド酸化膜を有する半導体装置の製造方法に
おいて、前記フィールド酸化膜を形成する領域以外の領
域に薄い酸化膜及び耐酸化膜を順次形成した後に、素子
分離法により、前段階として薄い第１フィールド酸化膜
を形成する工程と、前記耐酸化膜の側壁に耐酸化サイド
ウォールを形成する工程と、前記耐酸化膜及び耐酸化サ
イドウォールをマスクとして、所定の領域の前記薄い第
１フィールド酸化膜を除去する工程と、素子分離法によ
り前記フィールド酸化膜を形成する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。

【００３３】

【作用】本発明によれば、図１（ｂ）に示す様に薄い酸
化膜２上に形成した厚い耐酸化膜３を酸化マスクとして
素子分離法により素子分離のためのフィールド酸化膜５
を形成した後、厚い耐酸化膜３の側壁にフィールド酸化
膜５と選択エッチング可能なサイドウォール６ａを形成
し、不純物を導入すると厚い耐酸化膜３及びサイドウォ
ール６ａが不純物のマスクとして作用するので、チャネ
ルストッパー４ａをフィールド酸化膜５に隣接する素子
形成領域に伸びることなく、フィールド酸化膜５の下部
のみに形成することが出来る。またサイドウォール６ａ
及び厚い耐酸化膜３がフィールド酸化膜５と選択的エッ
チング可能であるので、サイドウォール６ａ、厚い耐酸
化膜３を好適に除去することが出来る。

【００３４】また、本発明によれば図３（ｂ）に示す様
に薄い酸化膜２、第１耐酸化膜３ａ、ポリシリコン膜
４、第２耐酸化膜３ｂ及びポリシリコン膜４の側壁に薄
い耐酸化サイドウォール７を形成し、素子分離法により
フィールド酸化膜５を形成する時に、まずポリシリコン
膜４はシリコン基板１へ与えるストレスは耐酸化膜に比
べて小さいので、耐酸化膜のみに比べてシリコン基板１
の欠陥を少なく抑えることが出来る。更にポリシリコン
膜４は、第１耐酸化膜３ａ及び第２耐酸化膜３ｂ、耐酸
化サイドウォール７で被覆されているので酸化されるこ
とを防止することが出来るので、後工程においてポリシ
リコン膜４のみを好適に除去することが出来る。次に耐
酸化サイドウォール７の側壁にフィールド酸化膜５と選
択エッチング可能なサイドウォール６ａが不純物導入時
のマスクとして作用するので、素子形成領域を狭くする
ことなく、チャネルストッパー４ｂを形成することがで
きる。更に、サイドウォール６ａがフィールド酸化膜５
と選択エッチング可能であるので、このサイドウォール
６ａのみを好適に除去することが出来る。従って、シリ
コン基板１の欠陥を少なくかつ、フィールド酸化膜５の
下部のみにチャネルストッパー４ｂを形成することが出
来る。

【００３５】本発明によれば、図４（ｂ）に示す様に耐
酸化膜１３を酸化マスクとして薄い第１フィールド酸化
膜１５ａを形成すると、第１フィールド酸化膜１５ａが
薄い分だけ、熱酸化時間が短いので耐酸化膜１３ａ下の
バーズビークの成長を抑えることができる。次に図４
（ｄ）に示す様に、耐酸化膜１３の側壁に耐酸化サイド
ウォール１７を形成すると、この耐酸化サイドウォール
１７の下には薄い酸化膜２よりも厚い第１フィールド酸
化膜１５ａが形成されているので、シリコン基板１へ与
えるストレスを抑えることが出来る。そのため、耐酸化
サイドウォール１７及び耐酸化膜１３をマスクとして第
１フィールド酸化膜１５ａを除去した後、素子分離法に
より図５（ｂ）に示す様にフィールド酸化膜１５ｃを形
成すると、耐酸化サイドウォール１７によりバーズビー
クの成長を抑えられ、しかもシリコン基板１へのストレ
スが抑えられる分だけシリコン基板１の欠陥を少なくす
ることが出来る。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００３７】図１は、本発明の第１実施例を示すチャネ
ルストッパー形成工程における断面図である。

【００３８】本実施例では、まずシリコン基板１を熱酸
化し、薄い酸化膜を１０ｎｍの厚さに形成した後に、耐
酸化膜としてのＳｉＮをＣＶＤ（化学気相成長）法によ
りシリコン基板１の上方全面に３５０ｎｍの厚さに、形
成する。

【００３９】次に、フィールド酸化膜を形成する領域以
外の領域にレジストパターン（図示せず）を形成し、Ｒ
ＩＥ（反応性イオンエッチング）及びウェットエッチン
グにより、図１（ａ）に示す様に耐酸化膜（ＳｉＮ）３
及びパッド酸化膜２を形成する。

【００４０】次に、耐酸化膜３を酸化マスクとしてＬＯ
ＣＯＳ法により図１（ｂ）に示す様に、フィールド酸化
膜５を形成する。次に、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜
を全面に形成した後に、ＲＩＥにより、エッチバックし
図１（ｃ）に示す様にサイドウォール（ポリシリコン）
６ａを６０ｎｍの厚さに形成する。

【００４１】次に、不純物（ＰＭＯＳトランジスターで
はリン又はヒ素、ＮＭＯＳトランジスターではボロン
等）をイオン注入し、チャネルストッパー４ａを形成す
る。この時、サイドウォール（ポリシリコン）６ａ及び
耐酸化膜３が不純物イオンのマスクとして作用するの
で、フィールド酸化膜５に隣接する素子形成領域に不純
物が拡散することがない。

【００４２】次にポリシリコン膜６ａ及び耐酸化膜３を
ＲＩＥにより除去する。以上の様にして、図２に示す様
にフィールド酸化膜５の下部のみにチャネルストッパー
４ａを形成することが出来る。

【００４３】しかし本実施例では、耐酸化膜３の厚さが
大きいので、フィールド酸化膜５を形成の際に、シリコ
ン基板１にかかるストレスにより、フィールド酸化膜５
に隣接する領域に欠陥が多く発生する可能性がある。そ
こで、次に示す第２実施例がこれを解決する。

【００４４】図３は、本発明の第２実施例を示すチャネ
ルストッパー形成工程における断面図である。

【００４５】本実施例では、まずシリコン基板１を熱酸
化し１０ｎｍの厚さに熱酸化膜を形成した後、この熱酸
化膜上に、ＣＶＤ法により第１耐酸化膜としてのＳｉＮ
を５０ｎｍの厚さに、ポリシリコン膜を２５０ｎｍの厚
さに、第２耐酸化膜としてのＳｉＮを５０ｎｍの厚さに
形成する。次に、フィールド酸化膜を形成する領域以外
の領域にレジストパターン（図示せず）を形成し、この
レジストパターンをマスクとしてＲＩＥにより第２耐酸
化膜、ポリシリコン膜、第１耐酸化膜、熱酸化膜を順次
除去し、図３（ａ）に示す様に素子形成領域上方にパッ
ド酸化膜２、第１耐酸化膜３ａ、ポリシリコン膜４、第
２耐酸化膜３ｂを形成する。

【００４６】次に、耐酸化膜としてのＳｉＮをシリコン
基板１の上方全面に形成した後、ＲＩＥによりエッチバ
ックし、図３（ａ）に示す様に１０ｎｍの厚さに耐酸化
サイドウォール７を形成する。

【００４７】次に、９５０℃の温度で約６０分熱酸化
し、図３（ｂ）に示す様にフィールド酸化膜５を形成す
る。この時、素子形成領域上方のポリシリコン膜４が、
シリコン基板１にかかるストレスを抑えることが出来、
フィールド酸化膜５に隣接するシリコン基板１の欠陥を
少なくすることが出来る。しかも耐酸化サイドウォール
７、第１耐酸化膜３ａ、第２耐酸化膜３ｂにより、ポリ
シリコン膜４の酸化を防止することが出来る。

【００４８】次に、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜をシ
リコン基板１の上方全面に形成し、このポリシリコン膜
をＲＩＥによりエッチバックし、図３（ｃ）に示す様に
耐酸化サイドウォール７の側壁にサイドウォール（ポリ
シリコン）６ａを５０ｎｍの厚さに形成する。

【００４９】次に図３（ｃ）に示す様に不純物をイオン
注入し、チャネルストッパー４ｂを形成する。この時、
サイドウォール６ａ及び第１耐酸化膜３ａ、ポリシリコ
ン膜４、第２耐酸化膜３ｂがマスクとして作用するので
フィールド酸化膜５の下にのみチャネルストッパー４ｂ
を形成することが出来る。

【００５０】次にサイドウォール６ａ、耐酸化サイドウ
ォール７、第２耐酸化膜３ｂ、ポリシリコン膜４、第１
耐酸化膜３ａをそれぞれＲＩＥにより除去する。

【００５１】次に、図４及び図５は本発明のフィールド
酸化膜形成工程における一実施例を示す断面図である。

【００５２】本実施例では、まずシリコン基板１を熱酸
化した熱酸化膜を１０ｎｍの厚さに形成した後、ＣＶＤ
法により耐酸化膜としてのＳｉＮを１００ｎｍの厚さに
形成する。次に、フィールド酸化膜形成領域以外の領域
（素子形成領域）にレジストパターン（図示せず）を形
成し、このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥによ
りＳｉＮ及び熱酸化膜を除去し、図４（ａ）に示す様に
素子形成領域にパッド酸化膜２及び耐酸化膜（ＳｉＮ）
１３を形成する。

【００５３】次に９５０℃の温度で１０分〜２０分程度
の時間熱酸化を行い５０ｎｍの厚さに、図４（ｂ）に示
す様に、第１フィールド酸化膜１５ａを形成する。つぎ
に、図４（ｃ）に示す様に、ＣＶＤ法によりシリコン基
板１上方全面に耐酸化膜としてのＳｉＮ１３ａを形成す
る。

【００５４】次に、ＲＩＥにより耐酸化膜１３ａをエッ
チバックし、図４（ｄ）に示す様に耐酸化膜１３の側壁
に、耐酸化サイドウォール１７を形成する。次に、耐酸
化膜１３及び耐酸化サイドウォール１７をマスクとし
て、ＲＩＥにより図５（ａ）に示す様に、第１フィール
ド酸化膜１５ａを除去し、耐酸化サイドウォール１７の
下に第１フィールド酸化膜１５ｂを残す。

【００５５】次に、９５０℃の温度で約６０分熱酸化を
行い、図５（ｂ）に示す様に２７０ｎｍの厚さにフィー
ルド酸化膜１５ｃを形成する。この時、耐酸化サイドウ
ォール１７下の第１フィールド酸化膜１５ｃがシリコン
基板１へのストレスを緩和し、更に耐酸化サイドウォー
ル１７によりバーズビークの成長を抑えることが出来
る。

【００５６】次にＲＩＥにより、図５（ｃ）に示す様に
耐酸化膜１３及び耐酸化サイドウォール１７を除去す
る。

【００５７】以上の様に、バーズビークの成長を抑えか
つシリコン基板１の欠陥の少ないフィールド酸化膜１５
ｃを形成することが出来る。

【００５８】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば半導
体装置におけるフィールド酸化膜下のチャネルストッパ
ーを、素子形成領域を狭めることなく形成することが出
来る。更に、バーズビークの成長を抑えて素子形成領域
を狭めることなく、しかもシリコン基板の欠陥の少な
い、フィールド酸化膜を形成することができるのでリー
ク電流を抑えることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に示すチャネルストッパー形成工程
断面図（Ｉ）である。

【図２】第１実施例に示すチャネルストッパー形成工程
断面図（II）である。

【図３】第２実施例に示すチャネルストッパー形成工程
断面図である。

【図４】実施例に示すフィールド酸化膜形成工程断面図
（Ｉ）である。

【図５】実施例に示すフィールド酸化膜形成工程断面図
（II）である。

【図６】第１の従来例によるチャネルストッパー形成工
程断面図である。

【図７】第２の従来例によるチャネルストッパー形成工
程断面図である。

【図８】第３の従来例によるチャネルストッパー形成工
程断面図である。

【図９】第１の従来例によるフィールド酸化膜形成工程
断面図である。

【図１０】第２の従来例によるフィールド酸化膜形成工
程断面図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ パッド酸化膜（薄い酸化膜） ３，１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，２３ｃ 耐酸化膜
（ＳｉＮ） ３ａ 第１耐酸化膜（ＳｉＮ） ３ｂ 第２耐酸化膜（ＳｉＮ） ４ ポリシリコン膜 ４ａ，４ｂ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ チャネルストッ
パー ５，１５ｃ，２５ａ，２５ｂ フィールド酸化膜 ６ａ サイドウォール（ポリシリコン） ７，１７ 耐酸化サイドウォール １５ａ，１５ｂ 第１フィールド酸化膜 １４ａ 不純物拡散層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 素子分離のためのフィールド酸化膜を形
   成する領域以外の領域に、薄い酸化膜、及び耐酸化と不
   純物導入のマスクのための厚い耐酸化膜を形成し、素子
   分離法によりフィールド酸化膜を形成した後、該フィー
   ルド酸化膜下にチャネルストッパーを形成する半導体装
   置の製造方法において、 前記厚い耐酸化膜の側壁に前記フィールド酸化膜と選択
   エッチング可能なサイドウォールを形成する工程と、 前記厚い耐酸化膜及びサイドウォールをマスクとして、
   不純物を導入して前記フィールド酸化膜下にのみ前記チ
   ャネルストッパーを形成する工程を含むことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 素子分離のためのフィールド酸化膜と、
   このフィールド酸化膜下にチャネルストッパーを有する
   半導体装置の製造方法において、 前記フィールド酸化膜を形成する領域以外の領域に、薄
   い酸化膜、第１耐酸化膜、ポリシリコン膜、第２耐酸化
   膜を順次形成する工程と、 前記薄い酸化膜、第１耐酸化膜、ポリシリコン膜、第２
   耐酸化膜の側壁に耐酸化サイドウォールを形成する工程
   と、 素子分離法により前記フィールド酸化膜を形成する工程
   と、 前記耐酸化サイドウォールを側壁に前記フィールド酸化
   膜と選択エッチング可能なサイドウォールを形成する工
   程と、 前記第１耐酸化膜及びポリシリコン膜及び第２耐酸化膜
   及びサイドウォールをマスクとして、不純物を導入し前
   記フィールド酸化膜の下にのみ前記チャネルストッパー
   を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 素子分離のためのフィールド酸化膜を有
   する半導体装置の製造方法において、 前記フィールド酸化膜を形成する領域以外の領域に薄い
   酸化膜及び耐酸化膜を順次形成した後に、素子分離法に
   より、前段階として薄い第１フィールド酸化膜を形成す
   る工程と、 前記耐酸化膜の側壁に耐酸化サイドウォールを形成する
   工程と、 前記耐酸化膜及び耐酸化サイドウォールをマスクとし
   て、所定の領域の前記薄い第１フィールド酸化膜を除去
   する工程と、 素子分離法により前記フィールド酸化膜を形成する工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。