JPH0656545A - バイア用金属含有ペースト組成物およびその焼結方法 - Google Patents
バイア用金属含有ペースト組成物およびその焼結方法Info
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- JPH0656545A JPH0656545A JP5096201A JP9620193A JPH0656545A JP H0656545 A JPH0656545 A JP H0656545A JP 5096201 A JP5096201 A JP 5096201A JP 9620193 A JP9620193 A JP 9620193A JP H0656545 A JPH0656545 A JP H0656545A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、その体積収縮率がセラミッ
ク材料の体積収縮率と近似しかつセラミックへの接着が
強化されるバイア組成物およびその焼結方法を提供する
ことである。 【構成】 本バイア組成物は、導電性の第１金属と、酸
化可能な第２金属と、有機媒体とを含む。そして本発明
の焼結方法は、例えば図２に示すようなサイクルに従
う。
ク材料の体積収縮率と近似しかつセラミックへの接着が
強化されるバイア組成物およびその焼結方法を提供する
ことである。 【構成】 本バイア組成物は、導電性の第１金属と、酸
化可能な第２金属と、有機媒体とを含む。そして本発明
の焼結方法は、例えば図２に示すようなサイクルに従
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、共焼成されるガラスま
たはセラミック（以下では単にセラミックと称する）構
造と共に使用する、金属で充填したバイア組成物に関す
るものである。このバイア組成物は、その体積収縮率が
セラミックの体積収縮率と近似するように処方すること
ができ、それにより、バイア（特に銅で充填したバイ
ア）とセラミックの焼結時の体積収縮率の不一致の問題
が解決される。この新規のバイア組成物は、セラミック
材料への接着性が強化されている。
たはセラミック（以下では単にセラミックと称する）構
造と共に使用する、金属で充填したバイア組成物に関す
るものである。このバイア組成物は、その体積収縮率が
セラミックの体積収縮率と近似するように処方すること
ができ、それにより、バイア（特に銅で充填したバイ
ア）とセラミックの焼結時の体積収縮率の不一致の問題
が解決される。この新規のバイア組成物は、セラミック
材料への接着性が強化されている。
【０００２】本発明はまた、新規のバイア組成物の収縮
が制御され、接着性が改善される、焼結方法を提供す
る。
が制御され、接着性が改善される、焼結方法を提供す
る。
【０００３】
【従来の技術】セラミック構造は、通常多層であり、か
つそうであることが好ましく、電子回路用基板および電
子デバイスの製造に使用されている。多数の異なる構造
が使用されているが、これらの構造のいくつかを下記に
記載する。たとえば、多層セラミック基板は、絶縁体と
して機能するセラミック層の間に挟まれた、導電体とし
て機能するパターン付き金属層からなる。基板は、半導
体チップ、コネクタ・リード、キャパシタ、抵抗、カバ
ー等を取り付けるための端子パッドを設けて設計するこ
とができる。埋め込まれた導体レベル間の相互接続は、
積層前に各セラミック層中に形成された、金属ペースト
で充填された穴によって形成されたバイアを介して行う
ことができ、これを焼結すると金属をベースとする導体
による焼結された高密度の金属相互接続が得られる。
つそうであることが好ましく、電子回路用基板および電
子デバイスの製造に使用されている。多数の異なる構造
が使用されているが、これらの構造のいくつかを下記に
記載する。たとえば、多層セラミック基板は、絶縁体と
して機能するセラミック層の間に挟まれた、導電体とし
て機能するパターン付き金属層からなる。基板は、半導
体チップ、コネクタ・リード、キャパシタ、抵抗、カバ
ー等を取り付けるための端子パッドを設けて設計するこ
とができる。埋め込まれた導体レベル間の相互接続は、
積層前に各セラミック層中に形成された、金属ペースト
で充填された穴によって形成されたバイアを介して行う
ことができ、これを焼結すると金属をベースとする導体
による焼結された高密度の金属相互接続が得られる。
【０００４】一般に、従来のセラミック構造は、セラミ
ック粒子、熱可塑性重合体バインダ、可塑剤、および溶
剤を混合して調製したセラミックのグリーンシートから
形成される。この組成物を、散布または注型してセラミ
ック・シートまたはスリップとし、後で溶剤を蒸発させ
ると、結合した自立性の柔軟なグリーン・シートが得ら
れる。グリーン・シートは、ブランキング、パンチン
グ、スクリーニング、スタッキング、および積層後、十
分な温度で焼成して、重合体バインダ樹脂を蒸発させ、
セラミック粒子を焼結させると、高密度のセラミック基
板が形成される。
ック粒子、熱可塑性重合体バインダ、可塑剤、および溶
剤を混合して調製したセラミックのグリーンシートから
形成される。この組成物を、散布または注型してセラミ
ック・シートまたはスリップとし、後で溶剤を蒸発させ
ると、結合した自立性の柔軟なグリーン・シートが得ら
れる。グリーン・シートは、ブランキング、パンチン
グ、スクリーニング、スタッキング、および積層後、十
分な温度で焼成して、重合体バインダ樹脂を蒸発させ、
セラミック粒子を焼結させると、高密度のセラミック基
板が形成される。
【０００５】電子回路基板の形成に使用する導体は、モ
リブデン、タングステン等の高融点金属、または金等の
貴金属とすることができる。しかし、銅や銅合金等の、
電気抵抗が低く、低コストの導体を使用することが望ま
しい。
リブデン、タングステン等の高融点金属、または金等の
貴金属とすることができる。しかし、銅や銅合金等の、
電気抵抗が低く、低コストの導体を使用することが望ま
しい。
【０００６】多層セラミック構造の製造における主要な
問題は、金属バイアとセラミックの体積収縮率が一致せ
ず、また一部には金属バイアと周囲のセラミックの接着
が不十分なために、金属バイアとセラミック材料の間に
隙間が生じることである。
問題は、金属バイアとセラミックの体積収縮率が一致せ
ず、また一部には金属バイアと周囲のセラミックの接着
が不十分なために、金属バイアとセラミック材料の間に
隙間が生じることである。
【０００７】代表的なバイア・ペースト組成物は、金属
粒子、エチル・セルロース系の有機バインダ、溶剤、可
塑剤、および流動調整剤からなる。
粒子、エチル・セルロース系の有機バインダ、溶剤、可
塑剤、および流動調整剤からなる。
【０００８】バイア組成物に少量のガラス粉末またはセ
ラミック粒子（フリット）を添加すると、金属とセラミ
ックの熱膨張係数の不一致から生じる応力が緩和される
ことが知られている。フリットの量は、高性能の回路に
必要な導電性をできるだけ高く保つために、少量にす
る。有用なペースト組成物は、粉末状金属成分の一部と
して、約１０％の粉末フリットを含有する。
ラミック粒子（フリット）を添加すると、金属とセラミ
ックの熱膨張係数の不一致から生じる応力が緩和される
ことが知られている。フリットの量は、高性能の回路に
必要な導電性をできるだけ高く保つために、少量にす
る。有用なペースト組成物は、粉末状金属成分の一部と
して、約１０％の粉末フリットを含有する。
【０００９】しかし、たとえば銅ペーストに少量のフリ
ットを添加した後でも、固形分をできるだけ高くしても
銅ペーストの体積収縮率は４０％を超える。実際に、８
８重量％の銅を含有する銅ペーストの体積収縮率の理論
値は５５％である。一方、代表的なセラミックの焼成時
の体積収縮率は、約４０％である。導体とセラミックの
全体積収縮率のこの差（すなわち体積収縮率の不一致）
により、バイアとセラミックとの間に隙間が生じる。
ットを添加した後でも、固形分をできるだけ高くしても
銅ペーストの体積収縮率は４０％を超える。実際に、８
８重量％の銅を含有する銅ペーストの体積収縮率の理論
値は５５％である。一方、代表的なセラミックの焼成時
の体積収縮率は、約４０％である。導体とセラミックの
全体積収縮率のこの差（すなわち体積収縮率の不一致）
により、バイアとセラミックとの間に隙間が生じる。
【００１０】これまで、収縮率を一致させ、金属と誘電
体の接着力を強化しようと試みながら、導電性に関して
バイアの完全性を維持することは不可能であった。
体の接着力を強化しようと試みながら、導電性に関して
バイアの完全性を維持することは不可能であった。
【００１１】たとえば、米国特許第４８８０６８４号明
細書には、誘電率が低く、熱膨張係数が好ましく、比較
的低い温度（８５０〜１０００℃）での焼成が可能で、
金、銀、銅等の金属と共に使用できる、ガラス・セラミ
ック組成物を使用することの諸利益が記載されている。
熱的に一致しない材料の間に膨張ゾーンを形成するため
に、セラミックとこれに付随する内部金属の間に均一な
隙間を設ける。この特許は、隙間による密封性の不利益
が、キャプチャ・パッドの使用によって解決できると教
示している。このパッドは、密封性を与え、応力を緩和
し、デバイスを取り付けるための平坦なベースを提供す
る。したがって、同特許は、金属充填バイアまたはペー
ストとセラミックの体積収縮率の不一致によって生じる
隙間を除去するのではなく、それに対処することを教示
している。
細書には、誘電率が低く、熱膨張係数が好ましく、比較
的低い温度（８５０〜１０００℃）での焼成が可能で、
金、銀、銅等の金属と共に使用できる、ガラス・セラミ
ック組成物を使用することの諸利益が記載されている。
熱的に一致しない材料の間に膨張ゾーンを形成するため
に、セラミックとこれに付随する内部金属の間に均一な
隙間を設ける。この特許は、隙間による密封性の不利益
が、キャプチャ・パッドの使用によって解決できると教
示している。このパッドは、密封性を与え、応力を緩和
し、デバイスを取り付けるための平坦なベースを提供す
る。したがって、同特許は、金属充填バイアまたはペー
ストとセラミックの体積収縮率の不一致によって生じる
隙間を除去するのではなく、それに対処することを教示
している。
【００１２】米国特許第４６８７５９７号明細書には、
微小回路に銅の導体組成物を使用すること、および焼成
中の銅の酸化の問題が記載されている。この特許は、微
粉化した銅粒子、粗い銅粒子、還元可能な重金属酸化
物、および任意選択で超硬金属または表面積の大きい貴
金属からなる、銅上にオーバプリントするのに適した、
フリットを含まない銅の導体組成物を教示している。超
硬金属としてタングステンを使用した場合、タングステ
ンは還元剤として機能し、酸素捕捉剤として働く。
微小回路に銅の導体組成物を使用すること、および焼成
中の銅の酸化の問題が記載されている。この特許は、微
粉化した銅粒子、粗い銅粒子、還元可能な重金属酸化
物、および任意選択で超硬金属または表面積の大きい貴
金属からなる、銅上にオーバプリントするのに適した、
フリットを含まない銅の導体組成物を教示している。超
硬金属としてタングステンを使用した場合、タングステ
ンは還元剤として機能し、酸素捕捉剤として働く。
【００１３】米国特許第４４９３７８９号明細書には、
酸化アルミニウム、二酸化シリコン、または類似の酸化
物と、高融点の金属粉末（モリブデンまたは白金）を、
セラミックのメタライゼーション用のペーストの形で混
合することが開示されている。金属の粒径は０．３〜
８．０μｍであり、金属粉末に添加する酸化物粉末の量
は、０．１〜３．０重量％である。収縮率の制御につい
ては何もふれていない。
酸化アルミニウム、二酸化シリコン、または類似の酸化
物と、高融点の金属粉末（モリブデンまたは白金）を、
セラミックのメタライゼーション用のペーストの形で混
合することが開示されている。金属の粒径は０．３〜
８．０μｍであり、金属粉末に添加する酸化物粉末の量
は、０．１〜３．０重量％である。収縮率の制御につい
ては何もふれていない。
【００１４】米国特許第４４０９２６１号明細書には、
銅金属プロセスに使用するペーストに、銅粉末とガラス
・フリットを混合することが開示されている。銅粉の粒
径は、１．０〜５．０μｍであるが、ガラス・フリット
の粒径は、サブミクロンである。ガラス・フリットは、
ホウケイ酸鉛ガラス等、低融点のフリットであればよ
い。銅は純粋なものでも、純粋でなくてもよい。このプ
ロセスは、金属導体の焼成中に保護雰囲気が必要でな
い。この特許では、銅の収縮率の制御については何もふ
れていない。
銅金属プロセスに使用するペーストに、銅粉末とガラス
・フリットを混合することが開示されている。銅粉の粒
径は、１．０〜５．０μｍであるが、ガラス・フリット
の粒径は、サブミクロンである。ガラス・フリットは、
ホウケイ酸鉛ガラス等、低融点のフリットであればよ
い。銅は純粋なものでも、純粋でなくてもよい。このプ
ロセスは、金属導体の焼成中に保護雰囲気が必要でな
い。この特許では、銅の収縮率の制御については何もふ
れていない。
【００１５】米国特許第４６１９８３６号明細書には、
酸素または同等のプラズマを使用して有機バインダを除
去する、厚膜金属インク・プロセスの使用が開示されて
いる。これは金属粒子を酸化せず、実際に表面酸化が存
在してもそれが除去されることを示している。インクに
粒子の小さいガラス・フリットが添加してあるので、組
成物を次にガラス転移温度より高い温度で焼成すると、
金属パターンの形成が完了する。
酸素または同等のプラズマを使用して有機バインダを除
去する、厚膜金属インク・プロセスの使用が開示されて
いる。これは金属粒子を酸化せず、実際に表面酸化が存
在してもそれが除去されることを示している。インクに
粒子の小さいガラス・フリットが添加してあるので、組
成物を次にガラス転移温度より高い温度で焼成すると、
金属パターンの形成が完了する。
【００１６】米国特許第４５４０６０４号明細書には、
平均粒径が２．０〜４．０μｍの、酸化物でコーティン
グした微小な銅粒子を使用して、銅メタライゼーション
・ペーストを製造することが開示されている。焼成する
と酸化物のコーティングが分解し、銅以外の金属添加物
が０．２〜５．０重量％であるため、得られた金属は複
数の焼成後も銅の物理特性を保つ。
平均粒径が２．０〜４．０μｍの、酸化物でコーティン
グした微小な銅粒子を使用して、銅メタライゼーション
・ペーストを製造することが開示されている。焼成する
と酸化物のコーティングが分解し、銅以外の金属添加物
が０．２〜５．０重量％であるため、得られた金属は複
数の焼成後も銅の物理特性を保つ。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、バ
イア組成物、特に銅のバイア組成物とセラミック材料と
の間に隙間ができる問題を解決することにある。
イア組成物、特に銅のバイア組成物とセラミック材料と
の間に隙間ができる問題を解決することにある。
【００１８】本発明の他の目的は、バイア、特に銅を含
有するバイアと、セラミックとの接着力を強化すること
にある。
有するバイアと、セラミックとの接着力を強化すること
にある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、導電性
の第１の金属と、酸化可能な第２の金属と、第１および
第２金属を分散させる有機媒体とを含む金属含有ペース
トによって達成される。本発明の好ましい実施例では、
導電性の第１の金属は銅であり、酸化可能な第２の金属
は、鉄、ニッケル、およびコバルトからなる群から選択
される。最も好ましい実施例では、導電性の第１の金属
は銅であり、酸化可能な第２の金属は、バイア組成物中
の金属の全量に対して５〜２５重量％の鉄である。この
最も好ましい実施例については、本発明は一部には、焼
結時に鉄が酸化して、マグネタイトまたはヘマタイトに
なり、膨張するのを制御し、したがって銅の収縮を制御
することに基づくものである。低温でヘマタイトを形成
することにより、制御された量の酸化第一銅が導体に導
入され、接着が増強される。
の第１の金属と、酸化可能な第２の金属と、第１および
第２金属を分散させる有機媒体とを含む金属含有ペース
トによって達成される。本発明の好ましい実施例では、
導電性の第１の金属は銅であり、酸化可能な第２の金属
は、鉄、ニッケル、およびコバルトからなる群から選択
される。最も好ましい実施例では、導電性の第１の金属
は銅であり、酸化可能な第２の金属は、バイア組成物中
の金属の全量に対して５〜２５重量％の鉄である。この
最も好ましい実施例については、本発明は一部には、焼
結時に鉄が酸化して、マグネタイトまたはヘマタイトに
なり、膨張するのを制御し、したがって銅の収縮を制御
することに基づくものである。低温でヘマタイトを形成
することにより、制御された量の酸化第一銅が導体に導
入され、接着が増強される。
【００２０】本発明の他の実施例では、本発明のバイア
組成物を使用して、特定の水蒸気焼結サイクルにより、
多層セラミック回路モジュールが形成される。
組成物を使用して、特定の水蒸気焼結サイクルにより、
多層セラミック回路モジュールが形成される。
【００２１】本発明の他の実施例では、（ａ）全金属に
対して約９５〜７５重量％の銅と、約５〜２５重量％の
鉄と、上記銅および鉄を分散させる有機媒体とを含む金
属含有ペーストを、誘電体材料上に塗布する段階と、
（ｂ）不活性雰囲気中で部分焼結する段階と、（ｃ）Ｆ
ｅを酸化してＦｅ3Ｏ4を生成するのに十分な時間、６８
０℃を超える温度で、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅ2Ｏ3より安定とな
るように酸素分圧が十分低い雰囲気中で焼結を行う段階
と、（ｄ）Ｆｅ2Ｏ3がＦｅ3Ｏ4より安定となるように、
温度を下げ、酸素分圧を上昇させる段階と、（ｅ）不活
性雰囲気中で、Ｆｅ2Ｏ3の一部がＣｕと反応してＦｅ3
Ｏ4とＣｕ2Ｏとを生成するのに十分な温度および時間で
焼結を行う段階とを含む、共に焼成した誘電体と金属を
有する密封基板の製造方法が提供される。
対して約９５〜７５重量％の銅と、約５〜２５重量％の
鉄と、上記銅および鉄を分散させる有機媒体とを含む金
属含有ペーストを、誘電体材料上に塗布する段階と、
（ｂ）不活性雰囲気中で部分焼結する段階と、（ｃ）Ｆ
ｅを酸化してＦｅ3Ｏ4を生成するのに十分な時間、６８
０℃を超える温度で、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅ2Ｏ3より安定とな
るように酸素分圧が十分低い雰囲気中で焼結を行う段階
と、（ｄ）Ｆｅ2Ｏ3がＦｅ3Ｏ4より安定となるように、
温度を下げ、酸素分圧を上昇させる段階と、（ｅ）不活
性雰囲気中で、Ｆｅ2Ｏ3の一部がＣｕと反応してＦｅ3
Ｏ4とＣｕ2Ｏとを生成するのに十分な温度および時間で
焼結を行う段階とを含む、共に焼成した誘電体と金属を
有する密封基板の製造方法が提供される。
【００２２】
【実施例】本発明のバイア組成物は、バイア組成物の体
積収縮率を誘電体材料の体積収縮率と同等にすることが
望まれる電子デバイスに使用できる。本発明のバイア組
成物および焼結プロセスが適用できる厚膜多層相互接続
回路板の例については、米国特許第４９１０６４３号お
よび第４２３４３６７号明細書を参照されたい。
積収縮率を誘電体材料の体積収縮率と同等にすることが
望まれる電子デバイスに使用できる。本発明のバイア組
成物および焼結プロセスが適用できる厚膜多層相互接続
回路板の例については、米国特許第４９１０６４３号お
よび第４２３４３６７号明細書を参照されたい。
【００２３】誘電体材料としては、周知のガラスまたは
セラミックの誘電体材料なら何でも使用できる。この説
明では、これらの誘電体材料として、ガラス・セラミッ
ク材料、またはホウケイ酸ガラス等の低温ガラスにアル
ミナを混合したものを使用するが、これらに限定される
ものではない。ガラス・セラミック材料が、本発明の目
的にとって最も好ましい材料である。これらのガラス・
セラミック材料のいくつかの例を表１に示す。
セラミックの誘電体材料なら何でも使用できる。この説
明では、これらの誘電体材料として、ガラス・セラミッ
ク材料、またはホウケイ酸ガラス等の低温ガラスにアル
ミナを混合したものを使用するが、これらに限定される
ものではない。ガラス・セラミック材料が、本発明の目
的にとって最も好ましい材料である。これらのガラス・
セラミック材料のいくつかの例を表１に示す。
【表１】
【００２４】セラミックの収縮率は、一部には、グリー
ン・シート中の有機物の量によって決まる。典型的な場
合、誘電体材料の総収縮率は約４０体積％である。
ン・シート中の有機物の量によって決まる。典型的な場
合、誘電体材料の総収縮率は約４０体積％である。
【００２５】電気伝導率の最適化など、所望の特性に応
じて、１つまたは複数のバイア組成物を単一の多層電子
構造内で使用することができる。
じて、１つまたは複数のバイア組成物を単一の多層電子
構造内で使用することができる。
【００２６】典型的な従来技術のバイア組成物は、フリ
ットを含有している。カルシウム、マグネシウムのアル
ミノケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルミナ・ガラ
スなど、各種の微粉化したフリットが使用できる。ただ
し、フリットは収縮を制御するために添加されるもので
ある。本発明の新規なバイア組成物は、収縮を制御する
酸化可能な金属を含有するので、本発明のバイア組成物
にはフリットは必ずしも必要ではなく、また望ましくも
ない。
ットを含有している。カルシウム、マグネシウムのアル
ミノケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルミナ・ガラ
スなど、各種の微粉化したフリットが使用できる。ただ
し、フリットは収縮を制御するために添加されるもので
ある。本発明の新規なバイア組成物は、収縮を制御する
酸化可能な金属を含有するので、本発明のバイア組成物
にはフリットは必ずしも必要ではなく、また望ましくも
ない。
【００２７】焼結時のバイアの収縮量は、ペーストの組
成に依存する。典型的な場合、銅金属のみを含有するバ
イア組成物では、収縮率は５０％を超える。本発明の目
的は、バイア組成物の体積収縮率を誘電体材料の体積収
縮率と同等になるように調節することであり、これはペ
ーストに酸化可能な金属を添加することによって達成さ
れる。
成に依存する。典型的な場合、銅金属のみを含有するバ
イア組成物では、収縮率は５０％を超える。本発明の目
的は、バイア組成物の体積収縮率を誘電体材料の体積収
縮率と同等になるように調節することであり、これはペ
ーストに酸化可能な金属を添加することによって達成さ
れる。
【００２８】具体的には、本発明の金属含有バイア組成
物は、導電性の第１の金属と、酸化可能な第２の金属
と、これらを分散させる有機媒体とからなる。そして、
バイア組成物の焼結時の体積収縮率が約３５〜４５％、
好ましくは約３７〜４３％となるような量の第２の金属
が添加される。
物は、導電性の第１の金属と、酸化可能な第２の金属
と、これらを分散させる有機媒体とからなる。そして、
バイア組成物の焼結時の体積収縮率が約３５〜４５％、
好ましくは約３７〜４３％となるような量の第２の金属
が添加される。
【００２９】導電性の第１の金属は、この目的に使用さ
れる周知の材料のどれでもよいが、最も好ましいものは
銅である。導電性の第１の金属は、バイア組成物の主成
分である。したがって、第１の金属の比率は与えられて
いないが、バイア組成物中の全金属から第２の金属の量
を差し引いて簡単に求めることができる。
れる周知の材料のどれでもよいが、最も好ましいものは
銅である。導電性の第１の金属は、バイア組成物の主成
分である。したがって、第１の金属の比率は与えられて
いないが、バイア組成物中の全金属から第２の金属の量
を差し引いて簡単に求めることができる。
【００３０】酸化可能な第２の金属は、焼結時に酸化さ
れる材料であればよく、好ましくは鉄、ニッケル、また
はコバルトである。酸化可能な第２の金属の使用量は、
バイア組成物中の全金属に対して５〜２５％の範囲であ
り、より好ましくは５〜２０％である。特に指示しない
かぎり、本明細書に示す部およびパーセントは、すべて
重量部および重量パーセントとする。酸化可能な第２の
金属の量が少な過ぎると、バイアの収縮は十分に制御さ
れない。酸化可能な第２の金属の量が増加するにつれ
て、バイア組成物の収縮量が減少する。酸化可能な第２
の金属の量が多過ぎると、バイアは誘電体材料に比べて
十分に収縮せず、高密度が得られない。
れる材料であればよく、好ましくは鉄、ニッケル、また
はコバルトである。酸化可能な第２の金属の使用量は、
バイア組成物中の全金属に対して５〜２５％の範囲であ
り、より好ましくは５〜２０％である。特に指示しない
かぎり、本明細書に示す部およびパーセントは、すべて
重量部および重量パーセントとする。酸化可能な第２の
金属の量が少な過ぎると、バイアの収縮は十分に制御さ
れない。酸化可能な第２の金属の量が増加するにつれ
て、バイア組成物の収縮量が減少する。酸化可能な第２
の金属の量が多過ぎると、バイアは誘電体材料に比べて
十分に収縮せず、高密度が得られない。
【００３１】酸化可能な金属は、焼結条件に応じて、
（１）銅などのバイアの金属の酸化を防止し、そのため
銅の焼結によって高密度の導電性バイア材料をもたら
し、（２）バイア金属の酸化が制御でき、そのため接着
が強化される。さらに、添加した材料の酸化により、接
触を保つのに必要なだけバイアが膨張し、誘電体本体の
収縮率と合致することとなる。
（１）銅などのバイアの金属の酸化を防止し、そのため
銅の焼結によって高密度の導電性バイア材料をもたら
し、（２）バイア金属の酸化が制御でき、そのため接着
が強化される。さらに、添加した材料の酸化により、接
触を保つのに必要なだけバイアが膨張し、誘電体本体の
収縮率と合致することとなる。
【００３２】本発明の好ましい実施例では、銅を含有す
るバイア・ペーストに５〜２５％の鉄を添加することに
より、銅の収縮を制御するとともに、接着を強化するこ
とができる。鉄が酸化すると、Ｆｅ3Ｏ4（マグネタイ
ト）またはＦｅ2Ｏ3（ヘマタイト）となり、体積が膨張
する。さらに、低温でヘマタイトが生成すると、Ｃｕと
Ｆｅ2Ｏ3の反応によって制御された量のＣｕ2Ｏがバイ
ア中に導入され、そのためセラミック材料への接着性が
強化される。
るバイア・ペーストに５〜２５％の鉄を添加することに
より、銅の収縮を制御するとともに、接着を強化するこ
とができる。鉄が酸化すると、Ｆｅ3Ｏ4（マグネタイ
ト）またはＦｅ2Ｏ3（ヘマタイト）となり、体積が膨張
する。さらに、低温でヘマタイトが生成すると、Ｃｕと
Ｆｅ2Ｏ3の反応によって制御された量のＣｕ2Ｏがバイ
ア中に導入され、そのためセラミック材料への接着性が
強化される。
【００３３】本発明の他の実施例では、本発明のバイア
組成物を使用して、特定の水蒸気焼結サイクルにより、
多層セラミック回路モジュールが形成される。
組成物を使用して、特定の水蒸気焼結サイクルにより、
多層セラミック回路モジュールが形成される。
【００３４】本発明のもうひとつの利点は、銅の少ない
割合だけを（酸化可能な添加剤の一部が還元することに
より）高温酸化して、周知の共晶効果によりバイアの誘
電体への接着が強化されるように焼結サイクルを制御す
ることができることである。
割合だけを（酸化可能な添加剤の一部が還元することに
より）高温酸化して、周知の共晶効果によりバイアの誘
電体への接着が強化されるように焼結サイクルを制御す
ることができることである。
【００３５】焼結条件の例は下記のとおりである。この
説明では、導電性の第１の金属として銅を、酸化可能な
第２の金属として鉄を使用した特定の例について本発明
を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はない。
説明では、導電性の第１の金属として銅を、酸化可能な
第２の金属として鉄を使用した特定の例について本発明
を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はない。
【００３６】焼結中に制御される２つの化学反応は次の
とおりである。低温 ４Ｆｅ＋３Ｏ2＝２Ｆｅ2Ｏ3；δＶ1＞０ （１）高温 ３Ｆｅ2Ｏ3＋２Ｃｕ＝２Ｆｅ3Ｏ4＋Ｃｕ2Ｏ；δＶ2＞０ （２） ただし δＶ1＞δＶ2
とおりである。低温 ４Ｆｅ＋３Ｏ2＝２Ｆｅ2Ｏ3；δＶ1＞０ （１）高温 ３Ｆｅ2Ｏ3＋２Ｃｕ＝２Ｆｅ3Ｏ4＋Ｃｕ2Ｏ；δＶ2＞０ （２） ただし δＶ1＞δＶ2
【００３７】次に、図１を参照して、本発明のこの実施
例の熱力学的原理を説明する。線Ａおよび線Ｂは、それ
ぞれ、ある範囲の酸素の分圧（ｐＯ2）および温度条件
におけるＣｕとＣｕ2Ｏ、およびＦｅ3Ｏ4とＦｅ2Ｏ3の
平衡を表している。線Ａより上ではＣｕ2Ｏが安定であ
り、線Ａより下ではＣｕが安定である。線Ｂより上では
Ｆｅ2Ｏ3が安定であり、線Ｂより下ではＦｅ3Ｏ4が安定
である。線Ａと線Ｂは、約６８０℃で交差する。約６８
０℃より低い温度では、Ｆｅ2Ｏ3はＣｕ金属が存在して
も安定であるが、約６８０℃より高い温度では、Ｆｅ2
Ｏ3はＣｕと反応してＦｅ3Ｏ4とＣｕ2Ｏを生成する。
例の熱力学的原理を説明する。線Ａおよび線Ｂは、それ
ぞれ、ある範囲の酸素の分圧（ｐＯ2）および温度条件
におけるＣｕとＣｕ2Ｏ、およびＦｅ3Ｏ4とＦｅ2Ｏ3の
平衡を表している。線Ａより上ではＣｕ2Ｏが安定であ
り、線Ａより下ではＣｕが安定である。線Ｂより上では
Ｆｅ2Ｏ3が安定であり、線Ｂより下ではＦｅ3Ｏ4が安定
である。線Ａと線Ｂは、約６８０℃で交差する。約６８
０℃より低い温度では、Ｆｅ2Ｏ3はＣｕ金属が存在して
も安定であるが、約６８０℃より高い温度では、Ｆｅ2
Ｏ3はＣｕと反応してＦｅ3Ｏ4とＣｕ2Ｏを生成する。
【００３８】本発明では、焼結時の収縮が少ないバイア
を形成する際に、これらの熱力学的関係を利用する。本
発明による焼結条件を図２、図３、および図４に示す。
を形成する際に、これらの熱力学的関係を利用する。本
発明による焼結条件を図２、図３、および図４に示す。
【００３９】次に図２を参照して、第１の焼結条件につ
いて説明する。中性（不活性）のＮ2周囲条件を維持し
ながら温度を上昇させて、グリーン・シートおよびペー
スト中の有機物の熱分解を開始させる。必要なら、Ｎ2
の代りにアルゴンまたはヘリウムを使用してもよい。そ
の後、熱分解した有機物を７１０〜７５０℃で、水蒸気
雰囲気中（水蒸気＋１５〜３５ｐｐｍＨ2）で酸化す
る。この雰囲気は銅を僅かしか酸化しないので、Ｆｅが
酸化されてＦｅ3Ｏ4を生成する（これらの条件下ではＦ
ｅがＣｕより優先的に酸化される）。次に、水蒸気の雰
囲気を維持しながら、温度を５００〜６５０℃に下げ
て、Ｆｅ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3に変換する。次に、雰囲気を窒
素に変え、温度を徐々に９６５〜１０００℃に上昇させ
て、セラミック材料を高密度化する。このとき前述の重
要な反応（２）が生じて、Ｆｅ2Ｏ3がＦｅ3Ｏ4とＣｕ2
Ｏに変換される。その後、中性の雰囲気を維持しなが
ら、温度を室温まで下げる。
いて説明する。中性（不活性）のＮ2周囲条件を維持し
ながら温度を上昇させて、グリーン・シートおよびペー
スト中の有機物の熱分解を開始させる。必要なら、Ｎ2
の代りにアルゴンまたはヘリウムを使用してもよい。そ
の後、熱分解した有機物を７１０〜７５０℃で、水蒸気
雰囲気中（水蒸気＋１５〜３５ｐｐｍＨ2）で酸化す
る。この雰囲気は銅を僅かしか酸化しないので、Ｆｅが
酸化されてＦｅ3Ｏ4を生成する（これらの条件下ではＦ
ｅがＣｕより優先的に酸化される）。次に、水蒸気の雰
囲気を維持しながら、温度を５００〜６５０℃に下げ
て、Ｆｅ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3に変換する。次に、雰囲気を窒
素に変え、温度を徐々に９６５〜１０００℃に上昇させ
て、セラミック材料を高密度化する。このとき前述の重
要な反応（２）が生じて、Ｆｅ2Ｏ3がＦｅ3Ｏ4とＣｕ2
Ｏに変換される。その後、中性の雰囲気を維持しなが
ら、温度を室温まで下げる。
【００４０】反応（２）は２つの点で重要である。第１
は、この反応が、バイアの体積収縮率をセラミックの体
積収縮率と一致させるのに役立つ体積膨張を伴うことで
ある。第２は、Ｃｕ2Ｏの生成が制御されることによ
り、銅を主成分とするバイアとセラミック材料の間の接
着が改善されることである。生成するＣｕ2Ｏの量は、
ペースト中のＦｅの量によって決まる。
は、この反応が、バイアの体積収縮率をセラミックの体
積収縮率と一致させるのに役立つ体積膨張を伴うことで
ある。第２は、Ｃｕ2Ｏの生成が制御されることによ
り、銅を主成分とするバイアとセラミック材料の間の接
着が改善されることである。生成するＣｕ2Ｏの量は、
ペースト中のＦｅの量によって決まる。
【００４１】ガラス・セラミック材料とＣｕ／Ｆｅバイ
ア・ペーストからなる基板のサンプルを作成した。ガラ
ス・セラミック材料は、表１中の材料を代表するもので
ある。バイア・ペーストは、８８％Ｃｕ＋Ｆｅ（金属の
全重量に対して、Ｃｕ８５％＋Ｆｅ１５％）で、残量は
エチルセルロース・バインダとその他の有機物であっ
た。上記の図２に示す焼結条件で基板を焼結した。総収
縮率（理論値のパーセント）は４４．４％であった。こ
の値を、８８％の金属を含む代表的な銅ペーストの通常
の収縮率５５％と比較すべきである。バイアの焼結後の
最終組成は、Ｃｕ：６４．２重量％、Ｃｕ2Ｏ：７．５
重量％、Ｆｅ3Ｏ4：２８．３重量％であった。
ア・ペーストからなる基板のサンプルを作成した。ガラ
ス・セラミック材料は、表１中の材料を代表するもので
ある。バイア・ペーストは、８８％Ｃｕ＋Ｆｅ（金属の
全重量に対して、Ｃｕ８５％＋Ｆｅ１５％）で、残量は
エチルセルロース・バインダとその他の有機物であっ
た。上記の図２に示す焼結条件で基板を焼結した。総収
縮率（理論値のパーセント）は４４．４％であった。こ
の値を、８８％の金属を含む代表的な銅ペーストの通常
の収縮率５５％と比較すべきである。バイアの焼結後の
最終組成は、Ｃｕ：６４．２重量％、Ｃｕ2Ｏ：７．５
重量％、Ｆｅ3Ｏ4：２８．３重量％であった。
【００４２】図２に示した焼結サイクルの考えられる欠
点は、焼結サイクル中の高密度化段階で、Ｆｅ2Ｏ3が存
在するため、Ｃｕが必ずしも十分に高密度化されたバイ
ア構造を与えるとは限らないことである。この結果、多
孔質になることさえあり得る。この問題は、図３および
図４に示すような２段階焼結サイクルによって避けるこ
とができる。
点は、焼結サイクル中の高密度化段階で、Ｆｅ2Ｏ3が存
在するため、Ｃｕが必ずしも十分に高密度化されたバイ
ア構造を与えるとは限らないことである。この結果、多
孔質になることさえあり得る。この問題は、図３および
図４に示すような２段階焼結サイクルによって避けるこ
とができる。
【００４３】次に図３を参照すると、水蒸気雰囲気中
で、温度を徐々に７１０〜７５０℃に上昇させて、有機
物を熱分解し酸化させ、ＦｅをＦｅ3Ｏ4に酸化する。次
に雰囲気をフォーミング・ガス（Ｎ2＋Ｈ2）に切り換
え、温度を徐々に９６５〜１０００℃に上昇させる。焼
結サイクルのこの段階で、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅに還元され、
これがバイア中の銅とＣｕ−Ｆｅ合金を生成することが
できる。さらにバイアは、Ｆｅ2Ｏ3が存在しなくても高
密度化される（セラミックも同様）。高密度化温度の
後、雰囲気を銅を僅かに酸化する水蒸気雰囲気、すなわ
ち図１の線Ａよりすぐ上の雰囲気に切り換える。これに
よりＦｅがＦｅ3Ｏ4に酸化され、それに伴って体積が膨
張する。次に基板を室温まで冷却する。
で、温度を徐々に７１０〜７５０℃に上昇させて、有機
物を熱分解し酸化させ、ＦｅをＦｅ3Ｏ4に酸化する。次
に雰囲気をフォーミング・ガス（Ｎ2＋Ｈ2）に切り換
え、温度を徐々に９６５〜１０００℃に上昇させる。焼
結サイクルのこの段階で、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅに還元され、
これがバイア中の銅とＣｕ−Ｆｅ合金を生成することが
できる。さらにバイアは、Ｆｅ2Ｏ3が存在しなくても高
密度化される（セラミックも同様）。高密度化温度の
後、雰囲気を銅を僅かに酸化する水蒸気雰囲気、すなわ
ち図１の線Ａよりすぐ上の雰囲気に切り換える。これに
よりＦｅがＦｅ3Ｏ4に酸化され、それに伴って体積が膨
張する。次に基板を室温まで冷却する。
【００４４】図４に示す焼結サイクルの第２段階では、
水蒸気中で温度を徐々に室温から５００〜６５０℃に上
昇させて、Ｆｅ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3に変換させる。次に、雰
囲気を中性（Ｎ2）に切り換え、温度を徐々に７００〜
９００℃に上昇させる。この温度は、反応（２）がちょ
うど生じる温度であり、Ｆｅ3Ｏ4とＣｕ2Ｏが生成す
る。中性雰囲気を維持しながら、温度を室温まで下げ
る。
水蒸気中で温度を徐々に室温から５００〜６５０℃に上
昇させて、Ｆｅ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3に変換させる。次に、雰
囲気を中性（Ｎ2）に切り換え、温度を徐々に７００〜
９００℃に上昇させる。この温度は、反応（２）がちょ
うど生じる温度であり、Ｆｅ3Ｏ4とＣｕ2Ｏが生成す
る。中性雰囲気を維持しながら、温度を室温まで下げ
る。
【００４５】上述のように、ニッケル、コバルト等の他
の酸化可能な金属もバイア組成物に使用することができ
る。ニッケルおよびコバルトの酸化反応は下記のとおり
である。 Ｎｉ＋Ｏ2＝２ＮｉＯ （３） Ｃｏ＋Ｏ2＝２ＣｏＯ （４）
の酸化可能な金属もバイア組成物に使用することができ
る。ニッケルおよびコバルトの酸化反応は下記のとおり
である。 Ｎｉ＋Ｏ2＝２ＮｉＯ （３） Ｃｏ＋Ｏ2＝２ＣｏＯ （４）
【００４６】再び図１を参照すると、線ＣはＮｉとＮｉ
Ｏの平衡反応を示し、線ＤはＣｏとＣｏＯの平衡反応を
示す。線Ｃおよび線Ｄより上では、ＮｉおよびＣｏの酸
化物は安定である。この温度範囲では、ＮｉおよびＣｏ
の酸化物は元素状のＣｕの存在下で安定であり、焼結条
件は上述の焼結条件と異なる。
Ｏの平衡反応を示し、線ＤはＣｏとＣｏＯの平衡反応を
示す。線Ｃおよび線Ｄより上では、ＮｉおよびＣｏの酸
化物は安定である。この温度範囲では、ＮｉおよびＣｏ
の酸化物は元素状のＣｕの存在下で安定であり、焼結条
件は上述の焼結条件と異なる。
【００４７】焼結条件の例を図５に示す。この条件は、
酸化可能な金属としてＮｉを使用してもＣｏを使用して
も同様である。温度を徐々に室温から７１０〜７５０℃
まで上昇させて、有機物を熱分解し酸化する。酸化可能
な金属は、これらの条件で酸化される。次に、雰囲気を
フォーミング・ガス（Ｎ2＋Ｈ2）に切り換え、温度を徐
々に９６５〜１０００℃に上昇させて、酸化可能な金属
を金属の状態に還元する。この工程が必要なのは、酸化
可能な状態の金属が、銅を主成分とするバイアの高密度
化を妨げないようにするためである。その後、雰囲気を
水蒸気または水蒸気を含むＮ2に切り換えて、反応
（３）または（４）に従って酸化可能な金属を酸化す
る。次に水蒸気または水蒸気を含むＮ2の雰囲気を維持
しながら、温度を室温まで下げる。
酸化可能な金属としてＮｉを使用してもＣｏを使用して
も同様である。温度を徐々に室温から７１０〜７５０℃
まで上昇させて、有機物を熱分解し酸化する。酸化可能
な金属は、これらの条件で酸化される。次に、雰囲気を
フォーミング・ガス（Ｎ2＋Ｈ2）に切り換え、温度を徐
々に９６５〜１０００℃に上昇させて、酸化可能な金属
を金属の状態に還元する。この工程が必要なのは、酸化
可能な状態の金属が、銅を主成分とするバイアの高密度
化を妨げないようにするためである。その後、雰囲気を
水蒸気または水蒸気を含むＮ2に切り換えて、反応
（３）または（４）に従って酸化可能な金属を酸化す
る。次に水蒸気または水蒸気を含むＮ2の雰囲気を維持
しながら、温度を室温まで下げる。
【００４８】本発明のこの実施例は、ＮｉまたはＣｏの
酸化により、体積が膨張し、それによってバイアの通常
の収縮量が減少する点で有利である。また水蒸気または
水蒸気を含むＮ2雰囲気を焼結サイクルの最終段階で調
節してＣｕの酸化を制御し、これによりバイアの周囲の
セラミック本体への接着を強化することができる。
酸化により、体積が膨張し、それによってバイアの通常
の収縮量が減少する点で有利である。また水蒸気または
水蒸気を含むＮ2雰囲気を焼結サイクルの最終段階で調
節してＣｕの酸化を制御し、これによりバイアの周囲の
セラミック本体への接着を強化することができる。
【図１】酸素の分圧（ｐＯ2）と温度の逆数との関係で
あって、本発明に関する熱力学的関係を示す図である。
あって、本発明に関する熱力学的関係を示す図である。
【図２】図１に示す熱力学的関係の第１実施例を有効に
利用した１段階水蒸気焼結サイクルを示す図である。
利用した１段階水蒸気焼結サイクルを示す図である。
【図３】図１に示す熱力学的関係の第１実施例を有効に
利用した２段階水蒸気焼結サイクルのうちの第１段階を
示す図である。
利用した２段階水蒸気焼結サイクルのうちの第１段階を
示す図である。
【図４】図１に示す熱力学的関係の第１実施例を有効に
利用した２段階水蒸気焼結サイクルのうちの第２段階を
示す図である。
利用した２段階水蒸気焼結サイクルのうちの第２段階を
示す図である。
【図５】図１に示す熱力学的関係の第２の実施例を有効
に利用した１段階水蒸気焼結サイクルを示す図である。
に利用した１段階水蒸気焼結サイクルを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レヌカ・シャストリ・ディヴァカルーニ アメリカ合衆国06877、コネチカット州リ ッジフィールド、オスカレータ・ロード 153 (72)発明者 ゴーヴィンダラージャン・ナタラージャン アメリカ合衆国12569、ニューヨーク州プ レザント・バレー、フォレスト・バレー・ ロード26 (72)発明者 スリーニヴァサ・エス・エヌ・レディ アメリカ合衆国12540、ニューヨーク州ラ グランジェビル、バウ・レーン17 (72)発明者 マンフレッド・サメット ドイツ連邦共和国7036、シューナイヒ、ガ ルテンシュトラーセ５
Claims (12)
- 【請求項１】導電性の第１の金属と、 酸化可能な第２の金属と、 上記第１および第２の金属を分散させる有機媒体とを含
む、ガラス・セラミック材料と共に焼成するための金属
含有ペースト組成物。 - 【請求項２】上記導電性の第１の金属を全金属に対して
約９５〜７５重量％と、上記酸化可能な第２の金属を約
５〜２５重量％とを含む、請求項１の金属含有ペースト
組成物。 - 【請求項３】上記第１の金属が銅であり、上記第２の金
属が、鉄、ニッケルおよびコバルトからなる群から選択
されることを特徴とする、請求項１または２の金属含有
ペースト組成物。 - 【請求項４】上記第２の金属が、鉄であることを特徴と
する、請求項３の金属含有ペースト組成物。 - 【請求項５】焼結した導電性の第１の金属と、 上記第１の金属の酸化物と、 第２の金属の酸化物とを含む、半導体パッケージング基
板と共に使用する金属含有組成物。 - 【請求項６】誘電体材料に、有機媒体に分散させた、導
電性の第１の金属と酸化可能な第２の金属とを含む金属
含有ペーストを塗布する段階と、 上記有機媒体を除去し、上記第１の金属を焼結し、上記
第２の金属の少なくとも一部を酸化させるのに十分な温
度で上記のペーストおよび誘電体材料を焼成する段階と
を含む、共に焼成した誘電体材料と金属を有する基板の
製造方法。 - 【請求項７】上記金属含有ペースト組成物が、上記導電
性の第１の金属を全金属に対して約９５〜７５重量％
と、上記酸化可能な第２の金属を約５〜２５重量％を含
む、請求項６の方法。 - 【請求項８】上記第１の金属が銅であり、上記第２の金
属が、鉄、ニッケルおよびコバルトからなる群から選択
されることを特徴とする、請求項７の方法。 - 【請求項９】上記第２の金属が鉄であり、上記焼成が、
鉄を酸化してＦｅ2Ｏ3を生成し、銅をＦｅ2Ｏ3と反応さ
せて上記金属の上記誘電体材料への接着を強化するのに
十分な量のＣｕＯ2を上記金属中に生成させる条件で実
施されることを特徴とする、請求項８の方法。 - 【請求項１０】全金属に対して約９５〜７５重量％の銅
からなる第１の金属と、約５〜２５重量％の鉄からなる
酸化可能な第２の金属と、上記第１および第２の金属を
分散させる有機媒体とを含む金属含有ペーストを、誘電
体に塗布する段階と、 上記ペーストと上記誘電体の材料を、３Ｆｅ＋２Ｏ2が
Ｆｅ3Ｏ4を生成する温度で焼成する段階と、 上記温度を、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅ2Ｏ3に転移する温度に下げ
る段階と、 上記温度を、３Ｆｅ2Ｏ3＋２Ｃｕが２Ｆｅ3Ｏ4＋Ｃｕ2
Ｏを生成する温度に上げる段階とを含む、共に焼成した
誘電体と金属とを有する密封基板を製造する方法。 - 【請求項１１】全金属に対して約９５〜７５重量％の銅
と、約５〜２５重量％の鉄と、上記銅および鉄を分散さ
せる有機媒体とを含む金属含有ペーストを、誘電体に塗
布する段階と、 下記の反応（１）によりＦｅ2Ｏ3を生成するのに適した
第１の温度および雰囲気で焼成を行う段階と、 ４Ｆｅ＋３Ｏ2＝２Ｆｅ2Ｏ3；δＶ1＞０ （１） Ｆｅ2Ｏ3からＦｅ3Ｏ4を生成するのに適した第２の温度
および雰囲気に温度を下げ雰囲気を変更する段階と、 下記の反応（２）により酸化第一銅が生成される第３の
温度および雰囲気で焼結を行う段階と ３Ｆｅ2Ｏ3＋２Ｃｕ＝２Ｆｅ3Ｏ4＋Ｃｕ2Ｏ；δＶ2＞
０；ここでδＶ1＞δＶ2（２） を含む、共に焼成した誘電体と金属とを有する密封基板
の製造方法。 - 【請求項１２】（ａ）全金属に対して約９５〜７５重量
％の銅と、約５〜２５重量％の鉄と、上記銅および鉄を
分散させる有機媒体とを含む金属含有ペーストを、誘電
体材料上に塗布する段階と、 （ｂ）不活性雰囲気中で部分焼結する段階と、 （ｃ）鉄を酸化してＦｅ3Ｏ4を生成するのに十分な時
間、６８０℃を超える温度で、Ｆｅ3Ｏ4がＦｅ2Ｏ3より
安定となるように酸素分圧が十分低い雰囲気中で焼結を
行う段階と、 （ｄ）Ｆｅ2Ｏ3がＦｅ3Ｏ4より安定となるように、温度
を下げ、酸素分圧を上昇させる段階と、 （ｅ）不活性雰囲気中で、Ｆｅ2Ｏ3の一部が銅と反応し
てＦｅ3Ｏ4とＣｕ2Ｏとを生成するのに十分な温度およ
び時間で焼結を行う段階とを含む、共に焼成した誘電体
と金属とを有する密封基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US890898 | 1992-05-29 | ||
| US07/890,898 US5336444A (en) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ceramic via composition, multilayer ceramic circuit containing same, and process for using same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656545A true JPH0656545A (ja) | 1994-03-01 |
| JP2524466B2 JP2524466B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=25397305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5096201A Expired - Lifetime JP2524466B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-04-22 | 金属含有ペ―スト組成物およびそれを用いた基板の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5336444A (ja) |
| EP (1) | EP0572343A1 (ja) |
| JP (1) | JP2524466B2 (ja) |
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| US7291789B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-11-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Copper paste and wiring board using the same |
| US7388296B2 (en) | 2005-06-09 | 2008-06-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and bonding pad composition |
| JP2019029668A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 旭化成株式会社 | 導電性パターンの製造方法、及びプラズマ処理装置 |
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