JPH0656742B2 - カラ−受像管装置 - Google Patents
カラ−受像管装置Info
- Publication number
- JPH0656742B2 JPH0656742B2 JP59244613A JP24461384A JPH0656742B2 JP H0656742 B2 JPH0656742 B2 JP H0656742B2 JP 59244613 A JP59244613 A JP 59244613A JP 24461384 A JP24461384 A JP 24461384A JP H0656742 B2 JPH0656742 B2 JP H0656742B2
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- field control
- control element
- deflection
- raster
- Prior art date
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Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/701—Systems for correcting deviation or convergence of a plurality of beams by means of magnetic fields at least
- H01J29/707—Arrangements intimately associated with parts of the gun and co-operating with external magnetic excitation devices
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は３電子ビームを有するカラー受像管装置に関す
るものである。
るものである。
通常のカラー受像管の多くは水平方向にインライン配列
された３本の電子銃を有し、受像スクリーン内面近傍に
配したシヤドウマスクにより各々対応した蛍光体上に３
電子ビームが選択的に射突する様に電子銃、シヤドウマ
スク及びスクリーンが相互に最適に配置されてなる。
された３本の電子銃を有し、受像スクリーン内面近傍に
配したシヤドウマスクにより各々対応した蛍光体上に３
電子ビームが選択的に射突する様に電子銃、シヤドウマ
スク及びスクリーンが相互に最適に配置されてなる。
従来形のカラー受像管の概略構成を第７図に示す。第７
図において、カラー受像管はまず内部を高真空に保つた
めパネル(1)、フアンネル(2)及びネツク(3)の各部から
なる碍子製外囲器を有する。パネル(1)の前面は大旨矩
形状でありテレビ画像等を映出するスクリーンである。
図において、カラー受像管はまず内部を高真空に保つた
めパネル(1)、フアンネル(2)及びネツク(3)の各部から
なる碍子製外囲器を有する。パネル(1)の前面は大旨矩
形状でありテレビ画像等を映出するスクリーンである。
ネツク(3)はその内部に電子ビーム発生用電子銃(4)を含
む。ネック(3)とパネル(1)の中間部分がフアンネル(2)
部である。
む。ネック(3)とパネル(1)の中間部分がフアンネル(2)
部である。
このようなカラー受像管はＲ，Ｇ，Ｂの３原色に対応す
る３電子銃(4R),(4G),(4B)をネツク(3)内に含み、その
３電子銃(4R),(4G),(4B)は水平方向にインライン状に配
置される。それぞれの電子銃は図示していないが各ヒー
ター、陰極、制御電極、集束電極及び高圧電極等よりな
る。ヒーターにより加熱された陰極から放出された熱電
子は制御電極にてそのスクリーンへの到達量が決めら
れ、集束電極と高圧電極間に於て形成される電子レンズ
にてスクリーン上で最適となるように集束作用を受け
る。
る３電子銃(4R),(4G),(4B)をネツク(3)内に含み、その
３電子銃(4R),(4G),(4B)は水平方向にインライン状に配
置される。それぞれの電子銃は図示していないが各ヒー
ター、陰極、制御電極、集束電極及び高圧電極等よりな
る。ヒーターにより加熱された陰極から放出された熱電
子は制御電極にてそのスクリーンへの到達量が決めら
れ、集束電極と高圧電極間に於て形成される電子レンズ
にてスクリーン上で最適となるように集束作用を受け
る。
第７図にはこの電子ビームの軌道を(5R)，(5G)，(5B)で
示す。
示す。
３電子ビーム(5R)，(5G)，(5B)はさらにスクリーン中央
部に於て静電的及び（又は）磁気的作用により一点に集
中するよう設定される。また多数の規則的に配列された
微小アパーチヤを有するシヤドウマスク(6)がスクリー
ンたるパネル(1)の内面に対し所定の距離だけ離間して
保持される。
部に於て静電的及び（又は）磁気的作用により一点に集
中するよう設定される。また多数の規則的に配列された
微小アパーチヤを有するシヤドウマスク(6)がスクリー
ンたるパネル(1)の内面に対し所定の距離だけ離間して
保持される。
３電子ビーム(5R),(5G),(5B)はこのシヤドウマスク(6)
によつてそれぞれのスクリーンへの射突可能位置が選択
され各電子ビーム(5R)，(5G)，(5B)の射突位置に対応し
て予め塗布形成されたＲ，Ｇ，Ｂ３色の蛍光体を正確に
励起発光せしめる（図示せず）。
によつてそれぞれのスクリーンへの射突可能位置が選択
され各電子ビーム(5R)，(5G)，(5B)の射突位置に対応し
て予め塗布形成されたＲ，Ｇ，Ｂ３色の蛍光体を正確に
励起発光せしめる（図示せず）。
上記電子ビーム(5R)，(5G)，(5B)を大旨矩形状の表示ス
クリーン全面にわたって走査する偏向ヨーク(7)はフア
ンネル(2)とネツク(3)の中間位置にそれらをとり囲むよ
うに配置される。
クリーン全面にわたって走査する偏向ヨーク(7)はフア
ンネル(2)とネツク(3)の中間位置にそれらをとり囲むよ
うに配置される。
偏向ヨーク(7)は通常直交する２組のコイル群から構成
されている。第１の偏向コイルは最も一般的には上下一
対のサドル形コイル（7a）からなり水平偏向磁界を発生
する。第２の偏向コイルは環状磁性体コアにトロイダル
巻きされたトロイダル形コイル（7b）が一般的であつて
垂直偏向磁界を発生する。
されている。第１の偏向コイルは最も一般的には上下一
対のサドル形コイル（7a）からなり水平偏向磁界を発生
する。第２の偏向コイルは環状磁性体コアにトロイダル
巻きされたトロイダル形コイル（7b）が一般的であつて
垂直偏向磁界を発生する。
通常自己集中型のカラー受像管が大部分を占めており、
これは偏向ヨーク(7)が発生する偏向磁界を制御するこ
とでインライン配列の電子銃より射出した３電子ビーム
(5R)，(5G)，(5B)を矩形状スクリーン全域で集中させる
方式である。
これは偏向ヨーク(7)が発生する偏向磁界を制御するこ
とでインライン配列の電子銃より射出した３電子ビーム
(5R)，(5G)，(5B)を矩形状スクリーン全域で集中させる
方式である。
この方式では水平偏向磁界はピンクツシヨン形、垂直偏
向磁界はバレル形でなければならない。
向磁界はバレル形でなければならない。
さらに実用上充分なる品位の集中誤差とする最も有効な
手段として第８図(a)及び第８図(b)に示すように高等磁
率磁性材料よりなる磁界制御素子がある。即ち、特公昭
58−45135号公報及び特公昭51−44046 号公報に提案さ
れているように、一般に偏向ヨーク(7)と電子銃(3R)，
(3G)，(3B)の間の適当な位置に置かれ、偏向ヨーク(7)
の漏えい磁界に作用して中央電子ビーム(5G)と両側電子
ビーム(5R)，(5B)の描くラスターサイズを一致させる効
果をもつ。また特公昭58−7017 号公報では同公報第８
図に示すように、２種類の磁気遮蔽素子を管軸方向に互
に同一平面上とならないように配置することによつて水
平及び垂直両軸のコマ収差を補正する際の自由度を高
め、水平及び垂直両軸上のコマ収差を所定の値に設定可
能とする提案がなされている。
手段として第８図(a)及び第８図(b)に示すように高等磁
率磁性材料よりなる磁界制御素子がある。即ち、特公昭
58−45135号公報及び特公昭51−44046 号公報に提案さ
れているように、一般に偏向ヨーク(7)と電子銃(3R)，
(3G)，(3B)の間の適当な位置に置かれ、偏向ヨーク(7)
の漏えい磁界に作用して中央電子ビーム(5G)と両側電子
ビーム(5R)，(5B)の描くラスターサイズを一致させる効
果をもつ。また特公昭58−7017 号公報では同公報第８
図に示すように、２種類の磁気遮蔽素子を管軸方向に互
に同一平面上とならないように配置することによつて水
平及び垂直両軸のコマ収差を補正する際の自由度を高
め、水平及び垂直両軸上のコマ収差を所定の値に設定可
能とする提案がなされている。
しかしながら上記従来の磁気制御素子を使用したカラー
受像管は以下に述べる欠点を有している。前述の通り通
常のカラー受像管はＲ，Ｇ，Ｂの３電子ビームが表示ス
クリーン上で一致する自己集中方式が主流である。これ
は偏向磁界自身の収差成分を利用して電子ビームの集中
を得るものであつてその磁界は水平偏向磁界はピンクツ
シヨン形、垂直偏向磁界はバレル形が必要である。さら
にネツク(3)内部に封入された電子銃の先端に配設した
磁界制御素子が偏向ヨークの漏えい磁界に作用して中央
ビーム(5G)を両サイドビーム(5R)，(5B)に一致させる。
受像管は以下に述べる欠点を有している。前述の通り通
常のカラー受像管はＲ，Ｇ，Ｂの３電子ビームが表示ス
クリーン上で一致する自己集中方式が主流である。これ
は偏向磁界自身の収差成分を利用して電子ビームの集中
を得るものであつてその磁界は水平偏向磁界はピンクツ
シヨン形、垂直偏向磁界はバレル形が必要である。さら
にネツク(3)内部に封入された電子銃の先端に配設した
磁界制御素子が偏向ヨークの漏えい磁界に作用して中央
ビーム(5G)を両サイドビーム(5R)，(5B)に一致させる。
ところが中央ビーム(5G)と両サイドビーム(5R)，(5B)と
の集中は画面コーナー部に於ては大きく劣化する。
の集中は画面コーナー部に於ては大きく劣化する。
第９図は中央ビーム(5G)と両サイドビーム(5R)，(5B)の
不一致状態を示す模式図である。第９図において実線は
両サイドビームを破線は中央ビームを表わす。上述の磁
界制御素子は通常点(a)及び点(b)に注目して中央ビーム
と両サイドビームが一致する様設計する。
不一致状態を示す模式図である。第９図において実線は
両サイドビームを破線は中央ビームを表わす。上述の磁
界制御素子は通常点(a)及び点(b)に注目して中央ビーム
と両サイドビームが一致する様設計する。
しかるに図示するが如く、画面上の横線はＶ軸から離れ
画面コーナーに近ずくにつれ中央ビームが両サイドビー
ムに対してたれ下がる現象を来たし、画面コーナー部に
於けるコンバーゼンスエラーを著しく増大せしめ画像品
位の劣化を招く。このようなコーナーを主体とするたれ
下がり現象は高解像度キヤラクターデイスプレイ用とし
ては許容出来ない品位である。またこの現象は画面の大
型化、偏向角の増大に伴なつて増々顕著となる。またＶ
軸上の中間点ａ′に於ては中央ビームの方が両サイドビ
ームより外方にずれた状態となり画面中央に近い於ても
コンバーゼンス品位を劣化せしめている。
画面コーナーに近ずくにつれ中央ビームが両サイドビー
ムに対してたれ下がる現象を来たし、画面コーナー部に
於けるコンバーゼンスエラーを著しく増大せしめ画像品
位の劣化を招く。このようなコーナーを主体とするたれ
下がり現象は高解像度キヤラクターデイスプレイ用とし
ては許容出来ない品位である。またこの現象は画面の大
型化、偏向角の増大に伴なつて増々顕著となる。またＶ
軸上の中間点ａ′に於ては中央ビームの方が両サイドビ
ームより外方にずれた状態となり画面中央に近い於ても
コンバーゼンス品位を劣化せしめている。
例えば特公昭58−7017 号公報の第８図に示されている
ような磁気遮蔽素子の形状と配置では、垂直軸上に着目
すればカソード側の第１の磁気遮蔽素子により中央ビー
ムに対しては偏向感度を増加するように作用するが、第
２の磁気遮蔽素子により中央ビームに対しては偏向感度
を減少させるように作用する。この様な構成になるカラ
ー受像管に於ても画面コーナーに近ずくにつれ中央ビー
ムが両サイドビームに対してたれ下がる現象が顕著に生
ずる。
ような磁気遮蔽素子の形状と配置では、垂直軸上に着目
すればカソード側の第１の磁気遮蔽素子により中央ビー
ムに対しては偏向感度を増加するように作用するが、第
２の磁気遮蔽素子により中央ビームに対しては偏向感度
を減少させるように作用する。この様な構成になるカラ
ー受像管に於ても画面コーナーに近ずくにつれ中央ビー
ムが両サイドビームに対してたれ下がる現象が顕著に生
ずる。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、両両サイ
ドビームのラスターと中央ビームラスターの不一致を改
善し良好な画像品位及び良好な高解像文字品位を得るこ
とを目的とする。
ドビームのラスターと中央ビームラスターの不一致を改
善し良好な画像品位及び良好な高解像文字品位を得るこ
とを目的とする。
本発明は、電子ビーム発生源であるカソードと偏向ヨー
クの間にあつて電子ビーム進行方向に所定距離離間した
第１の磁界制御素子と第２の磁界制御素子をネツク内に
有し、第１の磁界制御素子は偏向ヨーク側に位置し、少
くとも３ビームで定まる平面に垂直方向には中央ビーム
ラスタを相対的に大きくする効果を有し、第２の磁界制
御素子はカソード側に位置し、相対的に両サイドビーム
ラスタを大きくする効果を有するものであつて、第１の
磁界制御素子と第２の磁界制御素子の協同により中央ビ
ームのラスタと両サイドビームのラスタを一致させるカ
ラー受像管であり、従来のカラー受像管では得られなか
つた良好なコンバーゼンス特性が得られるものである。
クの間にあつて電子ビーム進行方向に所定距離離間した
第１の磁界制御素子と第２の磁界制御素子をネツク内に
有し、第１の磁界制御素子は偏向ヨーク側に位置し、少
くとも３ビームで定まる平面に垂直方向には中央ビーム
ラスタを相対的に大きくする効果を有し、第２の磁界制
御素子はカソード側に位置し、相対的に両サイドビーム
ラスタを大きくする効果を有するものであつて、第１の
磁界制御素子と第２の磁界制御素子の協同により中央ビ
ームのラスタと両サイドビームのラスタを一致させるカ
ラー受像管であり、従来のカラー受像管では得られなか
つた良好なコンバーゼンス特性が得られるものである。
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。尚本発明を
適用されるカラー受像管装置の全体構成は第７図に示す
ものと同様であるので、以下本発明の要部についてのみ
説明する。
適用されるカラー受像管装置の全体構成は第７図に示す
ものと同様であるので、以下本発明の要部についてのみ
説明する。
第１図は本発明に係る第１の実施例である。
第１図の磁界制御素子を構成する高透磁率磁性体からな
る環状磁界制御素子(10R)及び(10B)は各々両サイドビー
ム(R)の通路をとり囲む様に配置する。第２の磁界制御
素子群を構成する磁界制御素子(10G)は同じく中央ビー
ム(G)の通路をとり囲む高透磁率磁性体からなる環状磁
界制御素子である。
る環状磁界制御素子(10R)及び(10B)は各々両サイドビー
ム(R)の通路をとり囲む様に配置する。第２の磁界制御
素子群を構成する磁界制御素子(10G)は同じく中央ビー
ム(G)の通路をとり囲む高透磁率磁性体からなる環状磁
界制御素子である。
第１の磁界制御素子と第２の磁界制御素子は相互にビー
ム進行方向に所定距離(l)離間し、第１の磁界制御素子
は偏向ヨーク側に、第２の磁界制御素子はカソード(11)
に配置する。(12)は偏向ヨークにより発生する偏向磁界
の漏えい磁力線を表わす。第１図においてカソード以外
の電子銃電極は省略して示していない。この磁界制御素
子(10R),(10B),(10G)は各々上記漏えい磁力線(12)に作
用して各電子ビームの偏向感度を制御するものである。
即ち、高透磁率環状素子(10)R),(10B),(10G)は各々漏え
い磁界を素子自身に集中させると同時にその内部をシー
ルドする効果を共通して有している。従つて環清素子の
内部を通過する時そのビームは偏向感度が減少する。従
つて第１の磁界制御素子は第２図(a)に示すように中央
ビーム(G)の偏向感度を増加させ、逆に第２の磁界制御
素子は第２図(b)に示すように中央ビーム(G)の偏向感度
を減少させる。上述した偏向感度の増減は画面上では結
果として両サイドビームラスタを基準とした時の中央ビ
ームラスタの大きさの増減に対応する。
ム進行方向に所定距離(l)離間し、第１の磁界制御素子
は偏向ヨーク側に、第２の磁界制御素子はカソード(11)
に配置する。(12)は偏向ヨークにより発生する偏向磁界
の漏えい磁力線を表わす。第１図においてカソード以外
の電子銃電極は省略して示していない。この磁界制御素
子(10R),(10B),(10G)は各々上記漏えい磁力線(12)に作
用して各電子ビームの偏向感度を制御するものである。
即ち、高透磁率環状素子(10)R),(10B),(10G)は各々漏え
い磁界を素子自身に集中させると同時にその内部をシー
ルドする効果を共通して有している。従つて環清素子の
内部を通過する時そのビームは偏向感度が減少する。従
つて第１の磁界制御素子は第２図(a)に示すように中央
ビーム(G)の偏向感度を増加させ、逆に第２の磁界制御
素子は第２図(b)に示すように中央ビーム(G)の偏向感度
を減少させる。上述した偏向感度の増減は画面上では結
果として両サイドビームラスタを基準とした時の中央ビ
ームラスタの大きさの増減に対応する。
このように第１の磁界制御素子で中央ビームの上下方向
ラスタサイズを増大させ、第２の磁界制御素子で中央ビ
ームの上下方向ラスタサイズを減少させ、両者により中
央ビームの上下方向ラスタサイズを両サイドビームの上
下方向ラスタサイズに一致させると第９図に示した如き
中央ビームラスタが画面コーナー部に於てたれ下がる現
象を改善することが出来る。
ラスタサイズを増大させ、第２の磁界制御素子で中央ビ
ームの上下方向ラスタサイズを減少させ、両者により中
央ビームの上下方向ラスタサイズを両サイドビームの上
下方向ラスタサイズに一致させると第９図に示した如き
中央ビームラスタが画面コーナー部に於てたれ下がる現
象を改善することが出来る。
第３図(a)は磁界制御素子を使用しない場合のラスター
サイズのずれを示すもので、両サイドビームラスタを基
準として実線であらわし中央ビームラスタを破線であら
わす。即ち自己集中型偏向ヨークでは中央ビームの上下
方向ラスタサイズが両サイドビームのそれに比して小さ
い。この値は実用上全く許容不可である。
サイズのずれを示すもので、両サイドビームラスタを基
準として実線であらわし中央ビームラスタを破線であら
わす。即ち自己集中型偏向ヨークでは中央ビームの上下
方向ラスタサイズが両サイドビームのそれに比して小さ
い。この値は実用上全く許容不可である。
第３図(b)は本発明に係る第１磁界制御素子のみを用い
た時のラスタサイズを示すものであり、一点鎖線で示す
中央ビームラスタが両サイドビームラスタに比し大き
く、かつ量的には画面コーナーに比べて垂直軸上の方が
大である。
た時のラスタサイズを示すものであり、一点鎖線で示す
中央ビームラスタが両サイドビームラスタに比し大き
く、かつ量的には画面コーナーに比べて垂直軸上の方が
大である。
第３図(c)は本発明に係る第２磁界制御素子のみを用い
た時のラスタサイズを示すもので、二点鎖線で示す中央
ビームラスタは両サイドビームのラスタより大幅に小さ
くコーナー部に比べると垂直軸の方がより小さい。ここ
で垂直軸（Ｖ軸）上のラスタサイズの差をＡ、コーナー
（Ｄ軸）でのそれをＢ、磁界制御素子のない場合の添字
を“０”第１及び第２の磁界制御素子の場合をそれぞれ
“１”，“２”で表わす。
た時のラスタサイズを示すもので、二点鎖線で示す中央
ビームラスタは両サイドビームのラスタより大幅に小さ
くコーナー部に比べると垂直軸の方がより小さい。ここ
で垂直軸（Ｖ軸）上のラスタサイズの差をＡ、コーナー
（Ｄ軸）でのそれをＢ、磁界制御素子のない場合の添字
を“０”第１及び第２の磁界制御素子の場合をそれぞれ
“１”，“２”で表わす。
第１の磁界制御素子によるラスター補正量はＶ軸、Ｄ軸
で（A1＋A0）及び（B1＋B0）であり、第２の磁界制御素
子のそれは（A2＋A0）及び（B2−B0）である。本発明者
等はＶ軸とＤ軸との補正量の比について詳細な実験的検
討を加えた。
で（A1＋A0）及び（B1＋B0）であり、第２の磁界制御素
子のそれは（A2＋A0）及び（B2−B0）である。本発明者
等はＶ軸とＤ軸との補正量の比について詳細な実験的検
討を加えた。
その結果 １＞k1＞k2＞０ 但し であることがわかつた。即ち第１の磁界制御素子群によ
る補正量のＶ軸とＤ軸の比は第２の磁界制御素子群のそ
れより大きく、両者は１から０の中間にある。
る補正量のＶ軸とＤ軸の比は第２の磁界制御素子群のそ
れより大きく、両者は１から０の中間にある。
このことは一般的に表現すれば偏向ヨークの近辺ではＶ
軸とＤ軸の補正量は近い量であるのに対し偏向ヨークか
ら遠ざかるとＤ軸の補正量が小さくなりＶ軸上ばかり補
正することを意味する。又これらのことは磁界制御素子
の形状等にはよらずその位置に深く関係している。
軸とＤ軸の補正量は近い量であるのに対し偏向ヨークか
ら遠ざかるとＤ軸の補正量が小さくなりＶ軸上ばかり補
正することを意味する。又これらのことは磁界制御素子
の形状等にはよらずその位置に深く関係している。
以上により画面のＶ軸からＤ軸まで一様にラスタサイズ
が一致することを具体的に示す。
が一致することを具体的に示す。
通常A0とB0はほとんど等しい。
A0＝B0 ……(3) Ｖ軸上ではラスターサイズが一致する。
A1＝A2−A0……(4) 画面コーナーでのラスタサイズ差は(1)乃至(4)式を用い
て、 Δ＝B1−（B2−B0） ＝(k1-k2)A2-(1-k2)A0 ……(5) 従つて、 とするとコーナーでもラスターが一致することとなる。
て、 Δ＝B1−（B2−B0） ＝(k1-k2)A2-(1-k2)A0 ……(5) 従つて、 とするとコーナーでもラスターが一致することとなる。
ここにA0は備向ヨークによつて決まる値であり、k1及び
k2は第１及び第２の磁界制御素子の配置された位置によ
つて決まる値であり、A2は一義的に決まる。
k2は第１及び第２の磁界制御素子の配置された位置によ
つて決まる値であり、A2は一義的に決まる。
従つて第１図の磁界制御素子の必要補正量は、 第２の磁界制御素子の必要補正量は、 であることは明らかである。
次に25吋型110度偏向カラー受像管に本発明を適用した
場合の具体例を示す。A0は4.0mm である。第１、第２の
磁界制御素子の配置位置は偏向ヨーク端よりそれぞれ約
20mmと約40mmとした。又ビーム相互の距離Sgは6.6mm で
ある。この時k1及びk2は、 k1＝0.7 k2＝0.3 であることが実験より求められた。
場合の具体例を示す。A0は4.0mm である。第１、第２の
磁界制御素子の配置位置は偏向ヨーク端よりそれぞれ約
20mmと約40mmとした。又ビーム相互の距離Sgは6.6mm で
ある。この時k1及びk2は、 k1＝0.7 k2＝0.3 であることが実験より求められた。
従って、(6)式及び(7)式を用いれば、第１及び第２の磁
界制御素子の適正補正量はそれぞれ、 7.0 mm 及び 3.0 mm と求まる。以上に基ずいて実施した上記カラー受像管の
特性はＶ軸上のラスターを一致させた時のコーナーでの
中央ビームラスターのたれ量で表わすと、従来0.8mm 乃
至1.0 mmであつたものが０乃至0.2 mm程度に大幅に減少
させることが出来た。ここで第１磁界制御素子及び第２
磁界制御素子の位置及びＶ軸とＤ軸のラスター補正量の
比ｋの変化を第４図に示す、第１及び第２磁界制御素子
の位置C1及びC2に対して、第２磁界制御素子の位置を点
Ａとすると（ｌ≒10），k2′＝0.5となり、前述の必要
補正量は第１磁界制御素子が10.0mm、第２磁界制御素子
が6.0mmとなる。
界制御素子の適正補正量はそれぞれ、 7.0 mm 及び 3.0 mm と求まる。以上に基ずいて実施した上記カラー受像管の
特性はＶ軸上のラスターを一致させた時のコーナーでの
中央ビームラスターのたれ量で表わすと、従来0.8mm 乃
至1.0 mmであつたものが０乃至0.2 mm程度に大幅に減少
させることが出来た。ここで第１磁界制御素子及び第２
磁界制御素子の位置及びＶ軸とＤ軸のラスター補正量の
比ｋの変化を第４図に示す、第１及び第２磁界制御素子
の位置C1及びC2に対して、第２磁界制御素子の位置を点
Ａとすると（ｌ≒10），k2′＝0.5となり、前述の必要
補正量は第１磁界制御素子が10.0mm、第２磁界制御素子
が6.0mmとなる。
この様に両者が接近すると両者の必要補正量は急激に増
大し好ましくない。
大し好ましくない。
一方逆に第２磁界制御素子が点Ｂにある場合（ｌ≒4
0），k2″＝0.1となり、第１及び第２磁界制御素子の必
要補正量は各々6.0 mm及び2.0 mmとなる。
0），k2″＝0.1となり、第１及び第２磁界制御素子の必
要補正量は各々6.0 mm及び2.0 mmとなる。
この場合には補正量は比較的少くて済むが、第２磁界制
御素子近傍に存在する磁界が微弱であつて補正そのもの
が困難となつてくる。従つて第１及び第２の磁界制御素
子間隔ｌはビーム間隔Sgで規格化して考えて、 望ましくは とするとよい。
御素子近傍に存在する磁界が微弱であつて補正そのもの
が困難となつてくる。従つて第１及び第２の磁界制御素
子間隔ｌはビーム間隔Sgで規格化して考えて、 望ましくは とするとよい。
次に本発明の他の実施例につき説明する。
第１の実施例を示す第１図では環状素子を示したが磁界
制御素子は円筒状であつてもよいし必らずしも円形でな
くてもよい。
制御素子は円筒状であつてもよいし必らずしも円形でな
くてもよい。
第１磁界制御素子としては第８図(a)及び第８図(b)等の
形状も使用することが可能であり、基本的に垂直方向偏
向に伴つて中央ビームラスタの感度を向上させるタプの
素子であればその形状等は任意に選択可能である。又、
第２磁界制御素子としては中央ビームラスタの感度を減
少させるタイプのものであれば任意に選択が可能であ
る。
形状も使用することが可能であり、基本的に垂直方向偏
向に伴つて中央ビームラスタの感度を向上させるタプの
素子であればその形状等は任意に選択可能である。又、
第２磁界制御素子としては中央ビームラスタの感度を減
少させるタイプのものであれば任意に選択が可能であ
る。
第５図及び第６図には之等の磁界制御素子の他の組み合
わせた例を示す。
わせた例を示す。
以上の説明で明らかな様に本発明に係る第１、第２の磁
界制御素子を有するカラー受像管装置では、従来より画
像品位を著しく劣化せしめていた中央ビームラスターの
不一致、特にコーナー部で不一致を大幅に改善すること
が出来た。また画面の中間部分の不一致についても改善
出来た。
界制御素子を有するカラー受像管装置では、従来より画
像品位を著しく劣化せしめていた中央ビームラスターの
不一致、特にコーナー部で不一致を大幅に改善すること
が出来た。また画面の中間部分の不一致についても改善
出来た。
以上の様に本発明によれば、従来なし得なかつたコンバ
ーゼンス特性の大幅改良を可能とするものであり、大型
広角管の性能向上、キヤラクターデイスプレイ管等での
解像度の向上等その効果は非常に大きく工業的価値は極
めて大である。
ーゼンス特性の大幅改良を可能とするものであり、大型
広角管の性能向上、キヤラクターデイスプレイ管等での
解像度の向上等その効果は非常に大きく工業的価値は極
めて大である。
第１図は本発明に係る第１及び第２の磁界制御素子の実
施例を示す要部の切欠斜視図、第２図(a)及び第２図(b)
は第１図の第１及び第２の磁界制御素子の作用を説明す
るための部分平面図、第３図(a)乃至第３図(c)は画面上
のラスタサイズ補正を説明するための模式図、第４図は
第１及び第２の磁界制御素子の位置に対するＶ軸とＤ軸
のラスター補正量の比を説明するための特性図、第５図
及び第６図はその他の磁界制御素子の組み合せの例を示
す模式図、第７図はカラー受像管の概略構成を示す断面
図、第８図(a)及び第８図(b)は従来の磁界制御素子の例
を示す部分平面図、第９図は従来技術による中央ラスタ
の不一致を説明するための模式図である。 (1)……パネル、(2)……フアンネル (3)……ネツク、(4)……電子銃 (6)……シヤドウマスク、(7)……偏向ヨーク (10R),(10B),(10G)……磁界制御素子
施例を示す要部の切欠斜視図、第２図(a)及び第２図(b)
は第１図の第１及び第２の磁界制御素子の作用を説明す
るための部分平面図、第３図(a)乃至第３図(c)は画面上
のラスタサイズ補正を説明するための模式図、第４図は
第１及び第２の磁界制御素子の位置に対するＶ軸とＤ軸
のラスター補正量の比を説明するための特性図、第５図
及び第６図はその他の磁界制御素子の組み合せの例を示
す模式図、第７図はカラー受像管の概略構成を示す断面
図、第８図(a)及び第８図(b)は従来の磁界制御素子の例
を示す部分平面図、第９図は従来技術による中央ラスタ
の不一致を説明するための模式図である。 (1)……パネル、(2)……フアンネル (3)……ネツク、(4)……電子銃 (6)……シヤドウマスク、(7)……偏向ヨーク (10R),(10B),(10G)……磁界制御素子
Claims (2)
- 【請求項１】ネック部、前面パネル部および前記ネック
部とパネル部の中間のファンネル部の各部より構成され
る外囲器からなる受像管と前記受像管のネック部内にセ
ンタービーム及び両サイドビームからなる３本のインラ
イン配列の電子ビームを生成する電子銃構体と前記ファ
ンネル部およびネック部の周囲に配置された偏向ヨーク
とを含み前記偏向ヨークは前記電子銃構体が生成する３
電子ビームを含む面で決まる第１の偏向方向と３電子ビ
ームを含む面に垂直な第２の偏向方向に各々偏向する第
１及び第２の偏向コイルからなり３電子ビームが描くラ
スターの大きさを実質的に一致させるべく高透磁率磁性
部材よりなる磁界制御素子を前記ネック部内に有し、前
記磁界制御素子は少くとも第２の偏向方向には、センタ
ービームのラスターの大きさを両サイドビームのラスタ
ーに比し相対的に凸形状に増大させる第１の磁界制御素
子と反対にセンタービームのラスターの大きさを両サイ
ドビームのラスターに比し相対的に凹形状に減少させる
第２の磁界制御素子を含み前記偏向ヨークの偏向コイル
と前記電子銃の電子ビーム発生源のカソードの間であっ
て偏向コイル側より第１の磁界制御素子及び第２の磁界
制御素子の順に管軸方向に配置し、前記第１及び第２の
磁界制御素子相互の管軸間隔ｌは前記電子ビーム間隔Ｓ
ｇとの間に、６≧ｌ／Ｓｇ≧１なる関係を有することを
特徴とするカラー受像管装置。 - 【請求項２】前記第１の磁界制御素子はサイドビームを
大旨とり囲む構造の磁性体部材よりなり、前記第２の磁
界制御素子はセンタービームを大旨とり囲む構造の磁性
体部材よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のカラー受像管装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244613A JPH0656742B2 (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | カラ−受像管装置 |
| KR1019850001831A KR900000351B1 (ko) | 1984-05-10 | 1985-03-19 | 컬러 수상관장치 |
| EP85105593A EP0160970B1 (en) | 1984-05-10 | 1985-05-07 | Color picture tube device |
| DE8585105593T DE3582083D1 (de) | 1984-05-10 | 1985-05-07 | Farbbildroehre. |
| US06/731,903 US4656390A (en) | 1984-05-10 | 1985-05-08 | Color picture tube device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244613A JPH0656742B2 (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | カラ−受像管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126742A JPS61126742A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0656742B2 true JPH0656742B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=17121338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59244613A Expired - Lifetime JPH0656742B2 (ja) | 1984-05-10 | 1984-11-21 | カラ−受像管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656742B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126208A (ja) * | 1974-08-21 | 1976-03-04 | Hiroo Takashima |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP59244613A patent/JPH0656742B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61126742A (ja) | 1986-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |